NO170788B - PORTABLE BATTERYLES FREQUENCY PARTS - Google Patents
PORTABLE BATTERYLES FREQUENCY PARTS Download PDFInfo
- Publication number
- NO170788B NO170788B NO872744A NO872744A NO170788B NO 170788 B NO170788 B NO 170788B NO 872744 A NO872744 A NO 872744A NO 872744 A NO872744 A NO 872744A NO 170788 B NO170788 B NO 170788B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- halide
- alcl
- alkaline earth
- reaction
- alkali
- Prior art date
Links
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 45
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 13
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 4
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000007038 hydrochlorination reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- -1 sodium-potassium halide Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940003214 aluminium chloride Drugs 0.000 claims 1
- 239000012803 melt mixture Substances 0.000 claims 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 30
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 13
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 8
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001513 alkali metal bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000029142 excretion Effects 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotungsten Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)Cl YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K titanium(iii) chloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)Cl YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Telephone Function (AREA)
Description
Fremgangsmåte til samtidig adskillelse av aluminiumklorid og titantetraklorid fra gassformede reaksjonsprodukter. Method for the simultaneous separation of aluminum chloride and titanium tetrachloride from gaseous reaction products.
Oppfinnelsen vedrører en fremgangsmåte til samtidig tørr adskillelse av aluminiumklorid og titantetraklorid fra de flyktige reaksjonsprodukter som dannes ved klorering av silisium og silisiumholdige stoffer ved reaksjonsproduktenes overføring over fast alkali-og/eller jordalkalihalogenid ved forhøyet temperatur. The invention relates to a method for the simultaneous dry separation of aluminum chloride and titanium tetrachloride from the volatile reaction products formed by chlorination of silicon and silicon-containing substances when the reaction products are transferred over solid alkali and/or alkaline earth halide at elevated temperature.
De ved hydroklorering av handelsvanlige ferrosilisium dannede reaksjonsprodukter SiCl^, SiHCl^ og hydrogen, som bl.a. kan anvendes til fremstilling av høydisperst silisiumdioksyd ved hjelp av flamme-hydrolyse, inneholder ved siden av mindre mengder TiCl^ ca. 2 vektprosent AlGl^ som forurensning. Adskillelsen av AlCl^ fra reaksjons-produkt ene, f.eks. ved gassblandingens avkjøling eller ved en våtvask, f.eks. med flytende SiCl^, er et problem ved prosessen som ikke må undervurderes da det såvel i gassfasen som også i oppløsning tenderer sterkt til overmetning, og derfor lett gir anledning til tilstopninger. The reaction products formed by hydrochlorination of commercially available ferrosilicon SiCl^, SiHCl^ and hydrogen, which i.a. can be used for the production of highly dispersed silicon dioxide by means of flame hydrolysis, contains in addition to smaller amounts of TiCl^ approx. 2 weight percent AlGl^ as impurity. The separation of AlCl^ from the reaction product, e.g. by the cooling of the gas mixture or by a wet wash, e.g. with liquid SiCl^, is a problem with the process that must not be underestimated, as both in the gas phase and also in solution it tends strongly to supersaturation, and therefore easily gives rise to clogging.
Derimot lar titantetraklorid seg adskille ved en våtvask In contrast, titanium tetrachloride can be separated by a wet wash
med f.eks. flytende, i kretsløp ført SiCl^. Riktignok bør vaskevæskens TiCl^-innhold med hensyn til faselikevektstillingen på ingen måte overskride en bestemt tillatelig størrelse, således at et stadig uttak og opparbeidelse av større vaskevæskemengder er uunngåelig. with e.g. liquid, in circuit conducted SiCl^. Admittedly, the washing liquid's TiCl^ content with regard to the phase equilibrium position should in no way exceed a certain permissible size, so that a constant withdrawal and processing of larger quantities of washing liquid is unavoidable.
