PL116387B1 - System for thresholding readout tracks in fast magnetictape memory units - Google Patents

System for thresholding readout tracks in fast magnetictape memory units Download PDF

Info

Publication number
PL116387B1
PL116387B1 PL20654478A PL20654478A PL116387B1 PL 116387 B1 PL116387 B1 PL 116387B1 PL 20654478 A PL20654478 A PL 20654478A PL 20654478 A PL20654478 A PL 20654478A PL 116387 B1 PL116387 B1 PL 116387B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
input
resistor
voltage
circuit
Prior art date
Application number
PL20654478A
Other languages
English (en)
Other versions
PL206544A1 (pl
Inventor
Krzysztof Bednarczyk
Jacek Boguslawski
Andrzej Jaworski
Wieslaw Kaczanowski
Aleksander Kossek
Witold Piastowicz
Malgorzata Zelman
Original Assignee
Os Bad Rozwojowy Urzadzen Info
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Os Bad Rozwojowy Urzadzen Info filed Critical Os Bad Rozwojowy Urzadzen Info
Priority to PL20654478A priority Critical patent/PL116387B1/pl
Publication of PL206544A1 publication Critical patent/PL206544A1/xx
Publication of PL116387B1 publication Critical patent/PL116387B1/pl

Links

Landscapes

  • Digital Magnetic Recording (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad progowania torów odczytu w szybkich pamieciach tasmowych.Stan techniki. Znany jest uklad zródel napie¬ ciowych do progowania torów odczytu dla transmi¬ sji informacji w systemie PE i NRZI opisany w polskim zgloszeniu P 188986 Warszawskich Zakla¬ dów Urzadzen Informatyki „MERAMAT". Jest on utworzony nastepujaco. Wejscie inwersyjne pierw¬ szego wzmacniacza liniowego jest polaczone z wyj¬ sciem ukladu blokady PE oraz, poprzez pierwszy rezystor, jest ono polaczone z wyjsciem tego wzmacniacza i z przewodem wyprowadzajacym ujemno-napieciowy sygnal progowy dla PE.Wejscie nieinwersyjne pierwszego wzmacniacza liniowego jest polaczone z wyjsciem ukladu progo¬ wania PE i z koncówka zbiorcza pierwszego po¬ tencjometru, przy czym pierwsza koncówka tego potencjometru jest polaczona z punktem o poten¬ cjale odniesienia, natomiast druga koncówka jest polaczona z pierwszym wyjsciem stabilizatora na¬ piecia. Wejscie inwersyjne drugiego wzmacniacza liniowego jest polaczone, poprzez drugi rezystor, z wyjsciem tego wzmacniacza, z wejsciem inwer- syjnym trzeciego wzmacniacza liniowego i z prze¬ wodem wyprowadzajacym ujemno-napieciowy sy¬ gnal progowy dla NRZI. Wejscie nieinwersyjne drugiego wzmacniacza liniowego jest polaczone z wyjsciem ukladu progowania NRZI i z koncówka zbiorcza drugiego potencjometru, przy czym pierw¬ sza koncówka tego potencjometru jest polaczona z punktem o potencjale odniesienia, natomiast druga koncówka jest polaczona z drugim wejsciem stabilizatora napiecia. Wejscie inwersyjne trzecie^ go wzmacniacza liniowego jest polaczone, poprzez trzeci potencjometr, z wyjsciem tego wzmacniacza i z przewodem wyprowadzajacym dodatnio-napie- ciowy sygnal progowy dla NRZI. Wejscie niein¬ wersyjne trzeciego wzmacniacza liniowego jest po¬ laczone, poprzez trzeci rezystor, z punktem o po¬ tencjale odniesienia.Pierwsze wejscie ukladu progowania PE i wej¬ scie ukladu progowania NRZI sa polaczone z prze¬ wodem doprowadzajacym sygnal stanu zapisu Drugie wejscie ukladu progowania PE jest pola¬ czone z przewodem doprowadzajacym sygnal lo¬ giczny zero-jedynkowy progu odczytu. Uzyteczna wartosc napiecia sygnalu ujemno-napieciowego progowego PE uzyskuje sie za pomoca regulacji pierwszego potencjometru. Stabilizator napiecia, który jest zbudowany na wysokostabilnej diodzie Zenera, dostarcza na pierwszy potencjometr na¬ piecie stabilizowane. Petla ujemnego sprzezenia zwrotnego, utworzona z pierwszego rezystora i ukladu blokady PE, okresla wzmocnienie pierw¬ szego wzmacniacza liniowego. Uklad blokady PE 25 jest utworzony z dwóch elementów o zmiennej re¬ zystancji wyjsciowej, której wartosc okresla sy¬ gnal logiczny zero-jedynkowy gestosci niskiej. Ni¬ ski poziom napiecia sygnalu gestosci niskiej wy¬ musza na wyjsciu ukladu blokady PE wysoki ujemny poziom napiecia. Poziom ten blokuje uklady odczytu pamieci informacji zapisanej me- 10 15 20 30 116 387 3 toda NRZI. Uklad progowania PE zawiera dwa elementy o zmiennej rezystancji wyjsciowej, wyni¬ kajacej z zadanych sygnalów stanu zapisu i lo¬ gicznego zero-jedynkowego progu odczytu. W przy¬ padku gdy pamiec znajduje sie w stanie zapisu, wartosc poziomu sygnalu ujemno-napieciowego progowego PE wynosi trzydziesci procent wartosci amplitudy sygnalu odczytu. Z chwila przejscia pa¬ mieci w-stan odczytu wartosc poziomu sygnalu ujemno-napieciowego progowego PE wynosi dzie¬ siec procent wartosci amplitudy sygnalu odczytu.Jednoczesnie podanie niskiego poziomu napiecia sygnalu logicznego zero-jedynkowego progu od¬ czytu dla NRZI, przy pracy pamieci w stanie od¬ czytu, powoduje pojawienie sie na wyjsciu pierw¬ szego wzmacniacza liniowego poziomu napiecia równego pieciu procentom wartosci amplitudy sy¬ gnalu odczytu. Poziom sygnalu ujemno-napiecio¬ wego progowego dla NRZI jest regulowany dru¬ gim potencjometrem. Drugi wzmacniacz liniowy pracuje w ukladzie wtórnika nieinwersyjnego. Sy¬ gnal wyjsciowy tego wzmacniacza steruje wejscie inwersyjne trzeciego wzmacniacza. Wzmocnienie trzeciego wzmacniacza jest regulowane trzecim po¬ tencjometrem, tworzacym petle ujemnego sprzeze¬ nia zwrotnego tego wzmacniacza. Napiecia sygna¬ lów progowych dodatnio-napieciowego progowego dla NRZI i ujemno-napieciowego progowego dla NRZI sa przelaczane sygnalem pochodzacym z ukladu progowania NRZI, który jest utworzony z elementu o zmienej rezystancji wyjsciowej o wartosci okreslonej sygnalem stanu zapisu. W przy¬ padku pracy pamieci w stanie zapisu wartosc na¬ piecia sygnalów progowych dodatnionapieciowego- dla NRZI i ujemno-napieciowego dla NRZI jest równa trzydziestu procentom amplitudy sygnalu odczytu. Natomiast rezim pamieci w stanie odczy¬ tu okresla wartosc napiecia tych sygnalów na po¬ ziomie siedemnastu procent amplitudy sygnalu od¬ czytu.Istota wynalazku. Uklad progowania torów od¬ czytu w szybkich pamieciach tasmowych, wedlug wynalazku, jest utworzony nastepujaco. Zródlo na¬ piecia, zadajace poziom dodatni ZAPIS DOZWO¬ LONY, jest polaczone z pierwszym wejsciem ukla¬ du USTAWIENIE PROGU ZAPISU PE i NRZ.Zródlo napiecia, . zadajace poziom dodatni STAN ZAPISU, jest polaczone z drugim wejsciem ukladu USTAWIENIE PROGU ZAPISU PE i NRZ, przy czym wyjscie tego ukladu, poprzez pierwszy rezy¬ stor, jest polaczone z emiterem pierwszego tran¬ zystora typu n-p-n. Emiter drugiego tranzystora typu n-p-n, poprzez drugi rezystor, jest polaczony z ujemnym biegunem zródla zasilania. Zródlo na¬ piecia, zadajace poziom dodatni NRZI, jest pola¬ czone z pierwszym wejsciem ukladu USTAWIENIE PROGU ODCZYTU NRZ. Zródlo napiecia, zada¬ jace poziom