NL9002430A - Diamond layer heat sink for electronic applications - has smooth thermal contact surface - Google Patents

Diamond layer heat sink for electronic applications - has smooth thermal contact surface Download PDF

Info

Publication number
NL9002430A
NL9002430A NL9002430A NL9002430A NL9002430A NL 9002430 A NL9002430 A NL 9002430A NL 9002430 A NL9002430 A NL 9002430A NL 9002430 A NL9002430 A NL 9002430A NL 9002430 A NL9002430 A NL 9002430A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
layer
diamond layer
substrate
heat sink
heat
Prior art date
Application number
NL9002430A
Other languages
Dutch (nl)
Original Assignee
Drukker Int Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Drukker Int Bv filed Critical Drukker Int Bv
Priority to NL9002430A priority Critical patent/NL9002430A/en
Publication of NL9002430A publication Critical patent/NL9002430A/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3732—Diamonds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

A heat sink for use with electronic circuits is formed from a synthetic diamond layer, having a smooth surface for good thermal contact, backed by an optional bonding layer and a metal with good thermal transport properties. The surface of a substrate (1), e.g. a Si disc 3 mm thick, is well polished for good contact and finely scratched to provide growth points. The substrate is then coated with a synthetic diamond layer (2) approx. 65 micon thick by CVD techniques. A metallic bonding layer (3) consisting of e.g. a multi-layer of Ti-Pt-Au may be applied to the diamond layer. This is then backed by a suitable metal coating (4) with good thermal properties, e.g. Cu, applied by electro-plating techniques, with thickness dependent on the required properties of the heat sink.

Description

Werkwijze voor het vervaardigen van een heat sink, alsmede aldus vervaardigde heat sinkMethod for manufacturing a heat sink, as well as heat sink thus produced

De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een heat sink, waarbij synthetisch een diamantlaag wordt gevormd op een oppervlak van een substraat, alsmede op een heat sink, verkregen door toepassing van deze werkwijze.The invention relates to a method of manufacturing a heat sink, wherein a diamond layer is synthetically formed on a surface of a substrate, as well as to a heat sink obtained by using this method.

Vanwege de zeer goede warmtegeleidende eigenschappen van diamant worden bijvoorbeeld in de halfgeleiderindustrie voor verschillende toepassingen heat sinks met een uit diamant bestaande oppervlaktelaag gebruikt voor het afvoeren van de in een halfgeleidercomponent ontwikkelde warmte. De laatste jaren zijn verschillende pogingen ondernomen een dergelijke heat sink te vervaardigen door synthetisch een diamantlaag op bijvoorbeeld een substraat uit koper aan te brengen door middel van een CVD-techniek. De aldus gevormde diamantlaag heeft voor een goede warmtegeleiding bij voorkeur een structuur met grote kristallen, waardoor het voor de montage van de halfgeleidercomponent beschikbare oppervlak zeer ruw is. Bovendien is een dergelijke synthetische diamantlaag polykristallijn, waardoor het bewerken van dit ruwe oppervlak ter verkrijging van een glad oppervlak zeer moeilijk is en in de praktijk niet mogelijk blijkt.Due to the very good heat conducting properties of diamond, for example, in the semiconductor industry, heat sinks with a diamond surface layer are used for various applications to dissipate the heat developed in a semiconductor component. In recent years, various attempts have been made to produce such a heat sink by applying a diamond layer synthetically to, for example, a copper substrate by means of a CVD technique. The diamond layer thus formed preferably has a large crystal structure for good heat conduction, so that the surface available for mounting the semiconductor component is very rough. Moreover, such a synthetic diamond layer is polycrystalline, which makes machining this rough surface very difficult to obtain and proves impossible in practice.

