NL153098B - Werkwijze voor het neerslaan van een monokristallijne film van gaas1-*p* op een substraat van gaas, gap of ge. - Google Patents

Werkwijze voor het neerslaan van een monokristallijne film van gaas1-*p* op een substraat van gaas, gap of ge.

Info

Publication number
NL153098B
NL153098B NL727205943A NL7205943A NL153098B NL 153098 B NL153098 B NL 153098B NL 727205943 A NL727205943 A NL 727205943A NL 7205943 A NL7205943 A NL 7205943A NL 153098 B NL153098 B NL 153098B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
gaas1
gaas
depositing
gap
substrate
Prior art date
Application number
NL727205943A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7205943A (xx
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Ind Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Ind Co Ltd
Publication of NL7205943A publication Critical patent/NL7205943A/xx
Publication of NL153098B publication Critical patent/NL153098B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/056—Gallium arsenide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/072—Heterojunctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/936—Graded energy gap
NL727205943A 1971-05-04 1972-05-03 Werkwijze voor het neerslaan van een monokristallijne film van gaas1-*p* op een substraat van gaas, gap of ge. NL153098B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP46029695A JPS514918B1 (xx) 1971-05-04 1971-05-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7205943A NL7205943A (xx) 1972-11-07
NL153098B true NL153098B (nl) 1977-05-16

Family

ID=12283226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL727205943A NL153098B (nl) 1971-05-04 1972-05-03 Werkwijze voor het neerslaan van een monokristallijne film van gaas1-*p* op een substraat van gaas, gap of ge.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3806381A (xx)
JP (1) JPS514918B1 (xx)
CA (1) CA957599A (xx)
DE (1) DE2221864C3 (xx)
FR (1) FR2135211B1 (xx)
GB (1) GB1368660A (xx)
NL (1) NL153098B (xx)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4488914A (en) * 1982-10-29 1984-12-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Process for the epitaxial deposition of III-V compounds utilizing a continuous in-situ hydrogen chloride etch
US4504329A (en) * 1983-10-06 1985-03-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Process for the epitaxial deposition of III-V compounds utilizing a binary alloy as the metallic source

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1519913A1 (de) * 1964-04-17 1970-06-18 Texas Instruments Inc Verfahren zur Herstellung von Halbleitern
DE2104329C3 (de) * 1970-01-30 1975-04-17 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) 29.12.70 Japan 45-124823 Verfahren zur Bildung einer Schicht eines ternären Materials auf einem Substrat

Also Published As

Publication number Publication date
FR2135211B1 (xx) 1974-10-18
US3806381A (en) 1974-04-23
NL7205943A (xx) 1972-11-07
DE2221864B2 (de) 1975-04-17
JPS514918B1 (xx) 1976-02-16
DE2221864A1 (de) 1972-11-16
DE2221864C3 (de) 1979-01-11
GB1368660A (en) 1974-10-02
CA957599A (en) 1974-11-12
FR2135211A1 (xx) 1972-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL185017C (nl) Werkwijze voor het etsen van een polyimidefilm.
NL178700C (nl) Inrichting voor het neerslaan van een dunne laag op een substraat.
NL168253C (nl) Werkwijze voor het bekleden van een oppervlak.
NL7710659A (nl) Werkwijze voor het vormen van een epitaxiale laag op het oppervlak van een substraat.
NL7414007A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7612006A (nl) Werkwijze voor het laten groeien van een monokris- tal van een halfgeleiderverbinding.
NL166972C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een bekledingsmengsel.
NL7411380A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een polyetheentereftalaatfilm.
NL7413791A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL172876C (nl) Werkwijze voor het epitaxiaal vanuit de vloeibare fase laten groeien van gaas of alxgaŸ1-xas op een substraat.
NL173386C (nl) Werkwijze voor het vormen van een metaaloxydebekleding op een ondergrond.
NL177628B (nl) Werkwijze voor het vormen van multimoleculaire, immunologisch tot een complex gevormde films.
NL145830B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een blauw gekleurde, lichtdoorlatende laag op een ondergrond.
NL179132B (nl) Werkwijze voor het stabiliseren van kleefstoffen.
NL153098B (nl) Werkwijze voor het neerslaan van een monokristallijne film van gaas1-*p* op een substraat van gaas, gap of ge.
NL173507C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking.
NL7605871A (nl) Werkwijze voor het controleren van de dikte van een epitaxiaal gegroeide laag op een substraat.
NL159813B (nl) Werkwijze voor het op een monokristallijn substraat aan- brengen van een epitaxiale monokristallijne laag halfge- leidend materiaal vanuit een smelt.
NL162313C (nl) Werkwijze voor het behandelen van een substraat van galliumarsenide.
NL7502130A (nl) Werkwijze voor het bereiden van plakmiddelen op basis van een waterrijke emulsie.
NL182682C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een halfgeleiderverbinding, alsmede halfgeleiderelement dat deze verbinding bevat.
NL144496B (nl) Werkwijze en inrichting voor het laten groeien van een epitaxiaal kristal op een onderlaag.
NL176868C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een poedervormig reinigingsmiddel.
NL7417006A (nl) Werkwijze voor het kristalliseren van fructose.
NL162420C (nl) Werkwijze voor het bekleden van een geleidend substraat.

Legal Events

Date Code Title Description
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: MATSUSHITA

V4 Lapsed because of reaching the maximum lifetime of a patent