NO150079B

NO150079B - Fremgangsmaate for utvinning av etylen fra crackinggasser ved lavtemperaturfraksjonering

Info

Publication number: NO150079B
Application number: NO771073A
Authority: NO
Inventors: Luigi Gazzi; Oronzo Sguera
Original assignee: Snam Progetti
Priority date: 1976-03-26
Filing date: 1977-03-25
Publication date: 1984-05-07
Also published as: IE45273B1; FR2345412B1; IT1058546B; DE2713359A1; SE420915B; SE7703479L; NL173844B; IS1055B6; NO150079C; AR212989A1; GB1571073A; FI770813A; NL7703283A; CA1047386A; US4163652A; IE45273L; NO771073L; DK134077A; FR2345412A1; IS2381A7

Description

Amplitudemodulasjonskompressor.

Oppfinnelsen angår en amplitudemodulasjonskompressor for bærebølgeanlegg, hvor der fra en vekselstrømforsterkers utgangsspenning med en detektor, et lavpassfilter og en lavfrekvensforsterker fås et likespenningssignal som er proporsjonalt med vekselspenningens amplitude og varierer med lavfrekvensmodulasjonen, og som anvendes til negativ tilbakekobling.

Det ble allerede foreslått å anvende en negativ tilbakekobling for modulasjonsfre-kvensene, idet utgangsspenningen fra forsterkeren for amplitudemodulerte signaler demoduleres for å modulere den modulerte spenning med denne demodulerte spenning. For modulasjonen ble der benyttet en van-lig modulatorkrets. Ved en annen løsning blir like- og vekselspenningskomponentene av det demodulerte signal tilført en diode parallellkoblet med en avstemt svingekrets. Med denne diode ble inngangssignalet til den etterfølgende forsterker dempet av den påtrykte spenning og overensstemmende med dennes størrelse.

Begge løsninger har den ulempe at mo-dulasjonssignalet ved komprimeringen blir forvrengt for sterkt for mange formål.

Oppfinnelsens oppgave er å skaffe en forbedret amplitudemodulasjonskompressor som gjør det mulig å redusere modulasjonsgraden for en amplitudemodulert svingning med små forvrengninger.

Dette blir ifølge oppfinnelsen oppnådd ved at tilbakekoblingssignalet over en kondensator styrer basis-siden av en transistor hvis kollektorstrøm er en på en innstillbar likestrøm overlagret vekselstrøm som har formen av modulasjonen som skal komprimeres, og er i faseopposisjon til denne samt styrer en eller flere dioder hvis arbeidspunkt bestemmes ved den innstillbare like-strøm, og som er koblet som styrte dempningselementer for vekselstrømforsterke-ren, så dennes forsterkningsgrad blir proporsjonal med den differensielle motstand av diodene.

Oppfinnelsen er anskueliggjort på teg-ningen. Fig. 1 er et koblingsskjema for et ut-førelseseksempel, delvis i blokkform. Fig. 2 er et diagram som viser den relative forsterkning i avhengighet av den momentane modulasjonsverdi, og

fig. 3 viser en reguleringskarakteristikk.

I utførelsen på fig. 1 dannes hele kob-lingsanordningen av vekselspenningsfor-sterkeren V og mot-modulasjonsgrenen. Forsterkeren V består av en kaskadekob-ling av en første forsterkerdel VI, en transistor Tl, en bredtbåndtransformator ii og en annen forsterkerdel V2 samt to serie-koblede dioder Dl og D2, hvis forbindelses-punkt er koblet til kollektoren på transistoren Tl over en kondensator Cl. Emitteren på transistoren Tl er kobelt til jord, og pri-mærviklingen på transformatoren U er til-koblet spenningskildens positive pol. Den ene ende av sekundærviklingen på transformatoren ti er ført til jord, og den annen ende mater forsterkerdelen V2. De andre ender av dioden Dl og D2 er jordet over kondensatorer henholdsvis C2 og C3. Dess-uten er dioden Dl tilsluttet en spennings-kilde på + 30 V, mens dioden D2 er for-bundet med kollektoren på transistoren T2 i mot-modulasjonsgrenen. Mot-modulasjonsgrenen dannes av en detektor Dt, et lavpassfilter TP, en lavfrekvensforsterker V3, hvis forsterkning kan innstilles for hånden, og som har en utgang med lav ohmsk motstand, en kondensator C4 og transistoren T2 i kaskade. Transistoren T2 er anordnet som et motkoblet trinn, idet motstanden RI forbinder basis på transistoren T2 med + 6 V-kilden. Den innstillbare motstand R2 mellom emitteren på transistoren T2 og jord tjener til innstilling av motkoblingsgraden. Detektoren Dt er tilsluttet forsterkerens utgang.

