NL8900469A - Werkwijze en toestel voor het aanbrengen van epitaxiaal silicium en silicides. - Google Patents
Werkwijze en toestel voor het aanbrengen van epitaxiaal silicium en silicides. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8900469A NL8900469A NL8900469A NL8900469A NL8900469A NL 8900469 A NL8900469 A NL 8900469A NL 8900469 A NL8900469 A NL 8900469A NL 8900469 A NL8900469 A NL 8900469A NL 8900469 A NL8900469 A NL 8900469A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- substrate
- vacuum
- applying
- silicides
- silicone
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
WERKWIJZE EN TOESTEL VOOR HET AANBRENGEN VAN EPITAXIAAL SILICIUM EN SILICIDES
De onderhavige uitvinding betreft een werkwijze en toestel volgens resp. conclusie 1 en 2. De aan aanvraagster bekende stand van de techniek omvat de volgende publicaties: - EP octrooiaanvrage nr. 0070751; - EP octrooiaanvrage nr. 0157052 - EP octrooiaanvrage nr. 0133121 - EP octrooiaanvrage nr. 0230652 - S.P. Murarka en D.B. Fraser: "Silicide formation in thin cosputtered (titanium+silicon) films on polycrystailline silicon and SiC>2" - T. Makino, N. Sato, M. Takeda, Y. Furumura, and K. Imaoka: "a stacked-source-drain mosfet using selective epitaxy" - T.P.H.F. Wendling, C. Wieczorek, K. Hieber: "selective CVD of TaSi2"
Doordat het substraat of de wafer niet buiten het vacuum wordt gebracht, kan de contactweerstand tussen silicide en epitaxiaal silicium vekleind worden, hoogstwaarschijnlijk doordat de silicide epitaxiaal op de epitaxiale silicium wordt gegroeid.
De epitaxiale silicium-groei kan zowel voor MOS als bipolaire geïntegreerde circuits worden toegepast; het betreft hier bijv. de SAC-techniek (self aligned contactvoor het aanbrengen van een emittercontact uit silicide, waarbij de emitter uit epitaxiaal silicium bestaat, of silicide-con-tacten op epitaxiaal aangebrachte source- en draingebieden.
Ondiepe en graduele juncties bij een drain zijn mogelijk ter voorkoming van hot-carrier-effekten en kortka-naal-effekten tegen te gaan, zoals die optreden bij de zogeheten LDD-techniek. Bij SSD-techniek kan fosfor (P) en arsenicum (As) gecombineerd worden.
Verdere voordelen omvatten de mogelijkheden voor drie-dimensionale integratie, een betere planarisatie, het oplossen van zogeheten thermische mismatch, een algehele verlaging van de procestemperatuur en het verkrijgen van een hogere aspectratio via selectieve groei.
In de bijgevoegde figuur is de onderhavige uitvinding schematisch verduidelijkt. Via een sluis 1 kunnen wafers één voor één of batchgewijs in een eerste vacuum 2 geraken, ί waarna zij via een niet-getoond transportmechanisme, één voor één of batchgewijs in een reactor 3 kunnen worden gebracht voor het aanbrengen van een epitaxiale siliciumlaag. Vervolgens worden de wafers één voor één, bijv. door middel van zogeheten frogarmen die in de ruimte 2 roterend zijn opgesteld, in een reactor 4 gebracht voor het aanbrengen van silicides.
Indien noodzakelijk kunnen wafers tussen de handelingen in de reactors 3 resp. 4 dan wel daarna in een eveneens met de vacuumruimte 2 verbonden reinigingsruimte 5 worden gebracht.
Voor de reactor 3 voor het aanbrengen van een epitaxiale siliciumlaag gelden de volgende specificaties: maximale temperatuur: 1050 °C regelbaar temperatuurbereik: 650eC - 1050°C regelbaar drukbereik: 0.05 - 50 Toor temperatuursuniformiteit op de wafer(s):±5°C in-situ plasma en/of NP3 cleaning: optioneel bij 800°C: 10-6 Torr achtergrondsdruk bij 1000°C: 10"3 Torr maximum lek bij 25°C: 5 10-6 mbar I/sec 'gassen (max. mass-flow controller debieten): HCI (2slm),
SiH2Cl2 (500 scan), H2/N2(5slm),
SiH4 (500 sccm), 2 dopant/H2 lijnen totale gasdebieten bij procesdruk: 0.2-1 sim bij 0.05 - 0.1
Torr 2 sim bij 1 Torr poorten: zeker poort voor massaspectrometer gewenst gedeponeerde laagdiktes: 0.1 - 1 ym
Voor de reactor 4 voor het aanbrengen van silicides gelden de volgende omstandigheden:
Aard van de module: -LPCVD
-oven- of RTP reactor (single-wafer) -bron voorzien voor metaalprecursor (W en
Co) maximale temperatuur : 1000°C regelbaar temperatuurbereik: 150-900°C temperatuuruniformiteit wafer : 5°C in situ plasma cleaning en/of NF3 max. kamerwandtemperatuur: 150°C achtergronddruk: 25°C: 10-7 mbar 800°C: 10"6 mbar 1000°C 10-3 mbar maximum lek bij 25°C: 5xl0-6 mbar/sec gassen en gasleidingen (debieten te bepalen): - in situ cleaning: NF3 leiding voorzien (optie) - verwarmde leiding voor metaalprecursor - niet corrosieve gassen: 4 leidingen (SiH^^/Ar en 1 reserve) - 2 leidingen voor corrosieve gassen totaal gasdebiet bij procesdruk: - o.05 - 0.1 mbar: 0.2-1 sim lmbar: 2 sim flenzen: - 3 blind; 1 optisch venster - alle flenzen met centrale as gericht op de wafer(s)
Tenslotte wordt opgemerkt dat de lage temperaturen in het bijzonder geschikt zijn voor het (verder) verkleinen van afmetingen van een geïntegreerd circuit.
Claims (3)
1. Werkwijze voor het aanbrengen van epitaxiale siliciumlagen en silicide-lagen, op een substraat of waver, waarbij het substraat in een eerste vacuumruimte wordt gebracht; - het substraat onder vacuum in een toestel voor het eveneens onder vacuum aanbrengen van epitaxiale lagen bij lage temperatuur (kleiner dan 1000eC); - het substraat vanuit dit toestel onder vacuum, bijv, via de eerste vacuumruimte, naar een toestel voor het selectief aanbrengen van silicidelaag wordt gebracht, bijv. een LPCVD-toestel daarvoor.
2. Toestel voor het uitvoeren van de werkwijze volgens conclusie l.
3. Toestel volgens conclusie 2, waarin een toestel voor reiniging van een substraat via een vacuumkanaal op de eerste vacuumruimte is aangesloten, opdat een substraat onder vacuum naar deze reinigingsruimte kan worden overgebracht.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8900469A NL8900469A (nl) | 1989-02-24 | 1989-02-24 | Werkwijze en toestel voor het aanbrengen van epitaxiaal silicium en silicides. |
| EP90904294A EP0413023A1 (en) | 1989-02-24 | 1990-02-23 | A method and an apparatus for disposing epitaxial silicon and silicides |
| PCT/EP1990/000337 WO1990010098A1 (en) | 1989-02-24 | 1990-02-23 | A method and an apparatus for disposing epitaxial silicon and silicides |
| JP2504535A JPH03504850A (ja) | 1989-02-24 | 1990-02-23 | エピタキシャルシリコン及びケイ化物の配置方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8900469 | 1989-02-24 | ||
| NL8900469A NL8900469A (nl) | 1989-02-24 | 1989-02-24 | Werkwijze en toestel voor het aanbrengen van epitaxiaal silicium en silicides. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8900469A true NL8900469A (nl) | 1990-09-17 |
Family
ID=19854204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8900469A NL8900469A (nl) | 1989-02-24 | 1989-02-24 | Werkwijze en toestel voor het aanbrengen van epitaxiaal silicium en silicides. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0413023A1 (nl) |
| JP (1) | JPH03504850A (nl) |
| NL (1) | NL8900469A (nl) |
| WO (1) | WO1990010098A1 (nl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4133885C2 (de) * | 1991-10-12 | 1996-03-21 | Bosch Gmbh Robert | Dreidimensionale Silizium-Struktur |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4359490A (en) * | 1981-07-13 | 1982-11-16 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Method for LPCVD co-deposition of metal and silicon to form metal silicide |
| US4629635A (en) * | 1984-03-16 | 1986-12-16 | Genus, Inc. | Process for depositing a low resistivity tungsten silicon composite film on a substrate |
| KR910003169B1 (ko) * | 1985-11-12 | 1991-05-20 | 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨소 | 반도체 장치 제조 방법 및 장치 |
| US4756927A (en) * | 1986-05-29 | 1988-07-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for refractory metal deposition |
-
1989
- 1989-02-24 NL NL8900469A patent/NL8900469A/nl not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2504535A patent/JPH03504850A/ja active Pending
- 1990-02-23 EP EP90904294A patent/EP0413023A1/en not_active Withdrawn
- 1990-02-23 WO PCT/EP1990/000337 patent/WO1990010098A1/en not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1990010098A1 (en) | 1990-09-07 |
| JPH03504850A (ja) | 1991-10-24 |
| EP0413023A1 (en) | 1991-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6797340B2 (en) | Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques | |
| US5500249A (en) | Uniform tungsten silicide films produced by chemical vapor deposition | |
| US20170372919A1 (en) | Flowable Amorphous Silicon Films For Gapfill Applications | |
| US5643633A (en) | Uniform tungsten silicide films produced by chemical vapor depostiton | |
| US11011384B2 (en) | Gapfill using reactive anneal | |
| US6313035B1 (en) | Chemical vapor deposition using organometallic precursors | |
| US6645884B1 (en) | Method of forming a silicon nitride layer on a substrate | |
| US7473655B2 (en) | Method for silicon based dielectric chemical vapor deposition | |
| US7732327B2 (en) | Vapor deposition of tungsten materials | |
| KR20190010736A (ko) | 유동성 실리콘-함유 막들의 증착 | |
| US20030215570A1 (en) | Deposition of silicon nitride | |
| JPH08236464A (ja) | 堆積プロセスにおけるＳｉＨ４ソーク及びパージの利用 | |
| US20180286669A1 (en) | Two-Step Process for Silicon Gapfill | |
| WO2018200211A1 (en) | Methods for gapfill in high aspect ratio structures | |
| US5997950A (en) | Substrate having uniform tungsten silicide film and method of manufacture | |
| EP0591086A2 (en) | Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration | |
| JP2020537359A (ja) | 金属堆積用の核生成層としての共形ドープアモルファスシリコン | |
| NL8900469A (nl) | Werkwijze en toestel voor het aanbrengen van epitaxiaal silicium en silicides. | |
| US20210013038A1 (en) | Methods of Forming Tungsten Pillars | |
| KR102710607B1 (ko) | 텅스텐 필러들을 형성하는 방법 | |
| JP2021167466A (ja) | バリア層のないインシトゥタングステン堆積 | |
| Öztürk et al. | Thin Film Deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |