MXPA98000254A - Metodo para formar un recubrimiento de oxido de estaño sobre vidrio - Google Patents

Abstract

Los recubrimientos deóxido de titanio adicionados con flúor sobre vidrio se preparan suministrando una mezcla de reactante uniforme y vaporizado que contiene un compuesto organoestánnico, HF, agua y oxígeno y entregando la mezcla del reactante a la superficie de la cinta caliente del vidrio, donde los compuestos reaccionan para formar el recubrimiento deóxido de estaño adicionado con flúor. Los recubrimientos deóxido de estaño adicionados con flúor aplicados de acuerdo con la invención presentan una resistencia menor a la lámina y una uniformidad mejorada en la resistencia de la lámina sobre superficie recubierta del vidrio.

Description

MÉTODO PARA FORMAR UN RECUBRIMIENTO DE ÓXIDO DE ESTAÑO SOBRE VIDRIO CAMPO DE LA INVENCIÓN La presente invención se refiere finalmente a un método para formar un recubrimiento de óxido de estaño sobre vidrio, y más particularmente, a un proceso para preparar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor sobre un substrato de vidrio caliente mediante la deposición de vapor clínico. ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN Por lo general, los artículos de vidrio recubierto se producen recubriendo continuamente un substrato de vidrio mientras se fabrica en un proceso conocido en la técnica como el "Proceso de Vidrio Flotante". Este proceso implica la fundición de vidrio en un baño de estaño fundido adecuadamente encerrado, posteriormente la transferencia del vidrio, después de que se ha enfriado lo suficiente, para separar los rodillos que se alinean con el baño, y finalmente el enfriamiento del vidrio a medida que avanza a través de los rodillos, inicialmente a través de un túnel de recocido y posteriormente expuesto a la atmósfera ambiental. Se mantiene una atmósfera no oxidante en la porción de flotación del proceso, mientras el vidrio está en contacto con el baño de estaño fundido, para evitar la oxidación. En el túnel de recocido se mantiene la atmósfera del aire. La deposición del vapor químico (CVD) de diferentes recubrimientos puede llevarse a cabo de manera conveniente en el baño o el túnel de recocido, o incluso en la zona de transición entre los mismos, contactando la superficie del vidrio caliente con vapor químico que contiene reactantes que se descomponen piroliticamente para formar el recubrimiento del óxido metálico. Esto, por supuesto, requiere que los reactantes químicos tengan temperaturas de vaporización por debajo de sus temperaturas de descomposición térmica. Existen diferentes compuestos de estaño que pueden vaporizarse para preparar un recubrimiento de óxido de estaño sobre vidrio mediante una tecnología CVD. La característica de rendimiento deseable de los recubrimientos de óxido de estaño sobre vidrio, como por ejemplo una baja emitividad, baja resistencia a la lámina, alto factor de transmisión de la luz, alta reflexibilidad infrarroja, etc., se mejoran mediante la incorporación en el recubrimiento de óxido de estaño de un aditivo. Se han utilizado varios materiales en las técnicas anteriores como aditivos, pero el más efectivo para el óxido de estaño es el elemento flúor. El flúor puede suministrarse a la reacción de deposición en forma de un flúor organoestánnico, o como un compuesto que contiene flúor por separado y que reacciona junto con un compuesto de estaño. La forma fisica de los reactantes empleados en los procesos de recubrimiento de vidrio es por lo general un liquido, sólido, liquido o sólido vaporizado, liquido o sólido dispersado en una mezcla de gas portador, o liquido vaporizado o sólido dispersado en una mezcla de gas portador. El proceso de deposición del vapor químico por lo general emplea un liquido o sólido vaporizado, que comúnmente se dispersa en una mezcla de gas portador. Tanto los compuestos de estaño orgánicos como inorgánicos se han utilizado para la deposición mediante la deposición de vapor químico de recubrimientos de óxido de estaño adicionados con flúor. De esta forma, por ejemplo la Patente de los Estados Unidos Número 4,329,379 presenta un proceso para formar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor sobre un substrato de vidrio caliente contactando el vidrio con los reactantes vaporizados de un tetracloruro de estaño, ácido fluorhídrico (HF) , aire y agua. De manera similar, la Patente de los Estados Unidos Número 4,387,134 demuestra que las películas de óxido de estaño adicionadas con flúor poseen resistencias de lámina de 1-10 ohmios/cuadrado y pueden producirse a partir de una combinación de agua vaporizada, metanol, HF, cloruro estánnico y gases H2/N2. Alternativamente, otros métodos preferidos por lo general para aplicar recubrimientos de óxido de estaño adicionados sobre vidrio implican la vaporización de una mezcla a un compuesto de estaño orgánico y un compuesto que contiene flúor, y posteriormente la orientación de estos reactantes vaporizados hacia la superficie de un substrato de vidrio caliente. Este método se presenta en la Patente de los Estados Unidos Número 4,293,594, que además sugiere el uso de un gas portador que contiene oxigeno. De igual forma, en la Patente de los Estados Unidos Número 4,590,096, se presenta un método de deposición de vapor químico para la formación de recubrimientos de óxido de estaño adicionados con flúor, utilizando una mezcla de un compuesto organoestánnico, un aditivo de flúor orgánico, aire y vapor de agua. En el método, se dice que la corriente del gas contiene suficiente vapor de agua de tal forma que la humedad relativa de la corriente de gas a 18°C es de aproximadamente 6% a 100%. En la Patente de los Estados Unidos Número 4,325,987, se presenta un método CVD en el cual una mezcla gaseosa de tetracloruro de estaño y vapor de agua en un gas portador que contiene por lo menos 30% de hidrógeno es suministrada hacia la superficie del vidrio. También puede suministrarse una mezcla gaseosa separada de HF y vapor de agua hacia la superficie del vidrio. A pesar de que se declara que el compuesto de estaño preferido es el tetracloruro de estaño y éste es el único compuesto de estaño para el cual se proporcionan ejemplos, se menciona la posibilidad de utilizar compuestos de estaño volátiles del tipo Sn(Alk)4 donde Alk significa un radical de alquilo menor y estaño de dibutil-diacetil. Como existe falta de información sobre la forma de practicar el método de la invención con los compuestos de estaño orgánicos mencionados, la presentación no contribuye en nada al avance del estado de la técnica en este aspecto. Debe observarse que la técnica anterior referida anteriormente sea recopilado y examinado únicamente con respecto a la presente invención como guia. No debe impedirse que estas técnicas diversas de alguna otra forma podrían ensamblarse con la falta de motivación proporcionada por la presente invención. Sería conveniente mejorar los métodos conocidos hasta la fecha para aplicar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor a una superficie de substrato de vidrio caliente mediante un proceso CVD, y mejorar de esta forma la baja resistencia de la lámina y la uniformidad de la resistencia de la lámina del producto de vidrio recubierto.

También sería conveniente proporcionar un método para aplicar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor a una superficie de substrato de vidrio caliente que era menos costosa que los métodos conocidos hasta la fecha. COMPENDIO DE LA INVENCIÓN La presente invención se dirige a un proceso de deposición de vapor químico para aplicar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor a una superficie con substrato de vidrio caliente. Sorprendentemente, se ha descubierto que las propiedades deseables de los recubrimientos de óxido de estaño adicionados con flúor sobre vidrio se mejoran utilizando un proceso que incluye los pasos de: a) proporcionar un substrato de vidrio caliente, incluyendo una superficie sobre la cual se depositará el recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor; b) proporcionar una mezcla de reactante uniforme y vaporizado que contenga un compuesto organoestánnico, fluoruro de hidrógeno, oxígeno y agua; y c) suministrar la mezcla del reactante vaporizado hacia la superficie del substrato de vidrio caliente; donde la mezcla uniforme y vaporizada del reactante reacciona para depositar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor sobre la superficie del substrato de vidrio caliente.

