PL114138B1 - Method and system for reading out information signals in wire type magnetic memory units - Google Patents

Method and system for reading out information signals in wire type magnetic memory units Download PDF

Info

Publication number
PL114138B1
PL114138B1 PL20377578A PL20377578A PL114138B1 PL 114138 B1 PL114138 B1 PL 114138B1 PL 20377578 A PL20377578 A PL 20377578A PL 20377578 A PL20377578 A PL 20377578A PL 114138 B1 PL114138 B1 PL 114138B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
circuit
output
input
resistor
reading
Prior art date
Application number
PL20377578A
Other languages
English (en)
Other versions
PL203775A1 (pl
Inventor
Zygmunt Sawicki
Slawomir Wolszczak
Andrzej Smietanko
Andrzej Mrowczynski
Original Assignee
Inst Maszyn Matematycznych
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Maszyn Matematycznych filed Critical Inst Maszyn Matematycznych
Priority to PL20377578A priority Critical patent/PL114138B1/pl
Publication of PL203775A1 publication Critical patent/PL203775A1/pl
Publication of PL114138B1 publication Critical patent/PL114138B1/pl

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób oraz uklad do odczytu informacji w drutowych pamieciach ma¬ gnetycznych wykorzystywany zwlaszcza w elektro¬ nicznych maszynach cyfrowych.Znane sa sposoby odczytu informacji w druto¬ wych pamieciach magnetycznych polegajace na wy¬ braniu odpowiedniej linii bitowej i doprowadzeniu pradu slowa do odpowiednio wybranej linii slowa.W wyniku przeplywu pradu w linii slowa w obe¬ cnosci odpowiednio zapisanej linii bitowej, na jej wyjsciu pojawi sie sygnal informacji w postaci zró¬ zniczkowanej a wiec bipolarnej odpowiedzi. Odczyt tej informacji odbywa sie w czasie, w którym wy¬ stepuje tylko czesc unipolarna, to znaczy wykorzy¬ stuje sie tylko te czesc sygnalu odpowiedzi, która ma jeden znak polarnosci.Znane uklady odczytu informacji w pamieciach drutowych magnetycznych oparte na opisanym wy¬ zej sposobie odczytu sygnalu informacji zawieraja takie elementy ukladu jak generator pradu slowa, dekoder linii slów, generator pradów bitowych, adre- sator obwodów bitowych, wzmacniacz odczytu oraz rejestr informacji, w którym rejestracja sygnalów odczytu reprezentujacych informacje logicznej „je¬ dynki" lub logicznego „zera" odbywa sie w czasie, w którym wystepuje tylko czesc sygnalu odczytu o jednej polarnosci, przy czym czas ten jest okres¬ lany przednim zboczem impulsu pradu slowa. Opi¬ sany sposób odczytu i uklad do stosowania tego sposobu zawarty jest miedzy innymi w publikacji i« 15 20 25 30 E. Nowaka i Z. Sawickiego pt. „Pamieci maszyn cyfrowych — konstrukcja i technologia", WNT, 1977 r.Wada znanych sposobów odczytu informacji i u- kladów stosujacych znane sposoby jest to, ze za¬ pewniaja one mala energie sygnalu odczytu, co mo¬ ze byc powodem zaklócen pracy pamieci. Z tego wzgledu wymagaja one dodatkowych srodków zwiekszajacych niezawodnosc pracy pamieci, co prowadzi do bardziej zlozonych ukladów elektro¬ nicznych i podraza koszt wykonania.Istote wynalazku stanowi sposób odczytu sygna¬ lu informacji