PL112978B1 - Forming amplifier system with a memory of input signal high value,applied in particular for card and tape readers - Google Patents

Forming amplifier system with a memory of input signal high value,applied in particular for card and tape readers Download PDF

Info

Publication number
PL112978B1
PL112978B1 PL20139177A PL20139177A PL112978B1 PL 112978 B1 PL112978 B1 PL 112978B1 PL 20139177 A PL20139177 A PL 20139177A PL 20139177 A PL20139177 A PL 20139177A PL 112978 B1 PL112978 B1 PL 112978B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
input
emitter
comparator
operational amplifier
resistor
Prior art date
Application number
PL20139177A
Other languages
English (en)
Other versions
PL201391A1 (pl
Inventor
Edward Janikowski
Lech Koperdowski
Original Assignee
Ct Komputer Syst Automat
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ct Komputer Syst Automat filed Critical Ct Komputer Syst Automat
Priority to PL20139177A priority Critical patent/PL112978B1/pl
Publication of PL201391A1 publication Critical patent/PL201391A1/pl
Publication of PL112978B1 publication Critical patent/PL112978B1/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad wzmacniacza formujacego z pamietaniem wysokiego poziomu sy¬ gnalu wejsciowego, zwlaszcza stosowani w czytni¬ kach kart i czytnikach tasm jako uklad odczytu z elementów optoelektronicznych typu fototranzy¬ stor, fotodioda czy transoptor, stosowanych w me¬ chanizmach tych urzadzen.Znany jest uklad wzmacniacza pradowego do to¬ rów informacyjnych czytników fotoelektrycznych wedlug opisu patentowego PRL nr 60651, MKP G06k 7/10. Uklad ten jest bardzo prosty, zbudowany na wtórniku tranzystorowym, charakteryzuje go jed¬ nak niska odpornosc na zaklócenia, duza wrazliwosc na zmiany temperatury oraz starzenie sie ukladu fotoelektrycznego.Inny znany uklad stabilnego fotowzmacniacza z samoczynnym nastawianiem warunków pracy jest przedmiotem wynalazku CSRS wedlug opisu paten¬ towego nr 152532, MKP G06k 7/00. W ukladzie tym tygnal z fototranzystora jest ksztaltowany poprzez zmiane rezystancji dren-zródlo tranzystora unipo¬ larnego, wlaczonego w obwód emitera fototranzy¬ stora, przy czym bramka tranzystora unipolarnego stanowi podstawowy element petli sprzezenia zwrot¬ nego. Niedogodnoscia tego ukladu jest koniecznosc wstepnego skalowania poziomu sygnalu wejsciowe¬ go oraz jednoczesne stosowanie tranzystorów bipo¬ larnych typu p-n-p i n-p-n oraz tranzystora unipo¬ larnego z izolowana bramka i kanalem typu p.Uklad ten nie jest poza tym przystosowany dla po¬ lo 15 25 30 trzeb techniki TTL. Wymaga on stosowania dodat¬ kowego stopnia formujacego sygnal wyjsciowy do wspólpracy z ukladami TTL.Znany jest równiez uklad formowania i selekcji impulsów uzytecznych z opisu patentowego RFN nr 2643620, MKP2 G06K 7/1Ó. Uklad ten zlozony jesl z dwóch wzmacniaczy operacyjnych, wspólpracuja¬ cych z szescioma uniwiforatorami i osmioma bram¬ kami logicznymi, co wskazuje na wysoka zlozonosc i duze koszty realizacji i strojenia ukladu*, Uklad wedlug wynalazku posiada wejsciowy dzielnik rezystancyjny, wzmacniacz operacyjny, kondensator pamietajacy oraz komparator. Do pier¬ wszego wejscia komparatora podlaczone jest pierwsze wejscie wzmacniacza operacyjnego oraz wejsciowy dzielnik - rezystancyjny, zbudowany z dwóch elementów oporowych i potencjometru. Do 'drugiego wejscia komparatora podlaczona jest jedna okladka kondensatora pamietajacego, wyjscie wzmacniacza operacyjnego poprzez szeregowo pola¬ czone rezystor tlumiacy i diode oraz drugie wejscie wzmacniacza operacyjnego poprzez rezystor sprze¬ zenia zwrotnego.Zmodyfikowany uklad wedlug wynalazku posiada dodatkowo dwa tranzystorowe wtórniki emiterowe, podlaczone do wejsc komparatora. Miedzy pierwsze wejscie komparatora a pierwsze wejscie wzmacnia¬ cza operacyjnego i wejsciowy dzielnik rezystancyj¬ ny wlaczone jest zlacze baza-emiter tranzystora pierwszego wtórnika emiterowego. Miedzy punkt 112978112978 4 wspólny katody diody, rezystora sprzezenia zwrot¬ nego i jednej okladki kondensatora pamietajacego a drugie wejscie komparatora wlaczony jest obwód baza-emiter tranzystora drugiego' wtórnika emite¬ rowego, poprzez rezystor dzielnika emiterowego.Uklad odczytu z fotodiod lub fototranzystorów wedlug wynalazku, zastosowany w czytnikach tasm lub czytnikach kart, cechuje wysoka odpornosc na zaklócenia i zmiany termiczne, niewrazliwosc na starzenie sie elementów optoelektronicznych i roz¬ rzut ich parametrów. Uklad ten spelnia warunki techniczne zarówno dla sygnalów prowadzonych swiatlowodami, stosowanymi w^ najnowszych me¬ chanizmach czytników kart, jak i metodami kon¬ wencjonalnymi na przyklad przewodami wspólkre- tymi, koncentrycznymi lub pasmowymi. Zastosowa¬ nie ukladu wedlug wynalazku zmodyfikowanego dwoma dodatkowymi tranzystorowymi wtórnikami emiterowymi korzystne jest w przypadkach wyma¬ gajacych dlugiego czasu pamietania. Duze stale cza¬ dowe uzyskuje sie dzieki powiekszeniu rezystancji wejsciowej komparatora o wartosc rezystancji wej-. sciowej tranzystorowych wtórników emiterowych.Uklad ten pozwala równiez na precyzyjne ustawie¬ nie przesuniecia logicznego, tzn. róznicy pomiedzy poziomem sygnalu interpretowanym jako logiczne „1" a poziomem interpretowanym jako logiczne „0".Ponadto zmodyfikowany uklad pozwala na bardziej precyzyjne ustalenie marginesu szumu.Przyklad wykonania wynalazku pokazany jest na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia jego podsta¬ wowy schemat ideowy, a fig. 2 — schemat ideowy ukladu zmodyfikowanego.Na wejsciu WE ukladu zastosowany jest wejscio¬ wy dzielnik rezystancyjny, zlozony z dwóch elemen¬ tów oporowych Rl i R2 oraz potencjometru PI, któ¬ ry z drugiej strony podlaczony jest do bieguna sy¬ stemu zasilania. Punkt wspólny elementów oporo¬ wych Rl i R2 podlaczony jest do pierwszego wejscia wzmacniacza operacyjnego WO oraz pierwszego Wejscia komparatora K. Do drugiego wejscia kom¬ paratora K podlaczone jest drugie, wejscie wzmac¬ niacza operacyjnego WO poprzez rezystor sprzeze¬ nia zwrotnego R4, wyjscie wzmacniacza operacyj¬ nego WO poprzez szeregowo polaczone rezystor tlumiacy R3 oraz diode Dl wlaczona w kierunku przewodzenia, a takze jedna okladka kondensatora pamietajacego Cl, druga okladka podlaczonego do bieguna systemu zasilania. Wyjscie WY ukladu sta¬ nowi wyjscie komparatora K.W drugim przykladzie wykonania uklad jest zmo¬ dyfikowany dwoma dodatkowymi tranzystorowymi wtórnikami emiterowymi, z których,pierwszy wla¬ czony jest zlaczem baza-emiter tranzystora pierw¬ szego wtórnika emiterowego Tl miedzy pierwsze wejscie komparatora K a punkt wspólny elementów oporowych Rl i R2 oraz pierwsze wejscie wzmac¬ niacza operacyjnego WO. Baza tranzystora drugiego wtórnika emiterowego T2 polaczona jest z punktem wspólnym katody diody Dl, rezystora sprzezenia zwrotnego R4 oraz jednej okladki kondensatora pa¬ mietajacego Cl. Emiter tranzystora T2, poprzez rezystor dzielnika emiterowego R5, podlaczony jest do drugiego wejscia komparatora K. Kolektory obu tranzystorów Tl i T2 oraz rezystor emiterowy R6 pierwszego wtórnika emiterowego i rezystorowy dzielnik emiterowy R5-R7 drugiego wtórnika emi¬ terowego sa podlaczone do systemu zasilania ukla¬ du.Przedstawiony w przykladzie wykonania uklad wzmacniacza formujacego wedlug wynalazku dziala nastepujaco: Sygnal wejsciowy podawany jest na wejscie WE ukladu wzmacniacza formujacego z fo- toelementu mechanizmu czytnika kart i jest poprzez wejsciowy element oporowy Rl kierowany na wej¬ scie wzmacniacza operacyjnego WO. Wejsciowy dzielnik rezystancyjny przystosowuje sygnal wejs¬ ciowy do sterowania ukladem wzmacniacza formu¬ jacego. Poszerza to obszar zastosowan ukladu we¬ dlug wynalazku, na przyklad dla zródla sygnalów o amplitudach przekraczajacych wartosci dopusz¬ czalne dla wejscia zastosowanego wzmacniacza ope¬ racyjnego WO. Zastosowanie rezystora tlumiacego R3 korzystne jest w przypadku sterowania wzmac¬ niacza operacyjnego WO, wrazliwego na krótko¬ trwale zwarcie wyjscia. Jesli na wejsciu WE ukladu pokaze sie wysoki stan sygnalu, stan ten jest zapa¬ mietany na okladce kondensatora pamietajacego Cl.Po porównaniu przez uklad komparatora K sygna-: lów na obu jego wejsciach, na wyjsciu WY ukladu pokaze sie równiez stan wysoki, odpowiadajacy wartosci logicznej „1" dla ukladów TTL. Jezeli na¬ tomiast na wejsciu WE pokaze sie stan niski sygna- - lu z fotoelementu, który powinien byc zinterpreto¬ wany jako logiczne „0" dla ukladów TTL, kompa¬ rator K po porównaniu tego stanu ze stanem wczesniej zapamietanym na kondensatorze pamie¬ tajacym Cl, przyjmie na swoim wyjsciu wartosc lo¬ giczna sygnalu „0".Zmodyfikowany uklad wzmacniacza formujacego wedlug wynalazku przedstawiony na fig. 2 dziala w opisany wyzej sposób, przy czym sygnal z foto¬ elementu jest kierowany z wejsciowego dzielnika rezystancyjnego poprzez wzmacniacz operacyjny WO na wejscie komparatora K poprzez zlacze baza- -emiter tranzystora pierwszego wtórnika^ emitero¬ wego Tl, natomiast na drugie wejscie komparatora K wprowadzany Jest sygnal z okladki-kondensatora pamietajacego Cl, poprzez zlacze baza-emiter tran¬ zystora drugiego wtórnika emiterowego T2 i szere¬ gowo wlaczony rezystor dzielnika emiterowego R5.Zastosowanie tranzystorowych wtórników emitero¬ wych pozwala na zwiekszenie impedancji wejscio¬ wej komparatora K, w zaleznosci od potrzeb czasu pamietania i rodzaju komparatora.Zastosowanie dzielnika emiterowego R5-R7 w ob¬ wodzie emitera tranzystora drugiego wtórnika emi¬ terowego T2 pozwala na ustalenie optymalnego marginesu szumów.Zastrzezenia patentowe 1. Uklad wzmacniacza formujacego z pamietaniem wysokiego poziomu sygnalu wejsciowego, zwlaszcza stosowany w czytnikach kart i czytnikach tasm, posiadajacy na wejsciu dzielnik rezystancyjny po¬ laczony z jednym wejsciem wzmacniacza operacyj- ^. nego i kondensator pamietajacy, znamienny tym, 10 15 20 25 30 35 40 45 50 555 112978 6 ze zawiera komparator (K), którego pierwsze wej¬ scie polaczone jest z pierwszym wejsciem wzmac¬ niacza operacyjnego (WO) i wejsciowym dzielnikiem rezystancyjnym, utworzonym z elementów oporo¬ wych (Rl, R2) i potencjometru (PI), a do drugiego wejscia komparatora (K) podlaczony jest kondensa¬ tor pamietajacy (Cl), wyjscie wzmacniacza opera¬ cyjnego (WO), poprzez szeregowo polaczone rezystor tlumiacy (R3) i diode (Dl), oraz drugie wejscie . wzmacniacza operacyjnego (WO), poprzez rezystor sprzezenia zwrotnego (R4). 2. Uklad wzmacniacza formujacego wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze miedzy pierwsze wejscie kom¬ paratora (K) a pierwsze wejscie wzmacniacza ope¬ racyjnego (WO) wlaczone jest zlacze baza-emiter tranzystora pierwszego wtórnika emiterowego (Tl), natomiast, miedzy drugie wejscie komporatora (K) a punkt wspólny katody diody (Dl), rezystora sprze¬ zenia zwrotnego (R4) i okladki kondensatora pamie¬ tajacego (Cl), wlaczony jest obwód baza-emiter tranzystora drugiego wtórnika emiterowego (T2), poprzez rezystor dzielnika emiterowego (R5). PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Uklad wzmacniacza formujacego z pamietaniem wysokiego poziomu sygnalu wejsciowego, zwlaszcza stosowany w czytnikach kart i czytnikach tasm, posiadajacy na wejsciu dzielnik rezystancyjny po¬ laczony z jednym wejsciem wzmacniacza operacyj- ^. nego i kondensator pamietajacy, znamienny tym, 10 15 20 25 30 35 40 45 50 555 112978 6 ze zawiera komparator (K), którego pierwsze wej¬ scie polaczone jest z pierwszym wejsciem wzmac¬ niacza operacyjnego (WO) i wejsciowym dzielnikiem rezystancyjnym, utworzonym z elementów oporo¬ wych (Rl, R2) i potencjometru (PI), a do drugiego wejscia komparatora (K) podlaczony jest kondensa¬ tor pamietajacy (Cl), wyjscie wzmacniacza opera¬ cyjnego (WO), poprzez szeregowo polaczone rezystor tlumiacy (R3) i diode (Dl), oraz drugie wejscie . wzmacniacza operacyjnego (WO), poprzez rezystor sprzezenia zwrotnego (R4).
  2. 2. Uklad wzmacniacza formujacego wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze miedzy pierwsze wejscie kom¬ paratora (K) a pierwsze wejscie wzmacniacza ope¬ racyjnego (WO) wlaczone jest zlacze baza-emiter tranzystora pierwszego wtórnika emiterowego (Tl), natomiast, miedzy drugie wejscie komporatora (K) a punkt wspólny katody diody (Dl), rezystora sprze¬ zenia zwrotnego (R4) i okladki kondensatora pamie¬ tajacego (Cl), wlaczony jest obwód baza-emiter tranzystora drugiego wtórnika emiterowego (T2), poprzez rezystor dzielnika emiterowego (R5). PL
PL20139177A 1977-10-07 1977-10-07 Forming amplifier system with a memory of input signal high value,applied in particular for card and tape readers PL112978B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20139177A PL112978B1 (en) 1977-10-07 1977-10-07 Forming amplifier system with a memory of input signal high value,applied in particular for card and tape readers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20139177A PL112978B1 (en) 1977-10-07 1977-10-07 Forming amplifier system with a memory of input signal high value,applied in particular for card and tape readers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL201391A1 PL201391A1 (pl) 1979-05-21
PL112978B1 true PL112978B1 (en) 1980-11-29

Family

ID=19984977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL20139177A PL112978B1 (en) 1977-10-07 1977-10-07 Forming amplifier system with a memory of input signal high value,applied in particular for card and tape readers

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL112978B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL201391A1 (pl) 1979-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5055668A (en) Photo-sensor cell suitable for IC chip
KR850001590A (ko) 주위 광선 및 전자 잡음 감소회로
US3576452A (en) Photodiode preamplifier circuit for a card reader system
US5952887A (en) Feedback amplifier and optical receiver using the same
CA1101941A (en) Two-terminal photodetectors with inherent ac amplification properties
US5130526A (en) Circuit array for optical schmitt trigger
PL112978B1 (en) Forming amplifier system with a memory of input signal high value,applied in particular for card and tape readers
US5124581A (en) Emitter-coupled logic output circuit
JPS5938773B2 (ja) レベルシフト回路
EP0485617B1 (en) Hysteresis circuit
CN1319366C (zh) 光束检测装置及印刷设备
US4188550A (en) Photodetector circuit
KR860000799B1 (ko) 스위치 회로
GB1261737A (en) Variable resistance circuit
US7220953B2 (en) Photodiode circuit with improved response time
US5896050A (en) Signal generating circuit and peak detection circuit
US3515904A (en) Electronic circuits utilizing emitter-coupled transistors
SU1702519A1 (ru) Усилитель мощности
SU1357860A1 (ru) Двухпороговый компаратор
KR0180462B1 (ko) 히스테리시스형 비교기
KR830003083Y1 (ko) 차동접속을 갖는 투과형 광전스위치
SU1732460A1 (ru) Логический элемент
SU739642A1 (ru) Устройство дл стробировани сигналов считывани
SU536619A1 (ru) Контрольное устройство дл коммутационных систем
GB1532060A (en) Amplification circuits provided with automatic gain control means

Legal Events

Date Code Title Description
RECP Rectifications of patent specification