zerowy STAN ZAPISU, jest polaczo¬ ne z drugim wejsciem ukladu USTAWIENIE PRO¬ GU ODCZYTU NRZ, przy czym wyjscie tego ukla¬ du, poprzez trzeci rezystor, jest polaczone z emi¬ terem trzeciego tranzystora typu n-p-n.Baza pierwszego tranzystora typu n-p-n, baza drugiego tranzystora typu n-p-n i baza trzeciego tranzystora typu n-p-n sa polaczone z ukladem 387 4 STABILIZATOR NAPIECIA BAZ, natomiast ko¬ lektory tych tranzystorów sa polaczone z wej¬ sciem nieinwersyjnym wzmacniacza róznicowego, z pierwsza koncówka potencjometru i z koncówka 5 zbiorcza tego potencjometru. Druga koncówka po¬ tencjometru jest polaczona z punktem o potencjale odniesienia. Wyjscie wzmacniacza róznicowego, po¬ przez czwarty rezystor, jest polaczona z baza tran¬ zystora typu p-n-p. Kolektor tranzystora typu 10 p-n-p jest polaczony z ujemnym biegunem zródla zasilania, a emiter tego tranzystora jest polaczony z wejsciem inwersyjnym wzmacniacza róznicowe¬ go, z pierwsza koncówka piatego rezystora i z prze¬ wodem odprowadzajacym poziom ujemny PROGI 15 ODCZYTU, przy czym druga koncówka piatego rezystora/ jest polaczona z punktem o potencjale odniesienia.Przyklad wykonania. Uklad wedlug wy¬ nalazku jest przedstawiony na rysunku, który 20 przedstawia jego postac blokowo-ideowa. Uklad jest utworzony nastepujaco. Zródlo a napiecia, za¬ dajace poziom dodatni ZD ZAPIS DOZWOLONY, jest polaczone z pierwszym wejsciem ukladu A USTAWIENIE PROGU ZAPISU PE i NRZ zwane- 25 go dalej ukladem A. Zródlo b napiecia, zadajace poziom dodatni SZ STAN ZAPISU, jest polaczone z drugim wejsciem ukladu A, Wyjscie ukladu A, poprzez pierwszy rezystor 1, jest polaczone z emi¬ terem pierwszego tranzystora Tl typu n-p-n. 30 Emiter drugiego tranzystora T2 typu n-p-n, po¬ przez drugi rezystor 2, jest polaczony z ujemnym biegunem — U zródla zasilania. Zródlo c napiecia, zadajace poziom dodatni NRZI, jest polaczone z pierwszym wejsciem ukladu B USTAWIENIE PRO- 35 GU ODCZYTU NRZ, zwanego dalej ukladem B.Zródlo d napiecia, zadajacego poziom zerowy SZO STAN ZAPISU, jest polaczone^ drugim wejsciem ukladu B. Wyjscie ukladu B, poprzez trzeci rezy¬ stor 3, jest polaczone z emiterem trzeciego tranzy- |Q stora T3 typu n-p-n. Bazy tranzystorów Tl, T2, Ta typu n-p-n sa polaczone z ukladem C STABILI¬ ZATOR NAPIECIA BAZ. Kolektory tranzystorów Tl, T2, T3 typu n-p-n sa polaczone z wejsciem nieinwersyjnym wzmacniacza róznicowego W, z pierwsza koncówka potencjometru 4 i z koncówka zbiorcza tego potencjometru 4, przy czym druga koncówka potencjometru 4 jest polaczona z punk¬ tem o potencjale odniesienia. Wyjscie wzmacnia¬ cza róznicowego W, poprzez czwarty rezystor 5, jest polaczone z baza tranzystora T4 typu p-n-p.Kolektor tranzystora T4 typu p-n-p jest polaczo¬ ny z ujemnym biegunem —U zródla zasilania. Emi¬ ter tranzystora T4 typu p-n-p jest polaczony z wejsciem inwersyjnym wzmacniacza róznicowego W, z pierwsza koncówka piatego rezystora 6 i z przewodem odprowadzajacym poziom ujemny PO PROGI ODCZYTU, przy czym druga koncówka piatego rezystora 6 jest polaczona z punktem o potencjale odniesienia. w Uklad dziala * nastepujaco. Blok A, sterowany poziomem dodatnim ZD i poziomem dodatnim SZ, wytwarza na wyjsciu ujemny poziom napiecia, któ¬ ry poprzez pierwszy rezystor 1 wprowadza pierw¬ szy tranzystor Tl w stan przewodzenia. Ujemny e5 poziom napiecia na kolektorze pierwszego tranzy-5 116 387 6 ¦stora Tl jest