NL8003825A - SOLVENT MIXTURE FOR LAYER APPLICATION ALONG GALVAN TECHNOLOGY. - Google Patents

SOLVENT MIXTURE FOR LAYER APPLICATION ALONG GALVAN TECHNOLOGY. Download PDF

Info

Publication number
NL8003825A
NL8003825A NL8003825A NL8003825A NL8003825A NL 8003825 A NL8003825 A NL 8003825A NL 8003825 A NL8003825 A NL 8003825A NL 8003825 A NL8003825 A NL 8003825A NL 8003825 A NL8003825 A NL 8003825A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
mixture according
silicon
mixture
added
organic solvent
Prior art date
Application number
NL8003825A
Other languages
Dutch (nl)
Original Assignee
Licentia Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Gmbh filed Critical Licentia Gmbh
Publication of NL8003825A publication Critical patent/NL8003825A/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/12—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by electrolysis
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D9/00—Electrolytic coating other than with metals
    • C25D9/04—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials
    • C25D9/08—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials by cathodic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Description

Mengsel met een oplosmiddel, dienend voor het langs galvano-technische weg aanbrengen van een laag.Mixture with a solvent, which serves to apply a layer by galvano-technical route.

De uitvinding heeft betrekking op een mengsel met een oplosmiddel voor het langs galvanotechnische weg aanbrengen van dunne lagen met een dikte van 0,01-100 yum van een stof op een als elektrode gebruikt elektrisch geleidend lichaam, waarbij het 5 mengsel met het oplosmiddel voor het afscheiden van silicium halogeensilanen en/of halogeenalkylsilanen en/of siliciumhaloge-niden als component bevat.The invention relates to a mixture with a solvent for the electroplating of thin layers with a thickness of 0.01-100 µm of a substance on an electrically conductive body used as an electrode, the mixture containing the solvent for the separating silicon contains halosilanes and / or haloalkylsilanes and / or silicon halides as a component.

Een dergelijk mengsel - aangevuld met een vloeibaar aprotisch dipolair organisch oplosmiddel - is bekend uit het 10 Amerikaanse octrooischrift 3.990.953. Het bekende mengsel maakt het afscheiden van silicium ook op grote oppervlakken met betrekkelijk geringe kosten mogelijk. Grote met een siliciumlaagje beklede oppervlakken worden in het bijzonder gebruikt voor zonnecellen.Such a mixture - supplemented with a liquid aprotic dipolar organic solvent - is known from US patent 3,990,953. The known mixture also allows the deposition of silicon on large surfaces at a relatively low cost. Large silicon-coated surfaces are used in particular for solar cells.

Een bezwaar van het bekende mengsel is zijn ge-15 voeligheid voor bijmenging van water. De componenten van het mengsel moeten daarom door middel van bijzondere, op zichzelf bekende werkwijzen van water worden bevrijd.A drawback of the known mixture is its sensitivity to admixture of water. The components of the mixture must therefore be freed from water by means of special methods known per se.

Voorts is het afscheiden van silicium uit een gasfase door middel van een glimontlading bekend (Advances in Physics 20 26 (1977), blz. 818-820). Voor zover aan de gasfase waterstof wordt toegevoegd, wordt ook waterstof tezamen met het afgescheiden amorfe silicium afgescheiden en aan silicium gebonden. Hierdoor ontstaan aanzienlijke veranderingen van de elektronische eigenschappen van het afgescheiden silicium. Bovendien is een zeer 25 goede dotering van het silicium met fosfor en boor mogelijk.Furthermore, separation of silicon from a gas phase by means of a glow discharge is known (Advances in Physics 20 26 (1977), pages 818-820). Insofar as hydrogen is added to the gas phase, hydrogen is also separated together with the separated amorphous silicon and bound to silicon. This causes significant changes in the electronic properties of the deposited silicon. Moreover, a very good doping of the silicon with phosphorus and boron is possible.

Het doel van de uitvinding is nu een mengsel met een oplosmiddel te verschaffen waarmee de galvanische afscheiding van silicium in aanwezigheid van waterstof bij kamertemperatuur 8003825 2 mogelijk is.The object of the invention is now to provide a mixture with a solvent with which the galvanic deposition of silicon in the presence of hydrogen at room temperature 8003825 2 is possible.

Het doel wordt volgens de uitvinding bereikt doordat als tweede component een protisch polair organisch oplosmiddel en/of een niet-protisch polair organisch oplosmiddel 5 waaraan een protisch polaire stof is toegevoegd, in het mengsel aanwezig is.The object is achieved according to the invention in that as a second component a protic polar organic solvent and / or a non-protic polar organic solvent to which a protic polar substance has been added is present in the mixture.

Het mengsel met het oplosmiddel volgens de uitvinding vertoont onder andere de volgende voordelen. Bij de ka-thodische afscheiding van silicium wordt als gevolg van het aan-10 wezig zijn van het protisch polaire organische bestanddeel van het oplosmiddel aan de kathode tegelijkertijd waterstof ontwikkeld. Gebleken is dat in het afgescheiden amorfe silicium waterstof is opgenomen en dat hierdoor het amorfe silicium goede fotovol ta- eigenschappen vertoont.The mixture with the solvent according to the invention has, inter alia, the following advantages. In the cathodic deposition of silicon, hydrogen is generated simultaneously due to the presence of the protically polar organic component of the solvent at the cathode. It has been found that hydrogen is contained in the separated amorphous silicon and that the amorphous silicon thus exhibits good photovoltaic properties.

15 Bij de galvanotechnische afscheiding volgens de uitvinding ontstaat een vaste verbinding tussen het als basis dienende metaalblik en de laag silicium. Dit levert een zeer goede elektrische en thermische afleiding.In the galvanic separation according to the invention, a fixed connection is formed between the metal tin serving as the base and the layer of silicon. This provides a very good electrical and thermal derivation.

Een dotering die een n- respectievelijk een p-20 geleidend materiaal oplevert, kan worden verkregen door het bij- druppelen van boriumchloride (BCl^), respectievelijk van een fosfor-chloride (FCl^; PCl^) tijdens de langs galvanotechnische weg uitgevoerde afscheiding, en wel doelgericht.A doping yielding an n- or a p-20 conductive material can be obtained by dripping boron chloride (BCl ^) or a phosphorus chloride (FCl ^; PCl ^) respectively during the electroplating separation. , and purposefully.

Een regeling van de afscheiding is gemakkelijk 25 te realiseren door een verandering van de stroom, een geringe verandering van de temperatuur, een beïnvloeding van de concentratie of door bepaalde stoffen toe te voegen.Control of the separation can easily be realized by a change of the current, a slight change in the temperature, an influence on the concentration or by adding certain substances.

Een toevoeging van alkanen levert een vermindering van de reactiesnelheid en van de ontwikkeling van waterstof 30 op.The addition of alkanes reduces the reaction rate and the development of hydrogen.

De geleidbaarheid van het oplosmiddelmengsel kan door het toevoegen van een geleidingszout worden verhoogd.The conductivity of the solvent mixture can be increased by adding a guide salt.

Dit kan evenwel slechts in oplossing worden gebracht en tot deelname aan de reactie.voor zoverre een zekere hoeveelheid polaire 35 oplosmiddelen aanwezig is.However, this can only be solubilized and to participate in the reaction to the extent that a certain amount of polar solvents are present.

Als gdeidingszouten kunnen worden toegepast 8003825 3 alkali- of aardalkalïhalogeniden, bijvoorbeeld LiCl, CaF^, KC1, KBr, KJ. Deze worden toegevoegd aan het oplosmiddelmengsel in een hoeveelheid van 0,1-2,0 gew.%.8003825 3 alkali or alkaline earth halides, for example LiCl, CaF 2, KCl, KBr, KJ, can be used as the finishing salts. These are added to the solvent mixture in an amount of 0.1-2.0% by weight.

Voor zover een oplosmiddelmengsel wordt gebruikt 5 waarin diëthers van de glycolen worden toegepast, is het gunstig in ether oplosbare boranaten, in het bijzonder lithiumboranaat, toe te voegen.Insofar as a solvent mixture is used in which dieters of the glycols are used, it is advantageous to add ether-soluble boranates, in particular lithium boranate.

In het geval het gaat om een oplosmiddelmengsel waarin gehalogeneerde koolwaterstoffen, glycolen of glycol-mono-10 ethers worden toegepast, is het doelmatig als geleidingszout na-triumboranaat toe te voegen.In the case of a solvent mixture in which halogenated hydrocarbons, glycols or glycol mono-10 ethers are used, it is expedient to add sodium boranate as the guide salt.

Door de toevoeging van boranaten komt een versnelling van de afscheiding van silicium tot stand.The addition of boranates accelerates the separation of silicon.

Verder kan de geleidbaarheid worden beïnvloed 15 door tetraethyleenglycol. Dit wordt toegevoegd in een concentratie van 0,01-10 vol.%.Furthermore, the conductivity can be affected by tetraethylene glycol. This is added at a concentration of 0.01-10% by volume.

Daarnaast kan de geleidbaarheid van het organische oplosmiddel worden beïnvloed door een gehalte aan water dat ligt tussen 0,03 en 2,0 vol.%. Bovendien wordt ook het reactievermogen 20 ten aanzien van de afscheiding van silicium gunstig beïnvloed.In addition, the conductivity of the organic solvent can be affected by a water content of between 0.03 and 2.0% by volume. In addition, the reaction capacity with regard to the deposition of silicon is also favorably influenced.

Het is voordelig gebleken bij het oplosmiddelmengsel als siliciumhalogenide SiCl^ en/of SiBr^ te gebruiken en als halogeenalkylsilaan SiCl^CH^ en/of SiC^CCH^g.It has been found advantageous in the solvent mixture to use SiCl 2 and / or SiBr 2 as silicon halide and SiCl 2 CH 2 and / or SiC 2 C 2 CH 2 as haloalkyl silane.

Verder is het gunstig een halogeen-houdend orga-25 nisch oplosmiddel, zoals bijvoorbeeld methyleenchloride, trichloor- ethyleen, 1,2-dichloorbenzeen en/of 1-chloornaftaline te gebruiken.It is furthermore advantageous to use a halogen-containing organic solvent, such as, for example, methylene chloride, trichlorethylene, 1,2-dichlorobenzene and / or 1-chloronaphthaline.

Ook mono- en diëthers van glycol of van diëthy-leenglycol zijn als organische oplosmiddelen in het mengsel volgens de uitvinding doelmatig.Mono- and diethers of glycol or of diethylene glycol are also effective as organic solvents in the mixture according to the invention.

30 Voorbeeld30 Example

Een silicium-bevattende verbinding, bij voorkeur SiCl^, werd in een organisch oplosmiddel opgelost. Voor zover dit oplosmiddel niet protisch polair was, werd een zekere protisch polaire toevoeging, bijvoorbeeld een alkohol (ROH), toegevoegd.A silicon-containing compound, preferably SiCl 2, was dissolved in an organic solvent. Insofar as this solvent was not protically polar, some protic polar addition, for example an alcohol (ROH), was added.

35 Deze toevoeging heeft enerzijds de bedoeling door een gedeeltelijke hydrolyse 800 3 8 25 435 This addition is intended on the one hand by partial hydrolysis 800 3 8 25 4

SiCl4 + ROH -> Cl3Si - OR + H ® Cl ® een polaire siliciumverbinding tot stand te brengen en te stabiliseren, terwijl anderzijds de toevoeging de geleidbaarheid die voor een afscheiding langs galvanotechnische weg nodig is, tot 5 stand moet brengen. Een verhoging van de geleidbaarheid kan door de eerder genoemde maatregelen worden verkregen.SiCl4 + ROH -> Cl3Si - OR + H ® Cl ® to establish and stabilize a polar silicon compound, while on the other hand the addition must establish the conductivity required for galvanic separation. An increase in conductivity can be obtained by the aforementioned measures.

Het organische oplosmiddel, respectievelijk het oplosmiddelmengsel werd tezamen met de siliciumverbinding ingébracht in de kathode- en anode-ruimte van een galvaniseerbad. Deze 10 twee ruimten waren van elkaar gescheiden door een poreuze door sintering verkregen plaat (fritplaat) om de terugomzetting van het halogeen aan de kathode te verhinderen.The organic solvent and the solvent mixture, respectively, were introduced together with the silicon compound into the cathode and anode space of a plating bath. These two spaces were separated by a porous sintered plate (chip plate) to prevent the conversion of the halogen back to the cathode.

Bij het aanleggen van een spanning aan de elektroden van het galvaniseerbad vonden de volgende reacties plaats: 15 Kathode θ 2 H ® + 2 ê θ + H? 1 c.4+ , Θ SiWhen applying a voltage to the electrodes of the galvanizing bath, the following reactions took place: 15 Cathode θ 2 H ® + 2 ê θ + H? 1 c.4 +, Θ Si

Si + 4 e bovendien bij toevoeging van een geleidingszout, bijvoorbeeld van K ®C1 θSi + 4 e additionally with the addition of a guide salt, for example of K ®C1 θ

Kathode ® K®+e®+/K? 2Q 4 /~K_7 + SiCl4 -* KC1 + SiCathode ® K® + e® + / K? 2Q 4 / ~ K_7 + SiCl4 - * KC1 + Si

Anode ® 2 Cl θ + 2 e ® + Cl2 +Anode ® 2 Cl θ + 2 e ® + Cl2 +

Het materiaal van de kathode kon plaatmateriaal zijn uit staal, aluminium, titaan, nikkel, enz. of uit grafiet.The material of the cathode could be sheet material of steel, aluminum, titanium, nickel, etc. or graphite.

Het materiaal van de anode was, zoals normaal is, grafiet of een 23 mengsel van grafiet en silicium.The material of the anode was, as is normal, graphite or a mixture of graphite and silicon.

Bij gebruik van titaan als plaatmateriaal voor de kathode werd een titaanhydride-fase verkregen waarop de siliciumlaag groeit. Bij gebruik van glas-achtige metalen als plaatmateriaal voor de kathode kwam een afscheiding tot stand in een glas-3q achtige amorfe toestand, dat wil zeggen een afscheiding van silicium zonder korrelgrenzen.Using titanium as the plate material for the cathode, a titanium hydride phase was obtained on which the silicon layer grew. When glass-like metals were used as the plate material for the cathode, a separation was effected in a glass-3q-like amorphous state, i.e. a separation of silicon without grain boundaries.

80038258003825

Claims (16)

1. Mengsel met een oplosmiddel voor een afscheiding langs galvanotechnische weg van dunne laagjes met een dikte van 0,01-100 yam van een stof op een als elektrode gebruikt elek- 5 trisch geleidend lichaam, waarbij het mengsel met het oplosmiddel met het oog op het afscheiden van silicium halogeensilanen en/of halogeenalkylsilanen en/of siliciumhalogeniden als component bevat, met het kenmerk, dat als tweede component een protisch polair organisch oplosmiddel en/of een niet-protisch polair organisch 10 oplosmiddel waaraan een protisch polaire stof is toegevoegd, in het mengsel aanwezig is.1. Mixture with a solvent for the electroplating separation of thin layers 0.01-100 yam thick from a substance on an electrically conductive body used as an electrode, the mixture containing the solvent having a view to the separation of silicon halosilanes and / or haloalkylsilanes and / or silicon halides as a component, characterized in that as a second component a protic polar organic solvent and / or a non-protic polar organic solvent to which a protic polar substance has been added, in the mixture is present. 2. Mengsel volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als siliciumhalogenide worden toegepast SiCl^ en/of SiBr^.2. Mixture according to claim 1, characterized in that SiCl 2 and / or SiBr 2 are used as the silicon halide. 3. Mengsel volgens conclusie 1 of 2, met het ken- 15 merk, dat als halogeenalkylsilanen SiCl^CH^ en/of SiC^CCH^^ worden gebruikt.3. Mixture according to claim 1 or 2, characterized in that SiCl 2 CH 2 and / or SiC 2 CCH 2 are used as haloalkylsilanes. 4. Mengsel volgens conclusie 1, 2 of 3, met het kenmerk, dat een halogeen-bevattend organisch oplosmiddel, zoals bijvoorbeeld methyleenchloride, trichloorethyleen, 1,2-dichloor- 20 benzeen en/of 1-chloornaftaline wordt gebruikt.4. Mixture according to claim 1, 2 or 3, characterized in that a halogen-containing organic solvent, such as, for example, methylene chloride, trichlorethylene, 1,2-dichlorobenzene and / or 1-chloronaphthaline is used. 5. Mengsel volgens conclusie 1, 2, 3 of 4, met het kenmerk, dat als organisch oplosmiddel een monoëther of een diëther van glycol of van diethyleenglycol worden gebruikt, zoals bijvoorbeeld ethyleenglycolmonoethylether, diethyleenglycoldiethyl- 25 ether, ethyleenglycoldimethylether.5. Mixture according to claim 1, 2, 3 or 4, characterized in that as the organic solvent a monoether or a diethyl of glycol or of diethylene glycol is used, such as for example ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether. 6. Mengsel volgens conclusie 1, 2, 3, 4 of 5, met het kenmerk, dat tetraëthyleenglycol wordt toegevoegd in een concentratie van 0,01-10 vol.%.Mixture according to claim 1, 2, 3, 4 or 5, characterized in that tetraethylene glycol is added in a concentration of 0.01-10% by volume. 7. Mengsel volgens één van de voorafgaande con- 30 clusies, met het kenmerk, dat een organisch oplosmiddel wordt gebruikt met een gehalte aan water van 0,01-2 vol.%.7. Mixture according to any one of the preceding claims, characterized in that an organic solvent with a water content of 0.01-2% by volume is used. 8. Mengsel volgens een van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat als geleidingszout ëën of meer alkali-of aardalkalihalogeniden in een hoeveelheid van 0,1-2 gew.% wor- 35 den toegevoegd, zoals bijvoorbeeld LiCl, CaF2, KCl, KBr, KJ.8. Mixture according to any one of the preceding claims, characterized in that one or more alkali or alkaline earth metal halides in the amount of 0.1-2% by weight are added as the guiding salt, such as, for example, LiCl, CaF2, KCl, KBr, KJ. 9. Mengsel volgens conclusie 5, met het kenmerk, 8003825 dat bij het gebruik van diëthers van de glycolen in ether oplosbare boranaten worden toegevoegd als geleidingszout, zoals bijvoorbeeld lithiumboranaat.Mixture according to claim 5, characterized in 8003825 that ether-soluble boranates are added as the guide salt, such as, for example, lithium boranate, when diethers of the glycols are used. 10. Mengsel volgens conclusie 4 of 5, met het 5 kenmerk, dat bij het gebruik van gehalogeneerde koolwaterstoffen, glycolen en glycolmonoëthers als geleidingszout natriumboranaat wordt toegevoegd.10. Mixture according to claim 4 or 5, characterized in that when using halogenated hydrocarbons, glycols and glycol monoethers as the guide salt, sodium boranate is added. 11. Mengsel volgens een van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat alkanen worden toegevoegd.Mixture according to any one of the preceding claims, characterized in that alkanes are added. 12. Mengsel volgens één van de voorafgaande con clusies, met het kenmerk, dat teneinde het af te scheiden silicium te doteren met borium aan het mengsel boriumchloride (BCl^) wordt toëgevoegd.Mixture according to one of the preceding claims, characterized in that boron chloride (BCl 2) is added to the mixture to be doped with boron to separate the silicon to be separated. 13. Mengsel volgens één van de conclusies 1-11, 15 met het kenmerk, dat voor het doteren van het af te scheiden silicium met fosfor een fosforchloride (PCl^; PCI,.) wordt toegevoegd.Mixture according to any one of claims 1-11, 15, characterized in that a phosphorus chloride (PCl 2; PCI 2) is added for doping the silicon to be separated with phosphorus. 14. Mengsel volgens ëën van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat voor het langs galvanotechnische weg afscheiden van silicium de als kathode dienende elektrode is uitge- 20 voerd met dunne plaat van staal of nikkel of van grafiet.Mixture according to any one of the preceding claims, characterized in that for the electroplating of silicon, the cathode electrode serving as cathode is constructed with a thin plate of steel or nickel or of graphite. 15. Mengsel volgens één van de conclusies 1-13, met het kenmerk, dat voor de afscheiding van silicium langs galvanotechnische weg de als kathode dienende elektrode is uitgevoerd in een glas-achtig metaal.Mixture according to any one of claims 1 to 13, characterized in that for the deposition of silicon by galvanic engineering, the electrode serving as the cathode is made of a glass-like metal. 16. Mengsel volgens één van de conclusies 1-13, met het kenmerk, dat voor het langs galvanotechnische weg afscheiden van silicium de als kathode dienende elektrode is uitgevoerd in plaat van titaan. 30 8003825Mixture according to any one of claims 1 to 13, characterized in that for the electroplating of silicon, the electrode serving as the cathode is made of titanium plate. 30 8003825
NL8003825A 1979-07-21 1980-07-02 SOLVENT MIXTURE FOR LAYER APPLICATION ALONG GALVAN TECHNOLOGY. NL8003825A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792929669 DE2929669A1 (en) 1979-07-21 1979-07-21 MIXTURE OF A SOLVENT FOR THE GALVANIC DEPOSIT
DE2929669 1979-07-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8003825A true NL8003825A (en) 1981-01-23

Family

ID=6076440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8003825A NL8003825A (en) 1979-07-21 1980-07-02 SOLVENT MIXTURE FOR LAYER APPLICATION ALONG GALVAN TECHNOLOGY.

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS5616695A (en)
DE (1) DE2929669A1 (en)
FR (1) FR2466516A1 (en)
GB (1) GB2055400B (en)
NL (1) NL8003825A (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59228997A (en) * 1983-06-08 1984-12-22 Fuji Sharyo Kk Fermentation tank
JPH0572941U (en) * 1992-09-24 1993-10-05 富士車輌株式会社 Fermenter
JP2008231516A (en) * 2007-03-20 2008-10-02 Toyota Motor Corp Metal oxide thin film, capacitor, hydrogen separation membrane-electrolyte membrane joined body and method for manufacturing fuel cell

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2508803C3 (en) 1975-02-28 1982-07-08 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Process for the production of plate-shaped silicon crystals with a columnar structure
US3990953A (en) * 1975-11-17 1976-11-09 Battelle Development Corporation Silicon electrodeposition

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5616695A (en) 1981-02-17
GB2055400B (en) 1983-06-08
GB2055400A (en) 1981-03-04
DE2929669A1 (en) 1981-01-29
FR2466516A1 (en) 1981-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhao et al. Electrodeposition of aluminium from nonaqueous organic electrolytic systems and room temperature molten salts
Zhao et al. Electrodeposition of aluminium from room temperature AlCl3-TMPAC molten salts
US4122245A (en) AlCl3 /1-alkyl pyridinium chloride room temperature electrolytes
Vieira et al. Mechanistic studies of zinc electrodeposition from deep eutectic electrolytes
US3990953A (en) Silicon electrodeposition
US8518298B2 (en) Eutectic mixtures based upon multivalent metal ions
Nikolaev et al. Cathode process at the electrolysis of KF-AlF3-Al2O3 melts and suspensions
Nikolaev et al. Cathode process in the KF-AlF3-Al2O3 melts
Suzdaltsev et al. Synthesis of aluminum master alloys in oxide-fluoride melts: A review
Pershin et al. Synthesis of silumins in KF-AlF3-SiO2 melts
Brown et al. The magnesium and magnesium amalgam electrodes in aprotic organic solvents a kinetic study
Pospı́šil et al. Voltammetry in benzene using lithium dodecamethylcarba-closo-dodecaborate, LiCB11Me12, as a supporting electrolyte: reduction of Ag+
NL8003825A (en) SOLVENT MIXTURE FOR LAYER APPLICATION ALONG GALVAN TECHNOLOGY.
Pavlenko et al. Silicon Electrodeposition from Low-Melting LiCl–KCl–CsCl Melts
Zein El Abedin Electrochemical behavior of aluminum and some of its alloys in chloroaluminate ionic liquids: electrolytic extraction and electrorefining
CN103290443B (en) Method for synchronizing high preferred orientation aluminum coating by using supergravity technology
Baranski et al. The mechanism of electrodeposition of cadmium sulfide on inert electrodes from diethylene glycol solutions
Kato et al. Communication—Determination of the Formation Potential of Solid-Electrolyte Interphase in Amide-Type Ionic Liquids Containing Lithium Salts
Hsueh et al. EMF Measurements of Sodium Activity in Sodium Amalgam with Beta‐Alumina
Wang et al. Electrochemical deposition of zirconium diboride coatings in NaCl-KCl-K2ZrF6-KBF4 melts
Cougnon et al. Cathodic reactivity of platinum and palladium in electrolytes in superdry conditions
Popov et al. The underpotential deposition of zinc for mitigation of hydrogen absorption and penetration into HY-130 steel
KR101629918B1 (en) Electrolytic apparatus for electro-refining and recovery of platinum metals, and method thereof
Ohtsuka et al. Electrochemical properties and reactions of organoboronic acid esters containing unsaturated bonds at their α-position
Tao et al. Cathodic electrochemical behavior in Na 3 AlF 6-Al 2 O 3-LiF-based melts at tungsten electrode with various cryolite ratios

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BV The patent application has lapsed