Det er kjent fra blandinger av tungmetallklorider, som It is known from mixtures of heavy metal chlorides, which
f.eks. tantal-, niobium- og wolframklorid å adskille aluminium- og jernklorid, idet man fører disse kl4riders damper over fast koksalt ved temperaturer mellom 25O og 550°C, idet aluminium- og jernklorid med koksalt danner en smelte og kan fjernes, mens de øvrige klorider forblir i dampfase. e.g. tantalum, niobium and tungsten chloride to separate aluminum and iron chloride, by passing the vapors of these chlorides over solid sodium chloride at temperatures between 250 and 550°C, aluminum and iron chloride with sodium chloride form a melt and can be removed, while the other chlorides remains in vapor phase.
Etter en annen kjent fremgangsmåte kan aluminiumklorid adskilles fra forurensninger som f.eks. fra titans halogenider, vanadiums og spesielt jerns, således idet i nærvær av metallisk aluminium over-føres forurensningene ved reduksjon i ikke sublimerbare, ikke flyktige produkter, og aluminiumklorid avdempes fra denne blanding. According to another known method, aluminum chloride can be separated from contaminants such as e.g. from the halides of titanium, vanadium and especially iron, thus since in the presence of metallic aluminum the impurities are transferred by reduction into non-sublimable, non-volatile products, and aluminum chloride is attenuated from this mixture.
Videre er det kjent overføringen av titantetraklorid ved reduksjon med metalliske reduksjonsmidler til TiCl^, som eksempelvis finner anvendelse som katalysator ved polymerisasjon av etylen. Furthermore, it is known the transfer of titanium tetrachloride by reduction with metallic reducing agents to TiCl^, which, for example, finds use as a catalyst in the polymerization of ethylene.
Til grunn for oppfinnelsen lå imidlertid den oppgave å tilveiebringe en fremgangsmåte til tørr og mest mulig samtidig adskillelse av aluminiumklorid og tit.antetraklorid fra de flyktige reaksjonsprodukter som dannes ved kloreringsprosessen av silisiumholdige stoffer ved reaksjonsproduktenes overføring over fast alkalihalogenid ved forhøyet temperatur, ved hjelp av hvilke de ovennevnte ulemper og vanskeligheter kan unngås. The basis of the invention, however, was the task of providing a method for the dry and as much as possible simultaneous separation of aluminum chloride and titanium tetrachloride from the volatile reaction products that are formed in the chlorination process of silicon-containing substances when the reaction products are transferred over solid alkali halide at an elevated temperature, with the help of which the above disadvantages and difficulties can be avoided.
Det karakteristiske ved oppfinnelsen sees deri at reaksjonsgassene føres over et reaksjonstårn med fast alkali- eller jordalkalihalogenid eller deres blandinger i nærvær av mindre mengder av et metallisk reduksjonsmiddel ved temperaturer på 100-300°C, fortrinnsvis på mer enn 150°C, og den dannede metallklorid/alkalihalogenid og/eller jordalkalihalogenid-smelte fjernes fra fast alkalihalogenid og/eller jordalkalihalogenid. The characteristic of the invention is seen in that the reaction gases are passed over a reaction tower with solid alkali or alkaline earth halide or their mixtures in the presence of small amounts of a metallic reducing agent at temperatures of 100-300°C, preferably at more than 150°C, and the formed metal chloride/alkali halide and/or alkaline earth halide melt is removed from solid alkali halide and/or alkaline earth halide.
Som det overraskende ble funnet, reagerer dampformet AlCl^ selv i stor fortynning med klorsilaner praktisk talt fullstendig med fast, til over 100°C oppvarmet alkali- eller jordalkalihalogenider under dannelse av komplekse forbindelser som smelter over 100°C. Denne omsetning kommer overraskende ikke til stillstand etter overflatlig reaksjon på alkali- eller jordalkalihalbgenidstykker. Den smeltede kompleksforbindelse drypper heller av og omsetningen med videre AlCl^ fortsetter på alkali- eller jordalkalihalogenidstykkene. As was surprisingly found, even in high dilution with chlorosilanes, vapor AlCl^ reacts practically completely with solid alkali or alkaline earth halides heated above 100°C to form complex compounds melting above 100°C. Surprisingly, this turnover does not come to a standstill after superficial reaction with alkali or alkaline earth halides. The molten complex compound rather drips off and the reaction with further AlCl^ continues on the alkali or alkaline earth halide pieces.
