NL7707139A - Werkwijze voor de vervaardiging van schottky-di- oden, alsmede dioden vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor de vervaardiging van schottky-di- oden, alsmede dioden vervaardigd volgens deze werkwijze.

Info

Publication number
NL7707139A
NL7707139A NL7707139A NL7707139A NL7707139A NL 7707139 A NL7707139 A NL 7707139A NL 7707139 A NL7707139 A NL 7707139A NL 7707139 A NL7707139 A NL 7707139A NL 7707139 A NL7707139 A NL 7707139A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
diodes
procedure
manufacture
manufactured according
schottky
Prior art date
Application number
NL7707139A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Lignes Telegraph Telephon
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lignes Telegraph Telephon filed Critical Lignes Telegraph Telephon
Publication of NL7707139A publication Critical patent/NL7707139A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28537—Deposition of Schottky electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/872—Schottky diodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/14—Schottky barrier contacts

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
NL7707139A 1976-08-03 1977-06-28 Werkwijze voor de vervaardiging van schottky-di- oden, alsmede dioden vervaardigd volgens deze werkwijze. NL7707139A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7623649A FR2360993A1 (fr) 1976-08-03 1976-08-03 Perfectionnement aux procedes de fabrication de diodes schottky a barriere or-silicium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7707139A true NL7707139A (nl) 1978-02-07

Family

ID=9176480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7707139A NL7707139A (nl) 1976-08-03 1977-06-28 Werkwijze voor de vervaardiging van schottky-di- oden, alsmede dioden vervaardigd volgens deze werkwijze.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4136348A (nl)
DE (1) DE2734072A1 (nl)
FR (1) FR2360993A1 (nl)
GB (1) GB1581605A (nl)
IT (1) IT1083374B (nl)
NL (1) NL7707139A (nl)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4166279A (en) * 1977-12-30 1979-08-28 International Business Machines Corporation Electromigration resistance in gold thin film conductors
US4357178A (en) * 1978-12-20 1982-11-02 Ibm Corporation Schottky barrier diode with controlled characteristics and fabrication method
US4373166A (en) * 1978-12-20 1983-02-08 Ibm Corporation Schottky Barrier diode with controlled characteristics
FR2445627A1 (fr) * 1978-12-28 1980-07-25 Lignes Telegraph Telephon Procede perfectionne de fabrication de diodes schottky et diodes de puissance ainsi realisees
DE3025859A1 (de) * 1980-07-08 1982-01-28 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum aufbringen einer metallschicht auf einen halbleiterkoerper
US4831707A (en) * 1980-11-14 1989-05-23 Fiber Materials, Inc. Method of preparing metal matrix composite materials using metallo-organic solutions for fiber pre-treatment
US4414737A (en) * 1981-01-30 1983-11-15 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Production of Schottky barrier diode
US4737644A (en) * 1985-10-30 1988-04-12 International Business Machines Corporation Conductive coated semiconductor electrostatic deflection plates

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3463971A (en) * 1967-04-17 1969-08-26 Hewlett Packard Co Hybrid semiconductor device including diffused-junction and schottky-barrier diodes
US3706128A (en) * 1970-06-30 1972-12-19 Varian Associates Surface barrier diode having a hypersensitive n region forming a hypersensitive voltage variable capacitor
DE2057204C3 (de) * 1970-11-20 1975-02-27 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung von Metall-Halbleiterkontakten
US3785892A (en) * 1972-05-19 1974-01-15 Motorola Inc Method of forming metallization backing for silicon wafer
US3971057A (en) * 1973-08-21 1976-07-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Lateral photodetector of improved sensitivity
US4065588A (en) * 1975-11-20 1977-12-27 Rca Corporation Method of making gold-cobalt contact for silicon devices

Also Published As

Publication number Publication date
IT1083374B (it) 1985-05-21
US4136348A (en) 1979-01-23
FR2360993B1 (nl) 1980-09-05
FR2360993A1 (fr) 1978-03-03
GB1581605A (en) 1980-12-17
DE2734072A1 (de) 1978-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7709695A (nl) Werkwijze voor de bereiding van 1-chloor-1,1-di- fluorethaan.
NL7703901A (nl) Werkwijze voor de bereiding van betrekkelijk grootmoleculige ketonen.
NL183033B (nl) Werkwijze voor de bereiding van n-fosfonomethylglycine.
NL178684C (nl) Werkwijze voor de bereiding van dialkyloxalaten.
NL7707780A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting verkregen volgens die werkwijze.
NL7706247A (nl) Werkwijze voor de oligomerisatie van alkenen.
NL7703892A (nl) Werkwijze voor de bereiding van maleineimiden.
NL7711638A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een enzym- houdend preparaat en gevormd preparaat, ver- vaardigd met de werkwijze.
NL7702420A (nl) Werkwijze voor de bereiding van formamiden.
NL7708073A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van binnenzolen.
NL7709748A (nl) Werkwijze voor de bereiding van methoxypsoraleen.
NL189129C (nl) Werkwijze voor de bereiding van acylcyaniden.
NL7707139A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van schottky-di- oden, alsmede dioden vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL189088C (nl) Werkwijze voor de bereiding van acylcyaniden.
NL7707729A (nl) Werkwijze voor de bereiding van 5-m-tolyloxy- uracil.
NL7707229A (nl) Werkwijze voor de bereiding van methyldichloor- fosfaan.
NL7707639A (nl) Werkwijze voor de bereiding van oxocyclopen- tyl- en oxocyclohexylverbindingen.
NL172541C (nl) Werkwijze voor de bereiding van 2,4-diamino-5-benzylpyrimidinen.
NL188996C (nl) Werkwijze voor de bereiding van acylcyaniden.
NL7707763A (nl) Werkwijze voor de bereiding van methyldichloor- fosfaan.
NL7709729A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van decoratief laminaat, en decoratief laminaat, verkregen volgens deze werkwijze.
NL7705687A (nl) Werkwijze voor het bereiden van aardappel-chips, alsmede de volgens deze werkwijze verkregen aardappel-chips.
NL7708403A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van polypyrro- lidon filamenten.
NL7711156A (nl) Werkwijze voor de bereiding van n-alkylanilinen.
NL7709237A (nl) Werkwijze voor de bereiding van 3-methyl-2-p- -halogeenfenylbutyronitril.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed