NL7709116A - Werkwijze voor het vervaardigen van een ladingoverdraaginrichting. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een ladingoverdraaginrichting.Info
- Publication number
- NL7709116A NL7709116A NL7709116A NL7709116A NL7709116A NL 7709116 A NL7709116 A NL 7709116A NL 7709116 A NL7709116 A NL 7709116A NL 7709116 A NL7709116 A NL 7709116A NL 7709116 A NL7709116 A NL 7709116A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- procedure
- manufacturing
- transfer device
- load transfer
- load
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66946—Charge transfer devices
- H01L29/66954—Charge transfer devices with an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/823406—Combination of charge coupled devices, i.e. CCD, or BBD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
- H01L29/1062—Channel region of field-effect devices of charge coupled devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Element Separation (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9996176A JPS5325373A (en) | 1976-08-20 | 1976-08-20 | Production of charge transfer device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7709116A true NL7709116A (nl) | 1978-02-22 |
Family
ID=14261265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL7709116A NL7709116A (nl) | 1976-08-20 | 1977-08-17 | Werkwijze voor het vervaardigen van een ladingoverdraaginrichting. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4133099A (nl) |
JP (1) | JPS5325373A (nl) |
CA (1) | CA1097429A (nl) |
DE (1) | DE2737527A1 (nl) |
FR (1) | FR2362489A1 (nl) |
GB (1) | GB1576144A (nl) |
NL (1) | NL7709116A (nl) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5217771A (en) * | 1975-07-31 | 1977-02-09 | Sony Corp | Charge transfer device |
US4242692A (en) * | 1978-06-02 | 1980-12-30 | Sony Corporation | Charge transfer device which has a pair of straight portions joined by a direction changing portion |
US4987466A (en) * | 1988-06-07 | 1991-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensor |
US5292682A (en) * | 1993-07-06 | 1994-03-08 | Eastman Kodak Company | Method of making two-phase charge coupled device |
JP2008277787A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Nec Electronics Corp | 電荷転送装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3853634A (en) * | 1973-05-21 | 1974-12-10 | Fairchild Camera Instr Co | Self-aligned implanted barrier two-phase charge coupled devices |
DE2342923C2 (de) * | 1973-08-24 | 1975-10-23 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung einer Zweiphasen-Ladungsverschlebeanordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Zweiphasen-Ladungs Verschiebeanordnung |
US3936860A (en) * | 1973-12-11 | 1976-02-03 | Hill Bryan H | Fabrication of a semiconductor device |
JPS51114079A (en) * | 1975-03-31 | 1976-10-07 | Fujitsu Ltd | Construction of semiconductor memory device |
US4057895A (en) * | 1976-09-20 | 1977-11-15 | General Electric Company | Method of forming sloped members of N-type polycrystalline silicon |
-
1976
- 1976-08-20 JP JP9996176A patent/JPS5325373A/ja active Pending
-
1977
- 1977-08-02 US US05/821,183 patent/US4133099A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-08-10 GB GB33558/77A patent/GB1576144A/en not_active Expired
- 1977-08-16 FR FR7725054A patent/FR2362489A1/fr active Granted
- 1977-08-17 CA CA284,877A patent/CA1097429A/en not_active Expired
- 1977-08-17 NL NL7709116A patent/NL7709116A/nl not_active Application Discontinuation
- 1977-08-19 DE DE19772737527 patent/DE2737527A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1097429A (en) | 1981-03-10 |
US4133099A (en) | 1979-01-09 |
GB1576144A (en) | 1980-10-01 |
JPS5325373A (en) | 1978-03-09 |
FR2362489B1 (nl) | 1983-11-18 |
FR2362489A1 (fr) | 1978-03-17 |
DE2737527A1 (de) | 1978-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL7810373A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL7700521A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een con- servenblik en inrichting voor de uitvoering van deze werkwijze. | |
NL186984C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting. | |
NL7807338A (nl) | Inrichting voor het overbrengen van ladingen. | |
NL7609815A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL185056C (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van ritssluitingen. | |
NL7812385A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL7706856A (nl) | Inrichting voor het omzetten van vermogen. | |
NL180825C (nl) | Inrichting voor het stapelen van tegels. | |
NL7712357A (nl) | Inrichting voor het omslaan van een bladzijde. | |
NL7607558A (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van soft-ice. | |
NL7702577A (nl) | Inrichting voor het plaatsen van een stifttap. | |
NL7609607A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL7709833A (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van zakkettingen. | |
NL188124C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type. | |
NL7608898A (nl) | Inrichting voor het plaatsen van voorwerpen. | |
NL7607298A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL182454C (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van gewikkelde buizen. | |
NL7702080A (nl) | Inrichting voor het aangeven van de geschikte omstandigheden voor het hijzen van een last. | |
NL7901569A (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van een doek. | |
NL7706818A (nl) | Filter met gebuikmaking van een ladings- overdrachtinrichting. | |
NL7703826A (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van een samengestelde houder. | |
NL7707324A (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een polychloropreenlatex. | |
NL170389C (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van aan een zijde bekleed golfkarton. | |
NL7709411A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BV | The patent application has lapsed |