MXPA05010356A - Metodos para fabricar moduladores interferometricos mediante la remocion selectiva de un material - Google Patents

Abstract

Los métodos para elaborar dispositivos MEMS tal como moduladores interferométricos involucran remover selectivamente una porción sacrificatoria de un material para formar una cavidad interna, dejando atrás una porción restante del material para formar una estructura de poste;el material puede ser envoltura depositada y selectivamente alterada para definir las porciones sacrificatorias que son selectivamente removibles con relación a las porciones restantes;alternativamente, una capa de material puede ser ahuecada lateralmente lejos de las aberturas en una capa de cobertura;estos métodos se pueden utilizar para elaborar moduladores interferométricos liberados y no liberados.

Description

MÉTODOS PARA FABRICAR MODULADORES INTER EROMETRICOS MEDIANTE LA REMOCIÓN SELECTIVA PE UN MATERIAL CAMPO DE LA INVENCIÓN El campo de la invención se refiere a sistemas microelectromecánicos (MEMS) .

ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN Los sistemas microelectromecánicos (MEMS) incluyen elementos micromecánicos, accionadores, y circuitos electrónicos. Los elementos micromecánicos se pueden crear utilizando deposición, grabado y/u otros procedimientos de micromaquinado que graban partes de substratos y/o capas de material depositado o que agregan capas para formar dispositivos eléctricos y electromecánicos. Un tipo de dispositivo MEMS se denomina un modulador interferométrico. ün modulador interferométrico puede comprender un par de placas conductoras, una o ambas de las cuales puede ser transparente y/o reflectora en su totalidad o en parte y tener la capacidad de un movimiento relativo al momento de aplicar una señal eléctrica apropiada. Una placa puede comprender una capa estacionaria depositada sobre un substrato, la otra placa puede comprender una membrana metálica separada de la capa estacionaria por un espacio de aire. Dichos dispositivos tienen un rango amplio de aplicaciones, y seria benéfico en la técnica utilizar y/o modificar las características de estos tipos de dispositivos para que sus características se puedan explotar en la mejora de productos existentes y en la creación de nuevos productos que no han sido desarrollados todavía.

SUMARIO DE LA INVENCIÓN El sistema, método y dispositivos de la invención tienen, cada uno, varios aspectos, ninguno de los cuales es el responsable único de sus atributos deseables. Sin limitar el alcance de la presente invención, ahora se describirán brevemente sus características más sobresalientes. Después de considerar este análisis, y particularmente después de leer la sección titulada wDescripción Detallada de las Modalidades Preferidas" se podrá entender la forma en que las características de esta invención proveen ventajas sobre otros dispositivos de pantalla. ün aspecto provee un método para elaborar un substrato MEMS (tal como un modulador interferométrico) que incluye depositar un material sobre una primera capa de espejo; formar una segunda capa de espejo en el material; y remover selectivamente una porción sacrificatoria del material para así formar una cavidad y una estructura de soporte del modulador interferométrico. La estructura de soporte incluye una porción restante del material. La segunda capa de electrodo incluye una capa móvil soportada por la estructura de soporte. Otro aspecto provee un substrato MEMS que incluye un material, el substrato MEMS está configurado para que una porción sacrificatoria del material sea removible para formar una cavidad y, de esta forma, una porción restante del material forme una estructura de poste de un modulador interferométrico al momento de retirar la porción sacrificatoria. Otro aspecto provee un método para elaborar un modulador interferométrico. El modulador interferométrico incluye por lo menos un primer espejo, un segundo espejo separado del primer espejo por una cavidad, y una estructura de poste colocada en un lado de la cavidad y configurada para soportar el segundo espejo separado del primer espejo. El método para elaborar este modulador interferométrico incluye proveer un substrato, el substrato tiene una primera área configurada para quedar debajo del primer espejo y una segunda área configurada para quedar debajo de la estructura de poste, después depositar una primera capa de espejo por lo menos sobre la primera área. El método además incluye depositar un material sobre la primera área y la segunda área y alterar selectivamente el material sobre la primera área, el material sobre la segunda área o ambos. El método además incluye depositar una segunda capa de espejo por lo menos sobre la primera área. El material sobre la primera área se selecciona para que sea removible de tal manera que, al momento de retirarla de una porción sacrificatoria, se forma una cavidad y una estructura de poste del modulador interferométrico, en donde la estructura de poste incluye el material sobre la segunda área que permanece después de la remoción de la porción sacrificatoria. Otro aspecto provee un método para elaborar un dispositivo MEMS (tal como un modulador interferométrico) que incluye depositar un material sobre una primera capa de espejo y depositar una segunda capa sobre el material. La segunda capa incluye una abertura formada a través de la segunda capa y configurada para exponer el material. El método además incluye hacer fluir un ácido para grabar a través de la abertura y grabar el material para retirar una porción sacrificatoria del material para así formar una cavidad y una estructura de soporte del dispositivo MEMS, la estructura de soporte comprende una porción restante del material. El grabado es no selectivo entre la porción sacrificatoria y la porción restante del material. Otro aspecto provee un substrato MEMS no liberado que incluye un material subyacente y una capa superpuesta. La capa superpuesta está configurada para que una porción sacrificatoria del material sea removible para formar una cavidad. La capa superpuesta también está configurada de tal manera que una porción restante del material forma una estructura de poste de un modulador interferométrico al momento de la remoción de la porción sacrificatoria. La porción restante y la porción sacrificatoria tienen propiedades sustancialmente uniformes. Otro aspecto provee un método para elaborar un modulador interferométrico. El modulador interferométrico incluye por lo menos un primer espejo, un segundo espejo separado del primer espejo por una cavidad, y una estructura de soporte colocada en un lado de la cavidad y configurada para soportar el segundo espejo separado del primer espejo. El método para elaborar el modulador interferométrico incluye proveer un substrato que tiene una primera área configurada para quedar debajo del primer espejo y una segunda área configurada para quedar debajo de la estructura de soporte, y depositar una primera capa de espejo por lo menos sobre la primera área. El método además incluye depositar un material sobre la primera área y sobre la segunda área, y depositar una segunda capa de espejo por lo menos sobre el material en la primera área. El método además incluye formar una pluralidad de aberturas configuradas para facilitar el flujo de un ácido para grabar al material que está sobre la primera área. El material sobre la primera área es removible por medio del ácido para grabar para así formar la cavidad y la estructura de poste, en donde la estructura de poste comprende el material sobre la segunda área. La porción sacrificatoria y la porción restante están hechas de un material que tiene propiedades sustancialmente uniformes. Otra modalidad provee un modulador interferométrico hecho por medio de un método que se describió anteriormente. Otra modalidad provee un sistema que incluye dicho modulador interferométrico. Otra modalidad provee un dispositivo MEMS que incluye medios para retirar selectivamente una porción sacrificatoria de un material con relación a una porción restante del material; y medios para soportar por lo menos una porción de un modulador interferométrico, los medios de soporte se forman al momento de retirar la porción sacrificatoria, la porción restante y la porción sacrificatoria están hechas de un material que tiene propiedades sustancialmente uniformes . Otro aspecto provee un modulador interferométrico que incluye una estructura de poste que tiene un perfil re-entrante . Estas y otras modalidades se describen con mayor detalle a continuación.