De uitvinding beoogt een werkwijze van de in de aanhef genoemde soort te verschaffen, waarbij op eenvoudige wijze een heat sink wordt verkregen met een relatief zeer glad oppervlak van de synthetisch gevormde diamantlaag.The object of the invention is to provide a method of the type mentioned in the opening paragraph, in which a heat sink is obtained in a simple manner with a relatively very smooth surface of the synthetic diamond layer.

Volgens de uitvinding heeft de werkwijze hiertoe het kenmerk, dat op de diamantlaag een uit warmte goed geleidend materiaal, bijvoorbeeld koper, bestaande laag wordt aangebracht, waarna het aan het substraat grenzende oppervlak van de diamantlaag wordt blootgelegd als contactvlak voor de te vervaardigen heat sink.According to the invention, the method for this purpose is characterized in that a layer consisting of a heat-conducting material, for example copper, is applied to the diamond layer, after which the surface of the diamond layer adjoining the substrate is exposed as a contact surface for the heat sink to be manufactured.

Op deze wijze wordt een heat sink verkregen, waarbij het oorspronkelijk aan het substraat grenzende oppervlak van de diamantlaag als contactvlak voor de te vervaardigen heat sink wordt benut, welk oppervlak van de diamantlaag althans nagenoeg eenzelfde gladheid bezit als het oppervlak van het substraat, waarop de diamantlaag is gevormd. Het oppervlak van de diamantlaag kan hierdoor zeer glad zijn, zodat een innig contact over het gehele oppervlak van de geïntegreerde schakeling met de diamantlaag gewoonlijk via een tussenliggende metallische verbinding mogelijk is.In this way a heat sink is obtained, wherein the surface of the diamond layer originally adjoining the substrate is used as the contact surface for the heat sink to be manufactured, which surface of the diamond layer has at least substantially the same smoothness as the surface of the substrate, on which the diamond layer is formed. The surface of the diamond layer can hereby be very smooth, so that intimate contact over the entire surface of the integrated circuit with the diamond layer is usually possible via an intermediate metallic connection.

Bij voorkeur wordt het oppervlak van het substraat voor het aanbrengen van de synthetische diamantlaag gepolijst, waardoor een buitengewoon glad oppervlak van de diamantlaag wordt verkregen.Preferably, the surface of the substrate for applying the synthetic diamond layer is polished, whereby an extremely smooth surface of the diamond layer is obtained.

De uitvinding wordt hierna nader toegelicht aan de hand van de tekening, waarin een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding sterk schematisch is weergegeven.The invention will be explained in more detail below with reference to the drawing, in which an embodiment of the method according to the invention is shown very schematically.

Fig. 1-4 tonen opeenvolgende stappen van een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding.Fig. 1-4 show successive steps of an embodiment of the method according to the invention.

Fig. 5 toont een volgens de uitvinding vervaardigde heat sink.Fig. 5 shows a heat sink manufactured according to the invention.

Opgemerkt wordt, dat de verschillende lagen, die volgens de beschreven werkwijze worden gevormd, in de tekening niet op schaal zijn weergegeven en de tekening slechts dient ter illustratie van de opeenvolgende stappen van de werkwijze volgens de uitvinding.It is noted that the different layers formed according to the described method are not shown to scale in the drawing and the drawing only serves to illustrate the successive steps of the method according to the invention.

