PL119106B2 - Method of zeroing of semiconductor bridge - Google Patents

Method of zeroing of semiconductor bridge Download PDF

Info

Publication number
PL119106B2
PL119106B2 PL21670179A PL21670179A PL119106B2 PL 119106 B2 PL119106 B2 PL 119106B2 PL 21670179 A PL21670179 A PL 21670179A PL 21670179 A PL21670179 A PL 21670179A PL 119106 B2 PL119106 B2 PL 119106B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
bridge
additional
values
resistor
temperature
Prior art date
Application number
PL21670179A
Other languages
English (en)
Other versions
PL216701A2 (pl
Inventor
Dariusz Lewandowski
Bogdan Wilamowski
Original Assignee
Politechnika Gdanska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Gdanska filed Critical Politechnika Gdanska
Priority to PL21670179A priority Critical patent/PL119106B2/pl
Publication of PL216701A2 publication Critical patent/PL216701A2/xx
Publication of PL119106B2 publication Critical patent/PL119106B2/pl

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób zerowania mostka pólprzewodnikowego nie wprowadzajacy do¬ datkowego dryt tu temperaturowego zera, stosowany przy zerowaniu pólprzewodnikowych molików tenso- metrycznych i innych mostków, których wartosci elementów sa zalezne od temperatury.Powszechnie stosowane metody zerowania mostków wykorzystujace dodatkowy potencjometr, sa malo przydatne do zerowania mostków, których wartosci elementów zaleza od temperatury.Zmiana temperatury wartosci elementów mostka prowadzi do tego, ze mostek mozna wyzerowac tylko dla jednej okreslonej temperatury. Zmiana temperatury powoduje powstanie sygnalu niezrównowazenia, co jest zjawiskiem niekorzystnym. W znanych pólprzewodnikowych mostkach firmy Honeywell, sposób zero¬ wania polega na dolaczeniu dodatkowych termistorów, które umieszcza sie w poblizu mostka. Zmiana wartosci dolaczonych termistorów sluzy do kompensacji efektu niezrównowazenia mostka ze zmiana temperatury. Niedogodnoscia opisanego rozwiazania jest jego zlozonosc oraz mala skutecznosc. Tempera¬ tury samego mostka i dodatkowych termistorów róznia sie zwykle i niemozliwa jest pelna kompensacja dryftu temperaturowego zera. Równiez ze wzgledu na silnie nieliniowa zaleznosc wartosci rezystancji termistorów od temperatury niewielki jest zakres temperatur, dla których mozliwa jest eliminacja tego niekorzystnego zjawiska.W sposobie zerowania mostka pólprzewodnikowego wedlug wynalazku, do dwóch przylegajacych elementów mostka, których wybór zalezy od kierunku niezrównowazenia mostka dolacza sie dwa dodat¬ kowe rezystory o malych wartosciach temperaturowego wspólczynnika rezystancji. Jeden z rezystorów wlacza sie w szereg z pierwszym z elementów mostka, zas drugi rezystor dodatkowy dolacza sie równolegle do sasiedniego elementu mostka. Wartosc dodatkowych rezystorów dobiera sie tak, aby iloczyn ich byl w przyblizeniu równy iloczynowi wartosci elementów mostka, do których zostaly dolaczone.Korzysci techniczne wynikajace ze stosowania sposobu wedlug wynalazku polegaja na uniknieciu koniecznosci stosowania dodatkowych elementów termoczulych, jakimi sa termistory.Realizacja wedlug sposobu wynalazku jest prosta. Zerowanie wykonane sposobem wedlug wynalazku jest skuteczne i mozliwe w szerokim zakresie temperatur.Przedmiot wynalazku jest blizej objasniony na podstawie przykladowego ukladu uwidocznionego na rysunku przedstawiajacym mostek pólprzewodnikowy z dolaczonymi dodatkowymi rezystorami.Mostek sklada sie z czterech rezystorów pólprzewodnikwoyeh. Rezystory Ri i R2 stanowiajedna galaz mostka.2 119106 Dla zrównowazenia mostka dolaczono rezystory dodatkowe Rdi Rd2 o malych wartosciach temperaturo¬ wego wspólczynnika rezystancji. Wartosci rezystorów dodatkowych Rdi Rd2 zostaly tak dobrane, aby spelniony byl zarówno warunek równowagi mostka orazwarunek tych samych temperaturowych wspólczyn¬ ników rezystancji elementów mostka. Rezystor dodatkowy Rui wlaczony jest w szereg z rezystorem R2, a rezystor dodatkowy Rd2 równolegle do rezystora R4. W ten sposób wypadkowa wartosc rezystancji jednego elementu mostka wzrosla do R2, a drugiego zmalala do R4. W przypadku, gdy wartosci elementów mostka wynosza Ri= 5,1 Ok fl, R2= 4,91 kfl, Ri=5,15 kfl, R4= 5,0kfl,aich temperaturowy wspólczynnik rezystan¬ cji wynosi 0,293% /°C, to aby byly spelnione warunki: Ri-R4=R2-R3 Rdi *R42=R2' R4 wlaczono w szeróg z rezystorem R2 rezystor dodatkowy Rdi = 25,8fl zas równolegle do rezystora R4 rezystor dodatkowy Rd2 = 967 kfl. Wypadkowe wartosci rezystancji elementów mostka wynosic beda R2= 4,936kfl, R4 .= 4,9842 kfl, a ich temperaturowe wspólczynniki rezystancji beda identyczne i równe 0,291%/°C.Wyzerowany w ten sposób mostek charakteryzuje sie nie zmienionym dryftem temperaturowym zera.Zastrzezenie patentowe Sposób zerowania mostka pólprzewodnikowego skladajacego sie z dwóch galezi z dwoma pólprzewod¬ nikami rezystorowymi w kazdej z nich, znamienny tym, ze do dwóch sasiednich elementów mostka, których wybór zalezy od kierunku niezrównowazenia mostka dolacza sie dwa dodatkowe rezystory o malych wartosciach temperaturowego wspólczynnika rezystancji, z których jeden wlacza sie w szereg z jednym z elementów mostka a drugi rezystor dodatkowy dolaczasie równolegle do sasiedniego elementu mostka, przy czym wartosci dodatkowych rezystorów dobiera sie tak, aby iloczyn ich byl równy iloczynowi wartosci elementów mostka, do których zostaly dolaczone.Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 egz.Cena 100 zl PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób zerowania mostka pólprzewodnikowego skladajacego sie z dwóch galezi z dwoma pólprzewod¬ nikami rezystorowymi w kazdej z nich, znamienny tym, ze do dwóch sasiednich elementów mostka, których wybór zalezy od kierunku niezrównowazenia mostka dolacza sie dwa dodatkowe rezystory o malych wartosciach temperaturowego wspólczynnika rezystancji, z których jeden wlacza sie w szereg z jednym z elementów mostka a drugi rezystor dodatkowy dolaczasie równolegle do sasiedniego elementu mostka, przy czym wartosci dodatkowych rezystorów dobiera sie tak, aby iloczyn ich byl równy iloczynowi wartosci elementów mostka, do których zostaly dolaczone. Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 egz. Cena 100 zl PL
PL21670179A 1979-06-27 1979-06-27 Method of zeroing of semiconductor bridge PL119106B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21670179A PL119106B2 (en) 1979-06-27 1979-06-27 Method of zeroing of semiconductor bridge

