NL9402054A - High-temperature superconductors. - Google Patents
High-temperature superconductors. Download PDFInfo
- Publication number
- NL9402054A NL9402054A NL9402054A NL9402054A NL9402054A NL 9402054 A NL9402054 A NL 9402054A NL 9402054 A NL9402054 A NL 9402054A NL 9402054 A NL9402054 A NL 9402054A NL 9402054 A NL9402054 A NL 9402054A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- compound
- compounds
- stands
- doped metal
- temperature
- Prior art date
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 61
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 9
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N CuO Inorganic materials [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 2
- UFZOPKFMKMAWLU-UHFFFAOYSA-N ethoxy(methyl)phosphinic acid Chemical compound CCOP(C)(O)=O UFZOPKFMKMAWLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005162 X-ray Laue diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000001889 high-resolution electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000005404 magnetometry Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4521—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing bismuth oxide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
- H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
HOGE-TEMPERATUUR SUPBRGELEIDERSHIGH-TEMPERATURE SUPBR CONDUCTORS
De uitvinding heeft betrekking op hoge-temperatuursupergeleiders, in het bijzonder op supergeleidendeverbindingen gedefinieerd door een der algemene formules (I)of (II) A-z+Ji^ï+eCan-^CUn+iOg+^n+s j Me (I) A1 i+r(B2+eCan.itCun+10s+2n+5: Me (II),waarin - A staat voor een of meer elementen gekozen uit thallium(Tl), lood (Pb), bismut (Bi) of kwik (Hg), - B staat voor een of meer elementen gekozen uit calcium(Ca), strontium (Sr), barium (Ba), lanthaan (La) of yttrium(Y) , - Me staat voor een gedoteerd metaal, - A' staat voor een of meer elementen gekozen uit thallium(Tl), bismut (Bi) of kwik (Hg), - n staat voor een natuurlijk getal, - δ staat voor een positieve of negatieve afwijking van destoichiometrische hoeveelheid zuurstof (0), waarbij |5|<l, - η, e en λ staan voor een positieve of negatieve afwijkingvan de stoichiometrische hoeveelheden van respectievelijk Aof A' , B en Ca, waarbij |η|<1, |e|<l en |λ|<1 zijn, in welke verbindingen de Cu-atomen door 0-atomen zijn omringden in vlakken van elektrisch geleidende Cu02-lagen zijngeordend, en het kristalrooster van de verbindingen is opgebouwd uitopeenvolgende evenwijdige vlakkenAO, BO, n(Cu02, Ca), Cu02, BO, AO, waarbij n(Cu02, Ca) staat voor een n-voudige opeenstapelingvan een paar opeengestapelde lagen (Cu02, Ca) .The invention relates to high-temperature superconductors, in particular to superconducting compounds defined by one of the general formulas (I) or (II) A-z + Ji ^ i + eCan- ^ CUn + iOg + ^ n + sj Me (I) A1 i + r (B2 + eCan.itCun + 10s + 2n + 5: Me (II), where - A represents one or more elements selected from thallium (Tl), lead (Pb), bismuth (Bi) or mercury (Hg) ), - B stands for one or more elements selected from calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), lanthanum (La) or yttrium (Y), - Me stands for a doped metal, - A 'stands for one or more elements selected from thallium (Tl), bismuth (Bi) or mercury (Hg), - n represents a natural number, - δ represents a positive or negative deviation from the stoichiometric amount of oxygen (0), where | 5 | <1, - η, e and λ represent a positive or negative deviation from the stoichiometric quantities of Aof A ', B and Ca, respectively, where | η | <1, | e | <1 and | λ | <1, in which compounds the Cu atoms are surrounded by 0 atoms in v lacquers of electrically conductive CuO2 layers are ordered, and the crystal lattice of the compounds is composed of successive parallel planes AO, BO, n (CuO2, Ca), CuO2, BO, AO, where n (CuO2, Ca) represents an n-fold accumulation of a few stacked layers (CuO2, Ca).
Uit een artikel van B. vom Hedt, W. Lisseck, K. Westerholten H. Bach in Physical Review B, volume 49, nummer 14, blz.9898-9905 (1994) zijn bekend verbindingen Bi2Sr2CaCu208+6/aangeduid als het Bi(2:2:1:2)-systeem, gedoteerd met ijzer(Fe), nikkel (Ni) of zink (Zn). Fe, Ni en Zn worden aan hetBi(2:2:1:2)-systeem toegevoegd als substitutie voor Cu.From an article by B. vom Hedt, W. Lisseck, K. Westerholten H. Bach in Physical Review B, volume 49, number 14, pp. 9898-9905 (1994), known compounds Bi2Sr2CaCu208 + 6 / are referred to as the Bi ( 2: 2: 1: 2) system, doped with iron (Fe), nickel (Ni) or zinc (Zn). Fe, Ni and Zn are added to the Bi (2: 2: 1: 2) system as a substitute for Cu.
