NL1018403C1 - Method for cutting a composite structure with one or more electronic components using a laser. - Google Patents

Method for cutting a composite structure with one or more electronic components using a laser. Download PDF

Info

Publication number
NL1018403C1
NL1018403C1 NL1018403A NL1018403A NL1018403C1 NL 1018403 C1 NL1018403 C1 NL 1018403C1 NL 1018403 A NL1018403 A NL 1018403A NL 1018403 A NL1018403 A NL 1018403A NL 1018403 C1 NL1018403 C1 NL 1018403C1
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
composite structure
laser
cutting
measured
electronic component
Prior art date
Application number
NL1018403A
Other languages
Dutch (nl)
Inventor
Antonie Van Weelden
Sybren Yme Leijenaar
Original Assignee
Boschman Tech Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from NL1016334A external-priority patent/NL1016334C2/en
Application filed by Boschman Tech Bv filed Critical Boschman Tech Bv
Priority to NL1018403A priority Critical patent/NL1018403C1/en
Priority to PCT/NL2001/000736 priority patent/WO2002029853A2/en
Priority to AU2002211091A priority patent/AU2002211091A1/en
Application granted granted Critical
Publication of NL1018403C1 publication Critical patent/NL1018403C1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/034—Observing the temperature of the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/42—Printed circuits
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B23K2103/12—Copper or alloys thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/18—Dissimilar materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/30—Organic material
    • B23K2103/42—Plastics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68331—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding of passive members, e.g. die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

A method and device for cutting a composite structure (1) comprising one or more electronic components (3), in particular integrated circuits, the method using a laser (9), wherein during the cutting of the material of the composite structure (1), a physical quantity relating to the cutting is measured and wherein the power of the laser (9) is adjusted depending on that quantity. The invention further comprises a method for testing ICs accomodated in a composite structure.

Description

Korte aanduiding: Werkwijze voor het onder toepassing van een laser snijden van een composiet structuur met een of meer elektronische componentenShort indication: Method for cutting a composite structure with one or more electronic components using a laser

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het onder toepassing van een laser snijden van een composiet-structuur die een of meer elektronische componenten, in het bijzonder IC's, omvat.The present invention relates to a method of laser cutting a composite structure comprising one or more electronic components, in particular ICs.

5 Het snijden van materialen met behulp van een laser is alge meen bekend. Hierbij wordt door de laser materiaal verwijderd. Hierdoor ontstaan insnijdingen en kunnen ook delen van een voorwerp worden losgesneden. Vele verschillende materialen kunnen aldus worden gesneden. Bijvoorbeeld is uit US-A-6 057 180 bekend om met behulp van 10 een laser elektrische verbindingen door te snijden op een drager (wafer) met een of meer IC's. Hierbij wordt een smalle laserbundel op de elektrische verbinding gericht, waardoor materiaal van de elektrische verbinding wordt verwijderd en de elektrische verbinding wordt verbroken. Het omringende materiaal (de passiveringslaag) neemt daarbij 15 de overtollige laserenergie op, zodat het substraat van de wafer niet wordt beschadigd.The cutting of materials with the aid of a laser is generally known. Hereby material is removed by the laser. This results in incisions and parts of an object can also be cut loose. Many different materials can thus be cut. For example, from US-A-6 057 180 it is known to use a laser to cut electrical connections on a carrier (wafer) with one or more ICs. A narrow laser beam is hereby aimed at the electrical connection, whereby material is removed from the electrical connection and the electrical connection is broken. The surrounding material (the passivation layer) thereby absorbs the excess laser energy, so that the substrate of the wafer is not damaged.

Met composietstructuur wordt in de onderhavige aanvrage een structuur bedoeld die ten minste twee delen uit verschillende materialen omvat. In het bijzonder betreft de composietstructuur een dra-20 gerstrook (lead frame) met IC's die omhuld zijn met kunststof. Eventueel zijn de IC's bevestigd op een substraat. In doorsnede vertoont deze composietstructuur een laag kunststof en eventueel een of meer elkaar afwisselende lagen metaal en/of andere materialen. In het kader van de uitvinding kan een composietstructuur zowel een laminaat 25 zijn als een composiet van verschillende materialen.In the present application, a composite structure is understood to mean a structure comprising at least two parts from different materials. In particular, the composite structure relates to a carrier strip (lead frame) with ICs that are encased in plastic. Optionally, the ICs are mounted on a substrate. In cross section this composite structure has a layer of plastic and optionally one or more layers of metal and / or other materials alternating with each other. In the context of the invention, a composite structure can be both a laminate and a composite of different materials.

Een van de problemen die optreden bij het snijden van een composietstructuur, die uit verschillende materialen bestaat, is dat de uiteenlopende materialen dikwijls zeer verschillend reageren op de laserstraling. Materialen met laag smeltpunt die veel van de straling 30 opnemen en bovendien warmte slecht transporteren, zoals bijvoorbeeld sommige kunststoffen, zullen bijvoorbeeld veel sneller maar ook minder gecontroleerd te snijden zijn dan bijvoorbeeld metalen met hoog 1018403 - 2 - smeltpunt die veel laserstraling terugkaatsen en bovendien de warmte snel afvoeren. Snijden bij ongewijzigd vermogen van de laser zou een ongecontroleerd verdampen van materiaal tot gevolg kunnen hebben, hetgeen bij de vaak uiterst kleine onderdelen van IC's te allen tijde 5 vermeden dient te worden. In het bijzonder bij het snijden van inge-kapselde IC's doet zich het probleem voor dat het inkapselingsmateri-aal, dikwijls een thermohardende kunststof, een andere hoeveelheid energie vergt om te kunnen worden gesneden dan de koperen elektrische verbindingen. Wanneer met gangbare lasersnijtechnieken een dergelijk 10 ingekapseld IC wordt gesneden, zal het koper op zeer ongeregelde wijze worden doorgesneden en kan versmering optreden, waardoor elektrische contacten ongewenst met elkaar kunnen worden verbonden.One of the problems that occurs when cutting a composite structure that consists of different materials is that the different materials often react very differently to the laser radiation. Materials with a low melting point that absorb much of the radiation and, moreover, poorly transfer heat, such as, for example, some plastics, will be able to be cut much faster but also less controlled than, for example, metals with a high melting point that reflect a lot of laser radiation and, moreover, dissipate heat quickly. Cutting at unchanged power of the laser could result in uncontrolled evaporation of material, which should be avoided at all times with the often extremely small components of ICs. Particularly when cutting encapsulated ICs, the problem arises that the encapsulation material, often a thermosetting plastic, requires a different amount of energy to be cut than the copper electrical connections. When such an encapsulated IC is cut using conventional laser cutting techniques, the copper will be cut in a very uncontrolled manner and smearing can occur, whereby electrical contacts can be undesirably connected to each other.

De onderhavige uitvinding heeft ten doel om voor bovengenoemde problemen een oplossing te verschaffen en bezit daartoe als kenmerk 15 dat tijdens het snijden van het materiaal van de composietstructuur een fysische grootheid die verband houdt met het snijden wordt gemeten, en dat in afhankelijkheid van die grootheid het vermogen van de laser wordt ingesteld.The present invention has for its object to provide a solution for the above-mentioned problems and has for this purpose the feature that during the cutting of the material of the composite structure a physical quantity related to the cutting is measured, and that, depending on that quantity, power of the laser is set.

Door tijdens het snijden met de laser een dergelijke fysische 20 grootheid te meten, kan vastgesteld worden welk materiaal op dat moment wordt gesneden door de laser. Op het moment dat veranderingen in de gemeten fysische grootheid daartoe aanleiding geven, kan het vermogen van de laser worden aangepast aan het op dat moment gesneden materiaal. Op deze wijze wordt voorkomen dat de laser 'doorschiet' 25 bij een materiaalovergang en daarbij grote gaten wegsnijdt uit het onderliggende materiaal of door versmeren van metaal ongewenste elektrische verbindingen worden gemaakt.By measuring such a physical quantity during laser cutting, it can be determined which material is currently being cut by the laser. At the moment that changes in the measured physical quantity give cause for this, the power of the laser can be adjusted to the material cut at that moment. In this way it is prevented that the laser 'overshoots' at a material transition and thereby cuts away large holes from the underlying material or makes undesirable electrical connections by smearing metal.

Op zichzelf is in de stand van de techniek een werkwijze bekend voor het reinigen van schilderijen, waarbij een laser het opper-30 vlak van een verontreinigd schilderij bestraalt en tegelijkertijd het spectrum van de door het verdampte materiaal uitgezonden straling wordt gemeten. De bestraling wordt voortgezet totdat het gemeten spectrum overeenkomt met dat van bijvoorbeeld de vernislaag. Op dat moment is de te verwijderen laag verwijderd op de bestralingsplaats. 35 Het bestralen wordt vervolgens onderbroken, waarna een ander, nog niet gereinigd gedeelte van het schilderij wordt behandeld. Hierbij is geen sprake van snijden in een composietmateriaal met elektronische componenten.A method for cleaning paintings is known per se in the prior art, wherein a laser irradiates the surface of a contaminated painting and at the same time the spectrum of the radiation emitted by the evaporated material is measured. The irradiation is continued until the measured spectrum corresponds to that of, for example, the varnish layer. At that time, the layer to be removed has been removed at the irradiation site. 35 The irradiation is then interrupted, after which another, not yet cleaned part of the painting is treated. There is no question here of cutting into a composite material with electronic components.

10184Q3 - 3 -10184Q3 - 3 -

Het instellen van het vermogen van de laser kan vloeiend geschieden, indien de waarde van de fysische grootheid vloeiend verandert. In de praktijk zal echter de waarde van de fysische grootheid vaak stapsgewijs veranderen, dat wil zeggen telkens op het moment dat 5 de laser een materiaalovergang passeert. In dit geval zal het vermogen van de laser eveneens stapsgewijs worden aangepast.The power of the laser can be adjusted smoothly if the value of the physical quantity changes smoothly. In practice, however, the value of the physical quantity will often change step by step, that is to say, each time the laser passes a material transition. In this case the power of the laser will also be adjusted stepwise.

Op deze wijze is het mogelijk om in één snijbeweging op een gecontroleerde wijze door het gehele composietmateriaal te snijden. Zodra uit de gemeten fysische grootheid blijkt dat de aard van het 10 materiaal dat op dat moment wordt gesneden is veranderd, kan het vermogen van de laser direct worden aangepast aan het nieuwe materiaal. Vanzelfsprekend is de werkwijze volgens de uitvinding eveneens geschikt voor het gedeeltelijk doorsnijden van een composietstructuur met een of meer elektronische componenten. Bijvoorbeeld kunnen aldus 15 op reproduceerbare wijze bijvoorbeeld elektrische verbindingen worden doorgesneden, zonder de hele structuur door te snijden.In this way it is possible to cut through the entire composite material in one controlled movement in a controlled manner. As soon as the measured physical quantity shows that the nature of the material being cut at that moment has changed, the power of the laser can be directly adapted to the new material. The method according to the invention is of course also suitable for partially cutting through a composite structure with one or more electronic components. For example, electrical connections can thus be cut in a reproducible manner, without cutting the entire structure.

In beginsel is de te bepalen fysische grootheid niet bijzonder beperkt. Bijvoorbeeld kan de temperatuur van het materiaal nabij de snij locatie worden gemeten, zodat rekening houdend met de warmtege-20 leiding en het vermogen van de laser de soortelijke warmte van het gesneden materiaal kan worden bepaald, hetgeen een indicatie is voor de aard van het gesneden materiaal en waarmee dus een verandering van gesneden materiaal kan worden waargenomen. Ook zou bijvoorbeeld de reflectie van het laserlicht op het gesneden materiaal kunnen worden 25 bepaald, waaruit de reflectiecoëfficiënt kan worden bepaald hetgeen wederom een indicatie is voor de aard van het gesneden materiaal. Ook kan een aanvullende stralingsbron op de snij locatie worden gericht, en van de gereflecteerde straling een absorptiesterkte worden vastgesteld, waardoor een verandering van het verdampte materiaal kan wor-3 0 den waargenomen.In principle, the physical quantity to be determined is not particularly limited. For example, the temperature of the material near the cutting location can be measured, so that taking into account the heat conduction and the power of the laser the specific heat of the cut material can be determined, which is an indication of the nature of the cut material and thus a change in cut material can be observed. Also, for example, the reflection of the laser light on the cut material could be determined, from which the reflection coefficient can be determined, which in turn is an indication of the nature of the cut material. An additional radiation source can also be directed at the cutting location, and an absorption strength of the reflected radiation can be determined, as a result of which a change in the evaporated material can be observed.

Bij voorkeur omvat de fysische grootheid van de composietstructuur afkomstige straling. Deze straling is afkomstig van door het laserlicht aangeslagen atomen en/of moleculen. Uit de totale hoeveelheid uitgezonden straling kan bijvoorbeeld de temperatuur worden 35 afgeleid, hetgeen zoals boven beschreven wederom een indicatie is voor het soort materiaal dat op dat moment wordt gesneden.The physical quantity preferably comprises radiation originating from the composite structure. This radiation comes from atoms and / or molecules excited by the laser light. From the total amount of emitted radiation, for example, the temperature can be derived, which, as described above, is again an indication of the type of material being cut at that moment.

In het bijzonder wordt het spectrum van de van de composietstructuur afkomstige straling gemeten. Het spectrum van de uitgezon- 10184ü3 - 4 - den straling is specifiek voor het soort materiaal dat wordt gesneden. Het spectrum kan worden vergeleken met instelwaarden of standaardspectra en dergelijke teneinde veranderingen daarvan en dus veranderingen van te snijden materialen waar te nemen. In de praktijk 5 wordt de straling veelal uitgezonden door door de laserstraling verdampt materiaal. Spectroscopische karakterisering van dit verdampte materiaal is een directe identificatie van het gesneden materiaal, waarmee zeer veel verschillende stoffen kunnen worden herkend, omdat elke stof een karakteristiek spectrum vertoont. Bovendien is spectro-10 scopie een zeer snelle meetmethode.In particular, the spectrum of the radiation originating from the composite structure is measured. The spectrum of the emitted radiation is specific to the type of material being cut. The spectrum can be compared to set values or standard spectra and the like to observe changes thereof and thus changes in materials to be cut. In practice, the radiation is often emitted by material evaporated by the laser radiation. Spectroscopic characterization of this evaporated material is a direct identification of the cut material, with which very many different substances can be recognized, because each substance has a characteristic spectrum. Moreover, spectro-10 scopy is a very fast measurement method.

De laserstraling kan op continue wij ze worden toegevoerd aan het composietmateriaal. Dit houdt in dat gebruik gemaakt kan worden van een continue laser. De hiermee te bereiken vermogensdichtheid is echter over het algemeen te klein voor een gecontroleerd snijproces. 15 Er bestaat zo de kans dat de energie te veel wordt verspreid naar het naastgelegen materiaal. Deze kans kan weliswaar worden verkleind door het vermogen van de laser te verkleinen, maar dit heeft tot nadeel dat het gehele snijproces dan te langzaam verloopt.The laser radiation can be supplied to the composite material continuously. This means that use can be made of a continuous laser. However, the power density to be achieved with this is generally too small for a controlled cutting process. 15 There is thus a chance that the energy is spread too much to the adjacent material. Although this chance can be reduced by reducing the power of the laser, it has the disadvantage that the entire cutting process then proceeds too slowly.

Bij voorkeur wordt derhalve als laser een gepulste laser toe-20 gepast. Dit biedt de mogelijkheid om bij een hoog vermogen de toegevoerde laserenergie eenvoudig te beheersen, en dus ook de uitwerking daarvan op het te snijden composietmateriaal. Na elke puls kan het effect daarvan worden vastgesteld zonder dat in de tussentijd de laser verder snijdt.Preferably, therefore, a pulsed laser is used as the laser. This offers the possibility of easily controlling the supplied laser energy at a high power, and thus also its effect on the composite material to be cut. After each pulse the effect can be determined without the laser cutting further.

25 Het type gebruikte laser is niet bijzonder beperkt. De laser straling dient goed door de te snijden materialen, of door ten minste een van de te snijden materialen, te worden geabsorbeerd. Daarnaast dient de laser zodanig te zijn dat het vermogen kan worden ingesteld, liefst in een zo groot mogelijk bereik. Gepulste lasers bieden hier 30 voordelen, omdat het vermogen van de laser kan worden gewijzigd zowel door de energie per puls te veranderen als ook door de tijd tussen twee pulsen te veranderen.The type of laser used is not particularly limited. The laser radiation must be well absorbed by the materials to be cut, or by at least one of the materials to be cut. In addition, the laser must be such that the power can be adjusted, preferably in the widest possible range. Pulsed lasers offer 30 advantages here, because the power of the laser can be changed both by changing the energy per pulse and also by changing the time between two pulses.

Met voordeel is de golflengte van de gebruikte laser kleiner dan 400 nm. In de praktijk blijkt de kleinste bruikbare brandpuntdia-35 meter van een laserbundel gelijk te zijn aan tweemaal de gebruikte golflengte. Afhankelijk van de afmetingen van de kleinste te bewerken onderdelen biedt een laser met een korte golflengte de meeste mogelijkheden.The wavelength of the laser used is advantageously smaller than 400 nm. In practice, the smallest usable focal length slide of 35 meters of a laser beam appears to be twice the wavelength used. Depending on the dimensions of the smallest parts to be machined, a laser with a short wavelength offers the most possibilities.

101 84 03 4 - 5 -101 84 03 4 - 5 -

De uitvinding verschaft voorts een inrichting voor het snijden van een composietstructuur, die een of meer elektronische componenten, in het bijzonder IC's, omvat, tenminste omvattende een laser, 5 - regelmiddelen voor het regelen van het vermogen van de laser, ondersteuningsmiddelen voor de composietstructuur, transportmiddelen om de composietstructuur en de laser ten opzichte van elkaar te verplaatsen, welke inrichting wordt gekenmerkt doordat deze tevens meetmiddelen 10 omvat voor het tijdens het snijden van het materiaal van de composietstructuur meten van een fysische grootheid die verband houdt met het snijden.The invention further provides a device for cutting a composite structure, which comprises one or more electronic components, in particular ICs, at least comprising a laser, control means for controlling the power of the laser, support means for the composite structure, transport means for displacing the composite structure and the laser relative to each other, which device is characterized in that it also comprises measuring means for measuring a physical quantity associated with the cutting during the cutting of the material of the composite structure.

Met behulp van deze inrichting kan een dergelijke composietstructuur worden gesneden. Daartoe wordt de composietstructuur met 15 behulp van de ondersteuningsmiddelen ondersteund en worden de composietstructuur en de laser ten opzichte van elkaar zodanig verplaatst dat de laser de gewenste snijlijnen kan aanbrengen. De ondersteuningsmiddelen zijn bij voorkeur een ondersteuningsmal, al dan niet voorzien van vacuümaanzuigmiddelen, of een dragerfolie, die bij voor-20 keur een klevende dragerfolie is. Een dergelijke dragerfolie kan opgespannen zijn, bijvoorbeeld tussen twee rollen of klemmen. De meetmiddelen meten tijdens het snijden van het materiaal van de composietstructuur een fysische grootheid die verband houdt met het snijden. Aan de hand van de gemeten waarde van die grootheid kan het ver-25 mogen van de laser'worden aangepast.Such a composite structure can be cut using this device. To that end, the composite structure is supported with the aid of the supporting means and the composite structure and the laser are displaced relative to each other such that the laser can provide the desired cutting lines. The supporting means are preferably a supporting mold, whether or not provided with vacuum suction means, or a carrier foil, which is preferably an adhesive carrier foil. Such a carrier foil can be tensioned, for example between two rollers or clamps. During the cutting of the material of the composite structure, the measuring means measure a physical quantity associated with the cutting. The power of the laser can be adjusted on the basis of the measured value of that quantity.

In een bijzondere uitvoeringsvorm van de inrichting volgens de uitvinding omvatten de meetmiddelen middelen voor het meten van een deel van het spectrum van van de composietstructuur afkomstige straling. Bijvoorbeeld kunnen in de nabijheid van de snij locatie licht-30 gevoelige elementen, bijvoorbeeld een stel fotodioden, of lichtgelei-dende elementen, bijvoorbeeld optische vezels, zijn opgesteld. Deze lichtgevoelige of lichtgeleidende elementen zijn dan bijvoorbeeld verbonden met een spectroscoop voor het meten van het deel van het spectrum. Zo kan bijvoorbeeld het hele zichtbare spectrum worden ge-35 meten, maar ook bijvoorbeeld slechts een of enkele stralingspieken die kenmerkend zijn voor het te bewerken materiaal.In a special embodiment of the device according to the invention, the measuring means comprise means for measuring a part of the spectrum of radiation originating from the composite structure. For example, light-sensitive elements, for example a set of photodiodes, or light-conducting elements, for example optical fibers, may be arranged in the vicinity of the cutting location. These light-sensitive or light-conducting elements are then, for example, connected to a spectroscope for measuring the part of the spectrum. For example, the entire visible spectrum can be measured, but also, for example, only one or a few radiation peaks that are characteristic of the material to be processed.

Hoewel zoals boven beschreven het vermogen van de laser met de hand kan worden aangepast in afhankelijkheid van de waarde van de 1018403 - 6- fysische grootheid, verdient het de voorkeur wanneer de regelmiddelen voor regelen van het vermogen van de laser zijn gekoppeld met de meetmiddelen. Hierdoor kan eenvoudig de snijbewerking worden geautomatiseerd en is een betrouwbare en snelle regeling van het vermogen 5 van de laser mogelijk. Hiertoe kan bijvoorbeeld een besturingssamen-stel aanwezig zijn, dat is ingericht om de betreffende middelen te besturen. Een dergelijk besturingssamenstel kan een gegevensverwer-kingseenheid, zoals een computer of dergelijke omvatten teneinde een en ander op geschikte wijze te besturen.Although, as described above, the power of the laser can be manually adjusted depending on the value of the physical quantity, it is preferable if the control means for controlling the power of the laser are coupled to the measuring means. The cutting operation can hereby be easily automated and a reliable and rapid control of the power of the laser is possible. For this purpose, for example, a control assembly may be present, which is adapted to control the relevant means. Such a control assembly may comprise a data processing unit, such as a computer or the like, in order to control all this in a suitable manner.

10 Voorts verschaft de uitvinding een composietstructuur, die een of meer elektronische componenten, in het bijzonder IC's, omvat, die kan worden verkregen met een werkwijze volgens de uitvinding. In het bijzonder betreft het hier met behulp van een werkwijze volgens de uitvinding gesneden omhulde elektronische componenten, zoals IC's.The invention further provides a composite structure, which comprises one or more electronic components, in particular ICs, that can be obtained with a method according to the invention. This relates in particular to encapsulated electronic components, such as ICs, cut using a method according to the invention.

15 Deze vertonen zeer gave snijvlakken zonder versmering van metaal.These have very cool cutting surfaces without smearing metal.

Tot slot verschaft de uitvinding een werkwijze voor het doormeten van in een composietstructuur opgenomen elektronische componenten, omvattende de volgende stappen verschaffen van een composietstructuur, omvattende een leadframe, 20 waarop ten minste een elektronische component is aangebracht, en ten minste twee contactvlakjes die elk elektrisch zijn verbonden met een elektronische component en met ten minste een ander con-tactvlakje, waarbij het leadframe, de ten minste ene elektronische component en de contactvlakjes tenminste gedeeltelijk zijn 25 omhuld met omhullingskunststof; doorsnijden van de elektrische verbindingen tussen de bij ten minste een elektronische component behorende contactvlakjes en de andere contactvlakj es; en doormeten van de aldus elektrisch geïsoleerde elektronische com-3 0 ponent.Finally, the invention provides a method for measuring electronic components incorporated in a composite structure, comprising the following steps of providing a composite structure, comprising a lead frame, on which at least one electronic component is arranged, and at least two contact pads which are each electrically connected to an electronic component and to at least one other contact pad, wherein the lead frame, the at least one electronic component and the contact pads are at least partially encased in envelope plastic; severing the electrical connections between the contact pads associated with at least one electronic component and the other contact pads; and measuring the thus electrically isolated electronic component.

Deze werkwijze heeft als belangrijk voordeel dat bij het doormeten gebruik gemaakt kan worden van de mechanische sterkte van de omhullingskunststof. Hierbij is het niet nodig om voorafgaand aan het doormeten de elektrische verbindingen tussen de contactvlakjes onder-35 ling te verbreken.This method has the important advantage that use can be made of the mechanical strength of the envelope plastic for the purpose of measuring. In this case, it is not necessary to disconnect the electrical connections between the contact pads prior to measuring.

Met doorsnijden wordt hier bedoeld het op enigerlei wijze verwijderen van materiaal, zodanig dat een elektrische verbinding wordt J0184ü3 - 7 - verbroken. Dit kan snijden in enge zin betreffen, maar ook zagen, slijpen enz.By cutting here is meant the removal of material in any way such that an electrical connection is broken. This may concern cutting in the narrow sense, but also sawing, grinding, etc.

In de stand van de techniek worden ofwel deze elektrische verbindingen tussen de contactvlakjes verbroken voorafgaande aan het 5 omhullen van de component, ofwel worden deze verbindingen niet van te voren verbroken, doch worden de elektronische componenten eerst uit de composietstructuur gesneden vooraleer ze doorgemeten worden. De eerste werkwijze heeft het nadeel van een geringe sterkte van het leadframe met verbroken verbindingen tussen de contactvlakjes. Hier-10 door kan snel vervorming van het leadframe optreden, met kans op meetfouten. De tweede werkwijze heeft het nadeel dat elke losgesneden component afzonderlijk doorgemeten moet worden. Vooral bij grote aantallen elektronische componenten per leadframe is dit zeer bewerkelijk. De werkwijze volgens de uitvinding combineert daarentegen de 15 voordelen van beide werkwijzen zonder de nadelen ervan. Vanzelfsprekend is het ook mogelijk om meer dan een elektronische component in een composietstructuur gelijktijdig door te meten. Hiertoe dient elk van de contactvlakjes van de door te meten componenten elektrisch geïsoleerd te zijn van de andere contactvlakjes.In the state of the art, either these electrical connections are broken between the contact pads prior to encapsulating the component, or these connections are not broken in advance, but the electronic components are first cut from the composite structure before being measured. The first method has the disadvantage of a low strength of the lead frame with broken connections between the contact pads. As a result, distortion of the lead frame can occur quickly, with the risk of measurement errors. The second method has the disadvantage that each cut-away component must be measured separately. This is very laborious, especially with large numbers of electronic components per lead frame. The method according to the invention, on the other hand, combines the advantages of both methods without the disadvantages thereof. It is of course also possible to simultaneously measure more than one electronic component in a composite structure. For this purpose, each of the contact pads of the components to be measured must be electrically insulated from the other contact pads.

20 Opgemerkt wordt hier, dat contactvlakjes in een leadframe in principe alle met elkaar verbonden zijn. Het zijn in feite uitsteeksels aan het metalen leadframe. Vaak zijn ze aanwezig in groepjes van twee. In elk geval komt het doorsnijden van de elektrische verbindingen tussen elk van de bij een elektronische component horende con-25 tactvlakjes met andere contactvlakjes neer op het doorsnijden van de elektrische verbinding tussen de contactvlakjes en het leadframe. Aldus worden de contactvlakjes automatisch elektrisch geïsoleerd van de andere contactvlakjes.It is noted here that contact pads in a lead frame are in principle all connected to each other. They are in fact protrusions on the metal lead frame. They are often present in groups of two. In any case, the cutting of the electrical connections between each of the contact pads associated with an electronic component with other contact pads amounts to the cutting of the electrical connection between the contact pads and the lead frame. Thus, the contact pads are automatically electrically insulated from the other contact pads.

In een voorkeursuitvoeringsvorm van deze werkwijze omvat deze 30 voorts de stappen kenmerken van de doorgemeten elektronische component, afhankelijk van het resultaat van het doormeten; en lossnijden uit de composietstructuur van de doorgemeten en gekenmerkte elektronische component.In a preferred embodiment of this method, it further comprises the steps of characterizing the measured electronic component, depending on the result of the measuring; and cutting loose from the composite structure of the measured and labeled electronic component.

35 Bijvoorbeeld kan de kunststof van de een of meer goed bevonden elektrische componenten worden gekenmerkt met een andere code dan die van niet goed bevonden elektronische componenten. Dit kan onder andere geschieden met een kleurmerk, een insnijding, maar ook door ont- 1018403 ' - 8 - houden van de coördinaten van die componenten. Aldus wordt een latere correcte selectie sterk vereenvoudigd.For example, the plastic of one or more approved electrical components can be characterized with a different code than that of incorrectly approved electronic components. This can be done with, among other things, a color mark, an incision, but also by keeping the coordinates of those components. Thus a later correct selection is greatly simplified.

Met voordeel omvat de werkwijze voorts de stappen bevestigen van de composietstructuur aan een zijde daarvan op on-5 dersteuningsmiddelen; en mechanisch ontkoppelen van de elektrisch geïsoleerde elektronische component van de composietstructuur.Advantageously, the method further comprises the steps of fixing the composite structure on one side thereof to support means; and mechanically disconnecting the electrically insulated electronic component from the composite structure.

Dit biedt het voordeel dat reeds afzonderlijke elektronische componenten worden verkregen, die echter nog als een geheel kunnen 10 worden behandeld, doordat deze bijeen worden gehouden met behulp van de ondersteuningsmiddelen aan een zijde van de composietstructuur.This offers the advantage that individual electronic components are already obtained, which, however, can still be treated as a whole, in that they are held together by means of the supporting means on one side of the composite structure.

Met voordeel zijn de ondersteuningsmiddelen gekozen uit een dragerfolie, een ondersteuningsmal, een ondersteuningsmal met vacuümaanzuigmiddelen, of een combinatie daarvan. Dit biedt bijvoor-15 beeld de mogelijkheid om het resultaat van het doormeten aan te brengen op de dragerfolie, bijvoorbeeld door een kleurmerk aan te brengen op de dragerfolie ter hoogte van een goedgekeurde component. Voorts kunnen de een of meer mechanisch en elektrisch geïsoleerde componenten toch nog als een geheel worden behandeld en verplaatst, door uit-20 nemen van de dragerfolie en/of de ondersteuningsmal, met daarop bevestigd de elektronische componenten.The support means are advantageously selected from a carrier film, a support mold, a support mold with vacuum suction means, or a combination thereof. This offers, for example, the possibility of applying the result of the measurement to the carrier film, for example by applying a color mark to the carrier film at the level of an approved component. Furthermore, the one or more mechanically and electrically insulated components can still be treated and moved as a whole, by removing the carrier foil and / or the supporting mold, with the electronic components mounted thereon.

De dragerfolie kan elke geschikte kleeffolie omvatten. Het begrip folie dient in dit verband ruim te worden opgevat, en omvat tevens een dunne laag van een materiaal met een zekere starheid, welke 25 laag is voorzien van een kleefmiddel. De ondersteuningsmal kan een plaat zijn met in hoofdzaak de vorm en afmetingen van de composietstructuur, of iets groter. De mal kan zijn voorzien van gaatjes of kanalen. Via deze gaatjes of kanalen kan een luchtafzuiging worden aangesloten, die de composietstructuur, eventueel voorzien van een 30 dragerfolie, tegen de ondersteuningsmal kan aanzuigen.The carrier film can comprise any suitable adhesive film. The term foil is to be understood in this context in a broad sense, and also comprises a thin layer of a material with a certain rigidity, which layer is provided with an adhesive. The support template can be a plate with substantially the shape and dimensions of the composite structure, or slightly larger. The mold can be provided with holes or channels. An air suction can be connected via these holes or channels, which can suck the composite structure, optionally provided with a carrier foil, against the supporting mold.

Met voordeel hebben de stap van het doorsnijden van de elektrische verbindingen en de stap van het mechanisch ontkoppelen in één bewerking plaats. Dit heeft als voordeel dat slechts een scheidbewer-king nodig is, waardoor risico's van verschuiven van componenten tus-35 sen meerdere snijd- en scheidbewerkingen uitgesloten worden, en tevens een betere kwaliteit van de scheidingsvlakken mogelijk is.Advantageously, the step of cutting the electrical connections and the step of mechanical disconnection take place in one operation. This has the advantage that only a separating operation is required, whereby risks of displacement of components between several cutting and separating operations are excluded, and a better quality of the separating surfaces is also possible.

