NO316852B1 - Aktiv likeretterkrets - Google Patents
Aktiv likeretterkrets Download PDFInfo
- Publication number
- NO316852B1 NO316852B1 NO19991848A NO991848A NO316852B1 NO 316852 B1 NO316852 B1 NO 316852B1 NO 19991848 A NO19991848 A NO 19991848A NO 991848 A NO991848 A NO 991848A NO 316852 B1 NO316852 B1 NO 316852B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- power supply
- switching transistor
- transistors
- winding
- outlet
- Prior art date
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/33569—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements
- H02M3/33576—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements having at least one active switching element at the secondary side of an isolation transformer
- H02M3/33592—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements having at least one active switching element at the secondary side of an isolation transformer having a synchronous rectifier circuit or a synchronous freewheeling circuit at the secondary side of an isolation transformer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Control Of Eletrric Generators (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
Oppfinnelsen angår effektforsyninger, i samsvar med den innledende del av krav 1. Nærmere bestemt angår oppfinnelsen likeretterkretser realisert med MOSFET-transistorer.
Fig. 1 illustrerer en synkron likeretterkrets i samsvar med den tidligere kjente teknikk. Spenningen som skal likerettes blir frembrakt fra sekundærviklingene T1N2 og T1N3 for en nettransformator Tl, og styrespenningene for gitterne (eng: grids) for MOSFET-transistorene blir frembrakt fra viklingene T1N4 og T1N5. Når spenningen for viklingen T1N4 som virker på gitteret for transistoren Ml og spenningen for viklingen T1N2 blir positive, begynner Ml å lede. Strøm flyter først via den indre dioden i transistoren Ml, inntil styrespenningen har overskredet gitter-terskelspenningen, hvorved transistorkanalen begynner å lede. Spenningsfallet som er oppstått i dioden i løpet av denne perioden forårsaker effekttap, og som resultat blir transistoren varmet opp. Nevnte periode er også relativt lang, fordi nettspenningsfrekvensen er lav, og derfor er raten for spenningsøkning på svitsjetransistorgitterne lav. Kretsen i fig. 1 fungerer således i lave effektområder, men ved effektforsyninger som har en høyere effekt enn 200 W, vil MOSFET-er brukt i slike kretser bli varmet opp for mye.
Tapene som oppstår i MOSFET-transistorer kan reduseres ved å øke styreraten, dvs. stigehastigheten for gitterspenningen. En økning i antallet tørn for viklingene T1N4 og T1N5, dvs. en økning i vekselspenningen frembrakt av viklingene, ville øke stigehastigheten for spenningen, men bruken av denne fremgangsmåten er svært begrenset på grunn av den lave maksimale merkespenningen mellom MOSFET-effekttransistorens gitter og kilde (eng: source). Typisk er maksimal merkespenning for MOSFET-effekttransistorer i størrelsesorden 20 V mellom gitter og kilde.
Den mest fordelaktige formen for et styresignal ville være en firkantbølge frembrakt f.eks. av en digital oscillator. Med denne typen styring, blir tapene for en MOSFET svært små, fordi gitterspenningen da så raskt overskrider gitter-terskelspenningen at det ikke finnes nok tid for å danne effekttap. I en krets i samsvar med fig. 1, blir en slik separat styringskrets svært vanskelig å realisere, fordi transistorkildene har et vekslende potensial, og denne firkantbølge-formede styrespenningen må frembringes eksakt mellom kilden og gitteret.
Det er et formål med oppfinnelsen å realisere en lavtaps likeretterkrets som varmes opp merkbart mindre enn i tidligere kjente systemer. Et annet formål med oppfinnelsen er å realisere en enkel MOSFET-likeretterkrets, hvorved en rask gitterstyring for svitsjetransistorene oppnås.
Disse formålene oppnås ved å bytte om plasseringen av sekundærviklinger og svitsjetransistorer. Således er MOSFET-kilden ikke lenger på et flytende potensial, og følgelig kan gitterstyringen realiseres uten de ekstra viklingene T1N4 og T1N5 som befinner seg i sekundærdelen av nettransformatoren Tl.