In fig. 1 is schematisch een substraat 1 weergegeven, dat bijvoorbeeld uit silicium bestaat. Het substraat bestaat bijvoorbeeld uit een ronde schijf met een dikte van circa 3 mm. Op het ene oppervlak van het substraat 1 wordt synthetisch een diamantlaag 2 gevormd met een dikte van bijvoorbeeld 65 micron. Deze diamantlaag kan worden aangebracht met behulp van een op zichzelf bekende CVD-techniek. In geval van een ander type substraat kan ook een vlamdepositie-techniek worden toegepast voor het aanbrengen van de diamantlaag. Alvorens de diamantlaag 2 op het oppervlak van het substraat 1 wordt aangebracht, wordt dit oppervlak bij voorkeur gepolijst, waarna op dit oppervlak bijvoorbeeld door licht krassen op op zichzelf bekende wijze groeipunten voor het synthetische diamant worden gecreëerd. Tijdens het vormen van de diamantlaag 2 op het oppervlak van het substraat 1 zal ook op de zijranden van het substraat een diamantlaag 2 ontstaan.Fig. 1 schematically shows a substrate 1, which for example consists of silicon. For example, the substrate consists of a round disc with a thickness of approximately 3 mm. A diamond layer 2 is synthetically formed on one surface of the substrate 1 with a thickness of, for example, 65 microns. This diamond layer can be applied using a CVD technique known per se. In case of another type of substrate, a flame deposition technique can also be used for applying the diamond layer. Before the diamond layer 2 is applied to the surface of the substrate 1, this surface is preferably polished, after which growth points for the synthetic diamond are created on this surface, for example by light scratches, in a manner known per se. During the formation of the diamond layer 2 on the surface of the substrate 1, a diamond layer 2 will also form on the side edges of the substrate.

Vervolgens wordt op de diamantlaag een metallische hechtlaag 3 aangebracht, die op op zichzelf bekende wijze bij voorkeur uit een gelaagd systeem van Ti Pt Au bestaat. Uiteraard zijn ook anders uitgevoerde hechtlagen mogelijk. Op deze hechtlaag 3 wordt daarna een uit warmte goed geleidend materiaal bestaande laag 4 aangebracht. Deze warmtegeleidende laag 4 kan bijvoorbeeld uit koper bestaan en door een galvanische techniek worden gevormd. De dikte van deze warmtegeleidende laag 4 kan worden gekozen in overeenstemming met de gewenste eigenschappen van de te vervaardigen heat sink. Het van het substraat 1 afgekeerde oppervlak van de warmtegeleidende laag 4 wordt na het vormen van deze laag glad gemaakt.A metallic bonding layer 3 is then applied to the diamond layer, which in known manner preferably consists of a layered system of Ti Pt Au. Naturally, differently designed adhesive layers are also possible. A layer 4 of heat-conducting material is then applied to this adhesive layer 3. This heat-conducting layer 4 can for instance consist of copper and be formed by a galvanic technique. The thickness of this heat-conducting layer 4 can be selected in accordance with the desired properties of the heat sink to be manufactured. The surface of the heat-conducting layer 4 remote from the substrate 1 is smoothed after the formation of this layer.

Vervolgens wordt het substraat 1 verwijderd door chemisch etsen, waardoor het in fig. 4 aangeduide laagsamenstel 5 wordt verkregen, waarvan het oorspronkelijk aan het substraat 1 grenzende oppervlak 6 van de diamantlaag 2 bloot ligt en als contactvlak voor de te vervaardigen heat sink beschikbaar is.Subsequently, the substrate 1 is removed by chemical etching, whereby the layer assembly 5 indicated in Fig. 4 is obtained, of which the surface 6 of the diamond layer 2 originally adjoining the substrate 1 is exposed and is available as a contact surface for the heat sink to be manufactured.

De randdelen 7 van het gevormde laagsamenstel 5, welke op de zijranden van het substraat 1 zijn ontstaan, kunnen worden afgesneden, bij voorkeur met behulp van een laserstraal. Hierdoor wordt de in fig. 5 afgeheelde heat sink 8 verkregen.The edge parts 7 of the formed layer assembly 5, which are formed on the side edges of the substrate 1, can be cut, preferably with the aid of a laser beam. As a result, the heat sink 8 as shown in Fig. 5 is obtained.

Uiteraard is het mogelijk in afhankelijkheid van de afmetingen van het oorspronkelijke substraat en de afmetingen van de gewenste heat sink uit het laagsamenstel 5 meerdere heat sinks te snijden.Of course, depending on the dimensions of the original substrate and the dimensions of the desired heat sink, it is possible to cut several heat sinks from the layer assembly 5.

De beschreven werkwijze heeft het belangrijke voordeel, dat het als contactvlak van de heat sink 8 beschikbare oppervlak van de diamantlaag 2 het oppervlak 6 is, dat aanvankelijk aan het substraat 1 grensde. Dit oppervlak 6 heeft een met het oppervlak van het substraat 1 overeenkomstige gladheid en kan in het bijzonder bij een gepolijst oppervlak van het substraat 1 bijzonder glad zijn. Het contact met een op de heat sink 8 te monteren geïntegreerde schakeling is hierdoor bijzonder goed, zodat een optimale warmte-overdracht van de geïntegreerde schakeling naar de diamantlaag 2 wordt gewaarborgd. Het ruwe, van het substraat 1 afgekeerde oppervlak van de diamantlaag 2 gaat via de hechtlaag 3 over in de warmtegeleidende laag 4 en behoeft geen enkele bewerking meer te ondergaan. Hierdoor kunnen volgens de beschreven werkwijze heat sinks met goede warmtetransporteigenschappen tegen lage kosten worden vervaardigd.The described method has the important advantage that the surface of the diamond layer 2 available as the contact surface of the heat sink 8 is the surface 6 which initially adjoined the substrate 1. This surface 6 has a smoothness corresponding to the surface of the substrate 1 and can be particularly smooth, in particular with a polished surface of the substrate 1. The contact with an integrated circuit to be mounted on the heat sink 8 is hereby particularly good, so that an optimal heat transfer from the integrated circuit to the diamond layer 2 is ensured. The rough surface of the diamond layer 2 facing away from the substrate 1 changes via the adhesive layer 3 into the heat-conducting layer 4 and no longer needs to be processed. As a result, heat sinks with good heat transfer properties can be manufactured at a low cost according to the described method.

Hoewel in het voorgaande is uitgegaan van toepassing van de heat sink voor een geïntegreerde schakeling, kunnen de verkregen heat sinks uiteraard ook voor andere toepassingen worden gebruikt.Although it has been assumed in the foregoing that the heat sink is used for an integrated circuit, the heat sinks obtained can of course also be used for other applications.

De uitvinding is niet beperkt tot het in het voorgaande beschreven uitvoeringsvoorbeeld, dat binnen het kader der conclusies op verschillende manieren kan worden gevarieerd.The invention is not limited to the exemplary embodiment described above, which can be varied in a number of ways within the scope of the claims.

Claims (7)

1. Werkwijze voor het vervaardigen van een heat sink, waarbij synthetisch een diamantlaag wordt gevormd op een oppervlak van een substraat, met het kenmerk, dat op de diamantlaag een uit warmte goed geleidend materiaal, bijvoorbeeld koper, bestaande laag wordt aangebracht, waarna het aan het substraat grenzende oppervlak van de diamantlaag wordt blootgelegd als contactvlak voor de te vervaardigen heat sink.Method for manufacturing a heat sink, in which a diamond layer is synthetically formed on a surface of a substrate, characterized in that a layer of heat conducting material, for example copper, is applied to the diamond layer, after which it is attached to the substrate adjacent surface of the diamond layer is exposed as a contact surface for the heat sink to be manufactured. 2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het oppervlak van het substraat voor het aanbrengen van de synthetische diamantlaag wordt gepolijst.Method according to claim 1, characterized in that the surface of the substrate is polished before applying the synthetic diamond layer. 3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de diamantlaag voor het aanbrengen van de warmte-geleidende laag wordt voorzien van een metallische hechtlaag, bijvoorbeeld een gelaagd systeem van Ti Pt Au.Method according to claim 1 or 2, characterized in that the diamond layer is provided with a metallic adhesive layer, for example a layered system of Ti Pt Au, before applying the heat-conducting layer. 4. Werkwijze volgens conclusie 1, 2 of 3, met het kenmerk, dat het substraat door chemisch etsen wordt verwijderd.Method according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the substrate is removed by chemical etching. 5. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de randdelen van het gevormde laagsamen-stel na het verwijderen van het substraat worden afgesneden, bij voorkeur met behulp van een laser.Method according to any one of the preceding claims, characterized in that the edge parts of the formed layer assembly are cut off after removal of the substrate, preferably with the aid of a laser. 6. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat uit het verkregen laagsamenstel een aantal heat sinks wordt gesneden.A method according to any one of the preceding claims, characterized in that a number of heat sinks are cut from the obtained layer assembly. 7. Heat sink verkregen door toepassing van de werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, gekenmerkt door een vlakke uit synthetisch diamant bestaande bovenlaag en een al dan niet via een metallische hechtlaag daarmee verbonden warmtegeleidende laag.Heat sink obtained by applying the method according to one of the preceding claims, characterized by a flat synthetic diamond top layer and a heat-conducting layer, which may or may not be connected via a metallic adhesive layer.
NL9002430A 1990-11-08 1990-11-08 Diamond layer heat sink for electronic applications - has smooth thermal contact surface NL9002430A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL9002430A NL9002430A (en) 1990-11-08 1990-11-08 Diamond layer heat sink for electronic applications - has smooth thermal contact surface