En una forma de realización preferida, se aplica una barrera de difusión de sodio, de preferencia una capa de sílice, a la superficie de substrato de vidrio antes de la deposición del óxido de estaño adicionado con flúor. El proceso de la presente invención es particularmente adecuado para la producción de vidrio con recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor útil para las ventanas arquitectónicas eficientes en cuanto a la energia, ventanas de automóviles o aeroplanos y una variedad de dispositivos ópticos y electrónicos. DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA FORMA DE REALIZACIÓN PREFERIDA Los recubrimientos de óxido de estaño adicionados con flúor pueden depositarse en la superficie de un substrato de vidrio caliente por medio de un proceso conocido generalmente en la técnica como deposición de vapor químico (CVD) . De acuerdo con este proceso, los reactantes se combinan con el fin de formar una corriente de reactante uniforme y vaporizado que se suministra a la superficie del substrato de vidrio caliente, donde la corriente del reactante vaporizado reacciona para depositar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor sobre la superficie del substrato de vidrio caliente. En la atmósfera oxidante, que debe existir en la superficie del vidrio caliente, los compuestos del recubrimiento organoestánnico se descomponen piroliticamente para formar el recubrimiento de óxido de estaño. El proceso se lleva a cabo comúnmente durante la manufactura de vidrio por medio del proceso de vidrio flotante, y escurre en el baño de metal flotante, el túnel de recocido o en la zona de transición entre el baño y el túnel de recocido, mientras el vidrio todavía está caliente. El substrato de vidrio por lo general se suministra a una temperatura del rango de aproximadamente 750°F a aproximadamente 1500°F. Éstas son temperaturas típicas para el vidrio durante diferentes etapas a medida que se manufactura con el proceso de vidrio flotante. Los substratos de vidrio adecuados para utilizarse en el proceso de acuerdo con la presente invención incluyen cualquiera de los substratos de vidrio convencional conocidos en la técnica para la preparación de artículos de vidrio recubiertos. Un substrato de vidrio típico, utilizado en la manufactura de ventanas para vehículos y vidrio en placa, se refiere comúnmente como vidrio de sosa-cal-silice. Otros vidrios adecuados pueden designarse generalmente como vidrio de álcali-cal-sílice, vidrio de borosilicato, vidrio de alumino-silicato, vidrio de boro-alumino-silicato, vidrio de fosfato, sílice fundida, etc., asi como combinaciones de los mismos. El vidrio preferido es el vidrio de sosa-cal-silice. La corriente de reactante CVD de esta invención incluye un compuesto de recubrimiento organoestánnico que se vaporiza y es transportado a un punto en o cerca de la superficie de la cinta de avance del vidrio. Los compuestos organoestánnicos adecuados útiles para practicar la invención incluyen, sin limitación, los indicados específicamente, dicloruro de dimetilestaño, dicloruro de dietilestaño, diacetato de dibutilestaño, tetrametil estaño, tricloruro de metilestaño, cloruro de trietilestaño, cloruro de trimetil estaño, tricloruro de etilestaño, tricloruro de propilestaño, tricoluro de isopropilestaño, tricloruro sec-butilestaño, tricloruro t-butilestaño, tricloruro de fenilestaño, tricloruro de carbetoxietilestaño, y similares, así como combinaciones de los mismos. Estos compuestos generalmente son bastante conocidos en la técnica de la tecnología CVD, así como comercialmente disponibles, como precursores para aplicar un recubrimiento de óxido de estaño sobre vidrio caliente. Un compuesto organoestánnico preferido es el dicloruro de dimetilestaño. El compuesto organoestánnico, y opcionalmente un gas portador, oxidante, estabilizador, hidrocarburo, gas inerte y similares, se vaporizan para formar una corriente de reactante organoestánnico gaseoso. El término corriente de reactante organoestánnico gaseoso, como se utiliza en la presente, incluye por lo general un compuesto organoestánnico vaporizado, un oxidante y un gas portador inerte. El compuesto organoestánnico vaporizado puede prepararse mediante cualquiera de los procedimientos conocidos generalmente en la técnica, como por ejemplo la vaporización de polvos organoestánnicos dispersados o fluidizados o la vaporización de partículas organoestánnicas en un lecho empacado por medio de una corriente