Inngangen E til forsterkeren V får modulert høyfrekvensspenning tilført, og ved utgangen A uttas den forsterkede inn-gangsspenning med rediisert modulasjonsgrad. Herav danner detektoren Dt et mo-dulasjonssignal som er proporsjonalt med høyfrekvensspenningens amplitude, og som når inngangen til lavfrekvensforsterkeren V3 over lavpassfilteret TP, som tjener til å undertrykke resterende høyfrekvens. Utgangsspenningen fra lavfrekvensforsterkeren V3 passerer via kondensatoren C4 til basis på transistoren T2. Kondensatoren C4 sørger for at koblingen bare reagerer på modulasjonen. Basis på transistor T2 får forspenning fra + 6 V-klemmen over motstanden RI. Spenningen på emitteren hos transistoren T2 følger spenningen ved dennes basis. Da den innstillbare motkoblings-motstand R2 som ligger mellom emitteren på transistoren T2 og jord, gjennomflytes av kollektorstrømmen, blir denne proporsjonal med emitterspenningen og dermed også med basisspenningen. Med den innstillbare motstand R2 påvirkes foruten en-dringen av kollektorlikestrømmen også ba-sisvekselspenningen. Utgangsstrømmen fra kollektoren på transistoren T2 er en vek-selstrøm som er overlagret på den med R2 innstillbare likestrøm, og som har samme form som modulasjonen som skal komprimeres, og er i faseopposisjon til denne. Ut-gangsstrømmen fra kollektoren på transistoren T2 styrer diodene Dl og D2, hvis arbeidspunkt bestemmes av likestrømmen, og som tjener som styrt belastning for transistoren Tl, på den måte at det høyfrekvente inngangssignals modulasjonsgrad reduseres ved hjelp av styringen av høyfrekvensfor-sterkningen i takt med modulasjonen.

Under den forutsetning at den differensielle vekselstrømmotstand av reguler-ingsdiodene er meget mindre enn den pa-rallellkoblede impedans av den med inn-gangsimpedansen av forsterkerdelen V2 belastede transformator ti og av kollektor-motstanden av transistoren Tl, følger sam-menhengen mellom reguleringsstrømmen i og forsterkningen i det trinn som inne-holder transistoren Tl, loven

hvor V,, i, og k er konstanter. Forutsetnin-gen for en høy ohmsk kollektormotstand for transistoren Tl blir ved frekvenser over 1 megaherz oppfylt på en enkel måte hvis der for Tl anvendes en transistor av tetrode-typen. Uttrykket ^—^— jk svarer til forløpet av den différensielle gjennom-slipningsmotstand av en strømførende krystalldiode som funksjon av strømmen i.

Med hensyn til virkemåten av den be-skrevne koblingsanordning kan forholdet resymeres derhen at forsterkningsgraden av forsterkeren V ved momentant stor amplitude av vekselspenningen i transistoren Tl blir redusert overensstemmende med den i diodene Dl og D2 foreliggende sam-menheng mellom differensiell motstand og likestrømgjennomgang, hvorunder der til hver modulasjonsverdi svarer en bestemt forsterkning.

For modulasjonskompresjonen kan det av fig. 2 utledes hvorledes forsterkningen må være for hver momentan modulasjonsverdi mn foråt modulasjonsgraden m ved den eksempelvis viste sinusmodulasjon på n = 0,8 blir redusert med en konstant faktor. For en amplitudemodulasjonskompre-sjon med faktor 3 må f. eks. en momentanverdi av 1,6 (m0 = 0,6) komprimeres til 1,2 (m0 = 0,6/3 = 0,2), altså forsterkes med 0,75. En momentanverdi av 0,4 (mn = —0,6) må forsterkes til 0,8 (m0 = —0,2), altså med en faktor av 2,0. Den relative forsterkning vre i avhengighet av den momentane modulasjonsverdi er således for en eksakt modulasjonsgradskompresj,on en meget ik-ke-lineær karakteristikk, som fig. 2 viser. Sammenligner man denne konstruerte motmodulasjonskarakteristikk med fig. 3, hvor diodenes reguleringskarakteristikk er oppført i lineær målestokk i omgivelsen av f. eks. iR = 1 mA (jfr. formel for v), faller den store likhet av de to kurver i øynene selv om de følger helt forskjellige matema-tiske lover. Man kan følgelig få en approk-simasjon til mot-modulasjons-karakteri-stikken ved at man i området omkring en bestemt hvilestrøm (her f. eks. 1 mA) på-trykker reguleringen en vekselstrøm som

har formen av modulasjonen som skal

komprimeres, og er i faseopposisjon til den.

En modulert sinussvingning beholder altså

sin form efter en slik motregulering med

en sinusformet strøm og taper bare i modulasjonsgrad. Ved ikke faseren mot-modulasjon, f. eks. ved for sterk fasedreining

i lavpassfilteret TP, kan der eventuelt opp-tre sterke forvrengninger. Ved endring av

forsterkningen i motmodulasjonsgrenen

kan den ønskede kompresjonsgrad innstilles. For en konstant kompresjonsfaktor be-høver bare forholdet ioo/i0 å forbli konstant, hvor i0 er grunnstrømmen og icv> den

vekselstrøm som overlagres for en bestemt

modulasjon.

Claims

1. Amplitudemodulas j onskompressor for bærebølgeanlegg, hvor der fra en vek-selstrømforsterkers utgangsspenning med en detektor, et lavpassfilter og en lavfrekvensforsterker fås et likespenningssignal som er proporsjonalt med vekselspenningens amplitude og varierer med lavfrekvensmodulasjonen, og som anvendes til negativ tilbakekobling, karakterisert ved at tilbakekoblingssignalet over en kondensator styrer basissiden av en transistor, hvis kollektorstrøm er en på en innstillbar likestrøm overlagret vekselstrøm som har formen av modulasjonen som skal komprimeres, og er i faseopposisjon til denne samt styrer en eller flere dioder hvis arbeidspunkt bestemmes ved den innstillbare likestrøm, og som er koblet som styrte dempningselementer for vekselstrømfor-sterkeren, så dennes forsterkningsgrad blir proporsjonal med den differensielle motstand av diodene.

2. Amplitudemodulasj onskompressor som angitt i påstand 1, karakterisert ved at kompresjonsf aktoren velges ved innstilling av lavfrekvensforsterkerens forsterkning.