De supergeleidende verbindingen volgens de algemeneformules (I) en (II) behoren tot de zogeheten hoge- temperatuur supergeleiders, met een kritieke ofsprongtemperatuur Tc in het gebied van ca. 90 K tot ca.The superconducting compounds according to the general formulas (I) and (II) belong to the so-called high-temperature superconductors, with a critical or jump temperature Tc in the range from approx. 90 K to approx.
125 K.125 K.
De afstand tussen de Cu02-dubbellagen (n=l) of -tripellagen(n=2) in de verbindingen is veel groter dan de Cu-O-Cu-afstand, namelijk ca. 1,1 nm tegen 0,4 nm. Degeleidingscoëfficiënten σ,*, voor de geleiding in eenrichting evenwijdig aan de Cu02-vlakken, en oc,voor geleidingin een richting loodrecht op de Cu02-vlakken (evenwijdig aande c-as) zijn bij een temperatuur vlak boven de kritieketemperatuur Tc dan ook zeer verschillend: o^/Oc * 105. Desterke anisotropie in de geleiding wordt weerspiegeld in eensterke anisotropie in de supergeleidende coherentielengte ξ.Deze anisotropie, uitgedrukt door de parameter Y = ^ab/ ζεbedraagt voor de bekende verbindingen met Tl of Bi gekozenvoor A ca. 100. Deze hoge waarde van γ is er de oorzaak vandat bij hoge temperatuur de elektrische weerstand van deverbindingen terugkeert zodra er een magnetisch veld wordtaangelegd. Door het magnetische veld komt de supergeleidendeverbinding in de vortextoestand te verkeren, die wordtgekenmerkt door de aanwezigheid van fluxlijnen. Een fluxlijnis een kern van normaal materiaal omgeven door eensupergeleidende kringstroom (vortex) die precies eengequantiseerde hoeveelheid flux omvat. Als op een rooster vanfluxlijnen een kracht wordt uitgeoefend, bijvoorbeeld dooreen transportstroom, gaat het bewegen en ontstaat erweerstand tussen de stroomcontacten waartussen de stroomloopt. Dat in technische supergeleiders de weerstandslozetoestand gehandhaafd blijft komt door de rol van defecten inhet kristalrooster, die de fluxlijnen verankeren ('pinnen'),tot zeer hoge stroomdichtheden toe. Daar de superstromen inde hoge-temperatuur supergeleiders in hoofdzaak slechts in deCu02-vlakken lopen, breekt bij een magnetisch veld in de c-richting de fluxlijn op in een aantal flux'pannekoeken' ofpuntvortices, welke slechts een geringe onderlinge samenhangvertonen.The distance between the CuO2 double layers (n = 1) or triple layers (n = 2) in the compounds is much greater than the Cu-O-Cu distance, namely about 1.1 nm against 0.4 nm. The conduction coefficients σ, *, for the conductivity in one direction parallel to the Cu02 planes, and oc, for conduction in a direction perpendicular to the Cu02 planes (parallel to the c-axis) are therefore very different at a temperature just above the critical temperature Tc : o ^ / Oc * 105. The strong anisotropy in the conductivity is reflected in a strong anisotropy in the superconducting coherence length ξ. This anisotropy, expressed by the parameter Y = ^ ab / ζε, is for the known compounds with Tl or Bi chosen for A approx. 100 This high value of γ causes the electrical resistance of the joints to return at high temperature as soon as a magnetic field is applied. Due to the magnetic field, the superconductive compound enters the vortex state, which is characterized by the presence of flux lines. A flux line is a core of normal material surrounded by a superconducting loop current (vortex) that contains exactly a quantized amount of flux. When a force is exerted on a grid of flux lines, for example by a transport current, it moves and resistance arises between the current contacts between which the current flows. The fact that the resistance loop state is maintained in technical superconductors is due to the role of defects in the crystal lattice, which anchor the flux lines ('pins'), up to very high current densities. Since the supercurrents in the high-temperature superconductors run substantially only in the CuO 2 planes, with a magnetic field in the c-direction the flux line breaks up in a number of flux pancakes or point vortices, which show only a small mutual relationship.
Uit de hierboven geciteerde publikatie is bekend eenwerkwijze voor het systematisch creëren van puntdefecten inde Cu02-vlakken van de hoge-temperatuur supergeleidendeverbinding Bi2Sr2CaCu2Oe+6, door de Cu-atomen te vervangen door een van de andere 3d-elementen Fe, Ni of Zn. Substitutie vaneen van deze elementen, tot een concentratie van ca. 2 atoom-% ten opzichte van Cu leidt tot een geringe verlaging van dekritieke temperatuur Tc (ca. 5 K/at.-%). De afname in dekritieke stroomdichtheid JC(T) bij afwezigheid van eenuitwendig magnetisch veld als gevolg van de substitutie isechter groot. Bij lage temperaturen is Jc(T)voor degesubstitueerde verbindingen, met een concentratiegesubstitueerde elementen lager dan ca. 1 at.-% ten opzichtevan Cu, ongeveer een factor 2 lager dan voor deongesubstitueerde verbinding.From the publication cited above, it is known a method for systematically creating point defects in the CuO 2 planes of the high-temperature superconductor compound Bi2Sr2CaCu2Oe + 6, by replacing the Cu atoms with one of the other 3d elements Fe, Ni or Zn. Substitution of one of these elements to a concentration of about 2 atomic% with respect to Cu results in a slight decrease in the critical temperature Tc (about 5 K / at%). However, the decrease in critical current density JC (T) in the absence of an external magnetic field due to the substitution is large. At low temperatures, Jc (T) for the substituted compounds, with a concentration-substituted elements less than about 1 at% relative to Cu, is about a factor of 2 lower than for the unsubstituted compound.