Det ble videre funnet at også titantetrakloridet lar seg fjerne samtidig med aluminiumklorid fra reaksjonsgassene når reaksjonsgassene føres over fast alkali- eller jordalkalihalogenid i nærvær av et metallpulver, idet titantetrakloridet reduseres til titan-triklorid som under dannelse av komplekse forbindelser oppløser seg It was further found that the titanium tetrachloride can also be removed simultaneously with aluminum chloride from the reaction gases when the reaction gases are passed over solid alkali or alkaline earth halide in the presence of a metal powder, the titanium tetrachloride being reduced to titanium trichloride which dissolves during the formation of complex compounds
i AlCl^/alkali- resp. jordalkalihalogenidsmelten og renner bort med den. in AlCl^/alkali resp. the alkaline earth halide melt and drains away with it.
Utskillelsen av AlCl^ alene lykkes når de gassformede reaksjonsprodukter føres over fast jordalkali eller alkalihalogenid, spesielt koksalt, ved temperaturer på mer enn 100°C, fortrinnsvis på mer enn 150°C. Gassblandingen føres hertil over et med NaCl-stykker fyllt, oppvarmet reaksjonstårn og deretter utkondenseres fullstendig SiCl^ ved dypavkjøling. I SiCl^-kondensatene kan man bestemme innholdet av AlCl^-Og i NaCl-tårnets bortrennende smelte forholdet NaCl : AlCl^. The separation of AlCl^ alone is successful when the gaseous reaction products are passed over solid alkaline earth or alkali halide, especially sodium hydroxide, at temperatures of more than 100°C, preferably more than 150°C. The gas mixture is passed here over a heated reaction tower filled with pieces of NaCl, and the SiCl^ is then completely condensed out by deep cooling. In the SiCl^ condensates, one can determine the content of AlCl^-Og in the NaCl tower's runoff melt, the ratio NaCl : AlCl^.
SiCl^-kondensatets AlCl^-innhoid utgjør stadig 0,01%. Den fra NaCl-tårnet bortrennende saltsmelte har stadig et smeltepunkt på 150 - 152°C, som tilsvarer en molekylar sammensetning på 48 molprosent NaCl og 52 molprosent AlCl^ og dermed sterkt den ved 155»5°c smeltende kompleksforbindelse Na(AlCl^). AlCl^-adskillelsens full-stendighet ble undersøkt i avhengighet av temperaturen av NaCl-chargen i absorpsjonstårnet, nemlig i området på 120 - 450°C. The AlCl^ content of the SiCl^ condensate still amounts to 0.01%. The molten salt flowing away from the NaCl tower still has a melting point of 150 - 152°C, which corresponds to a molecular composition of 48 mole percent NaCl and 52 mole percent AlCl^ and thus strongly the complex compound Na(AlCl^) melting at 155»5°C. The completeness of the AlCl^ separation was examined in dependence on the temperature of the NaCl charge in the absorption tower, namely in the range of 120 - 450°C.
§et kunne fastslås at SiCl^-kondensatets AlCl^-innhold It could be established that the AlCl^ content of the SiCl^ condensate
merkbart øker når temperaturen i NaCl-tårnet ligger over 400°C noticeably increases when the temperature in the NaCl tower is above 400°C
I den hensikt å senke den bortrennende saltsmeltes stiv-ningstemperatur ble det istedenfor rent koksalt ifyllt en likemolar blanding (homogen) av NaCl og KC1 i absorpsjonstårnet. Den bortrennende saltsmelte hadde i dette tilfelle følgende sammensetning: Cl - 71.29%, Al 15,79*. N« 5,28%, K =7,41*. In order to lower the solidification temperature of the molten salt that drains away, instead of pure common salt, an equimolar mixture (homogeneous) of NaCl and KC1 was filled into the absorption tower. In this case, the draining salt melt had the following composition: Cl - 71.29%, Al 15.79*. N« 5.28%, K =7.41*.
Forholdet NaCl : KC1 i utløpet utgjorde 1 : 0,825. Dets smeltepunkt lå ved 115°C. Silisiumtetrakloridets AlCl^-innhold utgjorde etter behandlingen som ved anvendelse av rent koksalt. 0,01%. The ratio NaCl : KC1 in the outlet was 1 : 0.825. Its melting point was 115°C. The AlCl^ content of the silicon tetrachloride was, after the treatment, the same as when using pure common salt. 0.01%.
Også de angitte alkalimetallers bromider, som f.eks. kaliumbromid, er egnet til adskillelse av AICIq. AlCl^ og KBr danner nemlig en ved 104°C smeltende eutektikum med 66 molprosent KBr. Om-setter mån AlCl^-dampen med fast KBr ved ca. 250°C, så oppstår dobbelt- Also the specified alkali metal bromides, such as e.g. potassium bromide, is suitable for the separation of AICIq. Namely, AlCl^ and KBr form a melting eutectic with 66 mole percent KBr at 104°C. Moon reacts the AlCl^ vapor with solid KBr at approx. 250°C, then double-
saltet KBr . AlCl^ med et smeltepunkt på 213°C. the salt KBr. AlCl^ with a melting point of 213°C.
Likeledes er til adskillelse av AlCl^ også litiums halogenider egnet, f.eks. danner litiumklorid med AlCl^ et ved 114°C smeltende eutektikum med 41 molprosent LiCl og ved omsetningen av AlCl^-damp med fast LiCl bortrenner ved ca. l80°C det ved 143,5°C smeltende dobbeltsalt LiCl/AlCl^. Likewise, lithium halides are also suitable for separating AlCl^, e.g. forms lithium chloride with AlCl^ a eutectic melting at 114°C with 41 mol percent LiCl and in the reaction of AlCl^ vapor with solid LiCl drains away at approx. l80°C the at 143.5°C melting double salt LiCl/AlCl^.
På samme måte som med alkalihalogenider lykkes også med jordalkalihalogenider, spesielt MgClg, utskillelsen av AlCl^. In the same way as with alkali halides, the excretion of AlCl^ also succeeds with alkaline earth halides, especially MgClg.
MgClg og AlCl^ danner et ved l86°C smeltende eutektikum med 16 molprosent MgClg. Lar man imidlertid AlCl^-damp reagere med fast MgClg, så danner det seg ved temperaturer over 250°C en dobbeltforbindelse MgCl2.2 AlCl^, som har et smeltepunkt på 228°C. MgClg and AlCl^ form a melting eutectic at 186°C with 16 mole percent MgClg. However, if AlCl^ vapor is allowed to react with solid MgClg, a double compound MgCl2.2 AlCl^ is formed at temperatures above 250°C, which has a melting point of 228°C.
Det er nå en vesentlig del av oppfinnelsen å utskille det tidligere ennå ikke medtatte titantetraklorid fra de innledningsvis nevnte reaksjonsgasser under hensyntagen til de ovennevnte resultater samtidig med AlCl^, ved tilsetning av metallpulvere, spesielt pulver-formet aluminium, til alkali- resp. jordalkalihalogenid. It is now an essential part of the invention to separate the previously not yet included titanium tetrachloride from the initially mentioned reaction gases, taking into account the above-mentioned results simultaneously with AlCl^, by adding metal powders, especially powdered aluminium, to alkali- or alkaline earth halide.
liCl^ reagerer ved temperaturer over 100°C, spesielt i nærvær av AlCl^, med aluminiumpulveret under dannelse av TiCl^ som oppløser seg i smeiten som Na^TiClg og kan fjernes med denne. liCl^ reacts at temperatures above 100°C, especially in the presence of AlCl^, with the aluminum powder to form TiCl^ which dissolves in the melt as Na^TiClg and can be removed with it.
Man kan foreta utskillelsen av TiCl^ i et fra utskillelsen av AlCl^ adskilt reaksjonstrinn, idet man ikke tilsetter aluminiumpulveret til tårnets NaCl-charge men til bortrennende NaAlCl^-smelte og lar Al/NaAlCl^-dispersjoaen i et annet reaksjonstårn reagere med gassblandingens TiCl^. Denne fremgangsmåte har den fordel at det metalliske reduksjonsmiddel jevnt fordelt kommer til reaksjon og heller ikke kan blåses bort av gass-strømmen. The separation of TiCl^ can be carried out in a separate reaction step from the separation of AlCl^, by not adding the aluminum powder to the tower's NaCl charge but to the flowing away NaAlCl^ melt and allowing the Al/NaAlCl^ dispersion in another reaction tower to react with the gas mixture's TiCl ^. This method has the advantage that the metallic reducing agent reacts evenly and cannot be blown away by the gas stream.
Videre er det mulig å tilblande aluminiumspulveret til den bortrennende NaAlCl^-smelte, avkjøle denne og la den stivne og til-sette stykkformet til reaksjonstårnets salt. Furthermore, it is possible to mix the aluminum powder into the flowing away NaAlCl^ melt, cool this and allow it to solidify and add in lump form to the salt of the reaction tower.
En partiell utskillelse av AlCl^ med NaCl ved temperaturer mellom 400 og 5°0°C er likeledes mulig. Ved temperaturer over 400°C har NaAlCl^ nemlig allerede et betraktelig AlCl^-damptrykk, f.eks. ved 500°C allerede ca. 25 torr, således at AlCl^-adskillelsen stadig blir mer utfullstendig med økende temperatur, mens ved temperaturer over 500°C kan det på denne måte ikke mer adskilles noe ålCly A partial separation of AlCl^ with NaCl at temperatures between 400 and 5°0°C is also possible. At temperatures above 400°C, NaAlCl^ already has a considerable AlCl^ vapor pressure, e.g. at 500°C already approx. 25 torr, so that the AlCl^ separation becomes increasingly complete with increasing temperature, while at temperatures above 500°C no more AlCly can be separated in this way
Den fra rensetårnet uttatte AlCl^- og TiCl^-frie gassblanding av silisiumtetraklorid og hydrogen kan hvis det for blan-dingens videre anvendelse skulle være nødvendig, føres til et anlegg The AlCl^- and TiCl^-free gas mixture of silicon tetrachloride and hydrogen extracted from the purification tower can, if necessary for the further use of the mixture, be taken to a plant
til adskillelse av de to komponenter. for separation of the two components.
Eksempel 1. Example 1.
En fra Si-kloreringsprosessen dannet gassblanding av One from the Si chlorination process formed gas mixture of
2,6 m<3> hydrogen og 1,32 m^ SiCl^-damp (dvs. 10 kg SiCl^) inneholder som forurensninger 0,2 kg AlCl^ og 0,010 kg TiCl^, hvilket tilsvarer 2% AlCl^ og 0,1% TiCl^, referert til mengden SiCl^. 2.6 m<3> hydrogen and 1.32 m^ SiCl^ vapor (i.e. 10 kg SiCl^) contain as impurities 0.2 kg AlCl^ and 0.010 kg TiCl^, which corresponds to 2% AlCl^ and 0, 1% TiCl^, referred to the amount of SiCl^.
For adskillelse av AlCl^ fører man denne gassblanding This gas mixture is used to separate AlCl^
gjennom et med NaCl-stykker fyllt og til l60°C oppvarmet tårn. through a tower filled with pieces of NaCl and heated to 160°C.
Derved reagerer AlCl^ med NaCl under dannelse av 0,3 kg av det ved Thereby, AlCl^ reacts with NaCl to form 0.3 kg of the wood
152°C smeltende kompleks Na(AlCl^) som renner bort og samles i et forlag. 152°C melting complex Na(AlCl^) which flows away and collects in a publisher.
TiCl^ adskilles i et trinn med AlCl^, idet man til koksalt-chargen setter mindre mengder aluminiumpulver. TiCl^ reduseres da til TiCl^» som med NaCl danner det i den bortrennende NaAlCl^-smelte oppløselige kompleks Na^TiClg. Til reduksjon av 0,10 kg TiCl^ kreves eksempelvis 5 6 aluminiumpulver. Det oppstår 0,08 kg TiCl^. AlCl^-innholdet i gassblandingen utgjør etter behandlingen <0,01% referert til mengden SiCl^, mens TiCl^ ikke mer var påvisbar. TiCl^ is separated in a step with AlCl^, adding smaller amounts of aluminum powder to the coke salt charge. TiCl^ is then reduced to TiCl^» which, with NaCl, forms the soluble complex Na^TiClg in the draining NaAlCl^-melt. To reduce 0.10 kg of TiCl^, for example, 5 6 aluminum powder is required. 0.08 kg TiCl^ is formed. After the treatment, the AlCl^ content in the gas mixture amounts to <0.01% referred to the amount of SiCl^, while TiCl^ was no longer detectable.
