NL145400B - Werkwijze voor het doteren van halfgeleidende lagen van het ii-vi-type door deze lagen bij aanwezigheid van een uit cds en/of cdse bestaand activeringspoeder te verhitten en gedoteerde halfgeleidende lagen verkregen door toepassing van de werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het doteren van halfgeleidende lagen van het ii-vi-type door deze lagen bij aanwezigheid van een uit cds en/of cdse bestaand activeringspoeder te verhitten en gedoteerde halfgeleidende lagen verkregen door toepassing van de werkwijze.

Info

Publication number
NL145400B
NL145400B NL656509918A NL6509918A NL145400B NL 145400 B NL145400 B NL 145400B NL 656509918 A NL656509918 A NL 656509918A NL 6509918 A NL6509918 A NL 6509918A NL 145400 B NL145400 B NL 145400B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
cds
procedure
layers
semiconductive layers
semiconductive
Prior art date
Application number
NL656509918A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6509918A (nl
Original Assignee
Ncr Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ncr Co filed Critical Ncr Co
Publication of NL6509918A publication Critical patent/NL6509918A/xx
Publication of NL145400B publication Critical patent/NL145400B/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/38—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions
    • H01L21/383—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/611—Chalcogenides
    • C09K11/612—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/02—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the solid state
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/38—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/23—Sheet including cover or casing
    • Y10T428/239—Complete cover or casing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
NL656509918A 1964-07-31 1965-07-30 Werkwijze voor het doteren van halfgeleidende lagen van het ii-vi-type door deze lagen bij aanwezigheid van een uit cds en/of cdse bestaand activeringspoeder te verhitten en gedoteerde halfgeleidende lagen verkregen door toepassing van de werkwijze. NL145400B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US386606A US3377200A (en) 1964-07-31 1964-07-31 Process for activating photoconductive films

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6509918A NL6509918A (nl) 1966-02-01
NL145400B true NL145400B (nl) 1975-03-17

Family

ID=23526302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL656509918A NL145400B (nl) 1964-07-31 1965-07-30 Werkwijze voor het doteren van halfgeleidende lagen van het ii-vi-type door deze lagen bij aanwezigheid van een uit cds en/of cdse bestaand activeringspoeder te verhitten en gedoteerde halfgeleidende lagen verkregen door toepassing van de werkwijze.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3377200A (nl)
BE (1) BE667588A (nl)
CH (1) CH451339A (nl)
DE (1) DE1263715C2 (nl)
GB (1) GB1051085A (nl)
NL (1) NL145400B (nl)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3519480A (en) * 1967-01-13 1970-07-07 Eastman Kodak Co Process for treating photoconductive cadmium sulfide layers
US3537889A (en) * 1968-10-31 1970-11-03 Gen Electric Low temperature formation of oxide layers on silicon elements of semiconductor devices
US3962778A (en) * 1973-12-17 1976-06-15 General Dynamics Corporation Photodetector array and method of manufacturing same
US4759951A (en) * 1985-09-25 1988-07-26 Sharp Kabushiki Kaisha Heat-treating Cd-containing photoelectric conversion film in the presence of a cadmium halide
US5128064A (en) * 1989-04-18 1992-07-07 Wisconsin Alumni Research Foundation Cadmium sulfide membranes

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2879182A (en) * 1956-05-31 1959-03-24 Rauland Corp Photosensitive devices
NL252532A (nl) * 1959-06-30 1900-01-01
US3109753A (en) * 1961-11-08 1963-11-05 Sylvania Electric Prod Photoconductor sintering process
US3145120A (en) * 1962-02-12 1964-08-18 Ibm Method for controlling flux pressure during a sintering process

Also Published As

Publication number Publication date
GB1051085A (nl) 1900-01-01
DE1263715C2 (de) 1974-06-27
NL6509918A (nl) 1966-02-01
BE667588A (nl) 1965-11-16
CH451339A (fr) 1968-05-15
US3377200A (en) 1968-04-09
DE1263715B (de) 1968-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL147926B (nl) Inrichting voor het bewaren en opdienen van voedingsmiddelen.
NL154669B (nl) Inrichting voor het stimuleren van de hartwerking.
NL140573B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van samengestelde draden, en door toepassing van de werkwijze vervaardigde samengestelde draden.
BE804456A (fr) Zinkstuk, werkwijze voor het zinken van het zinkstuk en vaartuig te gebruiken bij deze werkwijze
NL151310B (nl) Werkwijze en inrichting voor het continu verpakken en steriliseren van vaste voedingsmiddelen.
NL151402B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van voorwerpen en het aanbrengen van bekledingslagen.
NL168074C (nl) Inrichting voor het sluiten van splijtstofstaven.
NL145400B (nl) Werkwijze voor het doteren van halfgeleidende lagen van het ii-vi-type door deze lagen bij aanwezigheid van een uit cds en/of cdse bestaand activeringspoeder te verhitten en gedoteerde halfgeleidende lagen verkregen door toepassing van de werkwijze.
NL151201B (nl) Spanningsdeler en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL165978C (nl) Inrichting voor het bedienen van een deur van een voertuig.
NL163953C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van door kunststof omhulde tampons.
NL158081B (nl) Bouwelement voor het, door in elkaar steken, samenstellen van speelgoed.
NL142278B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bodem van een voor een halfgeleidende inrichting bestemde omhulling en bodem, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL151218B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een piezo-elektrisch keramisch materiaal, alsmede voorwerpen, geheel of gedeeltelijk bestaande uit het piezo-elektrische keramische materiaal verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL146630B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een hoogspanningsgeleider en hoogspanningsgeleider verkregen door toepassing van de werkwijze.
BE775532A (fr) Toestel voor het ledigen, reinigen en steriliseren van bij de ziekenverpleging gebruikte voorwerpen zoals bedpannen en dergelijke voorwerpen
NL140906B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van gelaagde panelen.
NL151147B (nl) Inrichting voor het verwarmen en voor het continu voortbewegen van een of meer kunstmatige draden.
NL150617B (nl) Werkwijze voor het thermisch behandelen van een materiaal door elektronenbombardement.
NL151737B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een antibioticum alsmede werkwijze voor de bereiding van een preparaat met bactericide werking.
NL149148B (nl) Werkwijze voor het door disproportioneren omzetten van tolueen in benzeen en xyleen.
NL159294B (nl) Werkwijze voor het inbrengen van stoorstoffen in halfgeleidermaterialen.
NL160063C (nl) Werkwijze voor het nabehandelen van onderdelen van een kop- peling en inrichting ten gebruike bij een dergelijke werk- wijze.
NL148495B (nl) Samenstel voor het vormen en bewaren van voedingswaren.
NL154887B (nl) Inrichting voor het regelen van de frequentie van een in frequentie gemoduleerde oscillator.