polegajacy na tym, ze pochodzacy z linii obwodu bitowego bipolarny sygnal odczytu formuje sie i nastepnie czyta w czasie, któremu odpowiada odcinek, gdzie obie laczace czesci bipo¬ larnego sygnalu odczytu przyjmuja jednakowy kie¬ runek zmiany. Bipolarny sygnal odczytu przed od¬ czytem formuje sie w symetrycznym ukladzie róz¬ nicowym z równolegla pojemnoscia, na wejsciu ró¬ znicowego wzmacniacza odczytu i nastepnie stro- buje sie tylnym zboczem impulsu pradu slowa w dowolnym miejscu odcinka czasu W zakresie, gdzie obie czesci bipolarnego sygnalu odczytu przyj¬ muja jednakowy kierunek zmiany. W ten sposób odczyt informacji odbywa sie z wykorzystaniem calego sygnalu bipolarnego, co pozwala na uzyska¬ nie podwyzszonego poziomu energetycznego odczy¬ tywanego sygnalu informacji reprezentujacego lo¬ giczna „jedynke" i logiczne „zero". Dzieki temu, 114 138114138 3 4 wystepujace pewne niesymetrie warstwy magne¬ tycznej w komórce pamieciowej, powodujace nie¬ symetrie bipolarnych amplitud odczytywanego sy¬ gnalu, nie wplywaja na zmiane sumarycznego po¬ tencjalu energetycznego reprezentujacego odczyty¬ wana informacje logicznej „jedynki" lub logicznego „zera".Korzystna cecha sposobu wedlug wynalazku jest to, ze w obwodach,linii bitowych stany przejsciowe w postaci"energii biernej, w szczególnosci po zakonu czeniu cyklu mikrooperacji zapisu, maja ograni¬ czony wplyw na zmiane sumarycznego potencjalu energetycznego^reprezentujacego odczytywana in¬ formacje.' Kolejna'ceche stanowi zwiekszenie efek¬ tywnego przedzialu czasu, w którym wystepowac moze , detekcja waBosci logicznej odczytywanego sygnalu za posrednictwem impulsu strobujacego.Szerokosc tego" przedzialu moze byc dobierana op¬ tymalnie ze wzgledu na poziom energetyczny efek¬ tywnego sygnalu odczytu za posrednictwem czasu trwania impulsu.. pradu; podawanego.. do wybranej linii slowa. Wymienione cechy zgodne z wynalaz¬ kiem upraszczaja konstrukcje i zwiekszaja znacz¬ nie niezawodnosc dzialania pamieci.Uklad odczytu sygnalu informacji wedlug wyna¬ lazku zawiera uklad dopasowania obwodów, które¬ go pierwsze wejscie polaczone jest z wyjsciem ge¬ neratora pradów bitowych, drugie wejscie polaczo¬ ne jest z wyjsciem rozgaleznika obwodów bitowych, zas jego wyjscie polaczone jest z wejsciem ukladu detekcji sygnalu odczytu.W ukladzie wedlug wynalazku generator pradów bitowych posiada niezalezne wejscia dla sygnalu PISZ i dwa niezalezne wejscia dla sygnalów ste¬ rujacych, stanowiace wejscia trzech ukladów NAND, w których wyjscia dwóch ukladów steru- ' jacych polaczone sa odpowiednio przez dwa rezy¬ story, z emiterem tranzystora, którego baza jest po¬ laczona z wyjsciem trzeciego ukladu NAND maja¬ cego wejscie dla sygnalu PISZ i przez regulujacy amplitude pradu bitowego regulowany rezystor, z,masa oraz przez rezystor z kolektorem, który po¬ laczony jest ze zródlem pradu stalego. Jednoczes¬ nie'wspomniany kolektor tranzystora jest polaczo¬ ny z anoda jednej z dwu diod polaczonych szere¬ gowo w sposób przewodzacy, zas katoda drugiej dio¬ dy jest polaczona przez rezystor ze zlaczonymi ra¬ zem kolektorami dwóch tranzystorów, których ba¬ zy sa polaczone, odpowiednio z . dwoma wyjsciami ukladów sterujacych,, a emitery stanowiace wyj¬ scie generatora sa polaczone odpowiednio przez dwa rezystory z masa.W ukladzie wedlug, wynalazku uklad dopasowa¬ nia obwodów i formowania sygnalu odczytu posia¬ da wejscie dla pradów bitowych polaczone z ano¬ dami dwóch diod, których katody sa polaczone z sy¬ metrycznym wejsciem dla bipolarnych sygnalów odczytu, przy czym katoda pierwszej diody jest polaczona z pierwszym wyprowadzeniem konden¬ satora laczacego równolegle wejscie dla bipolar¬ nych sygnalów odczytu, pierwszym wyprowadze¬ niem kondensatora pierwszego dwójnika CR i pier¬ wszym wyprowadzeniem pierwszego rezystora la¬ czacego wyjscie dla bipolarnych sygnalów odczytu ze zródlem pradu stalego. Natomiast katoda drugiej diody polaczona jest z drugim wyprowadzeniem kondensatora laczacego równolegle wejscia dla bi¬ polarnych sygnalów odczytu, pierwszym wyprowa¬ dzeniem kondensatora drugiego dwójnika CR i pier- 5 wszym wyprowadzeniem drugie&o rezystora lacza¬ cego wejscie dla bipolarnych sygnalów odczytu ze zródlem pradu stalego, przy czym drugie wypro¬ wadzenia rezystorów sa razem zlaczone i polaczone ze zródlem pradu stalego. Drugie wyprowadzenie kondensatora pierwszego dwójnika CR" stanowiace pierwsze wyprowadzenie wyjscia ukladu oraz dru¬ gie wyprowadzenie kondensatora drugiego dwójni¬ ka stanowiace drugie wyprowadzenie wyjscia sa polaczone odpowiednio przez dwa rezystory z ma¬ sa. W ukladzie wedlug wynalazku uklad detekcji sygnalu odczytu posiada wejscie, na które przykla¬ dany jest impuls slowa, polaczone przez kondensa¬ tor z katoda przewodzaco-spolaryzowanej diody i przez rezystor z masa, natomiast anoda diody jest polaczona przez rezystor z wejsciem ukladu NAND, które jednoczesnie jest polaczone przez drugi re¬ zystor ze zródlem pradu stalego i katode drugiej diody majacej anode polaczona z masa, przy czym wyjscie ukladu NAND stanowi wyjscie ukladu ge¬ nerujacego sygnal strobowania.Przedmiot wynalazku uwidoczniono w przykla¬ dzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przed¬ stawia schemat blokowy podstawowego ukladu, fig. 2 schemat ideowy generatora pradów bitowych, fig. 3 schemat ideowy ukladu dopasowania obwodów, a fig. 4 schemat ideowy ukladu detekcji sygnalu odczytu.W ukladzie przedstawionym na fig. 1 uwidocz¬ niony jest sposób polaczenia ukladu dopasowania obwodów UDO z generatorem pradów bitowych GPB, ukladem detekcji sygnalów UDS i z rozgale¬ znikiem obwodów bitowych ROB. Uklad generatora pradów bitowych GPB przedstawiony na fig. 2 za¬ wiera trzy niezalezne wejscia, jedno dla sygnalu rozkazu PISZ i dwa dla sygnalów sterujacych, któ¬ re sa wejsciami trzech niezaleznych ukladów NAND Jl, J2 i J3. Wyjscie ukladu Jl jest polaczone z baza tranzystora T3 oraz poprzez regulowany rezystor R7 z masa, a takze przez rezystor R6 z kolektorem tranzystora T3, którego emiter poprzez rezystory Rl i R2 polaczony jest z wyjsciami ukladów NAND J2 i J3, które jednoczesnie polaczone sa odpowied¬ nio z bazami tranzystorów Tl i T.2. Kolektory