Het is een doel van de uitvinding supergeleidendeverbindingen volgens een der in de aanhef gegeven algemeneformules (I) en (II) te verschaffen, in welke verbindingen inde supergeleidende toestand ontstane fluxlijnen wordenverankerd.It is an object of the invention to provide superconductive compounds according to one of the general formulas (I) and (II) given in the preamble, in which compounds anchored flux lines in the superconducting state are anchored.
Het is voorts een doel van de uitvinding supergeleidendeverbindingen te verschaffen die zijn geschikt om toegepast tekunnen worden als technische supergeleider voor eenelektrische stroom bij een temperatuur boven 4,2 K.It is a further object of the invention to provide superconductor compounds suitable for use as a technical superconductor for an electric current at a temperature above 4.2 K.
Deze en andere doelstellingen worden gerealiseerd insupergeleidende verbindingen als hierboven omschreven, dieworden gekenmerkt door ten minste een door het gedoteerdemetaal geïnduceerd planair roosterdefect dat zich inhoofdzaak uitstrekt in een richting loodrecht op genoemdeevenwijdige vlakken.These and other objects are achieved in superconducting connections as described above, which are characterized by at least one doped metal-induced planar grating defect extending substantially in a direction perpendicular to said parallel planes.
Gevonden is dat in verbindingen overeenkomstig deuitvinding, waarin een planair roosterdefect zich uitstrektin de richting van de c-as, de kritieke temperatuur Tc nietbeduidend lager is dan in de corresponderendeongesubstitueerde verbindingen, terwijl de kritiekestroomdichtheid Jc aanmerkelijk is verhoogd.It has been found that in compounds according to the invention, in which a planar lattice defect extends in the direction of the c-axis, the critical temperature Tc is not significantly lower than in the corresponding unsubstituted compounds, while the critical current density Jc is significantly increased.
In een verbinding overeenkomstig de uitvinding is hetgesubstitueerde metaal bij voorkeur in hoofdzaak alssubstitutie van het metaal A toegevoegd.In a compound according to the invention, the substituted metal is preferably added essentially as a substitution of the metal A.
In verbindingen overeenkomstig de uitvinding waarin hetgedoteerde metaal Me in hoofdzaak als substitutie voor Avolgens de formule Βϊ^.χΜβχεΓ^,ΰβχ.χΟ^Οβ+δ aan de verbinding istoegevoegd, wordt de concentratie x van Me bijvoorbeeldgegeven door de relatie 0<x<0,4.For example, in compounds of the invention in which the doped metal Me is mainly added to the compound as a substitute for A according to the formula Βϊ ^ .χΜβχεΓ ^, ΰβχ.χΟ ^ Οβ + δ, the concentration x of Me is given by the relationship 0 <x <0 , 4.
Bij voorkeur wordt de concentratie van het in eendergelijke verbinding gesubstitueerde metaal Me gegeven doorx = 0,04, bij meer voorkeur door x = 0,02.Preferably, the concentration of the metal Me substituted in such a compound is given by x = 0.04, more preferably by x = 0.02.
In een verbinding overeenkomstig de uitvinding is hetgedoteerde metaal bijvoorbeeld titanium (Ti), niobium (Nb) oftantalium (Ta).In a compound according to the invention, the doped metal is, for example, titanium (Ti), niobium (Nb) or tantalum (Ta).
Gevonden is dat de geringe afname in de waarde voor Tc alsgevolg van het doteren van het metaal Me in de verbindingenalthans gedeeltelijk kan worden teniet gedaan door tevens deverhouding tussen de concentraties van de elementen B en Cate wijzigen. De waarde van deze nieuwe verhouding wordtexperimenteel bepaald.It has been found that the slight decrease in the value for Tc due to the doping of the metal Me in the compounds can at least partially be offset by also changing the ratio between the concentrations of the elements B and Cate. The value of this new ratio is determined experimentally.
Verbindingen overeenkomstig de uitvinding zijn door hunhoge Jc-waarde in het bijzonder geschikt om te wordentoegepast als technische supergeleider, dat wil zeggen in eengeleider voor een stroom. De uitvinding heeft dan ook voortsbetrekking op een dergelijke geleider.Compounds according to the invention, due to their high Jc value, are particularly suitable for use as a technical superconductor, i.e. in a conductor for a current. The invention therefore also relates to such a conductor.
Een stroomgeleider overeenkomstig de uitvinding omvat eenhierboven beschreven verbinding volgens de uitvinding.A current conductor according to the invention comprises a connection according to the invention described above.
Een dergelijke stroomgeleider omvat bijvoorbeeld een dunnefilm van het materiaal van de verbinding.Such a current conductor comprises, for example, a thin film of the material of the connection.
In een ander voorbeeld is de stroomgeleider vervaardigd uiteen langwerpige, in omtreksrichting dwars op delengterichting gesloten zilveren houder, in welke houder deverbinding in poedervormige toestand is opgenomen.In another example, the current conductor is made of an elongated, circumferentially transversely closed silver container, in which container the compound in powder form is received.
De volgende voorbeelden dienen om de uitvinding toe telichten, zonder deze evenwel te beperken.The following examples serve to illustrate the invention without, however, limiting it.
Voorbeeld 1Example 1
Volgens een werkwijze waarbij een vloeibare zone van eenoplossend materiaal door een preparaat wordt voortbewogen(travelling solvent floating zone method), hierna afgekortals TSFZ-werkwijze, werd een verbinding met de formuleBili9gTi0 02Sr2CaCu2Oe bereid. Homogene uitgangsmaterialenhiervoor werden bereid volgens een "natte" bereidingsrouteuit nitraten. Poeders Bi203, Ti-metaal, SrC03, CaC03 en CuOwerden afgewogen in verhoudingenBi:Ti:Sr:Ca:Cu = 2,1:0,02:1,9:1,0:1,98 enBi:Sr:Ca:Cu = 2,6:1,9:1,0:2,6 voor respectievelijk devoedstaven en oplosmateriaal,· alle uitgangsmaterialen haddeneen zuiverheid van 99,9% of meer. De mengsels werden vervolgens opgelost in HN03. Na een droogbewerking werden demengsels gecalcineerd bij een temperatuur van 710-820 °C,onder meerdere malen tussentijds verpoederen. Degecalcineerde poeders werden geperst in staven met eendiameter van 6 tot 7 mm en een lengte van 80 tot 100 mm,onder een hydrostatische druk van 3,5 kbar. Deze stavenwerden vervolgens gedurende 48 uur in een verticale positieonder lucht uitgegloeid bij een temperatuur van 840 °C.Voorafgaand aan het kristalgroei-procédé werden de voedstaveneerst in lucht verdicht door ze met een snelheid van 60 - 80mm/uur door een gesmolten zone te leiden. Een eerder bereideenkristal Bi216SrJi91Ca1(03Cu2Oe+6 werd als entkristal gebruikt.De bereiding werd uitgevoerd volgens de TSFZ-werkwijze in eenspiegeloven NEC, type SC-N35HD met dubbele ellipsoidalereflectoren en twee 1,5 kW halogeenlampen als warmtebron.Tijdens het kristalgroeien werden de voedstaaf en hetentkristal in tegengestelde richting geroteerd met eenomwentelingssnelheid van 30 omwentelingen/minuut. Degroeisnelheid bedroeg ongeveer 0,26 mm/uur.According to a method in which a liquid zone of a solubilizing material is propelled through a preparation (traveling solvent floating zone method), hereinafter abbreviated as TSFZ method, a compound of the formula Bili9gTi0 02Sr2CaCu2Oe was prepared. Homogeneous starting materials for this were prepared according to a "wet" preparation route from nitrates. Powders Bi203, Ti metal, SrCO3, CaCO3 and CuO were weighed in proportions Bi: Ti: Sr: Ca: Cu = 2.1: 0.02: 1.9: 1.0: 1.98 and Bi: Sr: Ca: Cu = 2.6: 1.9: 1.0: 2.6 for the feed bars and dissolving material, respectively, all starting materials had a purity of 99.9% or more. The mixtures were then dissolved in HNO3. After a drying operation, the mixtures were calcined at a temperature of 710-820 ° C, with intermediate pulverization several times. Decalcined powders were pressed into bars with a diameter of 6 to 7 mm and a length of 80 to 100 mm, under a hydrostatic pressure of 3.5 kbar. These bars were then annealed in a vertical position under air at a temperature of 840 ° C for 48 hours. Prior to the crystal growth process, the feed bars were first compacted in air by passing them through a molten zone at a rate of 60-80mm / hr. A previously prepared single crystal Bi216SrJi91Ca1 (03Cu2Oe + 6) was used as seed crystal.The preparation was carried out according to the TSFZ method in a single mirror oven NEC, type SC-N35HD with double ellipsoidal reflectors and two 1.5 kW halogen lamps as heat source. the seed crystal rotated in the opposite direction at a rotational speed of 30 revolutions / minute The growth rate was about 0.26 mm / hour.
Een aldus gegroeid kristal bevat meerdere eenkristallen,die werden gecontroleerd op samenstelling, homogeniteit enhet monokristallijne karakter met behulp van respectievelijkelektronen-probe micro-analyse (EMPA) en röntgen-Lauediffractietechnieken. De aldus geanalyseerde verbinding wordtbeschreven door de formule (Bi2tl3Ti0(02) Srj^CaxCUx^Oe+e, waarbijde haakjes aangeven dat het gedoteerde Ti in hoofdzaak alssubstitutie voor Bi aan de verbinding is toegevoegd.A crystal thus grown contains multiple single crystals, which were checked for composition, homogeneity and monocrystalline character using electron probe microanalysis (EMPA) and X-ray Laugh diffraction techniques, respectively. The compound thus analyzed is described by the formula (Bi2tl3Ti0 (02) Srj ^ CaxCUx ^ Oe + e, the parentheses indicating that the doped Ti has been added as substantial substitution for Bi to the compound.
Opnamen van een eenkristal, gemaakt met behulp van eenhoge-resolutie elektronenmicroscoop (HREM) tonen planaireroosterdefecten die zich in een richting evenwijdig aan de c-as van het preparaat uitstrekken.Single crystal images taken using a high-resolution electron microscope (HREM) show planar lattice defects that extend in a direction parallel to the preparation's c-axis.
Voorbeeld 2Example 2
Van het eenkristal uit voorbeeld 1 waarvan HREM-opnamenwerden gemaakt, werd de kritieke temperatuur Tc bepaald metbehulp van een wisselstroom magnetische- susceptibiliteitsmeting. Het eenkristal werd hiertoe in eenmagnetisch wisselstroomveld met een veldsterkte van 1,2 G eneen frequentie van 90 Hz gebracht, waarna detemperatuursafhankelijk van de magnetische susceptibiliteitwerd bepaald. Uit de temperatuur waarbij de magnetische susceptibiliteit juist tussen de geëxtrapoleerde minimum- enmaximumwaarde ligt werd een waarde van 72 K voor de kritieketemperatuur Tc afgeleid. Deze waarde ligt 13 K beneden de On¬waarde van een niet met Ti gedoteerde verbindingBi2Sr2CaCu206. Deze afname in Tc-waarde kan op bekende wijzevrijwel geheel teniet worden gedaan door de verhouding van deconcentraties Sr en Ca in de uitgangsmaterialen te wijzigenof door de kristallen onder een zuurstofatmosfeer bij hogedruk te groeien.The critical crystal Tc of the single crystal from Example 1 from which HREM recordings were made was determined using an alternating current magnetic susceptibility measurement. To this end, the single crystal was placed in an alternating magnetic field with a field strength of 1.2 G and a frequency of 90 Hz, after which the temperature was determined depending on the magnetic susceptibility. From the temperature at which the magnetic susceptibility is just between the extrapolated minimum and maximum value, a value of 72 K for the critical temperature Tc was derived. This value is 13 K below the On value of a non-Ti-doped compound Bi2Sr2CaCu206. This decrease in Tc value can be almost completely offset in known manner by changing the ratio of concentrations of Sr and Ca in the starting materials or by growing the crystals under an oxygen atmosphere at high pressure.
Voorbeeld 3Example 3
Van het eenkristal uit voorbeeld 2 werd de kritiekestroomdichtheid Jc bepaald bij temperaturen tussen 5 en 40 Ken uitwendige magnetische velden van 0,2 Tesla tot 4,0 Tesla.Deze bepalingen tonen aan dat de kritieke stroomdichtheid indeze verbinding overeenkomstig de uitvinding aanmerkelijkhoger is dan in de bekende corresponderende, nietovereenkomstig de uitvinding gedoteerde verbindingen.Voorbeeld 4For the single crystal of Example 2, the critical current density Jc was determined at temperatures between 5 and 40 Ken external magnetic fields of 0.2 Tesla to 4.0 Tesla. These determinations show that the critical current density in this compound of the invention is significantly higher than in the known corresponding compounds doped in accordance with the invention. Example 4
Poeders Bi203, Ti-metaal, SrC03, CaC03 en CuO werdenafgewogen in verhoudingenBi:Ti:Sr:Ca:Cu = 2,1:0,4:1,9:1,0:2,0 enBi:Sr:Ca:Cu * 2,6:1,9:1,0:2,6 voor respectievelijkvoedstaven en oplosmateriaal. Op dezelfde wijze als ondervoorbeeld 2 werden eenkristallen van de met Ti gedoteerdeBi2Sr2CaCu2Oe-verbinding bereid, waarvan na analyse met behulpvan EMPA en röntgen-Laue diffractietechnieken desamenstelling werd vastgesteld. De aldus geanalyseerdeverbinding wordt beschreven door de formule(Bi2i 13Ti0 04)Sr2 oiCajCUi ssOg+s, waarbij de haakjes aangeven dathet gedoteerde Ti in hoofdzaak als substitutie voor Bi aan deverbinding is toegevoegd.Powders Bi203, Ti metal, SrCO3, CaCO3 and CuO were weighed in proportions Bi: Ti: Sr: Ca: Cu = 2.1: 0.4: 1.9: 1.0: 2.0 and Bi: Sr: Ca: Cu * 2.6: 1.9: 1.0: 2.6 for feed bars and dissolving material, respectively. In the same manner as in Example 2, single crystals of the Ti-doped Bi2Sr2CaCu2Oe compound were prepared, the composition of which was determined after analysis by EMPA and X-ray-Laue diffraction techniques. The compound thus analyzed is described by the formula (Bi2i 13TiO4) Sr2 oiCajCUi ssOg + s, the brackets indicating that the doped Ti has been added to the compound primarily as substitution for Bi.
Opnamen van een aldus bereid eenkristal, gemaakt met behulpvan een hoge-resolutie elektronenmicroscoop (HREM) tonenplanaire roosterdefecten die zich in een richting evenwijdigaan de c-as van het eenkristal uitstrekken.Recordings of a single crystal thus prepared, made using a high-resolution electron microscope (HREM), show planar lattice defects extending in a direction parallel to the c-axis of the single crystal.
De uitvinding zal in het nu volgende tevens wordentoegelicht aan de hand van bijgevoegde tekening, waarinfiguur 1 de structuur toont van Bi2Sr2CaCu208/figuur 2 een schematische weergave is van de stroom- enveldverdeling behorend bij enkele pannekoekvortices, figuur 3 een reconstructie is van een HREM-opname van eenverbinding (Bi2il3Ti0i02) Srj^CaiCu^s^Oe+s volgens de uitvinding,met een planair roosterdefect, figuur 4 een weergave is van de wisselstroom magnetischesusceptibiliteit van de verbinding (Bi2 l3Ti0i02) Sr2 04Ca1Cu1>97Oe+5,in afhankelijkheid van de temperatuur, figuur 5 een weergave is van de kritieke stroomdichtheidvan de verbinding (Bi2(13Ti0,02) Sr2i70,+6» inafhankelijkheid van de magnetische veldsterkte, en figuur 6 een weergave is van de kritieke stroomdichtheidvan enkele bekende gedoteerde Bi(2:2:1:2)-verbindingen, deongedoteerde verbinding Bi2Sr2CaCu208 en de verbinding(Bi2>13Ti0i02) Sr2(04Ca1Cult97O8+6, in afhankelijkheid van detemperatuur, bij afwezigheid van een uitwendig magnetischveld.The invention will now be further elucidated with reference to the annexed drawing, in which figure 1 shows the structure of Bi2Sr2CaCu208 / figure 2 is a schematic representation of the flow and field distribution associated with some pancake vortices, figure 3 is a reconstruction of an HREM image of a compound (Bi2il3Ti0i02) Srj ^ CaiCu ^ s ^ Oe + s according to the invention, with a planar lattice defect, figure 4 shows the alternating current magnetic susceptibility of the compound (Bi2l3Ti0i02) Sr2 04Ca1Cu1> 97Oe + 5, depending on the temperature, Figure 5 shows the critical current density of the compound (Bi2 (13Ti0.02) Sr2i70, + 6 »depending on the magnetic field strength, and Figure 6 shows the critical current density of some known doped Bi (2: 2: 1: 2) compounds, the undoped compound Bi2Sr2CaCu208 and the compound (Bi2> 13Ti0i02) Sr2 (04Ca1Cult97O8 + 6, depending on the temperature, in the absence of an magnetic field.
Figuur 1 toont de structuur van Bi(2:2:l:2). Dezuurstofatomen zijn omwille van de inzichtelijkheid in defiguur niet aangegeven. De figuur toont van boven naarbeneden de opeenvolgende evenwijdige vlakken bestaande uitBio (1), SrO (2), Cu02 (3), Ca (4), Cu02 (5), SrO (6) en BiO(7). De c-as van het kristalrooster, aangeduid door de pijlc, staat loodrecht op deze vlakken.Figure 1 shows the structure of Bi (2: 2: 1: 2). Oxygen atoms are not shown for clarity in the figure. The figure shows from top to bottom the successive parallel planes consisting of Bio (1), SrO (2), CuO2 (3), Ca (4), CuO2 (5), SrO (6) and BiO (7). The c-axis of the crystal lattice, indicated by the arrow c, is perpendicular to these planes.
Bi(2:2:1:2) vormt een voorbeeld van een niet gedoteerdeverbinding volgens de algemene formule (I), in het gevaln = 1. In het geval n = 2 herhaalt de opeenstapeling van tweeopeenvolgende vlakken Cu02 (3), Ca (4) zich. In het geval vaneen verbinding volgens formule (II) is slechts een van deBiO-vlakken (1,7) aanwezig.Bi (2: 2: 1: 2) is an example of an undoped compound of the general formula (I), in the case n = 1. In the case n = 2, the stacking of two consecutive surfaces CuO2 (3), Ca ( 4) themselves. In the case of a compound of formula (II), only one of the BiO planes (1.7) is present.
Figuur 2 is een schematische weergave van de stroom- enveldverdeling behorende bij vier pannekoekvortices (8) in deverbinding van figuur 1. De supergeleidende kringstromen (9)zijn gelokaliseerd in de Cu02-vlakken (3,5), de fluxlijnen(10) lopen in hoodzaak dwars door de Cu02-vlakken (3,5) heen.De ruimte tussen de Cu02-vlakken (3,5) mag als een isolatorbeschouwd worden. De laterale afmetingen zijn naar verhoudingsterk verkleind weergegeven.Figure 2 is a schematic representation of the current and field distribution associated with four pancake vortices (8) in the connection of Figure 1. The superconducting loop currents (9) are located in the Cu02 planes (3.5), the flux lines (10) run in straight across the Cu02 surfaces (3.5). The space between the Cu02 surfaces (3.5) may be regarded as an insulator. The lateral dimensions are shown in a proportionately reduced size.