regulowany zmiana pradu tego ko¬ lektora przez zmiana wartosci rezystancji poten¬ cjometru 4. Wyznaczony poziom napiecia na ko¬ lektorze pierwszego tranzystora Tl steruje wejscie nieinwersyjne wzmacniacza róznicowego W, spel¬ niajacego role wzmacniacza liniowego, który pra¬ cuje jako wtórnik napiecia wejsciowego dzieki za¬ stosowanej petli ujemnego sprzezenia zwrotnego.Sygnal z wyjscia wzmacniacza róznicowego steruje "baze tranzystora T4 typu p-n-p, przy czym tran¬ zystor T4 pracuje jako wtórnik emiterowy. Tak wiec napiecie z kolektora tranzystora pierwszego Tl jest przekazane, poprzez wzmacniacz róznico¬ wy W, czwarty rezystor 5 i tranzystor T4, na wyjscie ukladu jako ujemny poziom progu zapisu PE i NRZ i wynosi trzydziesci procent nominal¬ nej wartosci amplitudy odczytu. Blok B sterowa¬ ny poziomem dodatnim NRZ1 i poziomem zerowym SZO, wytwarza na wyjsciu ujemny poziom napie¬ cia.Poziom ten steruje, poprzez, trzeci rezystor 3, emiter trzeciego tranzystora T3, wprowadzajac ten tranzystor T3 w stan przewodzenia. Plynacy przez tranzystor T3 prad wyznacza na wejsciu nieinwer- ¦syjnym wzmacniacza róznicowego W ujemny po¬ ziom napiecia, który jest przekazany, poprzez ten wzmacniacz W, czwarty rezystor 6 i tranzystor T4, na wyjscie ukladu jako ujemny poziom napie¬ cia progu odczytu NRZ, przy czym wartosc tego napiecia wynosi siedemnascie procent nominalnej wartosci amplitudy odczytu.W przypadku nie wystapienia poziomów ZD i SZ na wejsciach ukladu A i poziomów NRZI i SZO na wejsciach ukladu B przez drugi tranzy¬ stor T2 plynie prad, wyznaczajacy ujemny spadek napiecia na potencjometrze 4. Wartosc tego napie¬ cia jest przeslana przez wzmacniacz róznicowy W, czwarty rezystor 5 i tranzystor T4 na wyjscie ukla¬ du jako ujemny poziom napiecia progu odczytu PE, wynoszacy dziesiec procent nominalnej war¬ tosci amplitudy odczytu. Odpowiednio dobrane war¬ tosci rezystancji rezystorów 1, 2, 3 okreslaja po¬ zadany prad kolektorów tranzystorów Tl, T2, T3.Wysoka stabilnosc nagiec progowych na wyjsciu ukladu jest uzyskana w wyniku wysokiego wspól¬ czynnika napiecia zrównowazenia wzmacniacza W poprzez zastosowanie ujemnej petli wzmocnienia napieciowego. Uklad jest skompensowany w szero¬ kim zakresie zmian temperatury, co uzyskano przez wlasciwe dobranie napiecia stabilizowanego zasila¬ jacego bazy tranzystorów Tl, T2, T3. 5 Zastrzezenie patentowe Uklad progowania torów odczytu w szybkich pa¬ mieciach tasmowych zawierajacy uklad USTAWIE¬ NIE PROGU ZAPISU PE i NRZ, którego pierw- 10 sze wejscie jest polaczone ze zródlem napiecia za¬ dajacym poziom dodatni ZAPIS DOZWOLONY, a drugie wejscie jest polaczone ze zródlem napie¬ cia zadajacym poziom dodatni STAN ZAPISU, za¬ wierajacy uklad USTAWIENIE PROGU ODCZYTU NRZ, którego pierwsze wejscie jest polaczone ze zródlem napiecia zadajacym poziom dodatni NRZI, a drugie wejscie jest polaczone ze zródlem napie¬ cia zadajacym poziom zerowy STAN ZAPISU, oraz zawierajacy wzmacniacz róznicowy, którego wyj¬ scie, poprzez czwarty rezystor, jest polaczone z ba¬ za tranzystora typu p-n-p, wejscie inwersyjne jest polaczone z emiterem tego tranzystora, z pierwsza koncówka piatego rezystora i z przewodem odpro¬ wadzajacym poziom ujemny PROGI ODCZYTU, przy czym kolektor tranzystora typu p-n-p jest po¬ laczony z ujemnym biegunem zródla zasilania, a druga koncówka piatego rezystora jest polaczona z punktem o potencjale odniesienia, znamienny tym, ze wyjscie ukladu (A) ZESTAWIENIE PRO¬ GU ZAPISU PE i NRZ poprzez pierwszy rezystor (1) jest polaczone z emiterem pierwszego tranzy¬ stora (Tl) typu n-p-n, emiter drugiego tranzystora (T2) typu n-p-n poprzez drugi rezystor (2) jest polaczony z ujemnym biegunem (—U) zródla zasi¬ lania, wyjscie ukladu (B) USTAWIENIE PROGU ODCZYTU NRZ poprzez trzeci rezystor (3) jest polaczone z emiterem trzeciego tranzystora (T3) typu n-p-n, bazy tranzystorów (Tl, T2, T3) pierw¬ szego, drugiego i trzeciego sa polaczone z ukla¬ dem (C) STABILIZATOR NAPIECIA BAZ, kolek¬ tory tranzystorów (Tl, T2, T3) pierwszego, dru¬ giego i trzeciego sa polaczone z wejsciem niein- wersyjnym wzmacniacza róznicowego (W), z pierw¬ sza koncówka potencjometru (4) i z koncówka zbiorcza tego potencjometru (4) przy czym druga koncówka potencjometru (4) jest polaczona z pun¬ ktem o potencjale odniesienia. 20 25 30 35 40116 387 a sz a b o o HRZI SZO c d 9 9 i LiH$—$—? PZGraf. Koszalin A-305 100 A-4: Cena 100 zl PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad progowania torów odczytu w szybkich pa¬ mieciach tasmowych zawierajacy uklad USTAWIE¬ NIE PROGU ZAPISU PE i NRZ, którego pierw- 10 sze wejscie jest polaczone ze zródlem napiecia za¬ dajacym poziom dodatni ZAPIS DOZWOLONY, a drugie wejscie jest polaczone ze zródlem napie¬ cia zadajacym poziom dodatni STAN ZAPISU, za¬ wierajacy uklad USTAWIENIE PROGU ODCZYTU NRZ, którego pierwsze wejscie jest polaczone ze zródlem napiecia zadajacym poziom dodatni NRZI, a drugie wejscie jest polaczone ze zródlem napie¬ cia zadajacym poziom zerowy STAN ZAPISU, oraz zawierajacy wzmacniacz róznicowy, którego wyj¬ scie, poprzez czwarty rezystor, jest polaczone z ba¬ za tranzystora typu p-n-p, wejscie inwersyjne jest polaczone z emiterem tego tranzystora, z pierwsza koncówka piatego rezystora i z przewodem odpro¬ wadzajacym poziom ujemny PROGI ODCZYTU, przy czym kolektor tranzystora typu p-n-p jest po¬ laczony z ujemnym biegunem zródla zasilania, a druga koncówka piatego rezystora jest polaczona z punktem o potencjale odniesienia, znamienny tym, ze wyjscie ukladu (A) ZESTAWIENIE PRO¬ GU ZAPISU PE i NRZ poprzez pierwszy rezystor (1) jest polaczone z emiterem pierwszego tranzy¬ stora (Tl) typu n-p-n, emiter drugiego tranzystora (T2) typu n-p-n poprzez drugi rezystor (2) jest polaczony z ujemnym biegunem (—U) zródla zasi¬ lania, wyjscie ukladu (B) USTAWIENIE PROGU ODCZYTU NRZ poprzez trzeci rezystor (3) jest polaczone z emiterem trzeciego tranzystora (T3) typu n-p-n, bazy tranzystorów (Tl, T2, T3) pierw¬ szego, drugiego i trzeciego sa polaczone z ukla¬ dem (C) STABILIZATOR NAPIECIA BAZ, kolek¬ tory tranzystorów (Tl, T2, T3) pierwszego, dru¬ giego i trzeciego sa polaczone z wejsciem niein- wersyjnym wzmacniacza róznicowego (W), z pierw¬ sza koncówka potencjometru (4) i z koncówka zbiorcza tego potencjometru (4) przy czym druga koncówka potencjometru (4) jest polaczona z pun¬ ktem o potencjale odniesienia. 20 25 30 35 40116 387 a sz a b o o HRZI SZO c d 9 9 i LiH$—$—? PZGraf. Koszalin A-305 100 A-4: Cena 100 zl PL
PL20654478A 1978-05-03 1978-05-03 System for thresholding readout tracks in fast magnetictape memory units PL116387B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20654478A PL116387B1 (en) 1978-05-03 1978-05-03 System for thresholding readout tracks in fast magnetictape memory units