Eksempel 2. Example 2.
På samme måte som i eksempel 1 føres den AlCl^- og TiCl^-holdige gassblanding fra hydrogen og silisiumtetraklorid gjennom en til minst 140°C varm finkornet lagring av en homogen, ekvimolar blanding av NaCl og KC1. Den fra lagringen bortrennende saltsmelte består av 71,3% Cl, 15,8% Al, 5,3% Na og 7,6% K. Dens smeltepunkt ligger ved 115°C. In the same way as in example 1, the AlCl^- and TiCl^-containing gas mixture from hydrogen and silicon tetrachloride is passed through a fine-grained storage of a homogeneous, equimolar mixture of NaCl and KC1 heated to at least 140°C. The salt melt flowing away from the storage consists of 71.3% Cl, 15.8% Al, 5.3% Na and 7.6% K. Its melting point is at 115°C.
1 en del av denne smelte dispergeres så meget aluminiumpulver at sistnevntes innhold utgjør ca. 1%. Denne aluminiumdispersjon blir etter stivning og knusning satt til NaCl/KCl-lagringen, idet den ved de herskende driftstemperaturer smelter fullstendig og fordeler aluminiumpulveret på NaCl/KCl-lagringen således at nå også TiCl^ ut-skilles under dannelse av Na^TiClg resp. K^TiClg samtidig med AlCl^1 part of this melt, so much aluminum powder is dispersed that the latter's content amounts to approx. 1%. After solidification and crushing, this aluminum dispersion is added to the NaCl/KCl storage, as it melts completely at the prevailing operating temperatures and distributes the aluminum powder on the NaCl/KCl storage so that now TiCl^ is also separated with the formation of Na^TiClg resp. K^TiClg simultaneously with AlCl^
fra gassblandingen. from the gas mixture.
Gassblandingens innhold etter denne behandling av AlCl^ utgjør <0,01% og innholdet av TiCl^ <0,005%. The content of the gas mixture after this treatment of AlCl^ amounts to <0.01% and the content of TiCl^ <0.005%.
Eksempel 3. Example 3.
Tilsvarende eksempel 1 føres de med AlCl^ og TiCl^ for-urensede reaksjonsgasser gjennom et til 280°C oppvarmet og med stykker av helt vannfritt MgCl2 fyllt reaksjonstårn. MgClg-chargen er til-satt 20 g aluminiumpulver pr. kg MgCl,, i finfordelt form. Corresponding to example 1, the reaction gases pre-contaminated with AlCl^ and TiCl^ are passed through a reaction tower heated to 280°C and filled with pieces of completely anhydrous MgCl2. The MgClg charge has 20 g of aluminum powder added per kg MgCl,, in finely divided form.
Det renner av en av en mindre mengde TiCl^ lett rødfarget smelte med sammensetning MgClg . 2 AlCl^. Dens smeltepunkt ligger mellom 220°C og 225°C. I reaksjonsgassene ér etter denne behandling ikke mer påvisbart TiCl^. AlCl^-innholdet er lavere enn 0,05% A small amount of TiCl^ slightly red colored melt with composition MgClg flows from one. 2 AlCl^. Its melting point is between 220°C and 225°C. After this treatment, TiCl^ is no longer detectable in the reaction gases. The AlCl^ content is lower than 0.05%
referert til mengden SiCl^. referred to the amount of SiCl^.
Eksempel 4. Example 4.