BREVE DESCRIPCIÓN DE LAS FIGURAS La figura 1 es una vista isométrica que muestra una porción de una modalidad de una pantalla de modulador interferométrico en donde una capa reflectora móvil de un primer modulador interferométrico está en una posición liberada y una capa reflectora móvil de un segundo modulador interferométrico está en una posición activada. La figura 2 es un diagrama en bloques del sistema que ilustra una modalidad de un dispositivo electrónico que incorpora una pantalla de modulador interferométrico 3x3. La figura 3 es un diagrama de una posición de espejo móvil contra el voltaje aplicedo para una modalidad ejemplar de un modulador interferométrico de la figura 1. La figura 4 es una ilustración de un conjunto de voltajes en filas y columnas que se puede utilizar para accionar una pantalla de modulador interferométrico. Las figuras 5A y 5B ilustran un diagrama de sincronización ejemplar para señales en filas y columnas que se pueden utilizar para escribir un cuadro de datos de pantalla para la pantalla del modulador interferométrico 3x3 de la figura 2. La figura 6A es una sección transversal del dispositivo de la figura 1. La figura 6B es una sección transversal de una modalidad alternativa de un modulador interferométrico. La figura 6C es una sección transversal de otra modalidad alternativa de un modulador interferométrico. Las figuras 7-9 muestran vistas transversales que ilustran esquemáticamente aspectos de un flujo de procedimiento para la fabricación de un modulador interferométrico . Las figuras 10-11 muestran vistas transversales de una modalidad que ilustran esquemáticamente aspectos de un flujo de procedimiento para la fabricación de un modulador interferométrico. La figura 12 muestra vistas transversales de una modalidad que ilustran esquemáticamente aspectos de un flujo de procedimiento para la fabricación de un modulador interferométrico. Las figuras 13-15B muestran vistas transversales de una modalidad que ilustran esquemáticamente aspectos de un flujo de procedimiento para la fabricación de un modulador interferométrico. La figura 16 muestra una vista superior fotomicrográfica de una modalidad que muestra el grabado radial por medio de un ácido para grabar XeF2 que fluye a través de una vía de un substrato de modulador interferométrico . Las figuras 17A-17E muestran una vista superior fotomicrográfica de una modalidad que muestra el grabado progresivo de un substrato de modulador interferométrico por medio de un ácido para grabar XeF2 que fluye a través de una disposición de vías. Las figuras 18A-18C muestran una vista superior fotomicrográfica de una modalidad que muestra el grabado progresivo de un substrato de modulador interferométrico por medio de un ácido para grabar XeF2 que fluye a través de una disposición de vías horizontales y verticales. La figura 19 muestra vistas transversales de una modalidad que ilustran esquemáticamente aspectos de un flujo de procedimiento para la fabricación de un modulador interferométrico en donde la capa de espejo superior está suspendida de una capa deformable o mecánica. Las figuras 20A-20B muestran vistas transversales de una modalidad que ilustran esquemáticamente aspectos de un flujo de procedimiento para la fabricación de un modulador interferométrico en donde la capa de espejo superior está suspendida de una capa deformable o mecánica. Las figuras 21A-21B son diagramas en bloques del sistema que ilustran una modalidad de un dispositivo de pantalla visual que comprende una pluralidad de moduladores interferométricos .

DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LAS MODALIDADES PREFERIDAS Las modalidades preferidas se enfocan en los métodos para elaborar moduladores interferométricos en donde las cavidades internas y postes están formados de una capa de envoltura retirando selectivamente un material, dejando detrás el material restante para formar estructuras de poste. Estos métodos se pueden utilizar para elaborar moduladores interferométricos liberados y no liberados. Por ejemplo, un substrato de modulador interferométrico no liberado se puede formar depositando una primera capa de espejo, depositando un polímero fotosensible sobre la primera capa de espejo y sobre un área adyacente que quedará debajo de una estructura de poste en el modulador interferométrico resultante, y depositando después una segunda capa de espejo sobre el polímero fotosensible. El polímero fotosensible se irradia para dejar una porción sacrificatoria del polímero fotosensible que está entre la primera capa de espejo y la segunda capa de espejo selectivamente removible, formando así una cavidad. La porción del polímero fotosensible que está sobre el área que está junto a la primera capa de espejo permanece detrás para formar una estructura de poste después de la remoción de la porción sacrificatoria. En otra modalidad, el material entre las capas de espejo no necesita ser un polímero fotosensible. Por ejemplo, el material puede ser una capa de molibdeno de envoltura y la segunda capa de espejo superpuesta puede ser provista con vías que estén colocadas para permitir que un ácido para grabar (tal como XeF2) grabe selectivamente el molibdeno con relación a las capas de espejo. Por lo tanto el molibdeno es ahuecado lateralmente debajo de la segunda capa de espejo, pero sólo se retira una porción sacrificatoria del molibdeno, dejando una parte restante del molibdeno detrás para formar postes. Una modalidad provee un método para elaborar un modulador interferométrico que comprende depositar un polímero fotosensible sobre un substrato e irradiar selectivamente el polímero fotosensible para formar una capa sacrificatoria y una estructura de poste. Por ejemplo, el polímero fotosensible puede ser reticulado mediante irradiación para formar una estructura de poste en las áreas selectivamente irradiadas y una capa sacrificatoria en las áreas no irradiadas. Las porciones sacrificatorias no irradiadas son fácilmente susceptibles a la remoción mediante disolución, por ejemplo, mediante lavado con soluciones de recuperación protectoras comercialmente disponibles que no retiran las porciones irradiadas. Como otro ejemplo, el polímero fotosensible puede ser selectivamente degradado por irradiación para formar una capa sacrificatoria en el área selectivamente irradiada y una estructura de poste en áreas no irradiadas. En otra modalidad, el método continúa mediante el grabado selectivo de la capa sacrificatoria (por ejemplo, utilizando un solvente que preferiblemente disuelve la capa sacrificatoria, dejando la estructura de poste) . La siguiente descripción detallada se enfoca a ciertas modalidades específicas de la invención. Sin embargo, la invención se puede integrar en una multitud de formas diferentes. En esta descripción, se hace referencia a las figuras en donde, partes similares son designadas con números similares en todas ellas. Como será aparente a partir de la siguiente descripción, la estructura descrita en la presente invención se puede ejecutar en cualquier dispositivo que esté configurado para desplegar una imagen, ya sea en movimiento (por ejemplo, video) o estacionaria (por ejemplo, imagen sin movimiento) , y ya sea textual o gráfica. Muy particularmente, se contempla que las estructuras y métodos se puedan ejecutar en, o asociados con una variedad de dispositivos electrónicos tal como, pero no limitado a, teléfonos móviles, dispositivos inalámbricos, asistentes personales (PDA) , computadoras manuales o portátiles, receptores/navegadores GPS, cámaras, reproductores MP3, cámaras-grabadoras, consolas de juego, relojes de pulso, relojes de pared, calculadoras, monitores de televisión, pantallas planas, monitores de computadora, auto-pantallas (por ejemplo, pantalla de odómetro, etc.), controles y/o pantallas de cabinas, pantalla de vistas de cámara (por ejemplo, pantalla de una cámara de vista posterior en un vehículo) , fotografías electrónicas, carteleras o señalizaciones electrónicas, proyectores, estructuras arquitectónicas, empaques y estructuras estéticas (por ejemplo, pantalla de imágenes en una pieza de joyería) . Dispositivos MEMS de estructura similar a aquellos descritos en la presente invención también se pueden utilizar en aplicaciones sin pantalla tal como en dispositivos electrónicos de conmutación. En la figura 1 se ilustra una modalidad de un pantalla de modulador interferométrico que comprende un elemento de pantalla MEMS interferométrico. En estos dispositivos, los píxeles están en un estado brillante u oscuro. En el estado brillante ("encendido" o "abierto") , el elemento de pantalla refleja una porción grande de la luz visible incidente a un usuario. Cuando está en el estado oscuro ("apagado" o "cerraco") , el elemento de pantalla refleja poca luz visible incidente al usuario.