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20654478A PL116387B1 (en) 1978-05-03 1978-05-03 System for thresholding readout tracks in fast magnetictape memory units

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL206544A1 PL206544A1 (pl) 1980-01-14
PL116387B1 true PL116387B1 (en) 1981-06-30

Family

ID=19989055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL20654478A PL116387B1 (en) 1978-05-03 1978-05-03 System for thresholding readout tracks in fast magnetictape memory units

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL116387B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL206544A1 (pl) 1980-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4147943A (en) Sensitive high speed clocked comparator
US4406955A (en) Comparator circuit having hysteresis
PL116387B1 (en) System for thresholding readout tracks in fast magnetictape memory units
JPH0336336B2 (pl)
US2935738A (en) Magnetic core circuits
US5539350A (en) Common mode logic line driver switching stage
KR20000062710A (ko) 데이터 기억용 자기 저항 헤드의 광대역 판독을 위한리드백 증폭기
US6847513B2 (en) Current limiter for magneto-resistive circuit element
JPH09259404A (ja) ライト電流発生回路
US4953207A (en) Electronic telephone set
PL104493B1 (pl) Uklad zrodel napieciowych do progowania torow odczytu dla transmisji informacji w systemie pe i nrz1
US4413227A (en) Negative resistance element
US5397935A (en) Bias current supplying circuit
US3196342A (en) Current regulating circuit
US5337355A (en) Supply circuit device for a user's telephone circuit, having a low voltage loss
US3916332A (en) Radiation tolerant buffer amplifier
US3434123A (en) Sense amplifier for magnetic memory
US2981848A (en) Pulse controlled multivibrator
JPH0554161B2 (pl)
SU1113852A1 (ru) Формирователь сигналов записи и считывани
JPS61293113A (ja) リミツタ回路
SU1056221A1 (ru) Функциональный генератор
PL93948B2 (pl)
JPS63132319A (ja) 基準電圧回路
JPS61172434A (ja) トランジスタスイッチ回路