NL8802172A - Alkalimetaaldamp-dispenser. - Google Patents
Alkalimetaaldamp-dispenser. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8802172A NL8802172A NL8802172A NL8802172A NL8802172A NL 8802172 A NL8802172 A NL 8802172A NL 8802172 A NL8802172 A NL 8802172A NL 8802172 A NL8802172 A NL 8802172A NL 8802172 A NL8802172 A NL 8802172A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- powder
- alkaline
- silicon
- language
- cesium
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
- H01J9/395—Filling vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/34—Photoemissive electrodes
- H01J2201/342—Cathodes
- H01J2201/3421—Composition of the emitting surface
- H01J2201/3426—Alkaline metal compounds, e.g. Na-K-Sb
Description
De uitvinding heeft betrekking op een inrichting voor het vrijmaken van metaaldamp van een alkalimetaal voorzien van een houder bevattende een poeder waaruit bij verhitting alkalimetaal vrijkomt.
Daarnaast heeft de uitvinding onder meer betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke inrichting.
Dergelijke inrichtingen (dispensers) worden bijvoorbeeld gebruikt in buizen voorzien van fotokathodes (helderheidsversterkers, röntgenbeeldversterkers) en fotomultiplicatorbuizen waarbij bijvoorbeeld een dunne laag cesium wordt aangebracht om de uittreepotentiaal van de elektronen te verlagen. Ook in weergeefbuizen voorzien van halfgeleiderkathoden kunnen dit soort dispensers worden gebruikt.
Een inrichting van de in de aanhef genoemde soort is beschreven in GB 1,265,197 waarin het poeder een alkalichromaat bevat. Bij verhitting van het poeder, dat in het getoonde voorbeeld cesiumchromaat bevat wordt dit chromaat ontleed zodat zuiver cesium vrijkomt.
Eén van de bezwaren van een dergelijke inrichting bestaat hierin dat de afmetingen van de poederkorrels van het chromaat zodanig klein zijn dat bij het vullen van de houders onregelmatige toevoer van deze korrels optreedt (slechte loopeigenschappen). Hierdoor is het moeilijk de dispensers op reproduceerbare wijze te vervaardigen.
Een tweede bezwaar is de afgifte van ongewenste gassen tijdens de levering van het alkalimetaal. Weliswaar bevatten dergelijke dispensers naast het chromaat vaak silicium en zircoon-aluminium om tijdens de ontledingsreactie vrijkomend zuurstof te binden, maar met name zircoon-aluminium geeft bij de ontleedtemperatuur van de diverse alkalichromaten (700-800°C) waterstof en koolwaterstofgassen af terwijl ook de omhulling, die doorgaans uit nikkel-chroomstaal bestaat, deze gassen, met name koolstofhoudende gassen afgeeft; in het bijzonder deze laatste hebben een ongunstige invloed op de werking van fotokathoden en halfgeleiderkathoden.
Bovendien vindt de levering van het alkalimetaal plaats vanaf de ontledingstemperatuur; de afgifte van het alkalimetaal is daardoor moeilijk of geheel niet regelbaar.
Be uitvinding stelt zich onder meer ten doel een inrichting van de in de aanhef genoemde soort te verschaffen die op een meer reproduceerbare wijze vervaardigd kan worden.
Verder stelt zij zich ten doel een inrichting te verschaffen waarbij de afgifte van de alkalimetaaldamp regelbaar is.
Daarnaast stelt zij zich ten doel de afgifte van de ongewenste gassen zoveel mogelijk te verminderen.
De uitvinding berust op het inzicht dat dit bereikt kan worden door het alkalimetaal door middel van diffusie vrij te maken in plaats van door een ontledingsreactie.
Verder berust zij op het inzicht dat een dergelijke wijze van vrijmaken bereikt kan worden door een ander soort poedermengsel te kiezen dan de tot dusver gebruikte chromaten.
Een inrichting volgens de uitvinding heeft hiertoe het kenmerk, dat het poeder korrels van silicium of germanium bevat met een schil uit een verbinding van silicium of germanium met het alkalimetaal.
Het blijkt dat bij gebruik van een dergelijk poeder bij bijvoorbeeld de combinatie silicium-cesium al vanaf 530°C cesium uit het poeder diffundeert. De mate van diffusie is temperatuurafhankelijk en daardoor over een breed gebied goed regelbaar.
De genoemde korrels kunnen eenvoudig vervaardigd worden met een diameter in het gebied 50-200 pm; het poeder heeft daardoor goede loopeigenschappen (flowing characteristics), waardoor de houders op reproduceerbare wijze gevuld kunnen worden.
Doordat bovendien de diffusie bij aanzienlijk lagere temperatuur plaats vindt dan de genoemde ontledingsreactie van cesiumchromaat is ook de afgifte van ongewenste gassen veel geringer, temeer daar bijmengsels als zircoon-aluminium nu achterwege kunnen blijven.
Het poeder wordt bij voorkeur in een houder gebracht die praktisch buisvormig is en voorzien is van (één of meer openingen (bijvoorbeeld een spleet) voor het vrijlaten van het alkalimetaal. Hiermee is een gerichte metaaldampafgifte mogelijk. Onder buisvormig wordt in dit verband verstaan elke regelmatige of onregelmatige doorsnede (driehoekig, vierkant etc.) maar bij voorkeur rond.
Als alkalimetalen kiest men bij voorkeur natrium, kalium, rubidium of cesium. Natrium en kalium zijn zeer geschikt voor toepassingen in bijvoorbeeld helderheidsversterkers en röntgenbeeldversterkers (voorzien van fotokathoden) terwijl cesium met name toepassing vindt in fotomultiplicatorbuizen en (weergeef-)buizen gebaseerd op halfgeleiderkathoden.
Een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke inrichting heeft het kenmerk, dat silicium- of germaniumpoeder in een inerte atmosfeer wordt gemengd met vloeibaar alkalimetaal en het mengsel een zodanige temperatuurbehandeling ondergaat dat diffusie van het alkalimetaal in het silicium of germanium optreedt.
Aangezien het aldus verkregen poeder enigszins hygroscopisch is en doorgaans niet direct in een geëvacueerde ruimte wordt opgeslagen, wordt bij voorkeur de buitenste laag geoxydeerd. Het aldus verkregen poeder is uitstekend tegen vochtopname beschermd.
De uitvinding zal thans nader worden geschreven aan de hand van enkele uitvoeringsvoorbeelden en de tekening waarin:
Figuur 1 schematisch een inrichting volgens de uitvinding voorstelt.
De inrichting van figuur 1 bevat een houder 2, die in dit voorbeeld praktisch cylindervormig is en bijvoorbeeld uit nikkel-chroom vervaardigd is. De houder 2 is aan beide uiteinden voorzien van metalen kapjes 5 en elektrische aansluitingen 4 ten behoeve van stroomdoorvoer. Voor een gerichte afgifte van de alkalimetaaldamp is de houder 2 voorzien van een spleet 4.
In de houder bevindt zich een poeder waaruit bij verhitting een alkalimetaal, in dit voorbeeld cesium, vrijkomt. De verhitting vindt plaats doordat via de elektrische aansluitingen 4 stroomdoorvoer door de wanden van de cylindervormige houder plaats vindt.
Het betreffende poeder is in dit voorbeeld verkregen uit siliciumpoeder met een korrelgrootte tussen 50 en 200 pm, dat in een inerte argon- (of stikstof-)atmosfeer wordt gemengd met cesium. Druk en temperatuur zijn hierbij zodanig (bijvoorbeeld 1 atmosfeer, 28°C) dat het siliciumpoeder in nauw contact is met het cesium. Tijdens een daaropvolgende temperatuurverhoging tot circa 550°C diffundeert het cesiua het silicium in en vormt een schil bestaande uit een cesium-silicium verbinding (vermoedelijk CsSi^). De snelheid van dit proces is afhankelijk van de temperatuur, de dikte van de schil van de hoeveelheid cesium.
Het aldus verkregen poeder is zeer geschikt voor fabricageprocessen waarbij reproduceerbare dispenser-eigenschappen worden verkregen. Net name is de korrelafmeting bijzonder gunstigd voor een continu vullen van goten waaruit de houders 2 worden vervaardigd (goede loopeigenschappen).
Bij toepassing in een cesium-dispenser blijkt dat het poeder in vacuüm al vanaf 530°C cesium afgeeft, doordat de silicium-cesium-verbinding ontleedt en het cesium via diffusie weer vrijkomt. Aangezien de cesium-afgifte in eerste instantie door deze diffusie wordt bepaald is een instelbare afgifte door middel van temperatuurinstelling mogelijk.
Het aldus gevormde poeder is echter enigszins hygroscopisch. Dit is geen bezwaar indien vrijwel alle stappen van de vervaardiging tot montage in een elektronenbuis of fotokathode vrijwel geheel in vacuüm of in een inerte atmosfeer plaats vinden. Omdat in de praktijk het poeder vaak tijdelijk wordt opgeslagen, wordt dit om de hygroscopiciteit tegen te gaan enige tijd (bijvoorbeeld 60 minuten bij 250°C) in de lucht verhit.
In plaats van siliciumpoeder kan ook germaniumpoeder als uitgangsmateriaal gekozen worden terwijl ook diverse andere alkalimetalen gekozen kunnen worden (natrium, kalium, rubidium). Hierbij moeten, afhankelijk van de gekozen combinaties de vervaardigingscondities (druk, temperatuur) anders gekozen worden, zodat met name de diffusie van het alkalimetaal in de silicium- of germaniumkorrels verzekerd is.
Het gerede poeder wordt zoals gezegd in een goot gebracht. Door de goede loopeigenschappen vindt een continue vulling plaats met een praktisch constante hoeveelheid poeder per lengte-eenheid. Ra het vullen wordt een dergelijke goot dichtgevouwen onder openlating van een smalle spleet. De aldus verkregen buis wordt verzaagd, waarna de afzonderlijke delen van afsluitkapjes 5 en elektrische aansluitgeleiden 3 worden voorzien.
De dispensers kunnen worden toegepast in fotokathoden voor helderheidsversterkers en röntgenbeeldversterkers, in fotomultiplicatorbuizen alsmede voor het aanbrengen van uittreepotentiaalverlagend materiaal (in het bijzonder cesium) op halfgeleiderkathoden ten behoeve van elektronenbuizen.
Claims (10)
1. Inrichting voor het vrijmaken van metaaldamp van een alkalinetaal voorzien van een houder bevattende een poeder waaruit bij verhitting het alkalinetaal vrijkomt, net het kenmerk, dat het poeder korrels van siliciun of geraaniun bevat net een schil uit een verbinding van siliciun of germaniua net het alkalinetaal.
2. Inrichting volgens conclusie 1, net het kenmerk, dat de houder praktisch buisvornig is en voorzien is van een spleet voor het vrijlaten van het alkalinetaal.
3. Inrichting volgens conclusie 2, net het kenmerk, dat de houder van metaal is en aan zijn uiteinden voorzien is van aansluitingen ten behoeve van stroondoorvoer.
4. Inrichting volgens één der vorige conclusies, met het kenmerk, dat het alkalinetaal tot de groep natrium, kalium rubidium en cesium behoort.
5. Inrichting volgens één der vorige conclusies, net het kenmerk, dat de houder uit nikkel-chroonstaal bestaat.
6. Inrichting volgens één der vorige conclusies, met het knenerk, dat de diameter van de poederdeeltjes tenminste 50 pm en ten hoogste 200 pn bedraagt.
7. Werkwijze voor het vervaardigen van een poeder voor toepassingen in een inrichting voor het vrijmaken van metaaldamp van een alkalinetaal, met het kenmerk, dat silicium- of germaniumpoeder in een inerte atmosfeer wordt gemengd net vloeibaar alkalinetaal en het mengsel een zodanige tenperatuurbehandeling ondergaat dat diffusie van het alkalinetaal in het silicium of gernanium optreedt.
8. Werkwijze volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat na de diffusie de buitenste laag van de poederkorrels geoxydeerd wordt.
9. Elektronenbuis, met het kennerk, dat deze is voorzien van een fotokathode en een inrichting volgens één der conclusies 1 tot en net 6.
10. Elektronenbuis, net het kennerk, dat deze voorzien is van een halfgeleiderkathode en een inrichting volgens één der conclusies 1 tot en net 7.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8802172A NL8802172A (nl) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | Alkalimetaaldamp-dispenser. |
CN89106658A CN1026040C (zh) | 1988-09-02 | 1989-08-30 | 碱金属蒸气发放器 |
JP1221840A JPH02106846A (ja) | 1988-09-02 | 1989-08-30 | アルカリ金属の金属蒸気放出装置 |
DE68919615T DE68919615T2 (de) | 1988-09-02 | 1989-08-30 | Alkalimetalldampfspender. |
EP89202190A EP0360316B1 (en) | 1988-09-02 | 1989-08-30 | Alkali metal vapour dispenser |
US07/401,888 US5006756A (en) | 1988-09-02 | 1989-08-31 | Alkali metal vapor dispenser |
KR1019890012621A KR900005537A (ko) | 1988-09-02 | 1989-09-01 | 알칼리 금속 증기 분배기 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8802172 | 1988-09-02 | ||
NL8802172A NL8802172A (nl) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | Alkalimetaaldamp-dispenser. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8802172A true NL8802172A (nl) | 1990-04-02 |
Family
ID=19852846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8802172A NL8802172A (nl) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | Alkalimetaaldamp-dispenser. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5006756A (nl) |
EP (1) | EP0360316B1 (nl) |
JP (1) | JPH02106846A (nl) |
KR (1) | KR900005537A (nl) |
CN (1) | CN1026040C (nl) |
DE (1) | DE68919615T2 (nl) |
NL (1) | NL8802172A (nl) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6019913A (en) * | 1998-05-18 | 2000-02-01 | The Regents Of The University Of California | Low work function, stable compound clusters and generation process |
US20060152154A1 (en) * | 2003-01-17 | 2006-07-13 | Hiroyuki Sugiyama | Alkali metal generating agent, alkali metal generator, photoelectric surface, secondary electron emission surface, electron tube, method for manufacturing photoelectric surface, method for manufacturing secondary electron emission surface, and method for manufacturing electron tube |
US7474051B2 (en) | 2003-01-17 | 2009-01-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Alkali metal generating agent, alkali metal generator, photoelectric surface, secondary electron emission surface, electron tube, method for manufacturing photoelectric surface, method for manufacturing secondary electron emission surface, and method for manufacturing electron tube |
AT501721B1 (de) * | 2005-03-11 | 2006-11-15 | Konstantin Technologies Ges M | Verdampferquelle zum verdampfen von alkali/erdalkalimetallen |
US20060257296A1 (en) * | 2005-05-13 | 2006-11-16 | Sarnoff Corporation | Alkali metal dispensers and uses for same |
US20110140074A1 (en) * | 2009-12-16 | 2011-06-16 | Los Alamos National Security, Llc | Room temperature dispenser photocathode |
ITMI20131171A1 (it) * | 2013-07-11 | 2015-01-11 | Getters Spa | Erogatore migliorato di vapori metallici |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1194303A (en) * | 1967-06-10 | 1970-06-10 | Tokyo Shibaura Electric Co | Cesium Evaporator. |
NL7208146A (nl) * | 1972-06-15 | 1973-12-18 | ||
NL7802116A (nl) * | 1977-03-14 | 1978-09-18 | Getters Spa | Alkalimetaaldampgenerator. |
US4396723A (en) * | 1978-11-13 | 1983-08-02 | Diamond Shamrock Corporation | Lightweight silicate aggregate |
-
1988
- 1988-09-02 NL NL8802172A patent/NL8802172A/nl not_active Application Discontinuation
-
1989
- 1989-08-30 EP EP89202190A patent/EP0360316B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-30 DE DE68919615T patent/DE68919615T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-30 CN CN89106658A patent/CN1026040C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-30 JP JP1221840A patent/JPH02106846A/ja active Pending
- 1989-08-31 US US07/401,888 patent/US5006756A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-01 KR KR1019890012621A patent/KR900005537A/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0360316A1 (en) | 1990-03-28 |
DE68919615T2 (de) | 1995-06-14 |
KR900005537A (ko) | 1990-04-14 |
CN1041063A (zh) | 1990-04-04 |
EP0360316B1 (en) | 1994-11-30 |
JPH02106846A (ja) | 1990-04-18 |
DE68919615D1 (de) | 1995-01-12 |
CN1026040C (zh) | 1994-09-28 |
US5006756A (en) | 1991-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Westgaard et al. | Self-supporting metal foils prepared from the oxides of the separated isotopes of rare earth elements | |
HU215491B (hu) | Keveréktöltet higanykibocsátó eszközhöz, higanykibocsátó eszköz és eljárás higanynak elektroncsövek belsejébe juttatására | |
NL8802172A (nl) | Alkalimetaaldamp-dispenser. | |
HU215489B (hu) | Keveréktöltet higanykibocsátó eszközhöz, higanykibocsátó eszköz és eljárás higanynak elektroncsövek belsejébe juttatására | |
Dubois et al. | Reactivity of intermetallic thin films formed by the surface mediated decomposition of main group organometallic compounds | |
US4464133A (en) | Method of charging a vessel with mercury | |
US3210165A (en) | Zone-melting treatment of semiconductive materials | |
US3945949A (en) | Alkali metal vapour generator | |
US20010038264A1 (en) | Solid mercury releasing material and method of dosing mercury into discharge lamps | |
US5066888A (en) | Alkali metal vapor dispenser | |
EP0907960A2 (de) | Kalte elektrode für gasentladungen | |
US4709185A (en) | Device for electron emission including device for providing work function-reducing layer and method of applying such a layer | |
US3499785A (en) | Coating substrates by evaporation-deposition | |
US2778485A (en) | Vacuum tube getter body material | |
NL8205001A (nl) | Inrichting voor het teweegbrengen van x-straling. | |
US4350718A (en) | Method of fabricating graphite tube | |
US4049443A (en) | Method of fabrication of an alloy containing an alkali metal and/or an alkaline-earth metal | |
Lu et al. | Optimum (Cs, O)/GaAs interface of negative‐electron‐affinity GaAs photocathodes | |
RU2056661C1 (ru) | Генератор пара щелочных металлов и способ его изготовления | |
US2273637A (en) | Phototube | |
JPH09249413A (ja) | 六硼化ランタン膜の形成方法 | |
JP2707305B2 (ja) | 薄膜形成法とそれによって得られた半導体装置及びその製造方法 | |
US3488549A (en) | Dispenser cathode material and method of manufacture | |
Boishin et al. | XPS study of oxygen interaction with a Ge-covered Si (100) surface | |
Reid et al. | The relation between current flow and oxygen adsorption in a reverse biassed silicon pn junction |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1B | A search report has been drawn up | ||
BV | The patent application has lapsed |