Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania cienkowarstwowych rezystorów zwlaszcza na powie¬ rzchniach szklanych lub ceramicznych o skompensowanym wspólczynniku zmian rezystancji, znajdujacy zastosowanie do realizacji stabilnych sieci rezystywnych w produkcji mikroelektronicznych ukladów hybrydowych.Znany jest dotychczas sposób wytarzania rezystorów, który polega na wytworzeniu go z prózniowo nanoszonej cienkiej warstwy stopu metali i pólprzewodników na podloze izolacyjne. Poprzez odpowiedni dobór materialów wyjsciowych i technologii ich nanoszenia uzyskuje sie warstwy rezystywne z skompenso¬ wanym temperaturowym wspólczynnikiem zmian rezystancji wynoszacym kilkadziesiat ppm/K. Wada tego sposobu jest trudna kontrola przebiegu procesu ze wzgledu na duza ilosc parametrów, przez co niemozliwe jest uzyskanie rezystorów o temperaturowym wspólczynniku zmian rezystancji o wartosci pojedynczych ppm.Znanyjest takze sposób wytwarzania rezystorówo skompensowanym temperaturowym wspólczynniku zmian rezystancji, oparty na wytworzeniu rezystora z cienkiej folii materialu rezystywnego, na odpowiednio dobrane podloze izolacyjne. Dobór podloza polega na uzyskaniu takiej róznicy wartosci wspólczynników rozszerzalnosci liniowej podloza i naklejonej na nie folii materialu rezystywnego, abyprzy zmianie tempera¬ tury wzgledem temperatury otoczenia uzyskac naprezenia sciskajace lub rozciagajace w warstwie rezystyw¬ nej, które w pewnym zakresie zmian temperatury rezystora od—218 do +398 K przeciwdzialaja zmianie wartosci rezystancji. Temperaturowywspólczynnik zmian rezystancji na krancach przedzialu temperatury przyjmuje wartosc pojedyncza ppm. Wada tego sposobu jest mala rezystancja powierzchniowa folii* konie¬ cznosc odpowiedniego doboru podloza oraz niemozliwosc stosowania tego sposobu w typowych liniach mikroelektronicznych ukladów hybrydowych, ze wzgledu na odrebnosc technologiczna.Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania rezystorów o skompensowanym temperaturowym wspólczynniku zmian rezystancji, zwlaszcza na podlozach szklanych lub ceramicznych, poprzezprózniowe nanoszenie i nastepnie obróbke fotolitograflaczna wytworzonych warstw. Istota wynalazku polega na tym, ze najpierw na podloze nanosi sie warstwe materialu rezystywnego o ujemnym temperaturowym wspólczyn¬ niku zmian rezystancji, a nastepnie na nia warstwe materialu przewodzacego o dodatnim temperaturowym wspólczynniku zmian rezystancji, az do uzyskania rezystancji powierzchniowej mniejszej co najmniej o rzad wielkosci od rezystancji powierzchniowej warstwy rezystywnej. Nastepnie warstwe przewodzaca wytrawia sie, zostawiajac pola kontaktowe i wyspy przewodzace miedzy polami, a nastepnie wytrawia sie warstwe rezystywna pozostawiajac ciagla sciezke rezystywna pod polami kontaktowymi i na calej drodze miedzy2 117735 polami wyznaczonej przez wyspy przewodzace, przy czym stosunek sumy wysp przewodzacych do dlugosci sciezki rezystywnej ustala sie przyjmujac dla rezystora wartosc zerowa temperaturowego wspólczynnika zmian rezystancji. Korzystnie jest wykonywac sciezke rezystywna ze stopu chromonikiel a pola kontaktowe i wyspy przewodzace z dwuwarstwy chromonikiel-nikiel.Materialy stosowane w dwuwarstwie dobiera sie tak, aby mialy mala zmiennosc czasowa parametru iloczynu wartosci rezystancji powierzchniowej i jej wartosci temperaturowego wspólczynnika zmian rezy¬ stancji dla narazen termicznych. Stosunek sumy dlugosci wysp przewodzacych umieszczonych na sciezce rezystywnej do calej jej dlugosci jest równy stosunkowi iloczynu rezystancji powierzchniowej warstwy rezystywnej i bezwzglednej wartosci temperaturowego wspólczynnika wzglednych zmian rezystancji warstwy rezystywnej podzielonej przez sume dwóch iloczynów: iloczynu wartosci rezystancji powierzchniowej wear- stwy przewodzacej i wartosci bezwzglednej jej temperaturowego wspólczynnika wzglednych zmian rezystan¬ cji oraz iloczynu wartosci rezystancji powierzchniowej warstwy rezystywnej i bezwzglednej wartosci jej temperaturowego wspólczynnika zmian rezystancji.Wykorzystujac charakterystyczne cechy wymienionych warstw dwuwarstwy, to jest przeciwny co do znaku temperaturowy wspólczynnik zmian rezystancji i stosujac celowy dobór ich rezystancji powierzchnio¬ wej, a nastepnie przez selektywna obróbke fotolitograficzna i dobór dlugosci warstwy przewodzacej umie¬ szczonej na warstwie rezystywnej — uzyskuje sie cienkowarstwowy rezystor o wysokim stopniu kompensacji temperaturowego wspólczynnika zmian rezystancji , charakteryzujacy sie ponadto brakiem wplywu na parametry elektryczne wzmozonego narazenia termicznego na skutek rozpraszania w nim mocy elektrycznej lub zmian temperatury otoczenia.Sposobem wedlug wynalazku uzyskuje sie znacznie lepsze parametry elektryczne wytworzonych rezy¬ storów niz w przypadku stosowania innych sposobów, temperaturowy wspólczynnik zmian rezystancji mozna otrzymac bliski zeru w zakresie zmian temperatury otoczenia do okolo 470 K przy wyzszej stabilnosci parametrów rezystora w warunkach wzmozonego obciazenia termicznego lub dlugotrwalej eksploatacji.Przy wygrzewaniu w temperaturze 473 K rezystory przyjmuja wartosc kilkadziesiat ppm/h tojest okolo 1000 razy mniej, niz dla typowych cienkowarstwowych rezystorów, niestabilizowanych wstepnie.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania zilustrownym rysunkiem, na którym fig. 1 przedstawia stan wykonania rezystora po pierwszej obróbce fotolitograficznej a fig. 2— gotowy rezystor po drugiej obróbce fotolitograficznej.Przykladowy sposób dotyczy wytwarzania rezystora z dwuwarstwy chromonikiel-nikiel. Na szklane podloze 1 o temperaturze 643 ± 10 K, nanosi sie w komorze prózniowej poprzez termiczne odparowywanie warstwe stopu chromoniklu z szybkoscia okolo 0,15 nm/s, az do uzyskania rezystancji powierzchniowej 100 omów na kwadrat. Nastespnie w odstepie 1-3 minut na warstwe chromoniklu o temperaturze 613 ± 10 K nanosi sie z szybkoscia 0,5 nm/s warstwe niklu o rezystancji powierzchniowej 2,3 oma na kwadrat.Nanoszenie metali prowadzi sie w prózni lepszej niz 10~5 tora. Przy tak przyjetych parametrach nanoszenia otrzymuje sie dwuwarstwowa zlozona z warstwy rezystywnej stopu chromoniklu o temperaturowym wspól¬ czynniku zmian rezystancji ar= —70 ppm/K oraz przewodzaca warstwe niklu o ap= 3400 ppm/K. Nastepnie dwuwarstwe poddaje sie selektywnej obróbce fotolitograficznej poprzez chemiczne trawienie w 15% roztwo¬ rze chlorku zelaza i wytwarza sie z warstwy niklowej kontaktowe pola 2 i przewodzace wyspy 3. Z kolei uzyskany podzespól poddaje sie drugiej selektywnej obróbce fotolitograficznej przez wytrawienie w 25% roztworze azotanu amonocerowego z dodatkiem 5 g/l chloranu potasu, w temperaturze 333 K dla wytworze¬ nia rezystywnej sciezki 4 ze stopu chromoniklowego w obszarze od kontowych pól 2 pod wszystkimi przewodzacymi wyspami 3. Stosunek sumarycznej dlugosci przewodzacych wysp 3 do rezystywnej sciezki 4 wynosi 1 do 2. Wytworzony rezystor sklada sie z kontaktowych pól 2 i rezystywnej sciezki 4, na której w odstepach naniesione sa przewodzace wyspy 3. Kontaktowe pola 2 i rezystywne sciezki 4 sa wytworzone z dwuwarstwy chromonikiel-nikiel, a ich wypadkowa rezystancja powierzchniowa wynosi okolo 2,25 oma na kwadrat, zas temperaturowy wspólczynnik zmian rezystancji ap= -I- 3100 ppm/K.Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania rezystorów o skompensowanym temperaturowym wspólczynniku zmian rezy¬ stancji, zwlaszcza na podlozach szklanych lub ceramicznych, poprzez prózniowe nanoszenie i nastepnie obróbke fotolitografaiczna, znamienny tym, ze najpierw na podloze (1) nanosi sie warstwe materialu rezystywnego o ujemnym temperaturowym wspólczynniku zmian rezystancji, a nastepnie na te warstwe nanosi sie druga warstwe materialu przewodzacego o dodatnim temperaturowym wspólczynniku zmian rezystancji, az do uzyskania rezystancji powierzchniowej mniejszej co najmniej o rzad wielkosci od warstwy117735 3 pierwszej, po czym warstwe przewodzaca wytrawia sie zostawiajac kontaktowe pola (2) i przewodzace wyspy (3) na drodze miedzy tymi polami (2), a nastepnie wytrawia sie warstwe rezystywna pozostawiajac ciagla rezystywna sciezke (4) pod kontaktowymi polami (2) i przewodzacymi wyspami (3), przy czym stosunek sumy przewodzacych wysp (3) do dlugosci rezystywnej sciezki (4) ustala sie przyjmujac dla rezystora zerowa wartosc temperaturowego wspólczynnika zmian rezystancji. 2. Sposób wedlug zastrz. 1,znamienny tym, ze rezystywnasciezke (4) wykonuje sicze stopu chromonikiel a kontaktowe pola (2) i przewodzace wyspy (3) z dwuwarstwy chromonikiel-nikiel. 7(g. 1 fk NiCr 3 Tig.2 s PL