PL110010B1 - Semiconductor band transmission-reception switch - Google Patents

Semiconductor band transmission-reception switch Download PDF

Info

Publication number
PL110010B1
PL110010B1 PL21588276A PL21588276A PL110010B1 PL 110010 B1 PL110010 B1 PL 110010B1 PL 21588276 A PL21588276 A PL 21588276A PL 21588276 A PL21588276 A PL 21588276A PL 110010 B1 PL110010 B1 PL 110010B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
section
semiconductor
diodes
ppno
resonant
Prior art date
Application number
PL21588276A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL21588276A priority Critical patent/PL110010B1/pl
Publication of PL110010B1 publication Critical patent/PL110010B1/pl

Links

Landscapes

  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest pólprzewodnikowy pasmowy przelacznik nadawa- nie-odbiór, w którym sa stosowane czlony rezo¬ nansowe tworzace sekcje pólprzewodnikowych przelaczników nadawanie-odbiór z elementami pólprzewodnikowymi takimi jak diody PIN i wa- r-aikfcory, których to czlonów rozwiazanie stanowi przedmiot opisu patentowego nr 107050. Pólprze¬ wodnikowy przelacznik nadawanie-odbiór jest przeznaczony do pracy na wejsciu odbiorników urzadzen radiolokacyjnych pracujacych w zakresie fal decymetrowych i dluzszych fal centymet¬ rowych.Stan techniki. Znane z techniki mikrofalowej sekcje pólprzewodnikowych przelaczników nada¬ wanie-odbiór (PPNO) sa wykonywane jako sekcje odbiciowe, w których diody pólprzewodnikowe, przewaznie diody PIN, w czasie generacji przez wlasny nadajnik impulsu sondujacego i emisji tego impulsu polaryzowane pradem stalym wyka¬ zuja mala rezystancje, "zlacza dla sygnalów b.w.cz.Dla sekcji PPNO dopuszczalna moc przykladana na wejscie jest ograniczona wytrzymaloscia mo- cowa diod stosowanych w pierwszym i nastepnych czlonach sekcji, iloscia zastosowanych diod w sek¬ cji, sposobem ich wlaczenia, warunkami technicz¬ nymi oraz wytrzymaloscia mocowa prowadnic fa¬ lowych. Wytrzymalosc mocowa prowadnicy falo¬ wej powinna byc okolo 4 razy wieksza od do¬ puszczalnej mocy padajacej na czlon rezonansowy 10 15 20 25 30 ze wzgledu na tó, ze czlony rezonansowe w stanie polaryzacji diod powoduja powstawanie w pro¬ wadnicy falowej fali odbitej o wspólczynniku odbicia bliskim jednosci, przez co maksymalne napiecie w prowadnicy falowej moze byc dwu¬ krotnie wieksze od napiecia fali padajacej.Sekcje PPNO zakresu fal decymetrowych i dluz¬ szych fal centymetrowych (30 cm—3 cm) sa bu¬ dowane w postaci prowadnic falowych z rodza¬ jem pola TE, TM lub TEM z odpowiednio wla¬ czonymi elementami pólprzewodnikowymi.Sekcje PPNO z rodzajem pola TE i TM sa budowane bezposrednio w falowodach i maja dwa stany pracy zaleznie od polaryzacji diod pólprze¬ wodnikowych: odbiciowy dla tlumienia duzych sygnalów b.w.cz. i dopasowania dla transmisji malych sygnalów b.w.cz. Sekcje falowodowe maja te zalete, ze nie wystepuja w nich problemy wytrzymalosci mocowej prowadnicy i ulatwiaja doprowadzanie ciepla wydzielanego w diodach.Wada natomiast ukladów falowodowych sa ich duze gabaryty zewnetrzne, zwlaszcza w zakresie fal decymetrowych oraz to, ze uklady dlawikowe rozdzielajace obwody b.w.cz. od obwodów polary¬ zacji diod maja skomplikowana budowe.W praktycznych rozwiazaniach urzadzen radio¬ lokacyjnych na wyjsciu aktywnych ukladów PPNO stosuje sie pasywne ograniczniki mocy mi¬ krofalowej budowane na ogól w prowadnicach z rodzajem pola TEM zachodzi wiec koniecznosc 110 010110 3 stosowania przejsc ze standardu falowodowego na standard linii TEM, przy czym sekcje PPNO z ro¬ dzajem pola T^M^aja ograniczona wytrzymalosc mocowa ze wzglejiu na wytrzymalosc mocowa prowadnicy falowej. Dla, podniesienia wytrzyma¬ losci mocowej przelacznika nadawanie odbiór za- |*jfeaj&ce%o isekoja |PPNO z rodzajem pola TEM |O0 kllkOloTziesieciiu KW) nalezy czlon wejsciowy przelacznika polaczyc bezposrednio z prowadnica falowodowa o duzej wytrzymalosci mocowej.Istota wynalazku. Celem wynalazku bylo wy¬ nalezienie takiego mikrofalowego ukladu prze¬ laczania nadawanie-odbiór, w którym nie byloby ograniczenia mocy mikrofalowej padajacej na wejscie pierwszego czlonu sekcji PPNO, znanego z opisu patentowego nr 107050 z polaryzowanymi pradem stalym diodami, spowodowanego mala wytrzymaloscia mocowa wejsciowej prowadnicy falowej.Powyzsze zostalo osiagniete przez zbudowanie pasmowego PPNO, w którym sekcje rezonansowe aktywne ze sterowanymi elementami pólprzewod¬ nikowymi na wejsciu i ewentualnie sekcje pa¬ sywne na wyjsciu sa polaczone w filtr pasmowy, przy czym sekcje wejsciowa PPNO sprzegnieto pojemnosciowo z prowadnica falowa stosujac bez¬ posrednie krótkie polaczenie sondy z ta sekcja.Istote wynalazku stanowi w szczególnosci to, ze w rozwiazaniu wystepuje na wejsciu bardzo krótki odcinek prowadnicy falowej z rodzajem TEM, który w warunkach polaryzacji pradem stalym w kierunku przewodzenia diod w sekcji PIHNO jest prawie zwarty w miejscu dolaczenia tej sekcji, dzieki czemu napiecie fali stojacej na tym odcinku prowadnicy falowej jest stosunkowo male. Zastosowanie takiego sprzezenia umozliwia optymalne wykonanie PPNO zawierajacego sekcje aktywne i pasywne spelniajacego równoczesnie funkcje przelacznika sterowanego i ogranicz¬ nika pasywnego, co ma szczególne znaczenie w (urzadzeniach radiolokacyjnych, które maja na¬ rzucone wysokie wymagania na parametry cha¬ rakterystyk amplitudowych i fazowych w sze¬ rokim pasmie czestotliwosci. Laczenie oddzielnych ukladów aktywnego i pasywnego* wymagaloby przeprowadzenia dodatkowego strojenia w warun¬ kach eksploatacji.Objasnienie rysunku. Wynalazek w przykladzie wykonania uwidoczniony jest na rysunku, który przedstawia dwuczolowa sekcje PPNO sprzezona z prostokatna prowadnica falowa.Przyklad wykonania wynalazku. Jak pokazano na rysunku pasmowy pólprzewodnikowy prze¬ lacznik madawande-odlbiór wedlug wynalazku sklada sie z odcinka prowadnicy falowej z rodzajem TE tj. prostokatnego falowodu F, z mikrofalowego przejscia prostokatny falowód F — pierwszy czlon sekcji PPNO, wykonanego 010 4 w postaci sondy pojemnosciowej S oraz z odcinka prowadnicy falowej z rodzajem TEM o dlugosci znacznie mniejszej od 1/4 dlugosci fali na cze¬ stotliwosci srodkowej pasma pracy, przylaczonego fi do linii transmisyjnej T sekcji PPNO.Sekcja PPNO przykladowego rozwiazania jest zbudowana z rezonansowych czlonów L, Lc, D i LFD zamocowanych do i rozmieszczonych wzdluz linii przesylowej T w odleglosciach równych lub ^ mniejszych od 1/4 dlugosci fali dla czestotliwosci srodkowej pasma pracy PPNO.Polaryzacja diod pólprzewodnikowych D w czlo¬ nach rezonansowych L jest doprowadzana poprzez filtr dolnoprzepustowy LFD wlaczony szeregowo 5 z dioda lub diodami w ulklad mikrofalowy w ten sposób, ze dla czestotliwosci pracy tego filtru LFD jego impedancja jest mniejteza od impedancji diod w stanie spolaryzowania pradowego.Zastosowany filtr LFD ma mala pojemnosc za- ^ stepcza ze wzgledu na to, ~ ze w czasie przecho¬ dzenia PPNO z jednego stanu w drugi zachodzi proces ladowania i rozladowywania tej pojemnosci wplywajacy na czas przelaczania PPNO. Sekcja PPNO w stanie spolaryzowania napieciowego diod 5 jest dopasowana z jednej strony (na wejsciu) do impedancji prostokatnego falowodu F za pomoca sondy S o dlugosci okolo 1/4 dlugosci fali dla czestotliwosci srodkowej pasma pracy PPNO oraz z drugiej strony (na wyjsciu) poprzez przejscie 0 mikrofalowe linia paskowa — linia wspólosiowa.Liczba czlonów rezonansowych L w sekcji PPNO jest dobierana w zaleznosci od mocy wej¬ sciowej, tlumienia wnoszonego przez sekcje i do¬ puszczalnej mocy na wyjsciu. W zaleznosci od |5 potrzeb sekcja moze zawierac czlony sterowane napieciem zewnetrznym i czlony ograniczajace pasywnie z autopolaryzacja.Zastrzezenie patentowe Pólprzewodnikowy pasmowy przelacznik nada- wanie-odbiÓT, skladajacy sie z odcinka prowadnicy falowej sprzegnietej z sekcja pólprzewodniko¬ wych przelaczników nadawanie-odlbiór, wykonany z czlonów rezonansowych, znamienny tym, ze sprze¬ zenie pierwszego czlonu sekcji pólprzewodniko¬ wych przelaczników nadawanie^odtoiór wykonane jest w postaci sondy pojemnosciowej (S) o dlugosci ^ okolo 1/4 dlugosci fali dla czestotliwosci srod¬ kowej pasma pracy, która to sonda jest poprzez odcinek o dlugosci znacznie mniejszej od 1/4 dlu¬ gosci fali dolaczona do linii transmisyjnej (T| sekcji zbudowanej z czlonów rezonansowych (L) K zamocowanych i rozmieszczonych wzdluz linii transmisyjnej (T), przy czym w czlonach, których diody (D) sa polaryzowane napieciem zewnetrz¬ nym wlaczone sa szeregowo z tymi diodami filtry dolnoprzepustowe (LFD).110 010 PL

Claims (1)

Zastrzezenie patentowe Pólprzewodnikowy pasmowy przelacznik nada- wanie-odbiÓT, skladajacy sie z odcinka prowadnicy falowej sprzegnietej z sekcja pólprzewodniko¬ wych przelaczników nadawanie-odlbiór, wykonany z czlonów rezonansowych, znamienny tym, ze sprze¬ zenie pierwszego czlonu sekcji pólprzewodniko¬ wych przelaczników nadawanie^odtoiór wykonane jest w postaci sondy pojemnosciowej (S) o dlugosci ^ okolo
1/4 dlugosci fali dla czestotliwosci srod¬ kowej pasma pracy, która to sonda jest poprzez odcinek o dlugosci znacznie mniejszej od 1. /4 dlu¬ gosci fali dolaczona do linii transmisyjnej (T| sekcji zbudowanej z czlonów rezonansowych (L) K zamocowanych i rozmieszczonych wzdluz linii transmisyjnej (T), przy czym w czlonach, których diody (D) sa polaryzowane napieciem zewnetrz¬ nym wlaczone sa szeregowo z tymi diodami filtry dolnoprzepustowe (LFD).110 010 PL
PL21588276A 1976-09-22 1976-09-22 Semiconductor band transmission-reception switch PL110010B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21588276A PL110010B1 (en) 1976-09-22 1976-09-22 Semiconductor band transmission-reception switch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21588276A PL110010B1 (en) 1976-09-22 1976-09-22 Semiconductor band transmission-reception switch

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL110010B1 true PL110010B1 (en) 1980-06-30

Family

ID=19996488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21588276A PL110010B1 (en) 1976-09-22 1976-09-22 Semiconductor band transmission-reception switch

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL110010B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10873302B2 (en) Four wave mixing transmission line
US20030160148A1 (en) Opto-electronic oscillators having optical resonators
US4091343A (en) Insular waveguide directional coupler
US3058070A (en) Microwave duplexer
US2920292A (en) Power saturable wave guide components
Fano et al. Microwave filters using quarter-wave couplings
JPS5843601A (ja) 受動送受切替装置
US4837531A (en) Three-access polarization and frequency duplexing device
PL110010B1 (en) Semiconductor band transmission-reception switch
US3212018A (en) Waveguide parametric amplifier employing variable reactance device and thin septa iris to resonate fixed reactance of the device
US2853682A (en) Waveguide filter
US4418430A (en) Millimeter-wavelength overmode balanced mixer
US4660005A (en) High frequency electrical network
US4961061A (en) Phase-shifting combiner for electromagnetic waves
SU1356190A1 (ru) Преобразователь частоты
SU1631694A1 (ru) Генератор
RU2103802C1 (ru) Умножитель частоты
GB2218855A (en) Waveguide apparatus
SU1381621A1 (ru) Частотный разделитель
SU1520648A1 (ru) Балансный смеситель
RU2097879C1 (ru) Кольцевой ограничитель мощности
US4429287A (en) Coaxially coupled tunable oscillator using a ridge waveguide
SU1376227A1 (ru) Преобразователь частоты
SU1760633A1 (ru) СВЧ-смеситель на четной гармонике гетеродина
SU1406670A1 (ru) Микрополосковый фильтр