tran¬ zystorów Tl i T2 zlaczone razem, sa polaczone po¬ przez rezystor R3 i poprzez dwie diody Dl i D2, z kolektorem tranzystora T3 i zródlem: pradu sta¬ lego -fVI, natomiast ich emitery stanowiace wyj¬ scie ukladu generatora pplaczone sa odpowiednio przez rezystory R5 i R6 z masa.W ukladzie tym sygnal rozkazu PISZ podany, na wejsciu ukladu Jl NAND powoduje przekazanie potencjalu zródla +V1 na emiter tranzystora T3 pracujacego w ukladzie wtórnika emiterowego.Dzieki temu uklady J2 i J3 NAND otrzymuja.po¬ przez rezystory Rl i R2 potencjal równy w przy¬ blizeniu +VI. Zasilanie tych ukladów wynosi OV w czasie gdy brak jest sygnalu rozkazu PISZ na wejsciu ukladu Jl NAND. W koincydencji z sygna¬ lem rozkazu PISZ podawane sa na wejsciu ukla¬ dów J2 i J3 NAND impulsy napieciowe, powodu- 20 25 30 35 40 45 50 55 60: 5 414138 6 • jilc "poprzez "wyjscia ukladów J2 i JS NAND wyste- • rcwahie-,faz. tranzystorów Ti i T2, które sa wpro¬ wadzone w stan przewodzenia otwierajac droge dla pradu plynaceg®. ze .zródla H-Yl poprzez diody Dl, - DZ, rezystor -ft$kolektory, 'i' emitery tranzystorów ^ Tl i; T2 do 'w-yj£ei& ukladu^generatora; -*'- Regulacja amplitudy-pr^du-\vyj4cidwego odbywa .'sie •ptfzez Iddbór. odpowiedniej ."wartosci potencjalu j&ki* osiaga :emiter tranzystora T3 w czasie trwania • sygnalu PISZ. Osiaga sie to. przez zmiane . poten¬ cjalu bazy .tranzystora. T3 przy pomocy*:zmiany war¬ tosci rezystora Jt7.; Uklad:'dopasowania obwodów ?UDO ^przedstawiony na. fig. 3 zawiera symetryczny ukl&d rfczntódwy posiadajacy, na. wejsciu dla pradów - bitowych diody/ D3 i Dl,', które sa spolaryzowane poprzez rezystory RIO i Rll ze zródlem +V2. Ka¬ tody diod D3 i D4 zbocznikowane kondensatorem C4 stanowia wejscie dla bipolarnych sygnalów bi¬ towych przychodzacych z rozgaleznika ROB. Do ka¬ tod diod D3 i D4 dolaczone sa dwa obwody rózni¬ czkujace C1R8 i C2R9, z wyjscia których podawa¬ ny jest sygnal do ukladu detekcji sygnalu UDS.Diody D3 i D4 odcinaja uklad dopasowania ob¬ wodów UDO od ukladu GPB w czasie operacji od¬ czytu. Zachodzi to dzieki temu, ze potencjal fV2 jest wiekszy od potencjalu baz tranzystorów Tl i T2 ukladu GPB. Potencjal tych baz w czasie ope¬ racji odczytu wynosi okolo OV, poniewaz uklady J2 i J3 NAND w tym czasie przewodza prad ze zródla +VI. W czasie operacji odczytu wzmacniacz sygnalów odczytu WSO jest sprzezony z wybrana linia bitowa za posrednictwem kondensatorów Cl i C2, których zadaniem jest odfiltrowanie sklado¬ wej stalej wystepujacej w wezlach A i B. Zastoso¬ wanie kondensatora C4 powoduje oslabienie rózni¬ czkujacego dzialania kondensatorów Cl i C2 na sy¬ gnal odczytu.Uklad detekcji sygnalów UDS przedstawiony na fig. 4 zawiera na wejsciu kondensatora C5, który z jednej strony polaczony jest z generatorem pra¬ du slowa GPS i dekoderem linii slów DLS, a z dru¬ giej przez rezystor R12 do masy i z dioda B5 spo¬ laryzowana przewodowo poprzez polaczone szere¬ gowo rezystory R13 i R14 ze zródlem IV3. Wezel laczacy rezystory R13 i R14 jest polaczony z jednej strony poprzez diode D6 odwrotnie spolaryzowana do masy i z drugiej strony z wejsciem ukladu NAND J4. Wyjscie ukladu J4 jest polaczone z wej¬ sciem linii opózniajacej LO, której wyjscie jest polaczone z wejsciem T przerzutnika P. Wejscie D przerzutnika P jest polaczone z wyjsciem wzmac¬ niacza odczytu WSO, natomiast wyjscie przerzut¬ nika P stanowi wyjscie Wy ukladu detekcji sygna¬ lów UDS. W ukladzie detekcji sygnalów UDS w cza¬ sie operacji CZYTAJ, z generatora pradu slowa GPS zostaje przeslany impuls pradu za posrednict¬ wem dekodera linii slów DLS do obwodu wybra¬ nej linii slowa. W konsekwencji tego w obwodzie bitowym zostanie wytworzony sygnal bipolarny od¬ czytu, który zostaje odczytany przez wzmacniacz odczytu WSO, a nastepnie podany na wejscie „D" przerzutnika P, stanowiacego ogniwo rejestru in¬ formacji wyjsciowej. Wpisanie sygnalu informacji odczytanej do rejestru P odbywa sie za posrednic¬ twem impulsu strobujacego podawanego na wejscie ; :„T!*. irzerzuteika P. Zródlem impulsu strobu jest ¦tylne zbocze impulsu pradu slowa z generatora GPS. Tylne zbocze tego napiecia dostarcza impuls strobciwania poprzez uklad- rózniczkujacy C5, R12, '• 5 diode-05 oraz rezysl:o¥riR13- na wejscie uklstdu J4 NAND 1 przez linie óp^fniajaca LO na wejscie ,/t" przerzutnika F.v • •. ~ '¦¦¦ "¦--'¦' "Takie rozwiazanie ukladu gehracji strobu i ukla- * dii detekcji sygnalów odczytu umozliwia wykorzy¬ stanie energii sygnalu odczytu ukazujacej sie na wejsciu wzmacniacza odczytu WSO skumulowanej z obydwu bipolarnych impulsów sygnalu odczytu reprezentujacycli, odczytana informacje jednobito- wa..:'"-' 15 . ' Zastrzezenia patentowe "' 1. Sposób odezytu- informacji w drutowych pa¬ mieciach magnetycznych, znamienny tym, ze po¬ chodzacy z linii obwodu bitowego bipolarny syg- 20 nal odczytu formuje sie i czyta w czasie, któremu odpowiada odcinek, gdzie obie laczace sie czesci bi¬ polarnego sygnalu odczytu przyjmuja jednakowy kierunek zmiany. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 25 bipolarny sygnal odczytu przed odczytem formuje sie w symetrycznym ukladzie róznicowym z rów¬ nolegla pojemnoscia, na wejsciu róznicowego wzma¬ cniacza odczytu. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 30 sygnal odczytu strobuje sie tylnym zboczem im¬ pulsu pradu slowa usytuowanym w dowolnym miej¬ scu odcinka czasu w zakresie, gdzie obie czesci bi¬ polarnego sygnalu odczytu przyjmuja jednakowy kierunek zmiany. 35 4. Uklad do odczytu sygnalu informacji w dru¬ towych pamieciach magnetycznych znamienny tym, ze zawiera uklad (UDO) dopasowania obwodów, któ¬ rego pierwsze wejscie jest polaczone z wyjsciem generatora (GPB) pradów bitowych, drugie wejscie 40 jest polaczone z wyjsciem rozgaleznika (ROB) ob¬ wodów bitowych, zas jego wyjscie jest polaczone z wejsciem ukladu (UDS) detekcji sygnalu odczy¬ tu. 5. Uklad wedlug zastrz. 4, znamienny tym, ze 45 generator (GPB) pradów bitowych posiada nieza¬ lezne wejscie dla sygnalu PISZ i dwa niezalezne wejscia dla sygnalów sterujacych stanowiace nie¬ zalezne wejscia trzech ukladów NAND, w których wyjscie ukladu (J2) NAND i wyjscie ukladu (J3) 50 NAND bedace ukladami sterujacymi, sa polaczo¬ ne odpowiednio przez rezystory (Rl) i (R2) z emi¬ terem tranzystora (T3), którego baza jest polaczona z wyjsciem ukladu (Jl) majacego wejscie dla syg¬ nalu PISZ, i przez regulujacy amplitude pradu bi- 55 towego, regulowany rezystor (R7) z masa, oraz przez rezystor (R6) z kolektorem tranzystora (T3), który jest polaczony ze zródlem (+V1) pradu stalego i je¬ dnoczesnie z anoda diody (Dl) polaczonej swoja katoda z anoda diody (D2) majacej swoja katode 60 polaczona przez rezystor (R3) ze zlaczonymi razem kolektorami tranzystorów (Tl) i (T2), których bazy sa polaczone odpowiednio z wyjsciami ukladów (J2), (J3) sterujacych, a ich emitery stanowiace wyjscie generatora sa polaczone odpowiednio przez 65 rezystory (R5) i (R4) z masa.114138 7 8 6. Uklad wedlug zastrz. 4, zttamjeimy tyra, ze uklad {UDO) dopasowania obwodów i formowania sygnalu odczytu posiada wejscie dla pradów bito¬ wych polaczone z anodami diod katody sa polaczone z symetrycznym wejsciem dla bipolarnych sygnalów odczytu, przy czym katoda diody (D3) jest polaczona z pierwszym wyprowa¬ dzeniem kondensatora (Ci^ pierwszym wyprowa¬ dzeniem kondensatora (Cl) i pierwszym wyprowa¬ dzeniem rezystora {Mi), natomiast katoda diody densatora (£J4)f pierwszym wyprowadzeniem kon¬ densatora IC2) i pierwszym wyprowadzeniem re¬ zystora (Rll), przy czym drugie wyprowadzenia re¬ zystorów (RIO) i (Rll) sa razem zlaczone i polaczo- prowadzenie kondensatora CCI) stanowiace pierw¬ sze wyprowadzenie wyjscia ukladu oraz drugie wy¬ prowadzenie kondensatora wyprowadzenie wyjscia ukladu sa polaczone od¬ powiednio przez rezystory 7. Uklad wedlug zastrz. 4, znamienny tym, ze 5 uklad (UBS) detekcji sygnalu odczytu posiada wej¬ scie, na które jest przykladany z generatora pradu slowa impuls pradu slowa, polaczone przez kon¬ densator (C53 z katoda pr^ewodzaco-spolaryzowanej diody (D&b i przez rezystor {M2) z masa, natomiast io anoda diody {D5) jest polaczona przez rezystor (RIZ) z wejsciem ukladu (J4) JNAND, a jednoczesnie przez rezystor (R14) ze zródlem {+¥$ pradu sta¬ lego i katoda diody (D$) majacej anode polaczona z masa, przy czym wyjscie ukladu 15 nowi wyjscie ukladu generujacego sygnal strobo- wania.114 138 GPB UDO UDS ROB FIG. 1 T3 32 H we R? JS H *Ó ?I do UDO rfcr—._ ..« FI6 2114138 do UDS D3 L 9 ' 9 -W— A *8Pa f-*^ R3 r—OT ^ C2 D4 6 ¦f f-—• •- ±=C4 0 R10 do ROB M D R11 ¦4—o » " . * "fi*-, s OB [KU GPS T C5 D5 RU T M MR12 3d6 LO FIG. 4 r-U li WSO -O Wy ZGK, 0002/1110/82 — 100 szt.Cena zl 45,— PL

Claims (7)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. "' 1. Sposób odezytu- informacji w drutowych pa¬ mieciach magnetycznych, znamienny tym, ze po¬ chodzacy z linii obwodu bitowego bipolarny syg- 20 nal odczytu formuje sie i czyta w czasie, któremu odpowiada odcinek, gdzie obie laczace sie czesci bi¬ polarnego sygnalu odczytu przyjmuja jednakowy kierunek zmiany.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 25 bipolarny sygnal odczytu przed odczytem formuje sie w symetrycznym ukladzie róznicowym z rów¬ nolegla pojemnoscia, na wejsciu róznicowego wzma¬ cniacza odczytu.