Figuur 3 is een reconstructie van een opname met een hoge-resolutie elektronenmicroscoop van (Bi2il3Ti0<02) Sr2(o4CaiCu1>97Oe+6.De reconstructie toont een opeenstapeling van lagen BiO (l),SrO (2), Cu02 (3), Ca (4), Cu02 (5), SrO (6), BiO (7). In de onderste BiO-laag (7) is een door een Ti-atoom veroorzaakteroosterfout aangegeven door een open cirkel (11). Dezeroosterfout heeft een verticale stapelfout tot gevolg, welkezich uitstrekt in de richting van de pijl (12) over tenminste 10 lagen, en derhalve een planair defect is.Figure 3 is a reconstruction of a high-resolution electron microscope image of (Bi2il3Ti0 <02) Sr2 (o4CaiCu1> 97Oe + 6). The reconstruction shows an accumulation of layers of BiO (1), SrO (2), Cu02 (3), Ca (4), Cu02 (5), SrO (6), BiO (7) In the bottom BiO layer (7), a grid error caused by a Ti atom is indicated by an open circle (11). resulting in a stacking error, which extends in the direction of the arrow (12) over at least 10 layers, and is therefore a planar defect.
Figuur 4 toont het resultaat van de meting uit voorbeeld 2aan de verbinding (Bi2jl3Ti0i02) Sr^CaiCUi^-A,^ van dewisselstroom magnetische susceptibiliteit in afhankelijkheidvan de temperatuur. Langs de horizontale as staat detemperatuur aangegeven, uitgedrukt in K, langs de verticaleas de wisselstroom magnetische susceptibiliteit, uitgedruktin willekeurige eenheden. Uit de meetresultaten volgt eenwaarde voor de kritieke temperatuur Tc = 72 K.Figure 4 shows the result of the measurement from Example 2 on the compound (Bi2l3Ti0iO2) Sr ^ CaiCUi ^ -A, ^ of the alternating current magnetic susceptibility depending on the temperature. The temperature is expressed along the horizontal axis, expressed in K, along the vertical axis the alternating current magnetic susceptibility, expressed in arbitrary units. A value for the critical temperature Tc = 72 K follows from the measurement results.
Figuur 5 toont het resultaat van de meting volgensvoorbeeld 3 van de kritieke stroomdichtheid Jc bepaald bijtemperaturen tussen 5 en 40 K en uitwendige magnetischevelden van 0,2 Tesla tot 4,0 Tesla.Figure 5 shows the result of the measurement according to example 3 of the critical current density Jc determined at temperatures between 5 and 40 K and external magnetic fields from 0.2 Tesla to 4.0 Tesla.
In figuur 6 is de kritieke stroomdichtheid van enkeleBi(2:2:1:2)-verbindingen, gedoteerd met respectievelijk 0,9at.% Ni (lichte kruisjes), 0,6 at.% Fe (open driehoekjes), 0,2 at.% Zn (open cirkels), de ongedoteerde verbindingBi (2:2:1:2) (vetgedrukte kruisjes), bekend uit de hierbovengeciteerde publikatie van Vom Hedt et al. en de verbinding(Bi213Ti0i02) Sr2 04Ca1Culi97Oe+5 uit voorbeeld 1 (dichtedriehoekjes), in afhankelijkheid van de temperatuurweergegeven. Duidelijk uit deze figuur is dat, anders dan bijde bekende gedoteerde Bi(2:2:1:2)-verbindingen, waarbijdotering met een metaal tot een aanmerkelijke verlaging vande kritieke stroomdichtheid Jc ten opzichte van de kritiekestroomdichtheid van de ongedoteerde verbinding, de kritiekestroomdichtheid Jc van een gedoteerde verbinding volgens deuitvinding juist substantieel hoger is dan die van decorresponderende ongedoteerde verbinding.In Figure 6, the critical current density of single Bi (2: 2: 1: 2) compounds, doped with 0.9at% Ni (light crosses), 0.6at% Fe (open triangles), 0.2, respectively. at.% Zn (open circles), the undoped compound Bi (2: 2: 1: 2) (bold crosses) known from the publication cited above by Vom Hedt et al. and the compound (Bi213Ti0i02) Sr2 04Ca1Culi97Oe + 5 from Example 1 (closed triangles), depending on the temperature displayed. It is clear from this figure that, unlike the known doped Bi (2: 2: 1: 2) compounds, metal doping to significantly reduce the critical current density Jc relative to the critical current density of the undoped compound, the critical current density Jc of a doped compound according to the invention is substantially higher than that of decor-corresponding undoped compound.