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21670179A PL119106B2 (en) 1979-06-27 1979-06-27 Method of zeroing of semiconductor bridge

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL216701A2 PL216701A2 (pl) 1980-07-01
PL119106B2 true PL119106B2 (en) 1981-11-30

Family

ID=19997148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21670179A PL119106B2 (en) 1979-06-27 1979-06-27 Method of zeroing of semiconductor bridge

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL119106B2 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL216701A2 (pl) 1980-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2238017A1 (en) Wheatstone bridge with temperature gradient compensation
US2800018A (en) Probe device for fluid condiction measuring apparatus
PL119106B2 (en) Method of zeroing of semiconductor bridge
KR970702478A (ko) 유량 센서(Flow rate sensor)
JPH0349050B2 (pl)
US3165426A (en) Thermopile
PL119107B2 (en) Method of elimination of temperature zero drift in semiconductor bridgevodnikovom moste
JPS5222948A (en) Liquid level detector
US1745149A (en) Compensating apparatus for thermoelectric couples
JPS55163880A (en) Semiconductor strain gauge bridge circuit
NO781730L (no) Pct-motstand for anvendelse som stroembegrensende komponent i en elektrisk stroemkrets
SU1200259A1 (ru) Устройство дл регулировани температуры
Singh A feasibility study of a low cost junctionless silicon sensor for high temperature applications
SU447579A1 (ru) Устройство дл измерени температуры
IT1181972B (it) Perfezionato nei termostati mono temperatura ad elemento bimetallico
SU144306A1 (ru) Датчик скорости изменения температуры
Shu-wen et al. Heat Injary and Changes in Electrical Resistance of Leaf Tissue
SU1157468A1 (ru) Устройство дл измерени сопротивлени
SU536406A1 (ru) Устройство дл измерени неэлектрических величин
JPS5345984A (en) Resistance element
SU124172A1 (ru) Датчик влажности
SU418872A1 (pl)
SU399606A1 (ru) Способ оптимизации режима работы тепловой
DE2221407A1 (de) Einrichtung zur aufnahme von zahlreichen thermoelementen geeigneter kaltpunkt-kompensator hoher genauigkeit
SU127847A1 (ru) Дистанционный измеритель относительной влажности воздуха или газа