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL9002430A NL9002430A (en) 1990-11-08 1990-11-08 Diamond layer heat sink for electronic applications - has smooth thermal contact surface
NL9002430 1990-11-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL9002430A true NL9002430A (en) 1992-06-01

Family

ID=19857940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL9002430A NL9002430A (en) 1990-11-08 1990-11-08 Diamond layer heat sink for electronic applications - has smooth thermal contact surface

Country Status (1)

Country Link
NL (1) NL9002430A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150140740A1 (en) * 2011-03-23 2015-05-21 Advanced Diamond Technologies, Inc. Method of fabrication, device structure and submount comprising diamond on metal substrate for thermal dissipation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150140740A1 (en) * 2011-03-23 2015-05-21 Advanced Diamond Technologies, Inc. Method of fabrication, device structure and submount comprising diamond on metal substrate for thermal dissipation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW445689B (en) Semiconductor laser apparatus
CA1297595C (en) Printed circuit with thermal dissipator
US5812570A (en) Laser diode component with heat sink and method of producing a plurality of laser diode components
EP0537965B1 (en) Process of manufacturing a heat-conductive material
US4652336A (en) Method of producing copper platforms for integrated circuits
EP0265613B1 (en) Method for repair of opens in thin film lines on a substrate
TW583722B (en) Circuit board and method for manufacturing same
JPH02271558A (en) Semiconductor device and its manufacture
JPH04211137A (en) Structure and method for solder die bonding of integrated circuit
KR950034682A (en) Method for manufacturing metal wiring of semiconductor device
US5324987A (en) Electronic apparatus with improved thermal expansion match
US5457072A (en) Process for dicing a semiconductor wafer having a plated heat sink using a temporary substrate
KR20060086353A (en) Substrate for device bonding, device bonded substrate, and method for producing same
EP1037278A9 (en) Semiconductor device structure with specifically dimensioned redundancy fuses for laser repair
NL9002430A (en) Diamond layer heat sink for electronic applications - has smooth thermal contact surface
EP0392109A2 (en) Heat-conductive composite material
US3483610A (en) Thermocompression bonding of foil leads
JPS59167038A (en) Structure of submount for photo semiconductor element
JPH10135386A (en) Manufacturing methd of semiconductor bare chip
KR940027146A (en) Semiconductor chip module
KR960005993A (en) Electronic device with compliant metal chip-based bonding layer (s)
US7048992B2 (en) Fabrication of Parascan tunable dielectric chips
JP2001284502A (en) Manufacturing method of heat dissipation board
JP2001284501A (en) Heat dissipation
JP3112460B2 (en) Manufacturing method of aluminum nitride substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed