PL119349B1 - Method of measurement of life-time of current carriers,especially in pin diodesv p-i-n diodakh - Google Patents
Method of measurement of life-time of current carriers,especially in pin diodesv p-i-n diodakh Download PDFInfo
- Publication number
- PL119349B1 PL119349B1 PL21862279A PL21862279A PL119349B1 PL 119349 B1 PL119349 B1 PL 119349B1 PL 21862279 A PL21862279 A PL 21862279A PL 21862279 A PL21862279 A PL 21862279A PL 119349 B1 PL119349 B1 PL 119349B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- pulses
- time
- measurement
- pin
- diodesv
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 title description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób pomiaru czasu zycia nosników pradu zwlaszcza w diodach PIN, w których czas zycia jest rzedu mikrosekund.
Znany i stosowany jest sposób pomiaru polegajacy na wysterowaniu diody dwoma identycznymi impulsami i zmierzeniu towarzyszacych im spadków napiec, przy czym drugi impuls podaje sie w odstepie czasu krótszym od czasu ustalenia sie stanu ustalonego, to jest gdy ladunek zgroma¬ dzony w bazie po pierwszym impulsie nie zostal calkowicie zrekombinowany. Czas zycia nosników okresla sie ze wzoru At In AVa_ gdzie: At—odstep czasu miedzy identycznymi impulsami' AW\ i AVi— spadki napiec w chwili wylaczenia i wla" czenia odpowiednio pierwszego i drugiego impulsów* W sposobie podwójnych impulsów nie uwzglednia sie rezystancji obszarów „p" i „n" diody oraz opornosci kontaktów, co wprowadza znaczny blad, którego wielkosc zalezy od amplitudy impulsów. Ogranicza to zastosowanie tego sposobu jedynie do malych impulsów pradowych, kiedy to pomiar obarczony jest bledem okolo 25%.
Przy wiekszych impulsach pradowych blad pomiaru wzrasta.
Istota wynalazku polega na tym, ze na strukture diodowa w stanie ustalonym podaje sie impuls, którego wartosc jest inna od wartosci dwóch identycznych impulsów po- 10 ii 20 25 20 dawanych w odstepie czasu krótszym od czasu ustalenia sie stanu ustalonego.
Zmierzone spadki napiec na strukturze w chwili wylacze¬ nia i wlaczenia tych impulsów oraz ich amplitudy stosuje sie do obliczania czasu nosników wedlug wzoru: x= At In (AVa—AV3+AV3—AY,).I0/I3 (AYt-AYaMo/Is gdzie: At—odstep czasu miedzy identycznymi impulsami, AVi i A V2 — spadki napiec w chwili wylaczania i wlaczania odpowiednio pierwszego i drugiego identycznych impulsów, AVi— spadek napiecia w chwili wylaczenia trzeciego impulsu o innej wartosci niz identyczne impulsy, Io —am¬ plituda identycznych impulsów, I3—amplituda trzeciego impulsu.
Zaleta sposobu wedlug wynalazku jest zwiekszenie dokladnosci okreslania czasu zycia nosników pradu przez uwzglednienie spadku napiecia na obszarach „n" i „p" i kontaktach diody. Jest to obecnie najdokladniejszy po¬ miar tej wielkosci i blad wynosi okolo 10%.
Sposób wedlug wynalazku jest objasniony na przykladzie pomiaru diody PIN,.
Z generatora impulsowego na diode podaje sie dwa i- dentyczne impulsy o amplitudzie Io w odstepie czasu At krótszym od czasu ustalenia sie stanu ustalonego, który wynosi ok. 6 ys. Po ustaleniu sie stanu ustalonego, który wynosi 40—50 /»., podaje sie trzeci impuls o wiekszej amplitudzie niz poprzednie impulsy. 119 349119 349 W chwili wylaczenia kolejnych impulsów mierzy sie na miliamperomierzu, który jest polaczony szeregowo z dioda,amplitudy kolejnych impulsów Io i I3 i na oscylosko¬ pie podlaczonym równolegle do diody spadki napiec AVif A\i i AVi spowodowane tymi impulsami.
Dlalatwiejszego wyznaczenia wartosci amplitud impulsów proponuje sie podawac impulsy pradowe o wypelnieniu 1/2.
Zmierzone wielkosci nalezy podstawic do wzoru do obli¬ czania czasu zycia: At In (AV3-^AV3+AV3-AVi) -Ip/L (AYt—AYJ.Io/I.
I * ' * u Zasjtf/ezenie patentowe Sposób pomiaru czasu zycia nosników pradu, zwlaszcza w diodach PIN, w którym strukture diodowa wysterowuje sie dwoma identycznymi impulsami podawanymi w odste¬ pie czasu mniejszym od czasu ustalenia sie stanu u$UUo- 10 15 nego i mierzy sie towarzyszacy im spadek napiecia, zna¬ mienny tym, ze na strukture ty stanie ustalonym podajesie trzeci impuls j> innej wartosci niz wartosc identycznych impulsów, mierzy sie spadek napiecia spowodowany tym impulsem oraz jego amplitude, przy czym równiez sie mierzy amplitude identycznych impulsów, i oblicza sie czas zycia wedlug wzoru At t— In (Av2-AV3tfAy.-Ayp.ip/i, .I«/I,".-'" gdzie: At —odstep czasu miedzy identycznymi impulsami, AW\ i A\i — spadki napiec w chwili wylaczenia i wlaczenia odpowiednio pierwszego i drugiego identycznych impulsów, AVs — spadek napiecia w chwili wylaczenia trzeciego impulsu o innej wartosci niz identyczne impulsy, Io — am¬ plituda identycznych impulsów, I3—amplituda trzeciego impulsu* LDD Z-d 2, z. 278/1400/83, n. 110+20 egz.
Cena 100 zl
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21862279A PL119349B1 (en) | 1979-09-29 | 1979-09-29 | Method of measurement of life-time of current carriers,especially in pin diodesv p-i-n diodakh |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21862279A PL119349B1 (en) | 1979-09-29 | 1979-09-29 | Method of measurement of life-time of current carriers,especially in pin diodesv p-i-n diodakh |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL218622A2 PL218622A2 (pl) | 1980-07-28 |
| PL119349B1 true PL119349B1 (en) | 1981-12-31 |
Family
ID=19998625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL21862279A PL119349B1 (en) | 1979-09-29 | 1979-09-29 | Method of measurement of life-time of current carriers,especially in pin diodesv p-i-n diodakh |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL119349B1 (pl) |
-
1979
- 1979-09-29 PL PL21862279A patent/PL119349B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL218622A2 (pl) | 1980-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2068215C (en) | Analog to digital conversion with noise reduction | |
| US4912392A (en) | Battery charge state monitor | |
| DE4106725A1 (de) | Ladezustandsanzeige einer batterie | |
| EP0757440A3 (en) | A time interval measurement system and a method applied therein | |
| US4644245A (en) | Nickel-cadmium battery state-of-charge measuring method | |
| EP0267693A1 (en) | Electric power measuring device | |
| PL119349B1 (en) | Method of measurement of life-time of current carriers,especially in pin diodesv p-i-n diodakh | |
| JP2701343B2 (ja) | 光ファイバー式微少電流検出器 | |
| US4779044A (en) | Voltage, current and frequency measuring of non-standard waveforms | |
| DE69228526T2 (de) | Verfahren zur Messung des Ladezustandes eines elektrochemischen Generators | |
| SU987541A1 (ru) | Устройство дл измерени параметров аморфных и стеклообразных пороговых переключателей с S-образной вольт-амперной характеристикой | |
| SU940089A1 (ru) | Устройство дл измерени времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниках | |
| CN1107874C (zh) | 用于精确采集一由电输入量所导出的直流电流的电路装置 | |
| SU394719A1 (ru) | Амплитудный вольтметр | |
| GB1195029A (en) | Wear Monitoring. | |
| SU1756812A1 (ru) | Устройство дл измерени коррозионной активности грунта | |
| JPS5735767A (en) | Leakage current detector for arrester | |
| SU1262391A1 (ru) | Электросчетчик | |
| SU1155954A1 (ru) | Цифровой измеритель мощности | |
| SU1255946A2 (ru) | Устройство дл измерени физических величин | |
| SU1441195A1 (ru) | Ультразвуковой безэталонных толщиномер | |
| SU1442934A1 (ru) | Устройство дл измерени посто нной времени параллельной RC - цепи | |
| SU1443058A1 (ru) | Устройство поэлементного контрол напр жени аккумул торной батареи | |
| CA2117166C (en) | Multicell battery monitoring system with single sensor wire | |
| SU930148A1 (ru) | Низкочастотный частотомер |