de gas portador caliente, o la inyección de un compuesto organoestánnico solubilizado en una corriente de gas portador caliente, como el burbujeo de un gas portador a través de un compuesto organoestánnico líquido. Estos procesos se estipulan de manera más completa en las Patentes de los Estados Unidos Números 3,852,098; 2,780,553; 4,351,861; 4,571,350; 3,970,037; 4,212,663; y 4,261,722, que se incorporan a la presente en su totalidad por referencia a los mismos. Un método preferido para preparar la corriente del reactante que contiene el compuesto organoestánnico vaporizado es vaporizar el compuesto en un evaporador de película delgada en presencia de un gas mezclado, como se presenta, por ejemplo, en la Patente de los Estados Unidos Número 5,090,985, que también se incorpora a la presente en su totalidad por referencia a lo mismo. Como se indicó anteriormente, esta corriente gaseosa, que generalmente incluye un gas portador inerte como el helio, nitrógeno o argón, o mezclas de los mismos, puede contener opcionalmente oxidantes como por ejemplo agua u oxígeno; los gases portadores preferidos son el helio y el nitrógeno, y las mezclas de los mismos, que contienen oxígeno como oxidante. La corriente del reactante resultante que contiene el compuesto organoestánnico vaporizado por lo general se calienta a una temperatura que va de aproximadamente 250°F a aproximadamente 450°F, después se transporta a la zona de reacción en la superficie del substrato de vidrio caliente. El fluoruro de hidrógeno gaseoso o ácido fluorhídrico ("HF" se utiliza en la presente para referirse ya sea al gas del fluoruro de hidrógeno o al ácido fluorhídrico) se combina con los compuestos organoestánnicos vaporizados. Por lo general se forma una corriente del reactante que contiene HF por separado, que incluye HF y un portador, de preferencia vapor de agua. La adición de agua a la corriente del reactante que contiene HF también disminuye la emitividad del vidrio recubierto, y al mismo tiempo aumenta la velocidad de crecimiento del óxido de estaño adicionado con flúor depositado. La corriente del reactante que contiene HF puede contener adicionalmente adyuvantes convencionales como por ejemplo el helio, nitrógeno o argón y mezclas de los mismos, así como oxidantes como por ejemplo oxígeno. La corriente del reactante que contiene HF se combina con la corriente del reactante organoestánnico en un punto anterior a la entrega de los reactantes a la superficie del substrato de vidrio caliente sobre la cual deberá depositarse el recubrimiento, pero de preferencia tiene una proximidad relativamente estrecha con la misma. La corriente del reactante que contiene HF puede prepararse mediante la vaporización del compuesto utilizando uno de los métodos discutidos anteriormente en relación con la vaporización del compuesto organoestánnico, o suministrando el HF como gas. La corriente del reactante vaporizado que contiene HF puede combinarse con la corriente del reactante que contiene el compuesto organoestánnico vaporizado mezclando las dos corrientes gaseosas antes de entregar a la superficie del substrato de vidrio caliente. Alternativamente, la corriente del reactante que contiene HF en líquido o forma de solución puede inyectarse dentro de la corriente del reactante caliente que contiene el compuesto organoestánnico vaporizado, vaporizando de esta forma la solución que contiene flúor o el compuesto líquido. Después de la combinación, los reactantes vaporizados del compuesto organoestánnico HF, agua y oxígeno se entregan a la superficie de vidrio caliente, donde reaccionan entre si para depositar sobre la misma un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor. En una forma de realización preferida, la corriente del reactante organoestánnico se forma vaporizando el dicloruro de dimetilestaño y un gas portador inerte, como el nitrógeno, helio o una mezcla de los mismos en un evaporador como el descrito anteriormente. La corriente gaseosa resultante se combina posteriormente con oxígeno gaseoso. Al mismo tiempo, se combinan HF y agua en un segundo evaporador, y la corriente del reactante gaseoso resultante de HF y vapor de agua se combina con la corriente del reactante organoestánnico gaseoso para formar una corriente de reactante uniforme y gaseoso. La corriente del reactante uniforme y gaseoso se suministra a la superficie del substrato de vidrio caliente, donde se deposita un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor sobre la superficie del substrato de vidrio caliente. La corriente de ractante uniforme y gaseoso puede entregarse en la superficie del vidrio por medio de cualquier dispositivo de recubrimiento adecuado. Un dispositivo de recubrimiento preferido se ilustra en la Patente de los Estados Unidos Número 4,504,526, que se incorpora a la presente en su totalidad por referencia a la misma. La mezcla del reactante uniforme y gaseoso que se entrega en la superficie del substrato de vidrio caliente de acuerdo con la invención incluye de preferencia (todos los porcentajes siendo porcentaje de mol) de aproximadamente 10 y aproximadamente 60% de oxígeno, de aproximadamente 2 a aproximadamente 50% de agua, y de aproximadamente 0.2 a aproximadamente 2% de HF, y de manera más preferente incluye de aproximadamente 30 a aproximadamente 50% de oxígeno, de aproximadamente 15 a aproximadamente 35% de agua y de aproximadamente 0.5 a aproximadamente 1.5% de HF. La mezcla del reactante uniforme y gaseoso también incluye un compuesto organoestánnico, cuya concentración deseada es una función del grosor deseado del recubrimiento del óxido de estaño y la velocidad lineal del substrato. Por lo tanto, tal como será apreciado por los capacitados en la técnica, el compuesto organoestánnico se proporciona en la mezcla del reactante gaseoso en una cantidad suficiente para aplicar un recubrimiento del grosor deseado a la velocidad lineal deseada del substrato. Para las operaciones comerciales típicas, la mezcla del reactante gaseoso por lo general incluirá de aproximadamente 0.01 a aproximadamente 8% del compuesto organoestánnico. También se ha observado que es preferible, al formar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor de acuerdo con esta invención, aplicar una capa de un material que actúe como barrera de difusión del sodio entre el substrato de vidrio y el recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor. Se ha descubierto que los artículos de vidrio recubierto presentan una emitividad menor, una menor resistencia a la lámina y una claridad óptica menor cuando el recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor depositado de acuerdo con la invención se aplica al vidrio con una capa de difusión de sodio entre el mismo, en oposición al método directamente en el vidrio. Esta capa de difusión de sodio se forma de preferencia de sílice, la capa de sílice se forma de preferencia utilizando técnicas convencionales CVD. En una forma de realización más preferida, se deposita primero una película delgada de óxido de estaño en la superficie del substrato de vidrio caliente, con la película delgada de sílice depositada sobre ésta, de tal manera que se forma una estructura bajo la capa de óxido de estaño/sílice en medio del vidrio y la capa depositada posteriormente de óxido de estaño adicionado con flúor. En esta forma de realización, la película de sílice no solamente actúa como barrera de difusión de sodio sino, en combinación con la primera película de óxido de estaño (sin aditivo) ayuda a suprimir la iridescencia en el artículo de vidrio recubierto resultante. El uso de estas capas antiiridescentes se presenta en la Patente de los Estados Unidos Número 4,377,613, que se incorpora a la presente en su totalidad por referencia a lo mismo. Debe observarse que las condiciones del proceso no son bastante totalmente decisivas para la combinación y entrega exitosa de los reactantes vaporizados de acuerdo con la presente invención. Las condiciones del proceso descritas anteriormente por lo general se presentan en términos que son convencionales para la práctica de esta invención. Sin embargo, ocasionalmente las condiciones del proceso descritas podrían no ser precisamente aplicables para cada compuesto incluido dentro del alcance presentado. Los compuestos para los cuales se presenta lo anterior podrán reconocerse fácilmente por las personas capacitadas en la técnica. En todos estos casos, cualquiera de los procesos puede llevarse a cabo con éxito mediante modificaciones convencionales conocidas para aquellos capacitados en la técnica, por ejemplo, aumentando o disminuyendo las condiciones de temperatura, variando los porcentajes de combinación de los reactantes organoestánnicos y HF, mediante modificaciones de rutina de las condiciones del proceso de vaporización, etc. , u otras condiciones del proceso que de otra forma son convencionales y que serán aplicables para la práctica de la invención. También debe observarse que el proceso de la invención puede repetirse según se desee en un substrato dado con el fin de formar un recubrimiento consistente de varias capas sucesivas, cuya composición de cada una de ellas no necesariamente es idéntica. Por supuesto, es obvio que para una velocidad de flujo dado de los reactantes, el grosor de una capa de recubrimiento depende de la velocidad de movimiento del substrato. Bajo estas condiciones, las estaciones de la reacción pueden, si se desea, multiplicarse yuxtaponiendo dos o más dispositivos de recubrimiento. De esta forma, se superponen capas sucesivas antes de que las capas tengan tiempo de enfriarse, produciendo un recubrimiento total particularmente homogéneo. La invención se comprende más fácilmente tomando como referencia las formas de realización específicas que son representativas de la invención. Sin embargo, debe entenderse que las formas de realización específicas se suministran únicamente para propósitos de ilustración, y que la invención puede practicarse de otra forma diferente a la ilustrada específicamente sin desviarse de su alcance y propósito. EJEMPLO COMPARATIVO El dicloruro de dimetilestaño se funde y después se vaporiza en un evaporador de película delgada de tipo ilustrado en la Patente de los Estados Unidos Número 5,090,985. El helio, como gas portador, se introduce simultáneamente dentro del evaporador de película delgada. El evaporador de película delgada está equipado con una camisa de vapor mantenida aproximadamente 350°F. La mezcla resultante de DMT gaseoso y helio sale del evaporador de película delgada y es transportada a lo largo de una línea principal del reactante. El oxígeno gaseoso se introduce dentro de la corriente del gas DMT/He en la línea principal del reactante. La corriente de gas resultante continúa a lo largo de la línea principal del reactante. Al mismo tiempo, se alimentan ácido trifluoroascético (TFA) y agua en un segundo evaporador de película delgada, mantenido a aproximadamente 400°F. La mezcla resultante de TFA gaseoso y agua sale del segundo evaporador de película delgada y es alimentada a través de una línea de suministro que se une con la línea principal del precursor, combinando la mezcla del gas TFA/agua con la mezcla del gas DMT/He/02 de tal forma que las corrientes se mezclan totalmente con el fin de formar una corriente de reactante uniforme y vaporizado. La corriente del reactante gaseoso final está formada de aproximadamente (todos los porcentajes son porcentaje de mol) 44.2% de oxígeno 22.1% de agua, 30.2% de helio, 0.97% de TFA y 2.53% de DMT, con un flujo de gas total de la mezcla gaseosa final de aproximadamente 384 litros estándares por minuto por ancho de metro del artículo de vidrio recubierto resultante. Esta corriente del reactante vaporizado se entrega inmediatamente, utilizando el dispositivo de recubrimiento de la Patente de los Estados Unidos Número 4,504,526, a la superficie de una cinta de vidrio sobre la cual se había depositado previamente una primera película delgada de óxido de estaño y una segunda película delgada de sílice mediante técnicas convencionales CVD. La cinta de vidrio se mueve a una velocidad de línea de aproximadamente 466 pulgadas por minuto, y se encuentra a una temperatura de aproximadamente 1,100°F a 1,200°F. La corriente del reactante reacciona en la superficie del vidrio caliente para formar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor superpuesto a las películas de sílice y óxido de estaño. El grosor de la capa resultante de óxido de estaño adicionado con flúor es de aproximadamente 3,200 A. La resistencia de la lámina se mide en incrementos de dos pulgadas a través del ancho del articulo de vidrio recubierto resultante. La resistencia de la lámina varía de 3.3 a 18.0 ohmios por cuadrado, con una resistencia de lámina promedio de 14.4 ohmios por cuadrado. EJEMPLO El dicloruro de dimetilestaño se funde y después se vaporiza en un evaporador de película delgada de tipo ilustrado en la Patente de los Estados Unidos Número 5,090,985. El helio, como gas portador, se introduce simultáneamente dentro del evaporador de película delgada. El evaporador de película delgada está equipado con una camisa de vapor mantenida aproximadamente 350°F. La mezcla resultante de DMT gaseoso y helio sale del evaporador de película delgada y es transportada a lo largo de una línea principal del reactante. El oxígeno gaseoso se introduce dentro de la corriente del gas DMT/He en la línea principal del reactante. La corriente de gas resultante continúa a lo largo de la línea principal del reactante. Al mismo tiempo, se alimenta una solución acuosa de Hf dentro de un segundo evaporador de película delgada, mantenido a aproximadamente 400°F. Se introduce más agua en el segundo evaporador de película delgada. La mezcla resultante de HF gaseoso y agua sale del segundo evaporador de película delgada y es alimentada a través de una línea de suministro que se une con la línea principal del precursor, combinando la mezcla del gas HF/agua con la mezcla del gas DMT/He/02 de tal forma que las corrientes se mezclan totalmente con el fin de formar una corriente de reactante uniforme y vaporizado. La mezcla gaseosa final está formada de aproximadamente (todos los porcentajes son porcentaje de mol) 42.9% de oxígeno 24.6% de agua, 29.3% de helio, 0.70% de HF y 2.5% de DMT, con un flujo de gas total de la mezcla gaseosa final de aproximadamente 395 litros estándares por minuto por ancho de metro del artículo de vidrio recubierto resultante. Esta corriente del reactante vaporizado se entrega inmediatamente, utilizando el dispositivo de recubrimiento de la Patente de los Estados Unidos Número 4,504,526, a la superficie de una cinta de vidrio sobre la cual se había depositado previamente una primera película delgada de óxido de estaño y una segunda película delgada de sílice mediante técnicas convencionales CVD. La cinta de vidrio se mueve a una velocidad de línea de aproximadamente 466 pulgadas por minuto, y se encuentra a una temperatura de aproximadamente 1,100°F a 1,200°F. La corriente del reactante reacciona en la superficie del vidrio caliente para formar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor superpuesto a las películas de sílice y óxido de estaño. El grosor de la capa resultante de óxido de estaño adicionado con flúor es de aproximadamente 3,200 A. La resistencia de la lámina se mide en incrementos de dos pulgadas a través del ancho del artículo de vidrio recubierto resultante. La resistencia de la lámina varía de 13.0 a 15.9 ohmios por cuadrado, con una resistencia de lámina promedio de 14.0 ohmios por cuadrado.

Claims (19)

1. REIVINDICACIONES 1. Un proceso de deposición de vapor químico para aplicar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor a una superficie sobre un substrato de vidrio caliente, que incluye los pasos de: A) proporcionar un substrato de vidrio caliente, incluyendo una superficie sobre la cual se depositará un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor; B) proporcionar una mezcla de reactante uniforme y vaporizado que contiene un compuesto organoestánnico, fluoruro de hidrógeno, oxígeno y agua; y C) entregar la mezcla del reactante vaporizado a la superficie sobre el substrato de vidrio caliente; donde la mezcla del reactante uniforme y vaporizado reacciona para depositar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor sobre la superficie del substrato de vidrio caliente.
2. 2. El proceso de acuerdo con la reivindicación 1, en donde el vidrio se selecciona del grupo formado por vidrio de sosa-cal-sílice, vidrio de álcali-cal-sílice, vidrio de borosilicato, vidrio de alumino-silicato, vidrio de fosfato, vidrio de sílice fundida y combinaciones de los mismos.
3. 3. El proceso de acuerdo con la reivindicación 1, en donde el vidrio es un vidrio de sosa-cal-silice.
4. 4. El proceso de acuerdo con la reivindicación 1, en donde el compuesto organoestánnico se selecciona del grupo formado por el dicloruro de dimetilestaño, dicloruro de dietilestaño, diacetato de dibutilestaño, tetrametilestaño, tricloruro de metilestaño, cloruro de trietilestaño, cloruro de trimetilestaño, tricloruro de etilestaño, tricloruro de propilestaño, tricloruro de isopropilestaño, tricloruro c-butilestaño, tricloruro t-butilestaño, trícloruro de fenilestaño, tricloruro de carbetoxietilestaño y combinaciones de los mismos.
5. 5. El proceso de acuerdo con la reivindicación 1, en donde el compuesto organoestánnico es dicloruro de dimetilestaño .
6. 6. El proceso de acuerdo con la reivindicación 1, en donde el substrato de vidrio se suministra a una temperatura de aproximadamente 750°F a aproximadamente 1500°F.
7. 7. El proceso de acuerdo con la reivindicación 1, en donde la mezcla del reactante uniforme y vaporizado incluye además uno o más compuestos seleccionados del grupo formado por el helio, nitrógeno, argón y óxido nitroso.
8. 8. El proceso de acuerdo con la reivindicación 1, que además incluye el paso de depositar sobre la superficie mencionada del substrato de vidrio caliente mencionado una capa de un material que actúa como barrera de difusión de sodio, de tal forma que el material mencionado se interpone entre la superficie mencionada del substrato de vidrio mencionado y el recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor mencionado.
9. 9. El proceso de acuerdo con la reivindicación 8, en donde se deposita una capa de sílice en la superficie del substrato de vidrio caliente mencionado antes de la deposición del recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor mencionado.
10. 10. El proceso de acuerdo con la reivindicación 9, en donde la capa mencionada de sílice se deposita en la superficie del substrato de vidrio caliente mencionado mediante un proceso de deposición de vapor químico.
11. 11. El proceso de acuerdo con la reivindicación 9, en donde se deposita una capa de óxido de estaño en la superficie del substrato de vidrio caliente mencionado antes de la deposición de la capa mencionada de sílice.
12. 12. El proceso de acuerdo con la reivindicación 1, en donde la mezcla del reactante gaseoso mencionado incluye un porcentaje de 0.2 a aproximadamente 2 moles de fluoruro de hidrógeno.
13. 13. El proceso de acuerdo con la reivindicación 2, en donde la mezcla del reactante gaseoso mencionado incluye un porcentaje de aproximadamente 0.5 a aproximadamente 1.5 moles de fluoruro de hidrógeno.
14. 14. El proceso de acuerdo con la reivindicación 1, en donde la mezcla del reactante gaseoso mencionado incluye un porcentaje de aproximadamente 2 a aproximadamente 50 moles de agua.
15. 15. El proceso de acuerdo con la reivindicación 14, en donde la mezcla del reactante gaseoso mencionado incluye un porcentaje de aproximadamente 15 a aproximadamente 35 moles de agua.
16. 16. El proceso de acuerdo con la reivindicación 1, en donde la mezcla del reactante gaseoso mencionado incluye un porcentaje de aproximadamente 10 a aproximadamente 60 moles de oxígeno.
17. 17. El proceso de acuerdo con la reivindicación 16, en donde la mezcla del reactante gaseoso mencionado incluye un porcentaje de aproximadamente 30 a aproximadamente 50 moles de oxígeno.
18. 18. Un proceso de deposición de vapor químico para aplicar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor a una superficie sobre un substrato de vidrio caliente, que incluye los pasos de: A) proporcionar un substrato de vidrio caliente a una temperatura de aproximadamente 700°F a aproximadamente 1500°F, incluyendo una superficie sobre la cual se depositará un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor; B) proporcionar una mezcla de reactante uniforme y vaporizado que contiene un compuesto organoestánnico, con un porcentaje de aproximadamente 0.2 a aproximadamente 2 moles de fluoruro de hidrógeno, un porcentaje de aproximadamente 2 a aproximadamente 50 moles de agua y un porcentaje de aproximadamente 10 a aproximadamente 60 moles de oxígeno; y C) entregar la mezcla del reactante vaporizado a la superficie mencionada sobre el substrato de vidrio caliente; donde la mezcla del reactante uniforme y vaporizado reacciona para depositar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor sobre la superficie del substrato de vidrio caliente.
19. 19. Un proceso de deposición de vapor químico para aplicar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor a una superficie sobre un substrato de vidrio caliente, que incluye los pasos de: A) proporcionar un substrato de vidrio caliente a una temperatura de aproximadamente 700°F a aproximadamente 1500°F, incluyendo una superficie sobre la cual se depositará un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor, esta superficie posee una capa de sílice aplicada a la misma; B) proporcionar una mezcla de reactante uniforme y vaporizado que contiene un compuesto organoestánnico, con un porcentaje de aproximadamente 0.2 a aproximadamente 2 moles de fluoruro de hidrógeno, un porcentaje de aproximadamente 2 a aproximadamente 50 moles de agua y un porcentaje de aproximadamente 10 a aproximadamente 60 moles de oxígeno; y C) entregar la mezcla del reactante vaporizado a la superficie mencionada sobre el substrato de vidrio caliente; donde la mezcla del reactante uniforme y vaporizado reacciona para depositar un recubrimiento de óxido de estaño adicionado con flúor sobre la capa mencionada de sílice en la superficie del substrato de vidrio caliente.