Bij voorkeur geschiedt de stap van het doorsnijden van de elektrische verbindingen onder toepassing van een laser.The step of cutting through the electrical connections is preferably carried out using a laser.

1018403 1 - 9-1018403 1 - 9-

Zoals hierboven reeds beschreven, is met een dergelijke werkwijze een zeer goede kwaliteit van snijvlakken mogelijk, zonder kans op versmeren van metaal. De laser kan op velerlei wijze worden toegepast. Zo is het mogelijk om voorafgaand aan de productie tests te 5 doen om het juiste vermogen van de laser te bepalen. Hierdoor is geen verdere randapparatuur nodig ter besturing van de laser in het productieproces .As already described above, with such a method a very good quality of cutting surfaces is possible, without the risk of smearing metal. The laser can be used in many ways. For example, it is possible to do tests prior to production to determine the correct power of the laser. As a result, no further peripheral equipment is needed to control the laser in the production process.

Ook is het mogelijk om de laser als het ware getrapt te laten werken. Dat kan bijvoorbeeld met een gepulste laser of door de laser 10 al continu stralend een aantal malen over het te snijden gebied te laten lopen.It is also possible to have the laser work as it were, stepped. This can be done, for example, with a pulsed laser or by having the laser 10 run continuously over the area to be cut, while beaming.

Bij voorkeur wordt echter tijdens het doorsnijden een fysische grootheid die verband houdt met het snijden gemeten en wordt in afhankelijkheid van die grootheid het vermogen van de laser ingesteld. 15 Dit biedt het voordeel dat geen aparte tests nodig zijn en dat er bij eventueel verschoven contactvlakjes toch correct gesneden kan worden. Dit waarborgt een flexibeler snijproces. Een en ander is hierboven reeds uitvoering toegelicht.Preferably, however, during cutting, a physical quantity associated with the cutting is measured and the power of the laser is adjusted in dependence on that quantity. This offers the advantage that no separate tests are required and that it is still possible to cut correctly with any contact surfaces that have shifted. This guarantees a more flexible cutting process. All this has already been explained above in detail.

Met voordeel omvat de fysische grootheid van de composietstruc-20 tuur en/of de dragerfolie afkomstige straling. Bij voorkeur wordt het spectrum van de straling gemeten. De straling van de composietstruc-tuur omvat hier ten minste straling van de contactvlakjes en tevens straling van hetzij de omhullingskunststof, hetzij het substraat, of combinaties daarvan, zij het niet noodzakelijkerwijs tegelijkertijd. 25 De voordelen van deze uitvoeringsvormen zijn hierboven reeds uiteengezet .The physical quantity of the composite structure and / or the carrier film advantageously comprises radiation. The spectrum of the radiation is preferably measured. The radiation of the composite structure here comprises at least radiation from the contact surfaces and also radiation from either the envelope plastic or the substrate, or combinations thereof, albeit not necessarily simultaneously. The advantages of these embodiments have already been explained above.

Bij de uitvoeringsvorm waarbij het elektrisch scheiden en het mechanisch ontkoppelen in één bewerking plaatsheeft kan een nog betere kwaliteit worden gewaarborgd. Niettemin zijn ook andere werk-30 wijze voor het scheiden en/of mechanisch ontkoppelen mogelijk. Hierbij kan gedacht worden aan zagen door middel van een snel roterend zaagblad. Bij voorkeur wordt deze laatste werkwijze echter alleen toegepast voor het mechanisch ontkoppelen. Immers, hier zijn de elektrische verbindingen reeds verbroken, bij voorkeur met een lasersnij-35 bewerking, zodat geen verder risico van versmeren van metaal bestaat.In the embodiment in which the electrical separation and the mechanical disconnection take place in one operation, an even better quality can be guaranteed. Nevertheless, other methods for separating and / or mechanically disconnecting are also possible. Think of cutting by means of a fast rotating saw blade. Preferably, however, the latter method is only used for mechanical disconnection. After all, here the electrical connections have already been broken, preferably with a laser cutting operation, so that there is no further risk of smearing metal.

De uitvinding zal hierna nader worden toegelicht onder verwijzing naar de bijgaande tekening; daarin toont: 1 o 1 8403 < - ιοί iguur 1 in doorsnede een schematische snijbewerking op een com-posietstructuur met behulp van een inrichting volgens de uitvinding ; en figuur 2 in doorsnede een andere uitvoeringsvorm van een snijbe-5 werking volgens de uitvinding.The invention will be explained in more detail below with reference to the accompanying drawing; therein: Fig. 1 shows 1 8403 in cross-section a schematic cutting operation on a composite structure with the aid of a device according to the invention; and figure 2 shows in cross section another embodiment of a cutting operation according to the invention.

De onderlinge verhoudingen in de tekening zijn niet correct weergegeven. In het bijzonder is, duidelijkheidshalve, de composiet-structuur vergroot weergegeven.The mutual relationships in the drawing are not shown correctly. In particular, for the sake of clarity, the composite structure is shown enlarged.

In figuur 1 is met 1 een composietstructuur aangeduid. Deze om-10 vat een substraat 2, hier een kunststofmateriaal, waarop op een aantal verhogingen 2' een aantal IC's 3 zijn aangebracht. De elektrische aansluitingen van de IC's 3 zijn verbonden met contactvlakjes 4 door middel van metaaldraadjes 5. De IC's 3 zijn omhuld met een omhul-lingskunststof 6. De verhogingen 2' en/of contactvlakjes 4 kunnen aan 15 de onderzijde zijn voorzien van uitsparingen 7, die eveneens met om-hullingskunststof 6 zijn gevuld en dienen als verankering voor het omhul1ingsmateriaal. Voorts zijn met streep-punt-lijnen 8 snijlijnen aangegeven waarlangs de verschillende ingekapselde IC's 3 van elkaar dienen te worden gescheiden.In Figure 1, 1 denotes a composite structure. This comprises a substrate 2, here a plastic material, on which a number of ICs 3 are arranged on a number of elevations 2 '. The electrical connections of the ICs 3 are connected to contact pads 4 by means of metal wires 5. The ICs 3 are encased in a plastic casing 6. The elevations 2 'and / or contact pads 4 can be provided with recesses 7 on the underside which are also filled with casing plastic 6 and serve as anchoring for the casing material. Furthermore, dash-dot lines 8 indicate cutting lines along which the different encapsulated ICs 3 are to be separated from each other.

20 Met 9 is een laser aangeduid die een laserstraal 10 uitzendt.Reference numeral 9 denotes a laser which emits a laser beam 10.

Met 11 is een besturingssamenstel voor regelen van het vermogen van de laser 9 aangeduid.Reference numeral 11 designates a control assembly for controlling the power of the laser 9.

12 is een wolkje verdampt materiaal dat in alle richtingen straling 13 uitzendt. Deze straling 13 kan worden opgevangen met be-25 hulp van lichtgevoelig element 14 dat in verbinding staat met een spectroscoop 15. De spectroscoop 15 is gekoppeld met het besturingssamenstel 11.12 is a cloud of evaporated material that emits radiation 13 in all directions. This radiation 13 can be collected with the aid of light-sensitive element 14 which is connected to a spectroscope 15. The spectroscope 15 is coupled to the control assembly 11.

De composietstructuur 1 wordt in figuur 1 gesneden met behulp van de laserstraal 10. Het beoogde snijvlak omvat een vlak door sni j -30 lijn 8. Op deze wijze moet de laserstraal 10, van bovenaf gezien, eerst door een laag omhullingsmateriaal 6, bijvoorbeeld een thermo-hardende hars, vervolgens door het materiaal van de contactvlakjes 4, bijvoorbeeld koper, en vervolgens door een laag substraat 2, bijvoorbeeld het kunststofmateriaal. Dit kan overigens ook bijvoorbeeld een 35 keramisch materiaal zijn. Het voor deze materialen benodigde vermogen van de laser kan zeer verschillend zijn. Derhalve dient het vermogen van de laser 9 te worden aangepast, zodra met behulp van de meetmiddelen 14 en 15 een materiaalovergang wordt vastgesteld.The composite structure 1 is cut in figure 1 with the aid of the laser beam 10. The intended cutting surface comprises a plane through cut-line 8. In this way the laser beam 10, viewed from above, must first pass through a layer of wrapping material 6, e.g. thermosetting resin, then through the material of the contact pads 4, for example copper, and then through a layer of substrate 2, for example the plastic material. Incidentally, this can also be, for example, a ceramic material. The power of the laser required for these materials can be very different. The power of the laser 9 must therefore be adjusted as soon as a material transition is determined with the aid of the measuring means 14 and 15.

101 β'03 ’ -11-101 β'03 ’-11-

In de composietstructuur 1 vormen de contactvlakjes 4 geen ononderbroken vlak. De contactvlakjes 4 worden afgewisseld door gedeelten waar slechts omhullingsmateriaal 6 aanwezig is op het substraat 2. Overigens zijn de contactvlakjes 4 vaak zeer dun, bijvoor-5 beeld enkele micrometers. In dat geval zijn deze onderaan niet voorzien van uitsparingen 7. Ook is het mogelijk dat een gedeelte van het substraat zodanig is bewerkt, bijvoorbeeld door etsen, dat dit aan twee.zijden is omgeven door omhullingsmateriaal. In deze gevallen zal de snijbewerking dus anders verlopen dan tijdens het snijden van de 10 eerstgenoemde gedeelten van de composietstructuur 1, doordat eerst omhullingsmateriaal, vervolgens materiaal van contactvlakjes en/of het substraat, en vervolgens weer omhullingsmateriaal wordt gesneden. Dit heeft voornamelijk betrekking op die gedeelten van de contactvlakjes waar zich uitsparingen bevinden. Vanzelfsprekend dient een 15 gedeelte van de contactvlakjes vrij te blijven van omhullingsmateriaal om latere elektrische verbindingen mogelijk te maken.In the composite structure 1, the contact surfaces 4 do not form a continuous surface. The contact pads 4 are alternated with portions where only wrapping material 6 is present on the substrate 2. Incidentally, the contact pads 4 are often very thin, for example a few micrometers. In that case, these are not provided with recesses 7 at the bottom. It is also possible that a part of the substrate has been processed such, for example by etching, that it is surrounded on two sides by envelope material. In these cases, the cutting operation will therefore proceed differently than during the cutting of the first-mentioned parts of the composite structure 1, in that first wrapping material, then material of contact pads and / or the substrate, and then wrapping material are cut again. This mainly relates to those parts of the contact surfaces where there are recesses. Of course, a portion of the contact pads must remain free of enclosure material to allow subsequent electrical connections.

Een mogelijk geschikt type laser in dit verband is een zogenaamde excimer laser. Deze geeft gepulste laserstraling af, veelal in het ultraviolet gebied, met een golflengte van korter dan 400 nm. Het 20 zijn veelal krachtige lasers waarbij de afgegeven golflengte door vele verschillende materialen goed wordt geabsorbeerd. Uiteraard is de laser niet beperkt tot de excimer laser. Ook andere typen, zoals bijvoorbeeld een Yag-laser, zouden geschikt kunnen zijn voor toepassing in een inrichting volgens de uitvinding.A possible suitable type of laser in this connection is a so-called excimer laser. This emits pulsed laser radiation, often in the ultraviolet region, with a wavelength of less than 400 nm. They are often powerful lasers in which the wavelength emitted is well absorbed by many different materials. The laser is of course not limited to the excimer laser. Other types, such as for example a Yag laser, could also be suitable for use in a device according to the invention.

25 Figuur 2 toont een andere uitvoeringsvorm van een snijbewerking volgens de uitvinding. Overeenkomstige onderdelen zijn aangeduid met overeenkomstige verwijzingscijfers. In deze composietstructuur 1 zijn IC' s 3 omhuld met een omhullingskunststof 6. Het substraat 2 is hier een leadframe. Het leadframe kan elk in de stand van de techniek be-30 kend leadframe zijn. Hier is het bijvoorbeeld een koperen leadframe. Met 16 is een dragerfolie aangeduid, die is gehecht op de composietstructuur 1.Figure 2 shows another embodiment of a cutting operation according to the invention. Corresponding components are indicated with corresponding reference numerals. In this composite structure 1, ICs 3 are covered with a covering plastic 6. The substrate 2 here is a lead frame. The lead frame can be any lead frame known in the art. Here, for example, it is a copper lead frame. Reference numeral 16 denotes a carrier foil which is adhered to the composite structure 1.

In de hier getoonde uitvoeringsvorm is de leadframe-zijde van de composietstructuur naar de laser toegericht. De composietstruc-3 5 tuur 1 wordt gesneden met behulp van de laserstraal 10. Het beoogde snijvlak omvat een vlak door snijlijn 8. Op deze wijze moet de laserstraal 10, van bovenaf gezien, eerst door het materiaal van de contactvlakjes 4, in dit geval koper, en vervolgens door een laag omhul- 1018403 -12- lingsmateriaal 6, bijvoorbeeld een thermohardende hars. Tot slot is het mogelijk om ook door de dragerfolie 16 te snijden. Dit laatste is evenwel niet nodig, en de mechanisch en elektrisch ontkoppelde omhulde IC's 3 kunnen ook op andere wijze van de dragerfolie worden 5 verwijderd. Dit laatste kan bijvoorbeeld geschieden door afpellen van de dragerfolie 16, of op andere wijze verbreken van de verbinding tussen dragerfolie 16 en composietstructuur 1.In the embodiment shown here, the lead frame side of the composite structure faces the laser. The composite structure 1 is cut by means of the laser beam 10. The intended cutting surface comprises a plane through the cutting line 8. In this way, the laser beam 10, viewed from above, must first pass through the material of the contact surfaces 4, in this case copper, and then through a layer of encapsulating material 6, for example, a thermosetting resin. Finally, it is also possible to cut through the carrier foil 16. However, the latter is not necessary, and the mechanically and electrically disconnected encapsulated ICs 3 can also be removed from the carrier film 5 in a different manner. The latter can be done, for example, by peeling off the carrier foil 16, or otherwise breaking the connection between carrier foil 16 and composite structure 1.

De uitgevoerde snijbewerking kan velerlei zijn. Zo kan de hele composietstructuur 1 door snijden worden verdeeld in afzonderlijke 10 ingekapselde elektronische componenten. Daartoe dient de laserstraal 10 door de gehele composietstructuur 1 te snijden. Dit vormt meestal de laatste stap in het vervaardigingsproces.The cutting operation performed can be many. Thus, the entire composite structure 1 can be divided by cutting into separate encapsulated electronic components. To this end, the laser beam 10 must cut through the entire composite structure 1. This is usually the final step in the manufacturing process.

Ook is het mogelijk om de sni jbewerking te onderbreken voordat de gehele composietstructuur 1 is doorgesneden. Dit is bijvoorbeeld 15 gewenst indien de elektronische componenten 3 als samenstel moeten worden doorgemeten. Daartoe dienen de elektrische verbindingen tussen bijvoorbeeld de contactvlakken 4 te worden verbroken, zonder dat de onderlinge mechanische samenhang en positie van de elektronische componenten 3 verloren gaat. De snijbewerking moet dan ten minste door 20 de volledige contactvlakken 4 gaan, zonder dat het substraat 2 en/of het omhullingsmateriaal 6, of eventueel de dragerfolie 16, geheel wordt doorgesneden. Met behulp van een inrichting volgens de uitvinding is dit eenvoudig te bewerkstelligen door te stoppen met snijden zodra het gemeten spectrum overeenkomt met dat van het substraat, het 25 omhullingsmateriaal 6 of eventueel de dragerfolie 16.It is also possible to interrupt the cutting operation before the entire composite structure 1 has been cut. This is, for example, desirable if the electronic components 3 are to be measured as an assembly. To this end, the electrical connections between, for example, the contact surfaces 4 must be broken, without the mutual mechanical cohesion and position of the electronic components 3 being lost. The cutting operation must then at least go through the entire contact surfaces 4, without the substrate 2 and / or the wrapping material 6, or possibly the carrier film 16, being completely cut. With the aid of a device according to the invention this can easily be achieved by stopping cutting as soon as the measured spectrum corresponds to that of the substrate, the wrapping material 6 or optionally the carrier foil 16.

De op deze wijze elektrisch van elkaar geïsoleerde elektronische componenten 3 kunnen vervolgens worden doorgemeten. Afhankelijk van het resultaat van het doormeten kunnen de elektronische componenten 3 worden gekenmerkt. Vervolgens kunnen de elektronische componen-3 0 ten 3 die niet voldoen aan de test worden gescheiden van de elektronische componenten 3 die wel voldoen aan de test.The electronic components 3, which are electrically isolated from each other in this way, can then be measured. Depending on the result of the measurement, the electronic components 3 can be characterized. Subsequently, the electronic components 3 that do not pass the test can be separated from the electronic components 3 that do pass the test.

Dit scheiden kan bijvoorbeeld plaatsvinden door de coördinaten van de goedbevonden elektronische componenten 3 te onthouden en de slecht bevonden elektronische componenten 3 met behulp van een vol-35 gende laserbewerking uit te snijden. Hierbij wordt dan het substraat 2 en/of het omhullingsmateriaal 6 zodanig doorgesneden, bijvoorbeeld met de laser, dat de bijbehorende elektronische component 3 uit de composietstructuur 1 wordt verwijderd.This separation can be effected, for example, by remembering the coordinates of the well-found electronic components 3 and cutting out the badly found electronic components 3 by means of a subsequent laser processing. The substrate 2 and / or the wrapping material 6 is then cut in such a way, for example with the laser, that the associated electronic component 3 is removed from the composite structure 1.

1 01 8403 i - 13-1 01 8403 i - 13-

Het is, zoals beschreven, ook mogelijk om een aparte dragerfo-lie aan te brengen op het substraat 2, of, bijvoorbeeld, op het om-hullingsmateriaal 6, en de verschillende elektronische componenten 3 in één snijbewerking mechanisch te ontkoppelen ten opzichte van el-5 kaar. Dat wil zeggen, de insnijdingen met de laserstraal 10 zijn in dat geval zo diep dat alle lagen van de composietstructuur 1 worden doorgesneden, waarbij de mechanische samenhang van de dragerfolie 16 echter intact blijft. In feite neemt de dragerfolie nu de bovenbeschreven functie van het substraat, bijvoorbeeld leadframe, over. De 10 kwaliteit van de snedes kan op deze wijze echter verder worden verbeterd omdat deze in één beweging worden gemaakt. Het risico van tussentijdse verschuiving en daardoor mogelijk beschadigde elektronische componenten 3 wordt hierdoor verkleind.As described, it is also possible to apply a separate carrier film to the substrate 2, or, for example, to the envelope material 6, and to mechanically disconnect the various electronic components 3 in one cutting operation with respect to 5 times. That is, the incisions with the laser beam 10 are in that case so deep that all layers of the composite structure 1 are cut, but the mechanical cohesion of the carrier film 16 remains intact. In fact, the carrier film now takes over the above-described function of the substrate, for example, lead frame. However, the quality of the cuts can be further improved in this way because they are made in one movement. The risk of interim shifting and possibly damaged electronic components 3 is hereby reduced.

101 84 0 3 J101 84 0 3 J

Claims (17)

1. Werkwijze voor het onder toepassing van een laser (9) snijden van een composietstructuur (1) die een of meer elektronische componenten (3), in het bijzonder IC's, omvat, met het kenmerk, dat tijdens het snijden van het materiaal van de 5 composietstructuur (1) een fysische grootheid die verband houdt met het snijden wordt gemeten, en dat in afhankelijkheid van die grootheid het vermogen van de laser (9) wordt ingesteld.Method for cutting a composite structure (1) using a laser (9) comprising one or more electronic components (3), in particular ICs, characterized in that during the cutting of the material of the Composite structure (1) a physical quantity related to the cutting is measured, and the power of the laser (9) is adjusted in dependence on that quantity. 2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de fysische 10 grootheid van de composietstructuur (1) afkomstige straling (13) omvat .Method according to claim 1, characterized in that the physical quantity comprises radiation (13) originating from the composite structure (1). 3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het spectrum van van de composietstructuur (1) afkomstige straling (13) wordt 15 gemeten.3. Method according to claim 2, characterized in that the spectrum of radiation (13) originating from the composite structure (1) is measured. 4. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat als laser (9) een gepulste laser wordt toegepast.Method according to one of the preceding claims, characterized in that a pulsed laser is used as the laser (9). 5. Inrichting voor het snijden van een composietstructuur (1) , die een of meer elektronische componenten (3), in het bijzonder IC’s, omvat, tenminste omvattende - een laser (9), 25. regelmiddelen (11) voor regelen van het vermogen van de laser (9), - ondersteuningsmiddelen voor de composietstructuur (1), - transportmiddelen om de composietstructuur (1) en de laser (9) ten opzichte van elkaar te verplaatsen met het kenmerk, dat de inrichting tevens meetmiddelen (14, 15) omvat 30 voor het tijdens het snijden van het materiaal van de composietstructuur (1) meten van een fysische grootheid die verband houdt met het snijden.Device for cutting a composite structure (1), comprising one or more electronic components (3), in particular ICs, at least comprising - a laser (9), 25. control means (11) for controlling the power of the laser (9), - support means for the composite structure (1), - transport means for displacing the composite structure (1) and the laser (9) relative to each other, characterized in that the device also comprises measuring means (14, 15) comprises for measuring a physical quantity associated with the cutting during the cutting of the material of the composite structure (1). 6. Inrichting volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de meet-35 middelen (14, 15) middelen omvatten voor het meten van een deel van 101 8403 < -15- het spectrum van van de composietstructuur (1) afkomstige straling (13) .Device according to claim 5, characterized in that the measuring means (14, 15) comprise means for measuring a part of the spectrum of radiation (13) originating from the composite structure (1) ). 7. Inrichting volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de regel- 5 middelen (11) voor het regelen van het vermogen van de laser (9) zijn gekoppeld met de meetmiddelen (14, 15) .Device according to claim 6, characterized in that the control means (11) for controlling the power of the laser (9) are coupled to the measuring means (14, 15). 8. Composietstructuur (1), die een of meer elektronische componenten (3), in het bijzonder IC's, omvat, die kan worden verkregen met 10 een werkwijze volgens een van de conclusies 1-4.8. Composite structure (1), comprising one or more electronic components (3), in particular ICs, that can be obtained with a method according to one of claims 1-4. 9. Werkwijze voor het doormeten van in een composietstructuur (1) opgenomen elektronische componenten (3), omvattende de volgende stappen 15. verschaffen van een composietstructuur (1), omvattende een lead- frame (2), waarop ten minste een elektronische component (3) is aangebracht, en ten minste twee contactvlakjes (4) die elk elektrisch zijn verbonden met een elektronische component (3) en met ten minste een ander contactvlakje (4), waarbij het leadframe 20 (2), de ten minste ene elektronische component (3) en de contact vlakjes (4) tenminste gedeeltelijk zijn omhuld met omhullings-kunststof (6); doorsnijden van de elektrische verbindingen tussen elk van de bij ten minste een elektronische component (3) behorende contactvlak-25 jes en de andere contactvlakjes (4); en doormeten van de aldus elektrisch geïsoleerde elektronische component (3) .Method for measuring electronic components (3) incorporated in a composite structure (1), comprising the following steps 15. providing a composite structure (1), comprising a lead frame (2) on which at least one electronic component (3) 3) and at least two contact pads (4) which are each electrically connected to an electronic component (3) and to at least one other contact pad (4), the lead frame (2), the at least one electronic component (3) and the contact pads (4) are at least partially covered with envelope plastic (6); severing the electrical connections between each of the contact pads associated with at least one electronic component (3) and the other contact pads (4); and measuring the electronic component (3) thus electrically isolated. 10. Werkwijze volgens conclusie 9, voorts omvattende de stappen 30. kenmerken van de doorgemeten elektronische component (3), afhanke lijk van het resultaat van het doormeten; en - lossnijden uit de composietstructuur (1) van de doorgemeten en gekenmerkte elektronische component (3).The method of claim 9, further comprising the steps of 30. Characteristics of the measured electronic component (3), depending on the result of the measured; and - cutting loose from the composite structure (1) of the measured and labeled electronic component (3). 11. Werkwijze volgens conclusie 9 of 10, voorts omvattende de stap pen bevestigen van de composietstructuur (1) aan een zijde daarvan op ondersteuningsmiddelen; en 1018403 -16- mechanisch ontkoppelen van de elektrisch geïsoleerde elektronische component (3) van de composietstructuur (1).A method according to claim 9 or 10, further comprising the step of attaching the composite structure (1) to support means on one side thereof; and mechanically disconnecting the electrically insulated electronic component (3) from the composite structure (1). 12. Werkwijze volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat de onder-5 steuningsmiddelen zijn gekozen uit een dragerfolie (16), een onder- steuningsmal, een ondersteuningsmal met vacuümaanzuigmiddelen of een combinatie daarvan.Method according to claim 11, characterized in that the support means are selected from a support film (16), a support mold, a support mold with vacuum suction means or a combination thereof. 13. Werkwijze volgens conclusie 11 of 12, met het kenmerk dat de 10 stap van het doorsnijden van de elektrische verbindingen en de stap van het mechanisch ontkoppelen in een bewerking plaatshebben.13. Method according to claim 11 or 12, characterized in that the step of cutting through the electrical connections and the step of mechanical disconnection take place in one operation. 14. Werkwijze volgens een van de conclusies conclusies 9-13, met het kenmerk dat het doorsnijden van de elektrische verbindingen ge- 15 schiedt onder toepassing van een laser (9).14. Method according to one of the claims 9-13, characterized in that the cutting of the electrical connections takes place using a laser (9). 15. Werkwijze volgens conclusie 14, met het kenmerk, dat tijdens het doorsnijden een fysische grootheid die verband houdt met het snijden wordt gemeten en dat in afhankelijkheid van die grootheid het 20 vermogen van de laser (9) wordt ingesteld.15. Method as claimed in claim 14, characterized in that during cutting a physical quantity related to the cutting is measured and that the power of the laser (9) is adjusted in dependence on that quantity. 16. Werkwijze volgens conclusie 15, met het kenmerk, dat de fysische grootheid van de composietstructuur (1) en/of de dragerfolie (16) afkomstige straling (13) omvat. 25Method according to claim 15, characterized in that the physical quantity comprises radiation (13) originating from the composite structure (1) and / or the carrier film (16). 25 17. Werkwijze volgens conclusie 16, met het kenmerk, dat het spectrum van de straling (13) wordt gemeten. 101 8403*^Method according to claim 16, characterized in that the spectrum of the radiation (13) is measured. 101 8403 * ^
NL1018403A 2000-10-05 2001-06-27 Method for cutting a composite structure with one or more electronic components using a laser. NL1018403C1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1018403A NL1018403C1 (en) 2000-10-05 2001-06-27 Method for cutting a composite structure with one or more electronic components using a laser.
PCT/NL2001/000736 WO2002029853A2 (en) 2000-10-05 2001-10-05 Method for cutting a composite structure comprising one or more electronic compnents using a laser
AU2002211091A AU2002211091A1 (en) 2000-10-05 2001-10-05 Method for cutting a composite structure comprising one or more electronic compnents using a laser

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1016334 2000-10-05
NL1016334A NL1016334C2 (en) 2000-10-05 2000-10-05 A laser cutting method for a composite integrated circuit structure includes measuring the radiation emitted during cutting with a light-sensitive element and adjusting the power of the laser when a material transition is detected
NL1018403 2001-06-27
NL1018403A NL1018403C1 (en) 2000-10-05 2001-06-27 Method for cutting a composite structure with one or more electronic components using a laser.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1018403C1 true NL1018403C1 (en) 2002-04-08

Family

ID=26643247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1018403A NL1018403C1 (en) 2000-10-05 2001-06-27 Method for cutting a composite structure with one or more electronic components using a laser.

Country Status (3)

Country Link
AU (1) AU2002211091A1 (en)
NL (1) NL1018403C1 (en)
WO (1) WO2002029853A2 (en)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2401692T3 (en) 2006-03-14 2013-04-23 F. Hoffmann-La Roche Ag Method for preparing a multilayer analytical element
US9018562B2 (en) * 2006-04-10 2015-04-28 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser material processing system
US9061369B2 (en) * 2009-11-03 2015-06-23 Applied Spectra, Inc. Method for real-time optical diagnostics in laser ablation and laser processing of layered and structured materials
WO2010006067A2 (en) * 2008-07-09 2010-01-14 Fei Company Method and apparatus for laser machining
EP2154713B1 (en) 2008-08-11 2013-01-02 Sensirion AG Method for manufacturing a sensor device with a stress relief layer
US10307862B2 (en) * 2009-03-27 2019-06-04 Electro Scientific Industries, Inc Laser micromachining with tailored bursts of short laser pulses
US8772671B2 (en) * 2010-06-30 2014-07-08 Resonetics, LLC Precision laser ablation
US9114482B2 (en) * 2010-09-16 2015-08-25 Raydiance, Inc. Laser based processing of layered materials
ITTO20110352A1 (en) * 2011-04-21 2012-10-22 Adige Spa METHOD FOR THE CONTROL OF A LASER CUTTING PROCESS AND LASER CUTTING SYSTEM IMPLEMENTING THIS METHOD
US10239160B2 (en) 2011-09-21 2019-03-26 Coherent, Inc. Systems and processes that singulate materials
JP6261844B2 (en) * 2012-02-20 2018-01-17 株式会社ディスコ Laser processing method and laser processing apparatus
GB2553515A (en) * 2016-09-01 2018-03-14 Rolls Royce Plc Method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2524707B1 (en) * 1982-04-01 1985-05-31 Cit Alcatel METHOD OF ENCAPSULATION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS, AND ENCAPSULATED COMPONENTS OBTAINED
GB2169496B (en) * 1985-01-16 1987-12-23 Stc Plc Cleaning metal surfaces
JPH01134956A (en) * 1987-11-20 1989-05-26 Hitachi Ltd Assembly of semiconductor device
DE4138157A1 (en) * 1991-11-21 1993-05-27 Krupp Ag Measuring thickness of coating, e.g. of zinc@ on steel, - counting repeatedly applied laser pulses until spectral lines in plasma generated changes
FR2703618B1 (en) * 1993-04-08 1995-06-09 France Etat Armement Laser stripping device.
US5593606A (en) * 1994-07-18 1997-01-14 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets
DE19518868A1 (en) * 1995-05-23 1996-11-28 Manfred Dr Rer Nat Di Ostertag Corrosion deposit removal e.g. from historical objects

Also Published As

Publication number Publication date
AU2002211091A1 (en) 2002-04-15
WO2002029853A3 (en) 2002-08-08
WO2002029853A2 (en) 2002-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1018403C1 (en) Method for cutting a composite structure with one or more electronic components using a laser.
US7599048B2 (en) Optical emission spectroscopy process monitoring and material characterization
KR102086168B1 (en) Laser machining apparatus and laser machining method
KR101752016B1 (en) Method for dividing optical device wafer
US20030006221A1 (en) Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation
US8309882B2 (en) Mold removing method
KR101161886B1 (en) Failure analysis methods and systems
US20030137662A1 (en) Laser-based cleaning device for film analysis tool
EP1276142A2 (en) Method and apparatus for decapping integrated circuit packages
CN108406105A (en) Laser processing device
JP2010044030A (en) Laser cleaning apparatus and laser cleaning method
US20060033118A1 (en) System, apparatus and method of selective laser repair for metal bumps of semiconductor device stack
JP2004022936A (en) Semiconductor-wafer dividing method and semiconductor-wafer dividing apparatus
KR20160026715A (en) Laser machining apparatus
JP4471627B2 (en) Wafer division method
JPH04130752A (en) Manufacture of integrated circuit
KR20210020767A (en) Workpiece checking method and processing method
US6753500B2 (en) Method and apparatus for cutting a substrate using laser irradiation
US9455149B2 (en) Plate-like object processing method
JP4494606B2 (en) Liquid-containing substance analysis apparatus and liquid-containing substance analysis method
NL1016334C2 (en) A laser cutting method for a composite integrated circuit structure includes measuring the radiation emitted during cutting with a light-sensitive element and adjusting the power of the laser when a material transition is detected
US7110113B1 (en) Film measurement with interleaved laser cleaning
JP2012104778A (en) Division method of optical device wafer
JP2004111426A (en) Laser dicing equipment
Shi et al. Single & multi beam laser grooving process parameter development and die strength characterization for 40nm node low-K/ULK wafer

Legal Events

Date Code Title Description
VD1 Lapsed due to non-payment of the annual fee

Effective date: 20060101