PL118300B2 - Method for fabrication of multi-layer structures using epitaxial process from a liquid phasepitaksii iz zhidkojj fazy - Google Patents

Method for fabrication of multi-layer structures using epitaxial process from a liquid phasepitaksii iz zhidkojj fazy Download PDF

Info

Publication number
PL118300B2
PL118300B2 PL21961379A PL21961379A PL118300B2 PL 118300 B2 PL118300 B2 PL 118300B2 PL 21961379 A PL21961379 A PL 21961379A PL 21961379 A PL21961379 A PL 21961379A PL 118300 B2 PL118300 B2 PL 118300B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
tanks
solution
container
containers
zhidkojj
Prior art date
Application number
PL21961379A
Other languages
English (en)
Other versions
PL219613A2 (pl
Inventor
Krzysztof Kazmierski
Maciej Pilch
Original Assignee
Inst Tech Elektronowej
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Tech Elektronowej filed Critical Inst Tech Elektronowej
Priority to PL21961379A priority Critical patent/PL118300B2/pl
Publication of PL219613A2 publication Critical patent/PL219613A2/xx
Publication of PL118300B2 publication Critical patent/PL118300B2/pl

Links

Landscapes

  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

Opis patentowy opublikowano: 30.12.1982 o Int. Cl.3 H01L 21/208 CZYTELNIA Urzeda Potentowsgo hltilij laczrmnnu) irtmj Twórcywynalazku: Krzysztof Kazmierski, Maciej Pilch Uprawniony zpatentu tymczasowego: Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania struktur wielowarstwowych metoda epitaksji z fazy cieklej Wynalazek dotyczy sposobu wytwarzania struktur wielowarstwowych metoda epitaksji z fazy cieklej.Znany jest sposób otrzymania struktur wielowarstwowych w procesie epitaksji z fazy cieklej, w którym epitaksje wielokrotna realizuje sie przez przesuwanie zbiornika z roztworem epitaksjalnym wzgledem powierzchni plytek podlozowych.Zapoczatkowanie procesu, czyli doprowadzenie plytki podlozowej do kontaktu z roztworem epitaksjal¬ nym, odbywa sie przez przesuniecie zbiornika wzgledem plytki tak, ze roztwór znajduje sie nad plytka, przerwanie zas procesu odbywa sie przez kolejny przesuw zbiornika wzgledem plytki tak, ze nastepuje zgarniecie roztworu znad plytki przez przesuwajacy sie zbiornik.Znany jest takze sposób wytwarzania pojedynczych warstw metoda epitaksji z fazy cieklej, w którym do kontaktu roztworu z plytka podlozowa doprowadza sie przez obrót zbiornika i plytek. W trakcie obrotu nastepuje wlanie roztworu do pojemnika z plytkami. Przerwanie procesu odbywa sie takze przez obrót zbiornika i plytek w trakcie którego nastepuje wylanie roztworu z pojemnika z plytkami.Cecha charakterystyczna znanego sposobu wytwarzania struktur wielowarstwowych metoda epitaksji z fazy cieklej jest zgarnianie roztworu znad plytki podlozowej przez przesuwajacy sie zbiornik poza plytke.Powoduje to, ze praktyczna realizacja epitaksji wielokrotnej zwiazanajest z wieloma problemami,jak: mieszanie sie roztworów w trakcie przesuwania zbiorników, skutkiem czego jest nieprawidlowy wzrost warstw epitaksjalnych; niepelne usuwanie roztworu znad plytek, skutkiem czego jest brak kontroli grubosci warstw, nieprawidlowosc wzrostu i nierównosc warstw; rysowanie plytek w trakcie przesuwania, wskutek porywania i przesuwania krystalitów powstajacych w roztworze i na krawedziach plytki; rysowanie i wycieranie sie materialu, z którego wykonane sa zbiorniki i pojemniki, najczesciej z grafitu.Istota wynalazku polega na tym, ze miedzy kolejnymi przesuwami zbiorników z roztworami epitaksjal¬ nymi wzgledem pojemnika z plytkami obraca sie ustawione w trakcie przesuwu pojemnik i zbiorniki.Zbiorniki i pojemnik ustawia sie tak, ze ich otwory przed obracaniem pokrywaja sie albo sa zamkniete.Sposób wedlug wynalazku pozwala uzyskac wielowarstwowa strukture o dobrej jakosci, gdyz po wykonaniu kolejnej warstwy roztwór jest calkowicie usuwany do zbiornika i ani roztwór, ani plytki nie dotykaja powierzchni przesuwnych. Ponadto sposób umozliwia przeprowadzenie epitaksji wielokrotnej wiekszej liczby warstw na wiekszej powierzchni plytek w piecu o danej dlugosci i srednicy strefystalotempera- turowej, gdyz plytki podlozowe nie musza znajdowac sie w plaszczyznie równoleglej do plaszczyzny prze¬ suwu zbiorników.2 118300 Przyklad wykonania. Plytki podlozowe umieszcza sie w pojemniku na plytki, a roztwory epitaksjalne wlewa sie do kolejnych zbiorników na roztwory.Przy zlozeniu zbiornik jest ustawiony pod pojemnikiem na plytki tak, ze ich otwory sa zamkniete. Polaczone pojemnik i zbiorniki umieszcza sie w odpowiedniej strefie temperaturowej pieca.Proces zapoczatkowuje przesuniecie zbiornika, w wyniku czego otwory zbiornika i pojemnika pokry¬ waja sie i rpztwór wlewa sie do pojemnika z plytkami.Zakonczenie procesu powoduje sie przez obrót o 180°, w wyniku czego roztwór wylewa sie zpojemnika.Wykonujac sekwencje przesuniec i obrotów otrzymuje sie wielowarstwowe struktury epitaksjalne.Przesuniecie powoduje otwieranie i zamykanie otworów zbiorników powierzchnia pojemnika znajdujacasie w plaszczyznie jego otworu oraz otwieranie i zamykanie otworu pojemnika powierzchnia miedzy otworami zbiorników.Korzystnym jest, jesli przesuniecie wykonuje sie wtedy, gdy zbiornik z roztworem znajduje sie na dole, poniewaz wtedy zamykajace powierzchnie,znajdujace sie w plaszczyznie otworówzbiornika i pojemnika, nie dotykaja roztworu. PL

Claims (3)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wykonania struktur wielowarstwowych wprocesie epitakcji z fazy cieklej, w którym przesuwa sie zbiorniki z roztworami epitaksjalnymi wzgledem pojemników z plytkami, znamienny tym, ze miedzy kolejnymi przesuwami obraca sie ustawione wzgledem siebie zbiorniki i pojemniki.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze przed obracaniem zbiorniki i pojemniki ustawionesa tak, ze plaszczyzny otworów pokrywaja sie.
  3. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze przed obracaniem zbiorniki i pojemniki ustawia sietak, ze ich otwory sa zamkniete. Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 cgz. Cena 100 zl PL
PL21961379A 1979-11-14 1979-11-14 Method for fabrication of multi-layer structures using epitaxial process from a liquid phasepitaksii iz zhidkojj fazy PL118300B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21961379A PL118300B2 (en) 1979-11-14 1979-11-14 Method for fabrication of multi-layer structures using epitaxial process from a liquid phasepitaksii iz zhidkojj fazy

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21961379A PL118300B2 (en) 1979-11-14 1979-11-14 Method for fabrication of multi-layer structures using epitaxial process from a liquid phasepitaksii iz zhidkojj fazy

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL219613A2 PL219613A2 (pl) 1980-11-03
PL118300B2 true PL118300B2 (en) 1981-09-30

Family

ID=19999415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21961379A PL118300B2 (en) 1979-11-14 1979-11-14 Method for fabrication of multi-layer structures using epitaxial process from a liquid phasepitaksii iz zhidkojj fazy

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL118300B2 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL219613A2 (pl) 1980-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1523585A2 (de) Be- und entladevorrichtung für eine beschichtungseinrichtung
Auciello et al. Processing technologies for ferroelectric thin films and heterostructures
DE2448023B2 (de) Vorrichtung zum bedampfen von werkstuecken mit duennen filmen
ES455868A1 (es) Procedimiento de formacion sobre un substrato,de una capa unimolecular de moleculas aufifilas
PL118300B2 (en) Method for fabrication of multi-layer structures using epitaxial process from a liquid phasepitaksii iz zhidkojj fazy
DE19622322C2 (de) Vorrichtung zum Züchten aus der Dampfphase
US4354453A (en) Substrate holder for liquid phase epitaxial growth
Ishizawa et al. Compounds with perovskite-type slabs. IV. Ferroelectric phase transitions in Sr2 (Ta1− xNbx) 2O7 (x≃ 0.12) and Sr2Ta2O7
US4773244A (en) Apparatus for producing a substrate for a photoconductive members
US4393806A (en) Boat for the epitaxial growth from the liquid phase
US4397260A (en) Boat for the epitaxial growth of several layers from the liquid phase
US5603761A (en) Liquid phase epitaxial growth method for carrying out the same
Fan et al. Regulation of High‐Index Crystal Facets with Laser‐Induced Periodic Surface Structures on CoFe2O4 Epitaxial Films for Ethanol Gas Sensing
JPS6169118A (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
US2908419A (en) Lined containers and methods of making the same
DE2249144A1 (de) Verfahren und vorrichtung fuer epitaxiales aufwachsen von halbleitermaterial
DE10297102T5 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer dünnen Platte sowie Solarzelle
DE1946049C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Flüssigphasenepitaxie
Briggs et al. Photoelectron spectroscopy and surface order: Some UPS and XPS observations on Ag (110)
JPS55113897A (en) Production of boiling heat transfer surface
Yoshida et al. Observation of Alloying Behaviour by Solid-State Reaction at the Interface of Bi--Mn Double Layer Films by High Resolution Electron Microscopy.(Retroactive Coverage)
Newkirk Observations on dislocations in tetraphenyltin and its isomorphs
DE10131232C1 (de) Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mit oxidischem Material sowie Verwendung der Vorrichtung
JP2892602B2 (ja) メッキ方法およびメッキ用バレル装置
JPS54105466A (en) Liquid-phase eptaxial growth unit