Reaksjonsgassene føres som i eksempel 2 gjennom et med As in example 2, the reaction gases are passed through a med
NaCl-stykker fyllt og til minst 140°C .oppvarmet tårn, idet AlCl^ NaCl pieces filled and to at least 140°C .heated tower, as AlCl^
reagerer under dannelse av NaAlCl^ og renner bort. I denne bortrente smelte dispergerer man deretter 0,5 vektprosent sinkstøv, befordrer denne Zn/NaAlCl^-dispersjon i et annet, likeledes med NaCl-stykker og til l80°C oppvarmet tårn og lar den der reagere med gassblandingens TiCl^. Fra dette tårn renner NaAlCl^-smelten med ikke omsatt sink- reacts to form NaAlCl^ and drains away. In this purified melt, 0.5% by weight zinc dust is then dispersed, this Zn/NaAlCl^ dispersion is conveyed into another tower, likewise with pieces of NaCl and heated to 180°C, and there it is allowed to react with the gas mixture's TiCl^. From this tower flows the NaAlCl^ melt with unreacted zinc
støv og én liten mengde Na^TlClg. Den kan for bedre utnyttelse av sinkstøvet flere ganger føres til det annet tårn og deretter kastes. TiCl.-innholdet i reaksjonsgassen utgjør etter denne behandling dust and one small amount of Na^TlClg. For better utilization of the zinc dust, it can be taken several times to the other tower and then thrown away. The TiCl. content in the reaction gas amounts to after this treatment
<0,005% og AlCl^-innholdet < 0,05%. <0.005% and the AlCl^ content <0.05%.
Claims (6)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/794,552 US4670740A (en) | 1985-11-04 | 1985-11-04 | Portable, batteryless, frequency divider consisting of inductor and diode |
PCT/US1986/002401 WO1987002811A1 (en) | 1985-11-04 | 1986-11-03 | Portable, batteryless, frequency divider consisting of inductor and diode |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO872744L NO872744L (en) | 1987-07-01 |
NO872744D0 NO872744D0 (en) | 1987-07-01 |
NO170788B true NO170788B (en) | 1992-08-24 |
NO170788C NO170788C (en) | 1992-12-02 |
Family
ID=26774121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO872744A NO170788C (en) | 1985-11-04 | 1987-07-01 | PORTABLE BATTERYLES FREQUENCY PARTS |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3680104D1 (en) |
NO (1) | NO170788C (en) |
-
1986
- 1986-11-03 DE DE8686907137T patent/DE3680104D1/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-07-01 NO NO872744A patent/NO170788C/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NO872744L (en) | 1987-07-01 |
NO872744D0 (en) | 1987-07-01 |
NO170788C (en) | 1992-12-02 |
DE3680104D1 (en) | 1991-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2469879A (en) | Preparation of boron compounds | |
US20140328740A1 (en) | Methods for producing silane | |
US4039648A (en) | Production of aluminum chloride | |
US20150151977A1 (en) | Systems for producing silane | |
US2790704A (en) | Process for producing a vaporized mixture of aluminum and titanium halides | |
US3938988A (en) | Method for producing aluminum metal from its salts | |
US3475139A (en) | Process for the separation of aluminum chloride and titanium tetrachloride from gaseous reaction gases containing chlorosilanes | |
US4035169A (en) | Process for the purification of aluminum chloride | |
US3853541A (en) | Method for producing aluminum metal directly from ore | |
NO170788B (en) | PORTABLE BATTERYLES FREQUENCY PARTS | |
US2846290A (en) | Slurry process for the manufacture of hydrogen fluoride | |
JPS60210515A (en) | Silane manufacture | |
WO2010018815A1 (en) | Method for purifying material containing metalloid element or metal element as main component | |
US3627483A (en) | Method of purifying aluminum chloride | |
NO20120827A1 (en) | Process for the production of silicon tetrafluoride | |
US3407031A (en) | Process for the manufacture of inorganic chlorides | |
US5905183A (en) | Process for reducing the residual chloride concentration in copper containing solids | |
Yasuda et al. | Aluminum subhalide as a reductant for metallothermic reduction | |
JPS59195519A (en) | Manufacture of hexachlorodisilane | |
JPS6136570B2 (en) | ||
JP2008517012A (en) | Method for producing organosilazane | |
JP3029278B2 (en) | Post-treatment method of solution containing inert antimony halogenide catalyst and organic compound | |
JP2788671B2 (en) | Manufacturing method of anhydrous aluminum chloride | |
US2691050A (en) | Process for preparing 1, 2, 3, 4, 5, 6-hexchlorocyclohexane | |
TWI429588B (en) | Methods and systems for producing silane |