  3. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 30 sygnal odczytu strobuje sie tylnym zboczem im¬ pulsu pradu slowa usytuowanym w dowolnym miej¬ scu odcinka czasu w zakresie, gdzie obie czesci bi¬ polarnego sygnalu odczytu przyjmuja jednakowy kierunek zmiany. 35
  4. 4. Uklad do odczytu sygnalu informacji w dru¬ towych pamieciach magnetycznych znamienny tym, ze zawiera uklad (UDO) dopasowania obwodów, któ¬ rego pierwsze wejscie jest polaczone z wyjsciem generatora (GPB) pradów bitowych, drugie wejscie 40 jest polaczone z wyjsciem rozgaleznika (ROB) ob¬ wodów bitowych, zas jego wyjscie jest polaczone z wejsciem ukladu (UDS) detekcji sygnalu odczy¬ tu.
  5. 5. Uklad wedlug zastrz. 4, znamienny tym, ze 45 generator (GPB) pradów bitowych posiada nieza¬ lezne wejscie dla sygnalu PISZ i dwa niezalezne wejscia dla sygnalów sterujacych stanowiace nie¬ zalezne wejscia trzech ukladów NAND, w których wyjscie ukladu (J2) NAND i wyjscie ukladu (J3) 50 NAND bedace ukladami sterujacymi, sa polaczo¬ ne odpowiednio przez rezystory (Rl) i (R2) z emi¬ terem tranzystora (T3), którego baza jest polaczona z wyjsciem ukladu (Jl) majacego wejscie dla syg¬ nalu PISZ, i przez regulujacy amplitude pradu bi- 55 towego, regulowany rezystor (R7) z masa, oraz przez rezystor (R6) z kolektorem tranzystora (T3), który jest polaczony ze zródlem (+V1) pradu stalego i je¬ dnoczesnie z anoda diody (Dl) polaczonej swoja katoda z anoda diody (D2) majacej swoja katode 60 polaczona przez rezystor (R3) ze zlaczonymi razem kolektorami tranzystorów (Tl) i (T2), których bazy sa polaczone odpowiednio z wyjsciami ukladów (J2), (J3) sterujacych, a ich emitery stanowiace wyjscie generatora sa polaczone odpowiednio przez 65 rezystory (R5) i (R4) z masa.114138 7 8
  6. 6. Uklad wedlug zastrz. 4, zttamjeimy tyra, ze uklad {UDO) dopasowania obwodów i formowania sygnalu odczytu posiada wejscie dla pradów bito¬ wych polaczone z anodami diod katody sa polaczone z symetrycznym wejsciem dla bipolarnych sygnalów odczytu, przy czym katoda diody (D3) jest polaczona z pierwszym wyprowa¬ dzeniem kondensatora (Ci^ pierwszym wyprowa¬ dzeniem kondensatora (Cl) i pierwszym wyprowa¬ dzeniem rezystora {Mi), natomiast katoda diody densatora (£J4)f pierwszym wyprowadzeniem kon¬ densatora IC2) i pierwszym wyprowadzeniem re¬ zystora (Rll), przy czym drugie wyprowadzenia re¬ zystorów (RIO) i (Rll) sa razem zlaczone i polaczo- prowadzenie kondensatora CCI) stanowiace pierw¬ sze wyprowadzenie wyjscia ukladu oraz drugie wy¬ prowadzenie kondensatora wyprowadzenie wyjscia ukladu sa polaczone od¬ powiednio przez rezystory
  7. 7. Uklad wedlug zastrz. 4, znamienny tym, ze 5 uklad (UBS) detekcji sygnalu odczytu posiada wej¬ scie, na które jest przykladany z generatora pradu slowa impuls pradu slowa, polaczone przez kon¬ densator (C53 z katoda pr^ewodzaco-spolaryzowanej diody (D&b i przez rezystor {M2) z masa, natomiast io anoda diody {D5) jest polaczona przez rezystor (RIZ) z wejsciem ukladu (J4) JNAND, a jednoczesnie przez rezystor (R14) ze zródlem {+¥$ pradu sta¬ lego i katoda diody (D$) majacej anode polaczona z masa, przy czym wyjscie ukladu 15 nowi wyjscie ukladu generujacego sygnal strobo- wania.114 138 GPB UDO UDS ROB FIG. 1 T3 32 H we R? JS H *Ó ?I do UDO rfcr—._ ..« FI6 2114138 do UDS D3 L 9 ' 9 -W— A *8Pa f-*^ R3 r—OT ^ C2 D4 6 ¦f f-—• •- ±=C4 0 R10 do ROB M D R11 ¦4—o » " . * "fi*-, s OB [KU GPS T C5 D5 RU T M MR12 3d6 LO FIG. 4 r-U li WSO -O Wy ZGK, 0002/1110/82 — 100 szt. Cena zl 45,— PL
PL20377578A 1978-01-02 1978-01-02 Method and system for reading out information signals in wire type magnetic memory units PL114138B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20377578A PL114138B1 (en) 1978-01-02 1978-01-02 Method and system for reading out information signals in wire type magnetic memory units

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20377578A PL114138B1 (en) 1978-01-02 1978-01-02 Method and system for reading out information signals in wire type magnetic memory units

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL203775A1 PL203775A1 (pl) 1979-09-24
PL114138B1 true PL114138B1 (en) 1981-01-31

Family

ID=19986887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL20377578A PL114138B1 (en) 1978-01-02 1978-01-02 Method and system for reading out information signals in wire type magnetic memory units

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL114138B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL203775A1 (pl) 1979-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69030567T2 (de) Redundanz für serielle Speicher
CN113408685B (zh) 一种基于能量管理的射频能量采集系统及无源射频标签
DE2060843A1 (de) System zum selektiven Empfang von Informationen
EP0293231A3 (en) Non-volatile, radiation-hard, random-access memory
KR930008839A (ko) 구성가능 로직용의 강유전성 프로그램 셀
US3222654A (en) Logic circuit and electrolytic memory element therefor
GB861280A (en) Electrically superconductive circuit elements
DE1942559A1 (de) Dioden-gekoppelter Halbleiterspeicher
PL114138B1 (en) Method and system for reading out information signals in wire type magnetic memory units
CN107292200B (zh) 基于开关电容的强puf电路结构
US3889134A (en) Tunnel diode digital data sample, decision and hold circuit
US4151601A (en) Magnetic domain memory device with an improved detector
DE126496T1 (de) Sperrvorrichtung fuer fernsprechteilnehmeranschluss.
Kishi et al. On Hamilton circuits in tree graphs
DE2504102C3 (de) Anordnung zur Zeitmultiplex-Übertragung von Analog-Meßwerten und Digital-Meldungen
DE2032661A1 (de) Optische Speicherschaltung
US3727144A (en) Memory circuit employing a bipolar ultrasonic delay line
GB856300A (en) Improvements in magnetic recording apparatus
US3300624A (en) Data storage system
Hochbaum An exact sublinear algorithm for the max-flow, vertex disjoint paths and communication problems on random graphs
CN206804854U (zh) 一种实时判断互感器电路故障的系统
Buck Transient electrical behavior of glass membranes: Part II. The impedance
Kidder III Equivalent circuit models for the I–V relationship in epithelial tissues
US2871401A (en) Method for storing information in an electronic storage tube
CN208506790U (zh) 复合通行卡