Systemet ifølge oppfinnelsen er karakterisert ved at
- kildene for de nevnte svitsjetransistorene er tilknyttet fast potensial,
- den første enden av nevnte første sekundærvikling er tilknyttet det første uttaket fra effektforsyningen, - kilden for den første svitsjetransistoren er tilknyttet det andre uttaket av effektforsyningen, og - mellom den andre enden av nevnte første sekundærvikling og drenet (eng: the drain) for den første svitsjetransistoren, er det koblet minst én ledning, og at - den første enden av nevnte andre sekundærvikling er tilknyttet det første uttaket av effektforsyningen, - drenet for den andre svitsjetransistoren er tilknyttet det andre uttaket av effektforsyningen, og - mellom den andre enden av nevnte sekundærvikling og drenet for den andre svitsjetransistoren er det koblet minst én ledning;
og ved at effektforsyningen videre omfatter
- minst én svitsjetransistor-styrekrets (1) som er tilknyttet gitteret for minst én svitsjetransistor, - en første styretransformator koblet mellom drenet for nevnte første svitsjetransistor og den andre enden av nevnte første sekundærvikling, idet nevnte første styretransformator omfatter minst to viklinger, - en andre styretransformator koblet mellom drenet for nevnte andre svitsjetransistor og den andre enden av nevnte andre sekundærvikling, idet nevnte andre styretransformator omfatter minst to viklinger;
og ved at
- den andre viklingen for nevnte første styretransformator er tilknyttet minst
én styrekrets for en svitsjetransistor, og
- den andre viklingen for nevnte andre styretransformator er tilknyttet minst én styrekrets for en svitsjetransistor.
De uselvstendige krav beskriver ytterligere fordelaktige utførelsesformer for oppfinnelsen.
Oppfinnelsen blir beskrevet mer i detalj nedenfor, med henvisning til noen foretrukne utførelsesformer beskrevet som eksempler, og til de vedføyde tegninger, hvor
fig. 1 illustrerer en MOSFET likeretterkrets i samsvar med tidligere kjent
i
teknikk,
fig. 2 illustrerer en foretrukket utførelse i samsvar med oppfinnelsen,
fig. 3 illustrerer en annen foretrukket utførelse i samsvar med oppfinnelsen,
fig. 4 illustrerer en gitterstyringskrets for en MOSFET, egnet for systemet i fig. 2, og
fig. 5 illustrerer en tredje foretrukket utførelse i samsvar med oppfinnelsen.
I figurene er det brukt identiske tall eller symboler for identiske deler.
Symbolet Tx betegner en transformator eller toroide x, og symbolet TxNy, hvor x og y er små heltall, betegner viklingen y for nevnte transformator eller toroide x.
Fig. 2 illustrerer en foretrukket utførelsesform i samsvar med oppfinnelsen. I denne utførelsen er kildene for begge MOSFET-transistorene koblet til jordpotensial, slik at det kan realiseres en enkel gitterstyringskrets som resulterer i rask styring.
Virkemåten for den foretrukne utførelsesformen illustrert i fig. 2 er basert på at det ved hjelp av små transformatorer T3 og T4 blir dannet et styresignal av strømmen som frembringes av hovedtransformatoren, på gitterstyringskretsen 1. Når enden av viklingen T1N2, som er anbrakt på spenningsforsyningens uttaksside, er mer positiv enn den andre enden av den nevnte vikling, fører strømmen som passerer gjennom viklingen T1N2 MOSFET Ml til ledende tilstand, ved hjelp av viklingene T3N1 og T3N3 av toroiden T3. Samtidig fører den MOSFET M2 til ikke-ledende tilstand ved hjelp av viklingene T4N1 og T4N3 for toroiden T4. Når enden av viklingen T1N3, som er anbrakt på spenningsforsyningens uttaksside, blir mer positiv enn den andre enden av nevnte vikling, fører strømmen som passerer gjennom viklingen T1N3 transistoren M2 til ledende tilstand ved hjelp av viklingene T4N2 og T4N3 for toroiden T4, og transistoren Ml til ikke-ledende tilstand ved hjelp av viklingene T3N2 og T3N3 for toroiden T3.
De anvendte transformatorene T3 og T4 kan med fordel omfatte en liten toroide som ledningen som kommer ut av sekundærviklingen av nettransformatoren blir ført gjennom, slik at det bare finnes ett tørn i primærviklingen for transformatoren T3, T4.
I samsvar med en annen foretrukket utførelse av oppfinnelsen fremkommer ikke styresignalet fra separate styretransformatorer T3, T4, men styresignalet fremkommer fra de tredje og fjerde sekundærviklingene for nettransformatoren, som illustrert i fig. 3. Her er viklingene T1N4 og T1N5 for nettransformatoren koblet til styrekretser 1 for MOSFET-transistorene.
En fordelaktig oppstilling for gitterstyringskretsen 1 er illustrert i fig. 4. Denne typen styrekrets kan med fordel brukes sammen med den foretrukne utførelsen illustrert i fig. 2. Styrekretsen er realisert med to komplementære bipolare transistorer VI og V2, som er koblet som emitterfølgere. Når den punktmerkede enden av viklingen T3N3/T4N3 er mer positiv enn den emitterkoblede enden av transistorene VI og V2, føres transistoren VI til ledende tilstand, slik at det begynner å flyte strøm til uttaket av styrekretsen og til gitteret for MOSFET Ml, M2, hvoretter MOSFET Ml, M2 veksler til ledende tilstand. Når den emitterkoblede enden av transistorene VI ogV2 av viklingen T3N3/T4N3 er den mest positive, føres transistoren V2 til ledende tilstand, i hvilket tilfelle gitterladningen for MOSFET Ml, M2 begynner å bli utladet. I samme øyeblikk blir tyristorkoblingen dannet av transistorene V3 og V4 utløst til ledende tilstand, noe som merkbart fremskynder utladningen av gitterladningen for MOSFET-en og dens veksling til ikke-ledende tilstand.
Diodene D1-D7 tjener som metningsforebyggende dioder for transistorene VI og V2. Når VI veksler til ledende tilstand, er dens kollektor på et høyere potensial - i størrelsesorden to diode-terskelspenninger - enn dens basis når VI ikke er i metning. Når spenningen som er virksom i forhold til transistoren VI endrer polaritet, føres VI raskt til ikke-ledende tilstand. Metningsforebyggende dioder reduserer transistorens lagringstid, som utgjør den største forsinkelsen når en transistor veksler fra ledende tilstand til ikke-ledende tilstand.
Fig. 5 illustrerer en tredje foretrukket utførelse av oppfinnelsen. Ved å anvende oppstillingen i samsvar med oppfinnelsen, er det også mulig å realisere en dobbel spenningsforsyning, hvorfra det negative uttaket kan bringes tilveie ved hjelp av en krets som illustrert i fig. 2, hvor imidlertid
polariteten for spenningene er motsatt av tilfellet i nevnte fig. 2, og hvor det brukes p-type MOSFET-transistorer i stedet for n-type MOSFET-transistorer.
I denne fremstillingen har vi beskrevet ulike foretrukne utførelsesformer for oppfinnelsen ved hjelp av MOSFET-transistorer som eksempel. For en fagmann er det imidlertid opplagt at andre typer av kjente svitsjetransistorer også kan anvendes i effektforsyningen i samsvar med oppfinnelsen. I de vedføyde krav betegner begrepene kilde, dren og gitter funksjonelt de tilsvarende elementer for den aktuelle svitsjetransistoren i hvert enkelt tilfelle.
Ved å bruke den strømstyrte aktive likeretteren i samsvar med oppfinnelsen, blir det oppnådd ekstremt lave effekttap selv med høye utgangseffekter, fordi gitterstyringskretsen illustrert i fig. 4 medfører at utladningen av gitterladningen finner sted svært raskt, og følgelig blir svitsje- og sperretidene for MOSFET-transistorene svært korte. Kretstapene blir i hovedsak påvirket av de resistive tapene i kanalresistansen for de anvendte MO SFET-transistorene.
Claims (4)
1. Effektforsyning som omfatter en nettransformator med en første og andre sekundærvikling, og som videre omfatter to svitsjetransistorer for likeretting av strømmen for nevnte sekundærviklinger, karakterisert ved at - kildene for de nevnte svitsjetransistorene er tilknyttet fast potensial, - den første enden av nevnte første sekundærvikling er tilknyttet det første uttaket fra effektforsyningen, - kilden for den første svitsjetransistoren er tilknyttet det andre uttaket av effektforsyningen, og - mellom den andre enden av nevnte første sekundærvikling og drenet for den første svitsjetransistoren, er det koblet minst én ledning, og at - den første enden av nevnte andre sekundærvikling er tilknyttet det første uttaket av effektforsyningen, - kilden for den andre svitsjetransistoren er tilknyttet det andre uttaket av effektforsyningen, og - mellom den andre enden av nevnte sekundærvikling og drenet for den andre svitsjetransistoren er det koblet minst én ledning;
og ved at effektforsyningen videre omfatter - en første svitsjetransistor-styrekrets (1) som er tilknyttet gitteret for den første svitsjetransistoren, - en andre svitsjetransistor-styrekrets (1) som er tilknyttet gitteret for den andre svitsjetransistoren,
og ved at effektforsyningen videre omfatter - en første styretransformator og en andre styretransformator, hvor - en første vikling for nevnte første styretransformator er koblet mellom drenet for nevnte første svitsjetransistor og den andre enden av nevnte første sekundærvikling, - en første vikling for nevnte andre styretransformator er koblet mellom drenet for nevnte andre svitsjetransistor og den andre enden av nevnte andre sekundærvikling; - en andre vikling for nevnte første styretransformator er koblet til den første svitsj etransistor-styrekretsen, og - en andre vikling for nevnte andre styretransformator er koblet til den andre svitsj etransistor-styrekretsen; - en tredje vikling for nevnte første styretransformator er koblet mellom den andre enden av nevnte andre sekundærvikling og drenet for nevnte andre svitsjetransistor, og - en tredje vikling for nevnte andre styretransformator er koblet mellom den andre enden av nevnte første sækundærvikling og drenet for nevnte første svitsjetransistor.
2. Effektforsyning som angitt i krav 1,
karakterisert ved at nevnte første uttak fra effektforsyningen er det positive uttaket fra effektforsyningen, at det nevnte andre uttaket fra effektforsyningen er uttaket for jordpotensialet for effektforsyningen, og at nevnte svitsjetransistorer er n-type svitsjetransistorer.
3. Effektforsyning som angitt i krav 1,
karakterisert ved at nevnte første uttak fra effektforsyningen er det negative uttaket fra effektforsyningen, at nevnte andre uttak fra effektforsyningen er uttaket for jordpotensialet for effektforsyningen, og at nevnte svitsjetransistorer er p-type svitsjetransistorer.
4. Effektforsyning som angitt i krav 1, karakterisert ved at nevnte svitsjetransistor er en MOSFET.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI964184A FI114056B (fi) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | Teholähde |
PCT/FI1997/000632 WO1998018198A1 (en) | 1996-10-18 | 1997-10-17 | Active rectifier circuit |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO991848L NO991848L (no) | 1999-04-16 |
NO991848D0 NO991848D0 (no) | 1999-04-16 |
NO316852B1 true NO316852B1 (no) | 1999-04-16 |
Family
ID=8546900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO19991848A NO316852B1 (no) | 1996-10-18 | 1999-04-16 | Aktiv likeretterkrets |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0932929B1 (no) |
AT (1) | ATE222424T1 (no) |
DE (1) | DE69714753T2 (no) |
DK (1) | DK0932929T3 (no) |
ES (1) | ES2181032T3 (no) |
FI (1) | FI114056B (no) |
NO (1) | NO316852B1 (no) |
PL (1) | PL184963B1 (no) |
RU (1) | RU2190293C2 (no) |
WO (1) | WO1998018198A1 (no) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7269034B2 (en) | 1997-01-24 | 2007-09-11 | Synqor, Inc. | High efficiency power converter |
AU3034801A (en) * | 2000-01-28 | 2001-08-07 | Syngenta Limited | Isothiazole derivatives and their use as pesticides |
GB2370431A (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | Brian Victor Olliver | A dc-ac-dc power converter |
US10199950B1 (en) | 2013-07-02 | 2019-02-05 | Vlt, Inc. | Power distribution architecture with series-connected bus converter |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3422777A1 (de) * | 1984-06-20 | 1986-01-02 | ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Mit einer induktivitaet beschaltetes gesteuertes gleichrichterelement, sowie dessen verwendung |
US5179512A (en) * | 1991-09-18 | 1993-01-12 | General Electric Company | Gate drive for synchronous rectifiers in resonant converters |
-
1996
- 1996-10-18 FI FI964184A patent/FI114056B/fi active
-
1997
- 1997-10-17 PL PL97332824A patent/PL184963B1/pl not_active IP Right Cessation
- 1997-10-17 EP EP97944921A patent/EP0932929B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-17 ES ES97944921T patent/ES2181032T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-17 AT AT97944921T patent/ATE222424T1/de not_active IP Right Cessation
- 1997-10-17 RU RU99109589/09A patent/RU2190293C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1997-10-17 DE DE69714753T patent/DE69714753T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-17 WO PCT/FI1997/000632 patent/WO1998018198A1/en active IP Right Grant
- 1997-10-17 DK DK97944921T patent/DK0932929T3/da active
-
1999
- 1999-04-16 NO NO19991848A patent/NO316852B1/no not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NO991848L (no) | 1999-04-16 |
WO1998018198A1 (en) | 1998-04-30 |
ES2181032T3 (es) | 2003-02-16 |
RU2190293C2 (ru) | 2002-09-27 |
PL332824A1 (en) | 1999-10-11 |
NO991848D0 (no) | 1999-04-16 |
PL184963B1 (pl) | 2003-01-31 |
DE69714753D1 (de) | 2002-09-19 |
EP0932929A1 (en) | 1999-08-04 |
FI964184A0 (fi) | 1996-10-18 |
DE69714753T2 (de) | 2003-04-30 |
ATE222424T1 (de) | 2002-08-15 |
FI114056B (fi) | 2004-07-30 |
FI964184A (fi) | 1998-04-19 |
DK0932929T3 (da) | 2002-12-16 |
EP0932929B1 (en) | 2002-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN205725692U (zh) | 用于驱动功率开关的栅极驱动器电路 | |
US10187056B2 (en) | Device and method to break the current in power transmission or distribution system | |
CN110729880A (zh) | 电力变换装置的驱动电路及其应用装置 | |
CN109450418B (zh) | 一种带开关控制单元的igbt隔离驱动电路及其控制方法 | |
CN109638797A (zh) | 一种带过流保护的多开关同步隔离驱动电路 | |
CN111293863A (zh) | 双向开关浮地驱动电路及其多路开关驱动电路 | |
NO316852B1 (no) | Aktiv likeretterkrets | |
CN107800286B (zh) | 一种取能电源的启动电路及其工作方法 | |
CN107124090B (zh) | 应用于高压固态开关中的快速驱动电路、高压固态开关 | |
CN110518789B (zh) | 一种软开关电路及电力电子设备 | |
CN115549457B (zh) | 反激变换器的保护电路及控制方法 | |
CN115411925A (zh) | 一种反激式开关电源启动导通控制电路及装置 | |
US20120163050A1 (en) | Power supply circuit with low stand-by losses | |
KR20150119877A (ko) | 반도체 스위칭 요소를 갖는 부하시 탭 절환기 및 부하시 탭 절환기를 작동하는 방법 | |
JP2009261117A (ja) | スイッチング電源装置 | |
CN108880272B (zh) | 一种推挽变换器电路及其控制方法 | |
CN210725392U (zh) | Igbt保护电路及烹饪器具 | |
JP2019153976A (ja) | 直流遮断器 | |
RU2522861C1 (ru) | Оптоэлектронное реле | |
CN216819733U (zh) | 一种励磁电路 | |
CN212275946U (zh) | 一种外部可调的电感退磁检测和功率检测电路 | |
CN108417421B (zh) | 一种电源转换器件用的联动转换结构 | |
JP2024529035A (ja) | 駆動装置及び電子機器 | |
KR20210092826A (ko) | 직류 전원 장치 | |
KR101665937B1 (ko) | 고압 직렬형 양방향 컨버터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FC2A | Withdrawal, rejection or dismissal of laid open patent application |