Claims (11)
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9402054A NL9402054A (en) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | High-temperature superconductors. |
| PCT/NL1995/000410 WO1996017808A1 (en) | 1994-12-07 | 1995-12-05 | High temperature superconductors |
| AU39956/95A AU3995695A (en) | 1994-12-07 | 1995-12-05 | High temperature superconductors |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9402054 | 1994-12-07 | ||
| NL9402054A NL9402054A (en) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | High-temperature superconductors. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL9402054A true NL9402054A (en) | 1996-07-01 |
Family
ID=19864976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL9402054A NL9402054A (en) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | High-temperature superconductors. |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| AU (1) | AU3995695A (en) |
| NL (1) | NL9402054A (en) |
| WO (1) | WO1996017808A1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0336621A1 (en) * | 1988-03-25 | 1989-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxide material |
| EP0449222A1 (en) * | 1990-03-26 | 1991-10-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Thallium oxide superconductor and method of preparing the same |
| JPH04154623A (en) * | 1990-10-17 | 1992-05-27 | Res Dev Corp Of Japan | Bi-or bi-pb-based oxide superconducting material |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465057A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Ube Industries | V containing y-ba-cu-o-based ceramics |
| US5098868A (en) * | 1989-10-13 | 1992-03-24 | University Of Kansas | Vanadium-based superconducting metallic oxides |
-
1994
- 1994-12-07 NL NL9402054A patent/NL9402054A/en not_active Application Discontinuation
-
1995
- 1995-12-05 WO PCT/NL1995/000410 patent/WO1996017808A1/en active Application Filing
- 1995-12-05 AU AU39956/95A patent/AU3995695A/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0336621A1 (en) * | 1988-03-25 | 1989-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxide material |
| EP0449222A1 (en) * | 1990-03-26 | 1991-10-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Thallium oxide superconductor and method of preparing the same |
| JPH04154623A (en) * | 1990-10-17 | 1992-05-27 | Res Dev Corp Of Japan | Bi-or bi-pb-based oxide superconducting material |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| DATABASE WPI Week 9228, Derwent World Patents Index; AN 92-230434 * |
| M.S.MULTANI ET AL.: "OBSERVATION OF A POSSIBLE VALENCE SWITCH IN THE Bi2CaSr2Cu2-xMxOB+y SUPERCONDUCTOR", PHYSICS LETTERS A, vol. 154, no. 1,2, 25 March 1991 (1991-03-25), pages 65 - 72 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU3995695A (en) | 1996-06-26 |
| WO1996017808A1 (en) | 1996-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Owens et al. | The new superconductors | |
| US4843059A (en) | Superconductive mixed valence copper oxide, and method of making it | |
| JPH0577611B2 (en) | ||
| Siegal et al. | Synthesis and properties of Tl–Ba–Ca–Cu–O superconductors | |
| US8688181B1 (en) | Superconductive compounds having high transition temperature, and methods for their use and preparation | |
| Liu et al. | Electronic structures and transition temperatures of high-Tc cuprate superconductors from first-principles calculations and Landau theory | |
| Bozovic et al. | Atomic-level engineering of cuprates and manganites | |
| Yoshizaki et al. | Phase diagram of a high-temperature superconductor in the Bi2Sr2CuOy system | |
| Kawashima et al. | New series of oxide superconductors, BSr2Can− 1CunO2n+ 3 (n= 3∼ 5), prepared at high pressure | |
| Kurtul et al. | Support of polaronic states and charge carrier concentrations of YBa2Cu3O7‐y ceramics by oxygen and Mn2O3 impurity | |
| NL9402054A (en) | High-temperature superconductors. | |
| KR102404607B1 (en) | Mehtod of manufacturing ceramic composite with low resistance including superconductors and the composite thereof | |
| JPH0881221A (en) | Oxide superconductor and its production | |
| EP0303813B1 (en) | High critical current superconductors | |
| Tarascon et al. | Crystal substructure and physical properties of the superconducting phase Bi/sub 4/(Sr, Cr)/sub 6/Cu/sub 4/O/sub 16/. mu./sub x | |
| Ikeda et al. | Sr2CaRu2Oy: a new phase of layered perovskite | |
| Shibata et al. | Disappearance of Peak Effect in Critical Current Density of NdBa2Cu3O7-δ Single Crystals Grown under Very Low Oxygen Partial Pressures | |
| US8060169B1 (en) | Superconductive compounds having high transition temperature, and methods for their use and preparation | |
| Pérez et al. | The metal-insulator transition in perovskites | |
| Isobe et al. | Physical properties of vanadium oxide bronzes β-A0. 33V2O5 (A= Ca and Sr) | |
| Giannini et al. | Partial melting and HIP processing of Bi (2223): bulk and tapes | |
| Xu et al. | Synthesis and thermal stabilization of nearly single-phase superconductor by Tl substitution | |
| Kandyel et al. | New 1201-Type (Hg, Se)-superconducting cuprate grown by sol–gel and sealed quartz tube synthesis | |
| Zeng et al. | Superconductivity of Li doped BSCCO mesoscopic fiber | |
| HU217018B (en) | Super conducting composition contain bismuth, strontium, copper and oxygen, process for producing this composition, and process for conducting an electrical current within a conductor material without electrical resistive losses and josephson-effect ... |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |