NL1033468C2 - Inrichting voor het opnemen van een beeld bevattende een oppervlak bekleed met een getter, gebruikswerkwijze. - Google Patents

Description

Inrichting voor het opnemen van een beeld bevattende een oppervlak bekleed met een getter, gebruikswerkwijze

ALGEMEEN TECHNISCH GEBIED

De uitvinding heeft betrekking op een behuizing bevattende een fotokathode verbonden met een elektrische 5 klem.

De uitvinding heeft tevens betrekking op een werkwijze voor het gebruik van de behuizing.

STAND VAN DE TECHNIEK

10

Inrichtingen voor het opnemen van een beeld met zwak belichtingsniveau zijn bekend.

Een voorbeeld van een dergelijke inrichting wordt schematisch in Figuur 1 weergegeven.

15 De inrichting bevat een objectief 2 dat fotonen 10, die afkomstig zijn van een scène, op een fotokathode 11 focusseert, die geplaatst is in een hermetische behuizing 25. De fotokathode 11 converteert de fotonen in elektronen 13. Deze laatste worden versneld in een kamer 20 12 van de behuizing 25 waar vacuüm heerst, en waar een potentiaalverschil met een absolute waarde V van meerdere honderden tot enkele duizenden volt aangelegd is. De versnelde elektronen 13 "bombarderen" in parallelle flux 1033468 ,1 2 de achterzijde van een matrix 14. Het elektrische veld dat aanwezig is in de kamer 12 is uniform in zijn nuttig deel en geeft aan elk van de uitgezonden en getransporteerde elektronen 12 een energie die evenredig is aan het ge-5 bruikte potentiaalverschil V tussen de fotokathode 11 en de achterzijde van de matrix 14.

De matrix 14 bevat een dun gemaakte laag van silicium bevattende een zone 141 voor het vermenigvuldigen van elektronen. De energie opgeslagen in elk elektron 13 10 staat toe dat deze laatste, na binnengetreden te zijn in de achterzijde van de matrix 14, de vermenigvuldiging daarvan effectueert, geleidelijk door opeenvolgende schokken, te midden van het silicium van de zone 141. De laag van de matrix 14 bevat tevens een geleidingszone 148 15 geplaatst onder de zone 141 en geleidende de vermenigvuldigde elektronen naar een (volgens de Engelse vakterminologie) CMOS-diffusiezone 142. De matrix 14 vormt aldus een EBCMOS ("Electron Bombarded CMOS").

Elk vermenigvuldigd elektron 13 wordt na door de 20 CMOS-zone 142 van de matrix 14 ingevangen te zijn, geconverteerd in een videosignaal 15.

De drie zones 141, 148 en 142 van de laag van de matrix zijn gedoteerd, waarbij de doteringsverdeling in elke zone verschillend is om verschillende eigenschappen 25 toe te staan (elektronenvermenigvuldiging, geleiding en diffusie).

De matrix 14 is in het algemeen bevestigd aan de behuizing 25 door middel van een ondersteuning 4. De over-drachtsrichting van de matrix 14 op de ondersteuning 4 is 30 gelijk aan de richting van het bombardement van de elektronen 13 op de matrix 14.

De inrichting volgens de stand van de techniek heeft nadelen.

De fotokathode 11 wordt gerealiseerd door een 35 opeenvolging van lagen waarvan het samenstellen absorptie-eigenschappen voor deeltjes aanwezig in de kamer 12 vertoont. Bovendien verslechtert de fotokathode 11 door de 3 inslag van de deeltjes. Deze deeltjes kunnen bijvoorbeeld aanwezig zijn in de vorm van ionen uitgezonden door de matrix 14 als gevolg van het elektronenbombardement of deeltjes die vrijkomen uit elementen van de behuizing 25.

5 Dit fenomeen wordt versterkt door de aanwezigheid van het elektrische veld in de werkende inrichting hetgeen het vrijkomen van ionen, die aanwezig zijn tussen de foto-kathode 11 en de matrix 14, met zich meebrengt wat verantwoordelijk is voor het merendeel van de verslechtering van 10 de fotokathode 11.

PRESENTATIE VAN DE UITVINDING

De uitvinding heeft als doel ten minste één van 15 deze nadelen op te heffen.

Hiertoe wordt volgens de uitvinding een behuizing voorgesteld bevattende een fotokathode verbonden met een elektrische klem, met het kenmerk, dat deze ten minste één oppervlak bevat dat bekleed is met een getter verbonden met 20 een andere unieke elektrische klem.

De uitvinding wordt op voordelige wijze gecompleteerd door de volgende maatregelen, die afzonderlijk of in welke technisch mogelijke combinatie dan ook aanwezig kunnen zijn: 25 - de behuizing bevat bovendien een matrix omvat tende een CMOS-diffusiezone tegenover de fotokathode, een ondersteuning voor de matrix, waarbij een oppervlak bekleed met een getter een oppervlak van de ondersteuning is; - het oppervlak is gebogen om gericht te zijn 30 naar een ruimte tussen de matrix en de fotokathode; - de behuizing omvat bovendien een deksel sluitende een opening van de behuizing, waarbij een oppervlak bekleed met een getter een oppervlak van het deksel is; - de behuizing omvat middelen geschikt voor het 35 polariseren van het oppervlak bekleed met een getter, voor het vormen van elektrische veldlijnen in de behuizing; - de behuizing omvat middelen geschikt voor het 4 polariseren van de fotokathode, voor het vormen van elektrische veldlijnen in de behuizing; - de matrix bevat een substraat voor het ondersteunen van de CMOS-diffusiezone, waarbij het ondersteu- 5 ningssubstraat een steunzijde bevat waarop de CMOS-diffu-siezone en ten minste één soldeercontact zijn aangebracht; - de ondersteuning bevat enerzijds een steunzijde omvattende ten minste één soldeerzone en anderzijds een uitmondopening, waarbij de soldeerzone aangebracht is 10 op de omtrek van de opening op de steunzijde, waarbij ten minste één soldeercontact op een soldeerzone gesoldeerd is.

De uitvinding heeft tevens betrekking op een werkwijze voor het gebruik van een dergelijke behuizing.

15 De uitvinding biedt talrijke voordelen.

Ze staat met name het reduceren toe van het aantal deeltjes dat met de fotokathode botst, wat de levensduur van de laatstgenoemde verlengt.

20 PRESENTATIE VAN DE TEKENINGEN

Andere kenmerken, doelen en voordelen van de uitvinding zullen blijken uit de volgende beschrijving, die louter illustratief en niet limitatief is, en die gelezen 25 dient te worden onder verwijzing naar de bijgaande tekeningen waarin: - Figuur 1, reeds genoemd, schematisch een bekende opneeminrichting representeert; - Figuren 2A en 2B schematisch een uitvoerings- 30 voorbeeld van een inrichting volgens de uitvinding representeren; - Figuren 3a tot 3j schematisch een eerste voorbeeld representeren van een werkwijze voor het vervaardigen van een matrix volgens de uitvinding; 3 5 - Figuren 4a tot 4j schematisch een tweede voor beeld van een werkwijze voor het vervaardigen van een matrix volgens de uitvinding representeren.

5

In de figuren dragen gelijke elementen identieke verwij zingscij fers.

GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING 5

Figuren 2A en 2B representeren schematisch een hermetische behuizing 25 van een inrichting voor het opnemen van een beeld van een zwak belichtingsniveau, omvattende op klassieke wijze in principe een fotokathode 11, 10 die door een scène afgegeven fotonen converteert in elektronen. Deze laatste worden versneld in een kamer 12 van de behuizing 25 waar vacuüm heerst, en waar een potentiaalverschil met een absolute waarde V van meerdere honderden tot enkele duizenden volt aanwezig is. De versnelde elektronen 15 bombarderen in parallelle stroom de achterzijde van een massieve matrix 14 van een ondersteuning 4 om te worden getransformeerd in een videostroom.

De matrix 14 bevat een zone 141 voor het vermenigvuldigen van elektronen, bij voorkeur omvattende sili-20 cium. Deze omvat tevens een CMOS-diffusiezone 142. Bovendien bevat deze een substraat 143 voor de ondersteuning van de CMOS-diffusiezone 142. De matrix 14 wordt ook EBCMOS ("Electron Bombarded CMOS") genoemd.

Het ondersteuningssubstraat 143 bevat een steun-25 zijde 1431 waarop de CMOS-diffusiezone 142 en ten minste één soldeercontact 3 zijn aangebracht.

Ten minste één afmeting van de steunzijde 1431 is groter dan de grootste afmeting van de CMOS-diffusiezone 142. Bij voorkeur is het oppervlak van de steunzijde 1431 30 groter dan het oppervlak van de zone 142, waarbij ten minste twee afmetingen van de steunzijde 1431 groter zijn dan de afmetingen van de zone 142. De CMOS-diffusiezone 142 is bij voorkeur in hoofdzaak in een centrale positie van de steunzijde 1431 gepositioneerd, waarbij ten minste één 35 contact 3 gedeeltelijk in omtreksrichting van de zijde 1431 tegenover de CMOS-diffusiezone 142 is aangebracht.

De ondersteuning 4 bevat enerzijds een steunzijde 6 46 omvattende ten minste één soldeerzone 47 en anderzijds een uitmondopening 45.

De soldeerzone 47 is op de steunzijde 46 aangebracht op de omtrek van de opening 45.

5 De soldeercontacten 3 worden gesoldeerd op de corresponderende soldeerzones 47. De overdrachtsrichting van de matrix 14 op de ondersteuning 4 is tegengesteld aan de bombarderingsrichting van de elektronen op de matrix 14.

De posities van de ondersteuning 4 in de behui-10 zing 25, de opening 45 tegenover de steunzijde 46 en de soldeerplekken tussen de contacten 3 en de soldeerzones 47 zijn zodanig dat de matrix 14 loodrecht op de fotokathode 11 is geplaatst. Ten minste één afmeting van de rechte doorsnede van de opening 45 is groter dan de grootste 15 afmeting van de CMOS-diffusiezone 142 en de zone 141, het elektronische beeld afgegeven door de fotokathode 11 bombardeert aldus de vermenigvuldigingszone 141 via de opening 45.

De overdracht smodus van de matrix 14 op de onder-20 steuning 4 staat toe dat automatisch een nauwkeurige positionering wordt verkregen, tijdens het omsmelten van de soldeercontacten 3, door de speling van de moleculaire cohesiekrachten van het soldeer in vloeibare toestand.

De ondersteuning 4 is op voordelige wijze van 25 keramisch materiaal. Het keramische materiaal wordt gebruikt vanwege zijn elektrisch isolerende eigenschappen, luchtdichtheid, compatibiliteit met een verbindbaarheid van de zone 142 met elektrische interfaceklemmen, goede dimen-sionele stabiliteit met het silicium van de matrix 14, 30 goede thermische geleidbaarheid voor het koelen van de matrix 14.

De behuizing 25 bevat bovendien een lichaam 250 waarin de ondersteuning 4 bevestigd is. Het lichaam 250 is op voordelige wijze van keramisch materiaal, vanwege de-35 zelfde redenen als voor de ondersteuning 4. In een variant van de beschreven uitvoering vormen de ondersteuning en het lichaam 250 slechts een enkel stuk.

7

Het lichaam 250 en/of de ondersteuning 4 omvatten elektrische verbindingsklemmen 44 en 42 voor de fotokathode 11 en de matrix 14 met verbindingspennen van de behuizing 25. Aldus is ten minste één contact 3 geschikt om een 5 elektrische verbinding tot stand te brengen tussen de CMOS-diffusiezone 142 en een klem 42 van de ondersteuning 4, via een soldeerzone 47.

Vanwege de afwezigheid van draadverbindingen vormt het solderen van de contacten 3 op de soldeerzones 47 10 een mechanisch samenstel en een elektrische verbinding waar de ontgassing van de deeltjes minimaal is. Bovendien bevat de behuizing 25 geen enkel organisch product dat gevoelig is voor het losmaken van deeltjes in het onder vacuüm staande volume.

15 De behuizing 25 bevat bovendien een venster 20 en een deksel 6.

Het venster 2 0 en het deksel 6 worden op het lichaam 250 gesoldeerd om een hermetische afsluiting te garanderen die geen ontgassing produceert.

20 Bij voorkeur bevat de behuizing 25 ten minste één oppervlak 48, 49 of 60 bekleed met een getter. Elk opper vlak 48, 49 of 60 dat een getter bevat is zodanig geplaatst dat deze statisch de voortplanting van deeltjes of ionen afgegeven door het elektronenbombardement van de matrix 14 25 naar het volume 12 naar de fotokathode 11 verhindert.

Het oppervlak 48 correspondeert met het oppervlak van de ondersteuning 4 tegenover de steunzijde 46.

Het venster 20 ondersteunt de fotokathode 11. Een opneemgebied voor het venster 20 wordt aangebracht in de 30 behuizing 25. Dit bevat een metallisatie individueel verbonden met de elektrische interfaceklem 44 van de behuizing 25, waarbij de klem 44 aldus met de fotokathode 11 is verbonden. Ze is bedekt met soldeer van zeer lage temperatuur om de hermetische dichtsluiting van het venster 20 op 3 5 de behuizing 20 toe te staan zonder verslechtering van de fotokathode 11.

Het oppervlak 4 9 bekleed met een getter is ge- 8 plaatst op het oppervlak van het venster 20, met uitzondering van het deel loodrecht op de zones 141 en 142.

Het deksel 6 is bij voorkeur van keramiek en sluit een opening van de behuizing 25. Het deksel 6 is 5 geplaatst bij een uiteinde tegenover het venster 20 op de behuizing. Het bevat bovendien het oppervlak 60 opgebouwd uit een getterafzetting 60 op de binnenzijde van de behuizing 60. De getter is elektrisch verbonden met een gemetalliseerd gebied van de behuizing wat de continuïteit tot aan 10 de elektrische klem 41 van de interface garandeert. De klem 41 is uniek en verschillend van de klem 44 om het oppervlak 60 te kunnen polariseren zonder stroomcirculatie of verwarming van de getter 60.

Het feit dat het oppervlak 60 een groot oppervlak 15 op het deksel 6 bedekt staat het verbeteren van het vacuüm toe, wat niet mogelijk is met de overdracht van de matrix in de bekende behuizing.

Op voordelige wijze is een oppervlak 48, 49 of 60 bekleed met getter respectievelijk individueel verbonden 20 met een elektrische klem 43, 44 of 41.

Er is geen stroomcirculatie noch verwarming in de oppervlakken 48, 49 of 60.

Hier wordt de rol van de verbinding van de oppervlakken 48, 49 of 60 aan de respectieve klemmen 43, 44 of 25 41 uitgelegd.

In de behuizing 25 zijn de fotokathode 11 en het oppervlak 49 verbonden met een elektrische klem 44.

Het met een getter beklede oppervlak 48 is op zijn beurt verbonden met een andere unieke elektrische klem 3 0 43 en het met een getter beklede oppervlak 60 is met een andere unieke klem 41 verbonden.

Het met een getter beklede oppervlak 48 is een oppervlak van de ondersteuning 4. Zoals in Figuur 2 is getoond, is het oppervlak 48 bij voorkeur gebogen om ge-35 richt te zijn naar de kamer 12 tussen de fotokathode en de matrix 14.

Het met een getter beklede oppervlak 60 is een 9 oppervlak van het deksel 6 dat de opening van de behuizing 25 sluit.

Gedurende een waarnemingsfase van een scène door de inrichting wordt de fotokathode 11 negatief ten opzichte 5 van de matrix 14 gepolariseerd, door middel van polarisa-tiemiddelen 440. De polarisatie is, zoals gezegd, in de orde van meerdere honderden tot enkele kilovolt en staat het bombardement van elektronen op de matrix 14 toe.

Zoals getoond in Figuur 2B bevat de behuizing 25 10 middelen 410 en 430 die geschikt zijn voor het polariseren van de met getter beklede oppervlakken 48 en/of 60 voor het vormen van elektrische veldlijnen in de behuizing 25.

Aldus wordt tijdens een fase van niet waarneming van de scène het met een getter beklede oppervlak 48 en/of 15 60 negatief gepolariseerd ten opzichte van de matrix 14 en de fotokathode 11, door middel van polarisatiemiddelen 430 en 410. De matrix 14 en de fotokathode 11 hebben bijvoorbeeld een potentiaal 0.

De op de oppervlakken 48 en 60 aangelegde polari-20 satie staat een neerslag van ionen die aanwezig zijn in de behuizing 25 op de genoemde oppervlakken toe, aldus op statische wijze verhinderende dat de ionen de fotokathode 11 bereiken, de verslechtering daarvan veroorzakend.

De plaatsing van de oppervlakken 48 en 60 wordt 25 zodanig uitgevoerd dat de laatste statisch de voortplanting van ionen naar de kamer 12 verhinderen

Om deze reden bedekt het oppervlak 60 het gehele deksel 6. De zone tegenover het oppervlak 60 is bestemd om het pompen van het hoofdvolume bepaald door de bodem van de 30 behuizing te garanderen. Opgemerkt dient te worden dat een groot intern hoofdvolume het handhaven van een laag vacuüm in de behuizing bevordert, trouwens in de limiet van afme-tingbeperkingen en dichtheid van de inrichting.

Bovendien zijn het oppervlak 48 en de ondersteu-35 ning zelf gebogen. De veldlijnen komende uit het oppervlak 4 8 richten zich enerzijds naar het oppervlak 4 9 en anderzijds naar de matrix 14. De zone tegenover het oppervlak 48 10 is bestemd om een aanvullend pompen te garanderen dat zich statistisch gedraagt als een invangblokkering voor rest-ionen die kunnen komen uit de zone van het hoofdvolume, alsmede als een poolaantrekking voor al het superieure 5 volume gevangen tussen de ondersteuning 4 en het venster 20 dat de fotokathode 11 ondersteunt.

Het is niet nodig dat de polarisatie van de oppervlakken 48 en/of 60 gedurende een fase van het niet waarnemen van een scène nauwkeurig wordt gegenereerd. 10 Bovendien is ruis gesuperponeerd op de polarisatie niet hinderlijk. Tot slot is het functionele debiet quasi nul, daar deze te wijten is aan enkele invangingen van ionen wanneer deze dissociëren aan wanden, en beïnvloedt niet de autonomie van de draagbare inrichting die functioneert op 15 het opgenomen opslagelement, zoals een batterij.

Op voordelige wijze wordt gedurende een waarneem-fase het oppervlak 48 en/of het oppervlak 60 bekleed met een getter, negatief ten opzichte van de matrix 14 en/of de fotokathode 11 gepolariseerd, door middel van polarisatie-20 middelen 430 of 410. De oppervlakken 48 en 60 blijven aldus hun effect als beschermer gedurende de waarneemfase uitoefenen.

Men kan aldus het oppervlak 60 polariseren met bijvoorbeeld een waarde van -100 V ten opzichte van de 25 matrix 14.

Bij voorkeur is de absolute waarde van de potentiaal van de polarisatie van het oppervlak 48 groter dan of gelijk aan de absolute waarde van de potentiaal van de polarisatie van de fotokathode 11. Aldus voor een verschil 30 van de potentialen in de orde van -2 kV tussen de kathode 11 en de matrix 14 kan het oppervlak 48 een potentiaal van bijvoorbeeld -2,1 kV hebben.

Eveneens de voorkeur hebbend zijn de middelen 440 geschikt voor het gedurende een fase van niet waarnemen van 35 een scène door de inrichting positief ten opzichte van de matrix 14 polariseren van de fotokathode 11. De positieve polarisatie provoceert een lichte afstoting van ionen die 11 afkomstig kunnen zijn van het oppervlak van de matrix 14 tegenover de fotokathode 11. De waarde van de aanvullende polarisatie die nodig is kan klein zijn in vergelijking met die welke aangelegd is op de oppervlakken 48 en 60 en niet 5 hun functioneringswijze veranderen.

De opening van de behuizing 2 5 dient voor het inbrengen van de matrix 14 voor zijn overdracht op de ondersteuning 4, door een soldeerbewerking, die dezelfde kan zijn als die voor het afdichten van het deksel 6.

10 De volumes 7 die worden gecreëerd door het samen stel tussen enerzijds de behuizing 25 en het deksel 6 en anderzijds de behuizing 25 en het venster 20 worden gevuld door een hoogspanningsisolerende samenstelling voor het beschermen van de geleidende delen die onderworpen worden 15 aan hoogspanning. De isolerende samenstelling verstart aldus de leklijnen tot een minimum als functie van de tijd, parasitaire afzettingen en vochtigheid.

Het aantal en het oppervlak van de soldeercontac-ten 3 tussen de matrix 14 en de behuizing 25 worden niet 20 alleen gedefinieerd door het elektrisch functionele criterium maar ook op belangrijke manier door de functie van het koelen van het circuit. In dat opzicht voorziet men een inrichting van contacten rond de omtrek van de matrix 14 om een voldoend zwakke thermische weerstand te garanderen voor 25 de stroming van thermische flux en het houden van de matrix 14 in het gebied van normale functioneringstemperaturen. Met andere woorden, er zijn zoveel contacten aanwezig als elektrisch of mechanisch noodzakelijk.

Op thermisch gebied is het voordelig om de im-30 plantatie van elektronische circuits op het silicium van de matrix 14 te definiëren, en wel op zodanige manier dat de circuits die de meeste energie verbruiken - en die het meest worden verwarmd - het dichtst bij de contacten 3 1iggen.

35 De hierna volgende uiteenzetting heeft betrekking op de beschrijving van een werkwijze voor het vervaardigen van een matrix 14 omvattende een CMOS-diffusiezone 142 van 12 complementaire metaaloxide.

Twee voorbeelden van werkwijzen kunnen worden gebruikt voor het verkrijgen van de EBCMOS-matrix 14 in de vorm die compatibel is met de eerder beschreven behuizing 5 25.

Het gaat in de eerste plaats over een werkwijze die gebruik maakt van volumesilicium op isolatiemateriaal of BSOI ("Bulk Silicon On Insulator" in de Engelse taal), met, zoals men zal zien een moleculair samenstellen, een 10 implantatie van de achterzijde, een gravure van diepe verbindingsgaten en groeien van contacten (zie Figuren 3a -3f) .

In de tweede plaats gaat het over een werkwijze die gebruik maakt van BSOI met, zoals men zal zien, een 15 voorafgaande epitaxie, een moleculair samenstellen, een gravure van diepe verbindingsgaten en groeien van contacten (zie Figuren 4a - 4j) .

EERSTE WERKWIJZEVOORBEELD

20

Figuur 3a toont een stap volgens welke twee substraten W1 en W2 van silicium recht op elkaar worden geplaatst.

Figuur 3b toont dat de twee substraten W1 en W2 25 een moleculair samenstellen en een stabilisatie ondergaan.

Tijdens de stap van Figuur 3c ondergaat één van de substraten (Wl) een verdunning.

Tijdens de stap van Figuur 3d ondergaat het verdunde substraat Wl een klassieke BSOI inkisting ('cais-30 sonnage') als gevolg van oxides.

Tijdens de stap van Figuur 3e vormt men in het ingekiste substraat Wl verbindingen, transistors en gebieden 30 voor het opnemen van contacten.

De Figuren 3 a tot 3e representeren aldus op 35 schematische wijze wat de vakman een CMOS BSOI werkwijze noemt, waarin de laatste stap van Figuur 3e een aanvullende finale vlakmaking bevat tot op het laatste metaalniveau.

13

Men vormt aldus in W1 de CMOS-diffusezone 142 van complementair metaaloxide.

De stap van Figuur 3f bestaat uit het maken van een moleculair samenstel met een relaissubstraat dat het 5 substraat 143 van de ondersteuning vormt, met name de CMOS-dif fusiezone 142.

De stap van Figuur 3g bestaat uit het effectueren van een verdunning van het substraat W2 om slechts de BSOI-zone 142 over te laten en de oxidelaag op te heffen die de 10 natuurlijke bodem van de BSOI-inkisting vormt.

De stap van Figuur 3h bestaat uit het effectueren van een implantatie van de ingangslaag van de EBCMOS-matrix voor het vormen van de zone 141, en uit het effectueren van een lasergloeiing voor het activeren van de implantatie en 15 voor het daaraan geven van een goed invoegrendement voor de gebombardeerde elektronen. De lasergloeiing veroorzaakt geen merkbare verslechtering van de CMOS-zone 142 van de matrix daar de hoge temperatuur die noodzakelijk is voor de activering zeer oppervlakkig blijft.

2 0 De stap van Figuur 3i bestaat uit het laten verschijnen van het eerste metaalniveau van de geïmplanteerde opneemgebieden 30 in de EBCMOS-matrix door middel van een diepe gravure.

De stap van Figuur 3j bestaat uit het effectueren 25 van het groeien van de soldeercontacten 3 die dienen voor de overdrachtsbewerking van de matrix 14 op de ondersteuning 4 .

30 TWEEDE WERKWIJZEVOORBEELD

Figuur 4a toont een stap volgens welke een onder-steuningssubstraat W1 voor een CMOS BSOI werkwijze voorafgaand aan een epitaxie wordt onderworpen met hetzelfde 35 doteermiddel dat dient voor de elektroneningangslaag.

Figuur 4b toont een stap volgens welke een tweede siliciumsubstraat W2 recht boven het substraat W1 wordt 14 geplaatst.

Tijdens de stap van Figuur 4c ondergaan de twee substraten W1 en W2 een moleculaire samenstelling en een stabilisatie.

5 Tijdens de stap van Figuur 4d ondergaat het substraat W1 een verdunning.

Tijdens de stap van Figuur 4 e ondergaat het verdunde substraat W1 een klassieke BSOI-inkisting als gevolg van oxides.

10 De stap van Figuur 4f bestaat uit het in het ingekiste substraat W1 vormen van verbindingen, transistors en gebieden 30 voor het opnemen van contacten. Aldus wordt de zone 142 van de EBCMOS-matrix gevormd.

De Figuren 4a tot 4f representeren aldus op 15 schematische wijze wat de vakman een CMOS BSOI werkwijze noemt. De stap van Figuur 4f bevat een aanvullende finale vlakmaking tot aan het niveau van het laatste metaal. Deze stap verschaft de zone 142 een betere geleiding van vermenigvuldigde elektronen naar de verzamelzone met het oog op 20 de productie van een videosignaal.

De stap van Figuur 4g bestaat uit een moleculair samenstellen met een nieuw substraat 143 dat dient als ondersteuningssubstraat, met name voor de CMOS-diffusiezone 142 .

25 De stap van Figuur 4h bestaat uit het effectueren van een verdunning van W2 om alleen de actieve zone 142 van de matrix over te laten (met zijn aanvullende epitaxie). De verdunning maakt het tevens mogelijk de oxidelaag op te heffen die de natuurlijke bodem van de BSOI-inkisting vormt 30 en het implanteren van de ingangslaag van de EBCMOS-matrix voor het vormen van de vermenigvuldigingszone 141. Men effectueert bovendien een lasergloeiing voor het activeren van de implantatie om daaraan een goed invoegrendement voor gebombardeerde elektronen te geven. De lasergloeiing ver-35 oorzaakt geen merkbare verslechtering van de CMOS-zone 142 van de matrix, daar de hoge temperatuur die voor de activering nodig is zeer oppervlakkig blijft.

15

De stap van Figuur 4i bestaat uit het laten verschijnen van het eerste metaalniveau van de gebieden 30 voor het opnemen van geïmplanteerde interfaces in de EBCMOS-matrix door middel van een diepe gravure.

5 De stap van Figuur 4j bestaat uit het effectueren van het groeien van soldeercontacten 3 die dienen voor de overdrachtsbewerking van de matrix 14 op zijn ondersteuning 4 .

Natuurlijk zijn eveneens andere werkwijzen moge-10 lijk. Bij wijze van indicatie worden hier twee andere werkwijzen gegeven die ook gebruikt kunnen worden.

In een eerste variant gaat het om het gebruik van de CMOS SOI technologie. Deze verschilt van de BSOI technologie door het feit dat de dikte van het gedoteerde silici-15 umsubstraat W1 dat dient als basis voor het CMOS procédé wordt verkregen door regelmatige epitaxie op een substraat met geoxideerd oppervlak, en niet door een verdunning van een substraat W2 dat moleculair wordt samengesteld met een eerste substraat Wl. Als gevolg is de zone die beschikbaar 20 is voor de vermenigvuldigingszone 141 voor het EBCMOS-effect, fijner en is de onderlinge interactiecontrole van de twee zones 141 en 142 delicater.

Wanneer men de fase van het door epitaxie groeien veel langer maakt voor het verkrijgen van een diepte die 25 vergelijkbaar is met die welke normaal wordt bereikt in de BSOI werkwijze, worden de kosten hoog en is dit niet meer interessant ten opzichte van de BSOI werkwijze.

In een tweede variant effectueert men, zoals in het geval van BSOI, een aanvullende dotering gedurende het 30 begin van het groeien van de laag van het siliciumsubstraat van de CMOS werkwijze. De aanvullende dotering, uit te voeren met de smeltinrichting, vereist een toegepaste industriële werkwijze, en is moeilijk uit te voeren.

1 0 33 4 68

Claims (11)

1. Behuizing (25) bevattende een fotokathode (11) verbonden met een elektrische klem (44) , met het kenmerk, dat deze ten minste één oppervlak (4 8, 60) bevat dat bekleed is met een getter verbonden met een andere 5 unieke elektrische klem (43, 41).

2. Behuizing (25) volgens de voorgaande conclusie, bovendien bevattende: - een matrix (14) omvattende een CMOS-diffusie-zone (142) tegenover de fotokathode (11); 10. een ondersteuning (4) voor de matrix (14) ; waarbij een oppervlak (48) bekleed met een getter een oppervlak van de ondersteuning (4) is.

3. Behuizing (25) volgens de voorgaande conclusie, waarin het oppervlak (48) gebogen is om gericht te 15 zijn naar een ruimte tussen de matrix (14) en de fotokathode (11) .

4. Behuizing (25) volgens een van de voorgaande conclusies, bovendien omvattende een deksel (6) sluitende een opening van de behuizing, waarbij een oppervlak (60) 20 bekleed met een getter een oppervlak van het deksel (6) is.

5. Behuizing (25) volgens een van de voorgaande conclusies, omvattende middelen (410, 430) geschikt voor het polariseren van het oppervlak (48, 60) bekleed met een getter, voor het vormen van elektrische veldlijnen in de 25 behuizing (25).

6. Behuizing (25) volgens een van de voorgaande conclusies, omvattende middelen (44) geschikt voor het polariseren van de fotokathode (11) , voor het vormen van elektrische veldlijnen in de behuizing (25) .

7. Behuizing (25) volgens een van de conclusies 2 1033468 - 6, waarin - de matrix (14) een substraat (143) voor het ondersteunen van de CMOS-diffusiezone (142) bevat, waarbij het ondersteuningssubstraat (143) een steunzijde (1431) 5 bevat waarop de CMOS-diffusiezone (142) en ten minste één soldeercontact (3) zijn aangebracht; waarbij de ondersteuning (4) enerzijds een steunzijde (46) bevat omvattende ten minste één soldeerzone (47) en anderzijds een uitmondopening (45), waarbij de 10 soldeerzone aangebracht is op de omtrek van de opening op de steunzijde (46); - waarbij ten minste één soldeercontact (3) op een soldeerzone (47) gesoldeerd is.

8. Werkwijze voor het gebruiken van een behuizing 15 (25) bevattende een fotokathode (11) en een matrix (14) bevattende een CMOS-diffusiezone (142), waarbij de fotokathode (11) en de matrix (14) elk verbonden zijn met een elektrische klem (44, 42), waarbij ten minste één oppervlak (48, 60) bekleed met een getter verbonden is met een andere 20 unieke elektrische klem (43, 41), met het kenmerk, dat deze een stap bevat volgens welke, tijdens een fase van het niet waarnemen van een scène door de inrichting, het oppervlak (48, 60) bekleed met een getter door polarisatiemiddelen (430, 410) negatief ten opzichte van de matrix (14) en de 25 fotokathode (11) gepolariseerd wordt.

9. Werkwijze volgens de voorgaande conclusie, bovendien omvattende een stap volgens welke, tijdens een fase van het niet waarnemen van een scène door de inrichting, de fotokathode (11) door polarisatiemiddelen (44) 30 positief ten opzichte van de matrix (14) gepolariseerd wordt.

10. Werkwijze volgens een van de twee voorgaande conclusies, bovendien omvattende een stap volgens welke, tijdens een fase van waarneming, een oppervlak (48, 60) 35 bekleed met een getter door polarisatiemiddelen (430, 410) negatief ten opzichte van de matrix (14) en/of de fotokathode (11) gepolariseerd wordt.

11. Werkwijze volgens de voorgaande conclusie, waarin de absolute waarde van de polarisatiepotentiaal van een oppervlak (48) groter is dan of gelijk is aan de absolute waarde van de potentiaal van de polarisatie van de 5 fotokathode (11) . -o-o-o-o-o-o-o-o- 1033468'