Dependiendo de la modalidad, se pueden invertir las propiedades de reflectancia de la luz de los estados "encendido" y "apagado". Los píxeles MEMS se pueden configurar para que se reflejen predominantemente en los colores seleccionados, permitiendo un pantalla a color además del blanco y negro. La figura 1 es una vista isométrica que muestra dos píxeles adyacentes en una serie de píxeles de un pantalla visual, en donde cada píxel comprende un modulador interferométrico MEMS. En algunas modalidades, un pantalla de modulador interferométrico comprende una disposición en fila/columna de estos moduladores interferométricos. Cada modulador interferométrico incluye un par de capas reflectoras colocadas a una distancia variable y controlable entre sí para formar una cavidad óptica resonante por lo menos con una dimensión variable. En una modalidad, una de las capas reflectoras se puede desplazar entre dos posiciones. En la primera posición, a la que se hace referencia en la presente invención como el estado liberado o relajado, la capa móvil es colocada a una distancia relativamente grande de una capa fija parcialmente reflectora. En la segunda posición, la capa móvil es colocada más cerca de la capa parcialmente reflectora. La luz incidente que se refleja de las dos capas interfiere constructivamente o destructivamente dependiendo de la posición de la capa reflectora móvil, produciendo un estado general ya sea reflectante o no reflectante para cada píxel. La porción que se muestra en la figura 1 de la disposición de píxeles incluye dos moduladores interferométricos adyacentes 12a y 12b. En el modulador interferométrico 12a a la izquierda, una capa móvil y altamente reflectora 14a se ilustra en una posición relajada a una distancia predeterminada de una capa fija y parcialmente reflectora 16a. En el modulador interferométrico 12b a la derecha, la capa móvil y altamente reflectora 14b se ilustra en una posición activada junto a la capa fija y parcialmente reflectora 16b. Las capas fijas 16a, 16b son eléctricamente conductoras, parcialmente transparentes y parcialmente reflectoras, y se pueden fabricar, por ejemplo, colocando una o más capas, cada una de cromo y óxido de indio-estaño sobre un substrato transparente 20. Las capas son modeladas en tiras paralelas, y pueden formar electrodos en fila en un dispositivo de pantalla como se describirá a continuación. Las capas móviles 14a, 14b se pueden configurar como una serie de hileras paralelas de una capa o capas de metal depositado (ortogonales a los electrodos en fila 16a, 16b) depositadas sobre la parte superior de postes 18 y un material sacrificatorio de intervención depositado entre los postes 18. Cuando el material sacrificatorio es mordentado, las capas de metal deformables quedan separadas de las capas de metal fijas por un espacio de aire definido 19. Se puede utilizar un material altamente conductor y reflector, tal como aluminio, para las capas deformables, y estas hileras pueden formar electrodos en columna en un dispositivo de pantalla. Sin la aplicación de voltaje, la cavidad 19 permanece entre las capas 14a, 16a y la capa deformable queda en un estado mecánicamente relajado como se ilustra por medio del píxel 12a en la figura 1. Sin embargo, cuando se aplica una diferencia potencial a una fila y columna seleccionadas, el capacitor, formado en la intersección de los electrodos en fila y columna en el píxel correspondiente, se carga y fuerzas electrostáticas atraen a los electrodos entre sí. Si el voltaje es lo suficientemente alto, la capa móvil se deforma y es forzada contra la capa fija (un material dieléctrico que no se ilustra en esta figura se puede depositar en la capa fija para evitar el acortamiento y controlar la distancia de separación) tal como se ilustra por medio del píxel 12b a la derecha en la figura 1. El comportamiento es el mismo sin considerar la polaridad de la diferencia potencial aplicada. De esta forma, la activación de la fila/columna que puede controlar los estados del píxel reflectante contra no reflectante es análoga, en muchas formas, a aquella empleada en pantallas LCD convencionales así como en otras tecnologías de pantalla. Las figuras 2 a 5 ilustran un procedimiento y sistema ejemplares para utilizar una disposición de moduladores interferométricos en una aplicación de pantalla. La figura 2 es un diagrama en bloques del sistema que ilustra una modalidad de un dispositivo electrónico que puede incorporar aspectos de la invención. En la modalidad ejemplar, el dispositivo electrónico incluye un procesador 21 que puede ser cualquier microprocesador de propósito general de un solo chip o de múltiples chips tal como un ARM, Pentium®, Pentium II®, Pentium III®, Pentium IV®, Pentium® Pro, un 8051, un MIPS®, una Power PC®, un ALPHA®, o cualquier microprocesador de propósito especial tal como un procesador de señales digitales, microcontrolador, o un arreglo de puerta programable. Como resulta convencional en la técnica, el procesador 21 se puede configurar para ejecutar uno o más módulos de software. Además de ejecutar un sistema operativo, el procesador se puede configurar para ejecutar una o más aplicaciones de software, incluyendo un navegador de web, una aplicación telefónica, un programa de correo electrónico, o cualquier otra aplicación de software. En una modalidad, el procesador 21 también está configurado para que se comunique con un controlador de disposición 22. En una modalidad, el controlador de disposición 22 incluye un circuito de excitación de fila 24 y un circuito de excitación de columna 26 que proveen señales a una disposición de píxeles 30. La sección transversal de la disposición que se ilustra en la figura 1 se muestra con las líneas 1-1 de la figura 2. Para moduladores interferométricos MEMS, el protocolo de activación de fila/columna puede sacar provecho de una propiedad de histéresis de estos dispositivos que se ilustran en la figura 3. Esto pudiera requerir, por ejemplo, una diferencia potencial de 10 voltios para provocar que una capa móvil se deforme del estado relajado al estado activado. Sin embargo, cuando el voltaje se reduce por debajo de ese valor, la capa móvil mantiene su estado conforme el voltaje cae por debajo de los 10 voltios. En la modalidad ejemplar de la figura 3, la capa móvil no se relaja completamente hasta que el voltaje cae por debajo de los 2 voltios. Por lo tanto, existe un rango de voltaje, aproximadamente 3 a 7 V en el ejemplo que se ilustra en la figura 3, en donde existe una ventana de voltaje aplicado dentro de la cual, el dispositivo es estable ya sea en el estado relajado o activado. A esto se hace referencia en la presente invención como la "ventana de histéresis" o "ventana de estabilidad". Para una disposición de pantalla que tiene las características de histéresis de la figura 3, el protocolo de activación de fila/columna se puede diseñar para que, durante la selección estroboscópica de la fila, los píxeles en la fila seleccionada que se van a activar queden expuestos a una diferencia de voltaje de aproximadamente 10 voltios, y los píxeles que se van a relajar queden expuestos a una diferencia de voltaje de casi cero voltios. Después de la selección estroboscópica, los píxeles quedan expuestos a una diferencia de voltaje en estado constante de aproximadamente 5 voltios de tal forma que permanecen en cualquier estado en el que la selección estroboscópica de fila los haya colocado. Después de escribirse, cada píxel observa una diferencia potencial dentro de la "ventana de estabilidad" de 3-7 voltios en este ejemplo. Esta característica hace que el diseño de píxel que se ilustra en la figura 1 sea estable bajo las mismas condiciones de voltaje aplicado ya esa en el estado preexistente activado o relajado. Debido a que cada píxel del modulador interferométrico, ya sea en el estado activado o relajado, es esencialmente un capacitor formado por las capas reflectoras fijas y móviles, este estado estable se puede mantener a un voltaje dentro de la ventana de histéresis casi sin ninguna disipación de energía. Esencialmente no fluye corriente alguna al interior del píxel si el potencial aplicado es fijo. En aplicaciones típicas, se puede crear un cuadro de pantalla colocando el conjunto de electrodos en columna de acuerdo con el conjunto deseado de píxeles activados en la primera fila. Se aplica entonces un impulso de fila al electrodo de la fila 1 activando los píxeles correspondientes a las líneas de la columna colocada. Posteriormente se cambia el conjunto colocado de electrodos en columna para que corresponda al conjunto deseado de píxeles activados en la segunda fila. Se aplica entonces un impulso al electrodo de la fila 2, accionando los píxeles apropiados en la fila 2 de acuerdo con la columna colocada de electrodos. Los píxeles de la fila 1 no se ven afectados por el impulso de la fila 2, y permanecen en el estado en que fueron configurados durante el impulso de la fila 1. Esto se puede repetir para todas las series de filas en una forma secuencial para producir el cuadro. Generalmente, los cuadros son actualizados y/o puestos al día con los nuevos datos de pantalla repitiendo continuamente este procedimiento a cierto número deseado de cuadros por segundo. Es muy conocida una amplia variedad de protocolos para accionar los electrodos de filas y columnas de disposiciones de píxeles para producir cuadros de pantalla y dichos protocolos se pueden utilizar junto con la presente invención. Las figuras 4 y 5 ilustran un posible protocolo de activación para crear un cuadro de pantalla en la disposición 3x3 de la figura 2. La figura 4 ilustra un conjunto posible de niveles de voltaje de columna y fila que se puede utilizar para píxeles que exhiben las curvas de histéresis de la figura 3. En la modalidad de la figura 4, la activación de un píxel involucra la configuración de la columna apropiada a - poiarizacón, y la fila apropiada a +?V, lo cual puede corresponder a -5 voltios y +5 voltios respectivamente. La liberación del píxel se logra configurando la columna apropiada a +Vpoiarización/- y la fila apropiada a la misma +?V, produciendo una diferencia potencial de cero voltios en el píxel. En esas filas en donde el voltaje de fila se mantiene en cero voltios, los píxeles son estables en cualquier estado en el que hayan estado originalmente, sin considerar si la columna está en ' "polarizaciónj O —Vp0larización • La figura 5B es un diagrama de sincronización que muestra una serie de señales en fila y columna aplicadas a la disposición 3x3 de la figura 2 la cual dará como resultado la disposición del pantalla que se ilustra en la figura 5A, en donde los píxeles accionados no son reflectantes. Antes de escribir el cuadro que se ilustra en la figura 5A, los píxeles pueden estar en cualquier estado, y en este ejemplo, todas las filas están a 0 voltios, y todas las columnas están a +5 voltios. Con estos voltajes aplicados, todos los píxeles son estables en sus estados existentes activado o relajado. En el cuadro de la figura 5A, los píxeles (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) y (3,3) están activados. Para lograr esto, durante un "tiempo de línea" para la fila 1, las columnas 1 y 2 se configuran a -5 voltios, y la columna 3 se configura a +5 voltios. Esto no cambia el estado de ninguno de los píxeles debido a que todos los píxeles permanecen en la ventana de estabilidad de 3-7 voltios. Se selecciona entonces la fila 1 con un impulso que va de 0 hasta 5 voltios, y de regreso a cero. Esto activa los píxeles (1,1) y (1,2) y relaja el píxel (1,3). Ningún otro píxel en la disposición se ve afectado. Para configura la fila 2 según se desee, la columna 2 se configura a -5 voltios, y las columnas 1 y 3 se configuran a +5 voltios. La misma selección estroboscópica aplicada a la fila 2 activará el píxel (2,2) y relajará los píxeles (2,1) y (2,3). Una vez más, ningún otro píxel de la disposición se ve afectado. La fila 3 se configura de manera similar configurando las columnas 2 y 3 a -5 voltios, y la columna 1 a +5 voltios. La selección estroboscópica de la fila 3 configura los píxeles de la fila 3 como se muestra en la figura 5A. Después de escribir el cuadro, los potenciales de fila son cero, y los potenciales de columna pueden permanecer en +5 ó -5 voltios, y la pantalla es entonces estable en la disposición de la figura 5A. Se apreciará que el mismo procedimiento se puede emplear para las disposiciones de docenas o cientos de filas y columnas. También se apreciará que la sincronización, secuencia y niveles de voltajes empleados para llevar a cabo la activación de las filas y columnas pueden variar ampliamente dentro de los principios generales mencionados anteriormente, y el ejemplo anterior es únicamente ejemplar, y con la presente invención se puede utilizar cualquier método de voltaje de activación. Los detalles de la estructura de los moduladores interferométricos que operan de acuerdo con los principios que se estipularon anteriormente pueden variar ampliamente. Por ejemplo, las figuras 6A-6C ilustran tres modalidades diferentes de la estructura de espejo móvil. La figura 6A es una sección transversal de la modalidad de la figura 1, en donde una tira de material de metal 14 es depositado sobre soportes que se extienden de manera ortogonal 18. En la figura 6B, el material reflector móvil 14 está fijo a soportes en las esquinas únicamente, sobre cadenas 32. En la figura 6C, el material reflector móvil 14 está suspendido desde una capa deformable 34. Esta modalidad tiene beneficios debido a que el diseño estructural y los materiales empleados para el material reflector 14 se pueden optimizar con respecto a las propiedades ópticas, y el diseño estructural y los materiales empleados para la capa deformable 34 se pueden optimizar con respecto a propiedades mecánicas deseadas. La producción de varios tipos de dispositivos interferométricos se describe en una variedad de documentos publicados, incluyendo, por ejemplo, la Solicitud Publicada EUA 2004/0051929. Se puede emplear una amplia variedad de técnicas muy conocidas para producir las estructuras anteriormente descritas que involucran una serie de pasos de deposición, modelado y grabado de material. Los moduladores interferométricos del diseño general que se analizó anteriormente comprenden una cavidad interferométrica (por ejemplo, la cavidad 19 en las figuras 1 y 6) y una estructura de poste (por ejemplo, el soporte 18 en las figuras 1 y 6) , y se pueden fabricar utilizando técnicas descritas y/o a las que se hace referencia en la Publicación de Solicitud EUA número 2004/0051929. Las figuras 7-9 ilustran esguemáticamente aspectos de un procedimiento de fabricación para un modulador interferométrico en donde la estructura de poste es formada depositando una capa sacrificatoria, formando agujeros en la capa sacrificatoria, depositando un polímero en los agujeros, y después retirando la capa sacrificatoria dejando el polímero detrás para formar los postes. Aquellos expertos en la técnica apreciarán que los procedimientos de fabricación descritos en la presente invención se pueden llevar a cabo utilizando técnicas convencionales de fabricación de semiconductor tal como fotolitografía, deposición (por ejemplo, métodos "en seco" tal como la deposición de vapor químico (CVD) y métodos en húmedo tal como recubrimiento por centrifugación) , enmascaramiento, grabado (por ejemplo, métodos en seco tal como grabado de plasma y métodos en húmedo) , etc. La figura 7 ilustra la formación de una primera capa de espejo 315 mediante la deposición de material de espejo 310 en un substrato 305 y modelado y grabado posterior. La figura 7 además ilustra la deposición de una capa dieléctrica 320 sobre la primera capa de espejo 315 y el substrato expuesto 305. El material de espejo es eléctricamente conductor y puede comprender un metal o un semiconductor (tal como silicio) dopado para que tenga la conductividad deseada. En una modalidad, la primera capa de espejo 315 es una estructura multicapa que comprende un conductor transparente (tal como óxido de indio-estaño) y un espejo primario (tal como cromo) . En otra modalidad, la primera capa de espejo 315 es una estructura multicapa que comprende un conductor transparente (tal como óxido de indio-estaño) , una capa dieléctrica (óxido de silicio) y un espejo primario. En un número de modalidades, la primera capa de espejo (por ejemplo, la primera capa de espejo 315) también funciona como un electrodo, y por lo tanto los términos "electrodo" "espejo" y "capa de espejo" se pueden utilizar de manera intercambiable en la presente invención. La capa dieléctrica 320 puede ser óxido de silicio. El procedimiento de fabricación continúa como se ilustra en la figura 8 mediante la deposición de una capa sacrificatoria 405 sobre la capa dieléctrica 320 para formar una estructura 400, enmascarando y grabando la capa sacrificatoria 405 para formar los agujeros 410, y depositando un polímero en los agujeros 410 para formar estructuras de poste 415. La capa sacrificatoria puede ser un material (tal como molibdeno o silicio) que tenga la capacidad de ser grabado por exposición a vapor XeF2. El polímero puede ser un material de fotoprotección negativa. Una segunda capa de espejo 505 se deposita entonces sobre las estructuras de poste 415 y la capa sacrificatoria 405 como se ilustra en la figura 9. La segunda capa de espejo 505 es eléctricamente conductora y puede ser un metal o un semiconductor (tal como silicio) dopado para que tenga la conductividad deseada. En flujos de procedimiento alternativos (que no se muestran en la figura 9) , se utiliza un procedimiento de múltiples pasos para fabricar una segunda capa de espejo que está suspendida de una capa mecánica (por ejemplo, como se ilustra en la figura 6C) . Para las modalidades en donde la segunda capa de espejo (por ejemplo, la segunda capa de espejo 505) también funciona como un electrodo, los términos "electrodo", "espejo" y "capa de espejo" se pueden utilizar de manera intercambiable. En la modalidad que se ilustra, la segunda capa de espejo 505 también tiene una función mecánica durante la operación del modulador interferométrico, y por lo tanto, en la presente invención, se puede denominar como una capa "mecánica" o "deformable". En otras configuraciones, la capa de espejo está suspendida de la capa mecánica o deformable, por ejemplo, el espejo 14 puede estar suspendido de la capa deformable 34 como se ilustra en la figura 6C. La capa sacrificatoria 405 es removida, por ejemplo, mediante grabado, para formar una cavidad interferométrica 510 como se ilustra en la figura 9. Una capa sacrificatoria de silicio o molibdeno puede ser removida mediante exposición a vapor de XeF2. Aquellos expertos en la técnica entenderán que en el flujo de procedimiento para la fabricación de un modulador interferométrico que se ilustra en las figuras 7-9, la capa sacrificatoria y la estructura de poste están formadas de diferentes materiales, por ejemplo, molibdeno (capa sacrificatoria) y fotoprotección de polímero (estructura de poste) , los cuales son depositados en diferentes etapas del procedimiento de fabricación. Actualmente se ha desarrollado un procedimiento mejorado para la fabricación de un modulador interferométrico el cual involucra depositar una capa de material sobre una primera capa de espejo, formar una segunda capa de espejo sobre el material, y después retirar selectivamente una porción sacrificatoria de la capa de material para formar una cavidad y una estructura de poste. La estructura de poste contiene una porción restante de la capa de material que no es retirada. En algunas modalidades, el material que se deposita sobre la primera capa de espejo (y que después se retira selectivamente para formar la cavidad y la estructura de poste) tiene una composición sustancialmente uniforme cuando es depositada inicialmente, pero después es selectivamente alterada durante el procedimiento de fabricación para que la porción sacrificatoria sea más fácil de retirar que la porción restante que forma la estructura de poste. Se pueden utilizar técnicas de remoción selectivas para facilitar la remoción de la porción sacrificatoria. En otras modalidades, el material tiene una composición sustancialmente uniforme durante la deposición y remoción, y se aplican técnicas de remoción selectiva (con relación a los materiales vecinos, tal como una capa mecánica superpuesta y la capa dieléctrica subyacente) para remover la porción sacrificatoria (por ejemplo, mediante ahuecado lateral isotrópico) , dejando la porción restante detrás para formar por lo menos una parte de los postes. Otras modalidades proveen substratos MEMS no liberados de los cuales se puede retirar la porción sacrificatoria, tal como se describió anteriormente. Por ejemplo, una modalidad provee un substrato MEMS no liberado que comprende un material, el substrato MEMS está configurado para que una porción sacrificatoria del material sea removible para formar una cavidad; y el substrato MEMS está configurado adicionalmente para que una porción restante del material forme una estructura de poste de un modulador interferométrico al momento de la remoción de la porción sacrificatoria. Otra modalidad provee un substrato MEMS no liberado que comprende un material y un medio para retirar selectivamente una porción sacrificatoria del material con relación a una porción restante del material para que la porción restante del material forme un medio para soportar un modulador interferométríco al momento de retirar la porción sacrificatoria. El medio de remoción puede comprender, por ejemplo, una porción del material que es selectivamente alterado para definir la porción sacrificatoria del material y la porción restante del material. El medio de remoción puede comprender, por ejemplo, una capa superpuesta, por ejemplo, una capa superpuesta configurada para que una porción restante de un material subyacente forme una estructura de poste al momento de retirar la porción sacrificatoria, o el medio de remoción puede comprender una abertura configurada para exponer el material a un ácido para grabar. El medio de soporte puede comprender, por ejemplo, una estructura de soporte o estructura de poste. Estas y otras modalidades se describen con mayor detalle a continuación. En una modalidad, el material tiene propiedades sustancialmente uniformes cuando es depositado inicialmente, pero es selectivamente alterado durante el procedimiento de fabricación para que la porción sacrificatoria pueda ser selectivamente retirada con relación a la porción restante que forma la estructura de poste. Dicha modalidad se ilustra en la figura 10. El procedimiento que se muestra en la figura 10 comienza con una estructura 600 que incluye un substrato 605, una primera capa de espejo 610 sobre el substrato 605, una capa dieléctrica 615 sobre la primera capa de espejo 610 y el substrato 605, y un material 620 sobre la capa dieléctrica 615. La estructura 600 se puede fabricar en la forma general descrita anteriormente con respecto a la elaboración de la estructura 400 que se ilustra en la figura 8, excepto que el material 620 es un material que tiene la capacidad de ser selectivamente alterado para que una porción sacrificatoria sea selectivamente removible con relación a la porción no alterada del material. Los polímeros de fotoprotección so ejemplos no limitativos de dichos materiales. Los polímeros de fotoprotección incluyen fotoprotecciones positivas y fotoprotecciones negativas. La exposición de una protección positiva a la radiación (por ejemplo, la luz ultravioleta) altera el polímero para que sea más fácil de retirar. La exposición de una fotoprotección negativa a la radiación (por ejemplo, luz ultravioleta) altera el polímero para que sea más difícil de retirar. Los polímeros fotosensibles pueden ser selectivamente irradiados mediante técnicas conocidas (por ejemplo, mediante enmascaramiento) para que una o más porciones del polímero sean más fáciles de retirar que una o más de otras porciones. El silicio es otro ejemplo de un material que tiene la capacidad de ser selectivamente alterado para que una porción sacrificatoria sea removible. Por ejemplo, el silicio puede ser selectivamente alterado mediante implantación de iones con átomos de oxígeno para formar óxido (s) de silicio. Varias sustancias químicas de remoción selectiva están disponibles para grabar selectivamente óxido (s) de silicio con relación al silicio y viceversa. Otras sustancias químicas de remoción selectiva están disponibles para la remoción selectiva de otros sistemas de material, por ejemplo, silicio dopado contra silicio no dopado, óxido (s) de silicio dopado contra óxido (s) de silicio no dopado; metal nitrurado o silicificado contra metal, etc. La alteración selectiva se puede realizar mediante el enmascaramiento de un material base (por ejemplo, silicio) y la implantación de los iones apropiados (por ejemplo, implantación de átomos de oxígeno para formar óxido (s) ) de silicio en las áreas no enmascaradas. De preferencia, el material 620 es una fotoprotección que se puede modelar utilizando una retícula que bloquea la luz para que no llegue a áreas seleccionadas de la fotoprotección durante la irradiación. El uso de dicha retícula puede reducir o eliminar el enmascaramiento del material base. Otra ventaja de las fotoprotecciones es que típicamente ejecutan una auto-planarización, ya que son depositadas mediante procedimientos de deposición por centrifugación . En la modalidad que se ilustra, el material 620 es un polímero fotosensible. En la figura 10, el material 620 es selectivamente irradiado (por ejemplo, mediante un enmascaramiento conveniente, que no sa muestra) para formar porciones irradiadas 625 en las áreas selectivamente irradiadas y las porciones no irradiadas 621 que permanecen en las áreas no irradiadas. En esta modalidad, el material 620 es un polímero fotosensible que experimenta una reticulación al momento de la irradiación (por ejemplo, una fotoprotección negativa) . Dichos polímeros fotosensibles son muy conocidos por aquellos expertos en la técnica. La reticulación endurece el polímero para formar las porciones irradiadas 625, para que las porciones no irradiadas restantes 621 puedan ser selectivamente retiradas durante una etapa posterior del procedimiento, como se describe a continuación. En otras disposiciones, la protección puede contener generadores de foto-ácido (PAG) activados por exposición a la luz, haciendo que las regiones acidas o no acidas resultantes sean selectivamente removibles con relación a otras regiones. La figura 11 muestra cómo una segunda capa de espejo 705 es entonces formada sobre las porciones irradiadas 625 y las porciones no irradiadas 621 para formar un substrato de modulador interferométrico no liberado 1100. En esta modalidad, la segunda capa de espejo 705 tiene una función mecánica y se puede denominar como una capa mecánica o deformable. La segunda capa de espejo 705 puede ser formada mediante técnicas de deposición conocidas, por ejemplo, pulverización o deposición de vapor químico. Se puede emplear un paso de planarización óptica para aplanar las partes superiores de las porciones irradiadas 625 y las porciones no irradiadas 621, proveyendo así una superficie relativamente plana para que quede debajo de la segunda capa de espejo 705. La segunda capa de espejo 705 es eléctricamente conductora y puede ser un metal o un semiconductor (tal como silicio) dopado para tener la conductividad deseada. En esta modalidad, la segunda capa de espejo 705 es un electrodo. En flujos de procedimientos alternos (que no se muestra en la figura 11) , se utiliza un procedimiento de múltiples pasos para fabricar un segundo espejo/electrodo que es suspendido desde una capa mecánica (por ejemplo, como se ilustra en la figura 6C) . Las porciones no irradiadas 621 del substrato no liberado 1100 se retiran entonces para formar cavidades de modulador interferométrico 710 como se ilustra en la figura 11. El polímero en las porciones irradiadas 625 se ha endurecido debido a la reticulación y por lo tanto tiene una solubilidad diferente que las porciones no irradiadas 621. La reticulación se puede ejecutar utilizando varias formas de energía, por ejemplo, UV, radiación ionizante, calor, etc. Por lo tanto, por ejemplo, al emplear la sustancia química para grabar apropiada, las porciones no irradiadas 621 se pueden retirar selectivamente para formar las cavidades 710, dejando atrás el polímero restante en las porciones irradiadas 625 para formar estructuras de poste 715. En la modalidad que se ilustra, la remoción selectiva de las porciones no irradiadas 621 se logra mediante lavado con un solvente líquido que de preferencia disuelve el polímero no reticulado en las porciones no irradiadas 621. En modalidades alternativas, la remoción se puede lograr mediante la exposición a un plasma o vapor químico que de preferencia graba las porciones no irradiadas 621. En otra modalidad, que se ilustra en la figura 12, se forma una estructura 800 en la misma forma general que la estructura 600 que se ilustra en la figura 10, excepto que se selecciona un polímero fotosensible 810 el cual experimenta degradación al momento de la irradiación (por ejemplo, una fotoprotección positiva) para formar porciones irradiadas 815 en las áreas selectivamente irradiadas y las porciones no irradiadas 820 que permanecen en las áreas no irradiadas. Dicha irradiación selectiva se puede lograr por ejemplo, invirtiendo el enmascaramiento que se ilustra en la figura 10. El procedimiento de fabricación puede entonces continuar (que no se muestra en la figura 12) en la forma general que se describió anteriormente con respecto a la figura 11, depositando una segunda capa de espejo y después retirando selectivamente el polímero degradado en las porciones irradiadas 815 para formar cavidades, dejando atrás el polímero en las porciones no irradiadas 820 para formar estructuras de poste.

Los procedimientos que se ilustran en las figuras 10-12 también se pueden llevar a cabo utilizando otros materiales que se pueden alterar selectivamente para que las porciones alteradas sean selectivamente removibles con relación a las porciones no alteradas. Por ejemplo, aquellos expertos en la técnica entenderán que el silicio se puede alterar selectivamente a través de la implantación de iones de oxígeno a través de una máscara conveniente para formar óxido (s) de silicio en área(s) seleccionada (s) . La remoción selectiva de una porción sacrificatoria (ya sea el silicio no alterado o el óxido de silicio) se puede entonces realizar utilizando un ácido para grabar conveniente para formar una cavidad y una estructura de poste en la forma general que se ilustra en las figuras 10-12, para que la estructura de poste comprenda una porción restante del silicio u óxido (s) de silicio. Como se analizó anteriormente, también se pueden utilizar otros sistemas de material y sustancias químicas para la remoción selectiva. Aquellos expertos en la técnica también entenderán que el orden de los pasos del procedimiento que se ilustran en las figuras 10-12 se pueden cambiar según se desee. Por ejemplo, la alteración del material 620 mediante irradiación selectiva para formar porciones irradiadas 625 en las áreas selectivamente irradiadas y porciones no irradiadas 621 que permanecen en las áreas no irradiadas, como se ilustra en la figura 10, se puede realizar antes de la formación del segundo espejo 705 (como se ilustra en la figura 11) . En una modalidad alternativa (que no se ilustra) , el material 620 es selectivamente irradiado después que el segundo espejo 705 es formado sobre el material 620. En otras modalidades, el material depositado sobre la primera capa de espejo tiene propiedades sustancialmente uniformes durante la deposición y remoción, y se aplican técnicas de remoción para retirar porciones sacrificatorias del material, dejando las porciones restantes del material detrás para formar por lo menos una parte de los postes. Las técnicas de remoción son selectivas entre el material y otros materiales vecinos pero son no selectivas entre las porciones sacrificatorias y restantes del material. El flujo del procedimiento que se muestra en las figuras 13-14 ilustra dicha modalidad. El procedimiento comienza en la figura 13 con una estructura 900 que incluye un substrato 902, una primera capa de espejo 904 sobre el substrato 902, una capa dieléctrica 906 sobre la primera capa de espejo 904 y el substrato 902, y una capa de material 910 sobre la capa dieléctrica 906. El substrato 902 incluye una primera área 907 configurada para quedar debajo de la primera capa de espejo 904 y una segunda área 908 configurada para quedar debajo de una estructura de poste que se formará conforme a lo descrito a continuación. La estructura 900 se puede fabricar en la misma forma general que se describió anteriormente con respecto a la elaboración de la estructura 400 que se ilustra en la figura 8. El material 910 es un material que tiene la capacidad de ser relativamente grabado con relación a otros materiales vecinos (por ejemplo, la primera capa de espejo 904 y la capa dieléctrica 906) mediante exposición a un ácido para grabar conveniente para retirar una porción sacrificatoria. El molibdeno y el silicio son ejemplos de dichos materiales y XeF2 es un ejemplo de un ácido para grabar conveniente. Aquellos expertos en la técnica entenderán que, en este contexto, el término "ácido para grabar XeF2" se refiere a la sustancia gaseosa y/o vaporosa formada mediante la sublimación de XeF2 sólido, y puede incluir XeF2, Xe y F2 en forma gaseosa o vapor. El material 910 es molibdeno en la modalidad que se ilustra. El procedimiento que se ilustra en la figura 13 continúa mediante la formación de una segunda capa de espejo 920 sobre la capa de molibdeno 910 y sobre la primera área 907 para formar un substrato de modulador interferométrico no liberado 911. En la modalidad que se ilustra, la segunda capa de espejo 920 también se forma sobre la segunda área 908. En un paso intermedio previo (que no se muestra), se aplanó la capa de molibdeno 910. Dicha planarización es opcional. Aquellos expertos en la técnica entenderán que, en la modalidad que se ilustra, la segunda capa de espejo 920 también funciona como una capa mecánica y como un electrodo en el modulador interferométrico resultante, y por lo tanto en la presente invención se puede denominar como una capa mecánica, una capa deformable y/o un electrodo. El procedimiento continúa con la formación de vías 925 a través de la segunda capa de espejo 920 para exponer la capa de molibdeno 910. Las vías 925 se forman en la segunda capa de espejo 920 sobre las áreas de la estructura 900 en donde se desea la creación de cavidades ópticas (por ejemplo, sobre la primera área 907), como se explicará con mayor detalle a continuación. Las vías 925 se pueden formar mediante técnicas de enmascaramiento y grabado conocidas por aquellos expertos en la técnica. El procedimiento continúa como se ilustra en la figura 14 mediante la introducción de un ácido para grabar XeF2 930 a través de las vías 925 para grabar de manera isotrópica y selectiva la capa de molibdeno 910 sin grabar sustancialmente la capa dieléctrica 906 o la segunda capa de espejo 920. También pueden ser convenientes otros ácidos para grabar selectivos, dependiendo de la naturaleza del material 910 y de los materiales empleados para formar la capa dieléctrica 906 y la segunda capa de espejo 920, así como las exigencias de la producción. En la modalidad que se ilustra, el grabado de la capa de molibdeno 910 mediante el ácido para grabar 930 procede con la formación de cavidades 935 que lateralmente cortan la segunda capa de espejo 920 y se expanden en tamaño para formar las cavidades ópticas 940 durante el transcurso del procedimiento de grabado. Las vías 925 son colocadas y las condiciones de grabado son seleccionadas para que el ácido para grabar 930 remueva una porción sacrificatoria de la capa de material 910 bajo la segunda capa de espejo 920 para formar las cavidades ópticas 940 sobre la primera área 907 y sobre el primer espejo 904, y para que la porción restante de la capa de material 910 forme estructuras de poste 945 que provean soporte a la segunda capa de espejo 920 sobre la segunda área 908. Opcionalmente, la producción puede continuar para concluir la elaboración de un dispositivo MEMS tal como un modulador interferométrico. En la modalidad que se ilustra, las estructuras de poste 945 tienen un perfil re-entrante que generalmente es cóncavo en su sección transversal. Aquellos expertos en la técnica entenderán que la base de las estructuras de poste 945 puede ser más ancha que la parte superior, tal como se muestra. En la modalidad que se ilustra, el ácido para grabar entra a través de las vías 925 y, por lo tanto, tiende a haber más grabado cerca de la parte superior que de la parte inferior, dando como resultado estructuras de poste 925 que tienden a ser más anchas en la parte inferior que en la parte superior. La figura 15A ilustra otra modalidad en donde el ácido para grabar 930 entra a través de las aberturas 926 formadas a través del substrato 902, en cuyo caso tiende a haber más grabado cerca de la parte inferior que de la parte superior, tal como se muestra para la estructura de poste 945a. En otra modalidad todavía que se ilustra en la figura 15B, el ácido para grabar 930 entra a través de las vías 925 y las aberturas 926, en cuyo caso tiende a haber más grabado cerca de la parte superior y de la parte inferior de la estructura de poste que en la parte media, tal como lo indica la sección transversal convexa de la estructura de poste 945b en la modalidad que se ilustra. El posicionamiento de las vías 925 y la selección de las condiciones de grabado para producir cavidades y estructuras de poste como se ilustra en las figuras 13-15 se pueden lograr de varias formas. La figura 16 muestra una fotomicrografía de un substrato de modulador interferométrico (que se toma del lado de la pantalla) después que se introduce una cantidad controlada de un ácido para grabar XeF2 a través de una vía 1505 para grabar un material de molibdeno. La fotomicrografía muestra que el XeF2 fluye a través de la vía 1505 y después graba el molibdeno en un patrón generalmente radial para formar una cavidad (aquí no se observa la sección transversal) . Este patrón de flujo se puede utilizar para producir una disposición de cavidades y estructuras de poste de modulador interferométrico como se ilustra mediante la serie de fotomicrografías que se muestran en la figura 17. La figura 17A muestra una disposición de cavidades (incluyendo una cavidad 1605) que tiene secciones transversales generalmente circulares en el material de molibdeno de un substrato de modulador interferométrico, que resulta de un "grabado sincronizado" que involucra la introducción de un ácido para grabar XeF2 a través de una disposición correspondiente de vías (por ejemplo, una vía 1609) . La fotomicrografía que se muestra en la figura 17A fue tomada alrededor de un minuto después que se introdujo el ácido para grabar XeF2 a través de las vías (por ejemplo, la vía 1609) . Las figuras 17B, 17C, 17D y 17E muestran fotomicrografías de diferentes substratos de modulador interferométrico expuestos al ácido para grabar XeF2 durante varios periodos de tiempo. Los substratos grabados que se muestran en las figuras 17B-17E ilustran el efecto de introducir el ácido para grabar XeF2 a través de las vías 1609, 1610, y 1615 para así grabar el material de molibdeno durante aproximadamente dos, cuatro, seis y ocho minutos, respectivamente. Aquellos expertos en la técnica entenderán que se utilizan números de diferente referencia para denominar a las vías en las figuras 17A, 17D y 17E debido a que los diferentes substratos de modulador interferométrico (y por lo tanto diferentes vías) se ilustran en la serie de fotomicrografías representativas. El diámetro de las vías fue de alrededor de 4 mieras (um) y la presión de la cámara se ubicó en el rango de aproximadamente 20 mTorr a 2 Torr durante los procedimientos de grabado que se ilustran en la figura 17. La serie de fotomicrografías en la figura 17 ilustra la forma en que los diámetros de las cavidades tenderían a incrementar conforme avanza el grabado, desde las etapas iniciales en donde los bordes de las cavidades (por ejemplo, los bordes de cavidad 1607) son separados unos de otros hasta las etapas posteriores, cuando los bordes de las cavidades se encuentran y fusionan. Al detener el grabado después que los bordes de las cavidades se fusionan pero antes de completar la remoción del material de molibdeno, el material restante se deja atrás para formar postes. Por ejemplo, el poste en forma de diamante 1620 en la figura 17E se puede formar introduciendo ácido para grabar XeF2 a través de las vías 1615 hasta que se fusionan las cavidades correspondientes. La figura 18 ilustra un avance de las fotomicrografías representativas que ilustran la formación de postes de modulador interferométrico 1705 mediante la introducción de un ácido para grabar XeF2 a través de una serie de vías horizontales y verticales 1710. Las vías 1710 son aberturas o canales en la(s) capa(s) subyacente (s) o superpuesta (s) , exponiendo el material molibdeno subyacente. En la figura 18A, el substrato de modulador interferométrico fue expuesto a vapor de XeF2 durante aproximadamente 30 segundos. En la figura 18B, la exposición a XeF2 fue de alrededor de 45 segundos, y en la figura 18C, la exposición al XeF2 fue de alrededor de un minuto. La velocidad de grabado se puede ajustar según se desee controlando la presión de la cámara y/o introduciendo el gas XeF2 a la cámara en adición con otros gases, por ejemplo, en adición con un gas portador tal como nitrógeno, helio, xenón y/o argón. Aquellos expertos en la técnica entenderán que las aberturas (incluyendo las disposiciones de aberturas) en la capa superpuesta y/o el substrato de preferencia están configuradas para facilitar tanto el grabado de la capa de material para formar la cavidad y la estructura de poste como la operación del dispositivo MEMS resultante. Por lo tanto, por ejemplo, se prefiere que las aberturas en la capa de espejo de un modulador interferométrico sean configuradas para reducir al mínimo cualquier impacto negativo en el funcionamiento de la capa de espejo. Se puede emplear experimentación de rutina para identificar las configuraciones óptimas de abertura y las condiciones de grabado. Aquellos expertos en la técnica entenderán que las modalidades del procedimiento que se ilustran en las figuras 13-18 también se pueden practicar utilizando materiales que se pueden alterar selectivamente para que las porciones alteradas queden selectivamente más o menos removibles con relación a las porciones no alteradas. Por ejemplo, el substrato de modulador interferométrico no liberado 1100 que se ilustra en la figura 11 se puede utilizar en lugar del substrato de modulador interferométrico no liberado 911 que se ilustra en la figura 13. En dicho caso, las vías 925 formadas a través de la segunda capa de espejo 920 para exponer la capa de molibdeno 910 (como se ilustra en la figura 13) serían formadas más bien a través de la segunda capa de espejo 705 para exponer las porciones no irradiadas 621 del substrato de modulador interferométrico no liberado 1100. La remoción de las porciones no irradiadas 621 podría entonces realizarse en la misma forma general que se ilustra en la figura 14 y que se describió anteriormente, con la ventaja adicional de una ventana de procesamiento más amplia (por ejemplo, menos riesgo de grabado en exceso de las porciones irradiadas 625 después de la remoción de las porciones no irradiadas 621) . Los procedimientos descritos en la presente invención también aplican a la fabricación de moduladores interferométricos no liberados y liberados del tipo general que se ilustra en la figura 6C, en donde una segunda capa de espejo (el material reflector móvil 14) es suspendida de una capa deformable 34. Los moduladores interferométricos del tipo general que se ilustra en la figura 6C se pueden fabricar como se describe en la Publicación de Patente EUA número 2004/0051929 Al. Las vistas transversales esquemáticas que se muestran en la figura 19 ilustran aspectos de un método para fabricar moduladores interferométricos del tipo general que se ilustra en la figura 6C. Un modulador interferométrico no liberado 1800 incluye un substrato 1805, una primera capa de espejo 1810 sobre el substrato 1805, una capa dieléctrica 1815 sobre la primera capa de espejo 1810, y una primera porción de material sacrificatorio 1835 sobre la capa dieléctrica 1815. Se forma una segunda capa de espejo 1820 sobre una porción del material sacrificatorio 1835, y se forma una segunda porción de material sacrificatorio 1845 sobre la segunda capa de espejo 1820. La segunda capa de espejo 1820 está fija a una capa deformable o mecánica 1825 formada sobre la segunda porción de material sacrificatorio 1845. Los postes 1830 se forman a través de las vías en la primera y segunda porciones del material sacrificatorio 1835, 1845. Los postes 1830 están configurados para soportar la capa mecánica 1825 después que se retira el material sacrificatorio 1835, 1845. La exposición del material sacrificatorio 1835, 1845 a un ácido para grabar da como resultado la formación de un modulador interferométrico liberado 1850 que tiene las cavidades interferométricas 1855 como se ilustra en la figura 19. Después de dicha remoción, la segunda capa de espejo 1820 es suspendida de la capa deformable o mecánica 1825. Utilizando variantes del procedimiento que se describió anteriormente y que se ilustra en las figuras 7-9, los moduladores interferométricos, del tipo general que se ilustra en la figura 19, se pueden fabricar a través de métodos conocidos por aquellos expertos en la técnica utilizando diferentes materiales para formar los postes 1830 y el material sacrificatorio 1835, 1845. En una modalidad, se ha descubierto que los moduladores interferométricos del tipo general que se ilustra en la figura 19 también se pueden fabricar depositando un material sobre una primera capa de espejo; formando una segunda capa de espejo sobre el material; y removiendo selectivamente una porción sacrificatoria del material para así formar una cavidad y una estructura de poste del modulador interferométrico, la estructura de poste comprende una porción restante del material. En la figura 20 se ilustran aspectos de dicha modalidad. La figura 20B muestra una vista esquemática transversal de un substrato de modulador interferométrico no liberado 1900 que incluye un substrato 1905, una primera capa de espejo 1910 sobre el substrato 1905, una capa dieléctrica 1915 sobre la primera capa de espejo 1910, y una porción inferior de un material 1935 sobre la capa dieléctrica 1915. Una segunda capa de espejo 1920 está formada sobre la porción inferior del material 1935, y una porción superior del material 1945 está formada sobre la segunda capa de espejo 1920. La segunda capa de espejo 1920 está fija a una capa deformable o mecánica 1925 que está formada sobre la porción superior del material 1945. Las porciones superior e inferior del material 1935, 1945 también están formadas sobre las áreas 1930 del substrato 1905 configurado para quedar debajo de los postes de soporte los cuales se formarán como se describe a continuación. En la modalidad que se Ilustra, las porciones superior e inferior del material 1935, 1945 comprenden una fotoprotección negativa que es alterada cuando se expone a la radiación (por ejemplo, luz ultravioleta) . Aspectos de un procedimiento para elaborar el substrato de modulador interferométrico no liberado 1900 se ilustran en la figura 20A e incluyen la formación de la primera capa de espejo 1910 y la capa dieléctrica 1915 en el substrato 1905, depositando una capa de fotoprotección 1918 sobre la capa dieléctrica 1915, formando después la segunda capa de espejo 1920 sobre la capa de fotoprotección 1918 mediante modelado y grabado. La capa de fotoprotección 1918 incluye la porción inferior del material 1935 debajo de la segunda capa de espejo 1920. Después se deposita una capa de fotoprotección 1919 sobre la capa de fotoprotección 1918 y sobre la segunda capa de espejo 1920. La capa de fotoprotección 1919 incluye la porción superior del material 1945 sobre la segunda capa de espejo 1920. La capa de fotoprotección 1919 es enmascarada y grabada para formar las vías. Como se ilustra en la figura 20B, el substrato de modulador interferométrico no liberado 1900 se expone de manera conveniente a la radiación ultravioleta a través de una retícula y las porciones superior e inferior del material 1935, 1945 que están sobre las áreas 1930 del substrato 1905 son alteradas mediante exposición a luz ultravioleta. Las porciones superior e inferior del material 1935, 1945 que no están sobre las áreas 1930 del substrato 1905 (incluyendo la porción inferior del material 1935 que está debajo de la segunda capa de espejo 1920 y la porción superior del material 1945 que está debajo de la segunda capa de espejo 1920) no son expuestas a la luz ultravioleta y, por lo tanto, forman el material sacrificatorio. Después se forma la capa mecánica 1925 y se fija a la segunda capa de espejo 1920. Después se retira el material sacrificatorio (por ejemplo, mediante lavado con un solvente adecuado) para formar las cavidades 1955. Las porciones superior e inferior alteradas del material 1935, 1945, sobre las áreas 1930, permanecen y forman postes 1960 que soportan directamente la capa mecánica 1925 y soportan indirectamente la segunda capa de espejo 1920, dando como resultado un modulador interferométrico liberado 1950. Aquellos expertos en la técnica entenderán que los moduladores interferométricos del tipo general que se ilustra en la figura 6C también se pueden fabricar utilizando variantes del método que se ilustra en la figura 20. Por ejemplo, en una modalidad, el material 1935, 1945 puede comprender una fotoprotección positiva, en cuyo caso el patrón de exposición a la irradiación a través de la retícula se invierte en una forma similar a la descrita anteriormente para la modalidad que se ilustra en la figura 12. En otra modalidad ejemplar, el material 1935, 1945 comprende silicio, y es alterado selectivamente mediante implantación de iones de oxígeno para formar óxido de silicio en una forma similar a la descrita anteriormente para la modalidad que se ilustra en la figura 10. Por lo tanto, por ejemplo, el silicio se puede remover para formar una cavidad, por ejemplo, grabando selectivamente contra el óxido de silicio, dejando el óxido de silicio restante para formar un poste. En otra modalidad ejemplar, técnicas de grabado selectivo similares a aquellas descritas anteriormente para las modalidades que se ilustran en las figuras 13-18 se aplican al material 1935, 1945, incluyendo la alteración opcional del material antes de dicho grabado selectivo para elaborar las porciones sacrificatorias que se pueden grabar selectivamente con relación a las porciones que permanecen detrás para formar los postes. Las figuras 21A y 2IB son diagramas en bloque del sistema que ilustran una modalidad de un dispositivo de pantalla 2040. El dispositivo de pantalla 2040 puede ser, por ejemplo, un teléfono celular o móvil. Sin embargo, los mismos componentes del dispositivo de pantalla 2040 o ligeras variaciones de los mismos también son ilustrativos de varios tipos de dispositivos de pantalla tal como televisiones y reproductores de medios portátiles. El dispositivo de pantalla 2040 incluye un alojamiento 2041, una pantalla 2030, una antena 2043, un altavoz 2045, un dispositivo de entrada 2048, y un micrófono 2046. El alojamiento 2041 generalmente es formado a partir de cualquiera de una variedad de procedimiento de fabricación, tal como es bien conocido por aquellos expertos en la técnica, incluyendo moldeo por inyección, y formación al vacío. Además, el alojamiento 2041 puede ser hecho en cualquiera de una variedad de materiales, incluyendo pero no limitado a plástico, metal, vidrio, caucho y cerámica, o una combinación de los mismos. En una modalidad, el alojamiento 2041 incluye porciones removibles (que no se muestran) que se pueden intercambiar con otras porciones removibles de diferente color o que contienen diferentes logotipos, imágenes o símbolos. La pantalla 2030 del dispositivo de pantalla ejemplar 2040 puede ser cualquiera de una variedad de pantallas, incluyendo una pantalla bi-estable, como se describe en la presente invención. En otras modalidades, la pantalla 2030 incluye una pantalla de panel plano, tal como plasma, EL, OLED, STN LCD, o TFT LCD como se describió anteriormente, o una pantalla de panel no plano, tal como una CRT u otro dispositivo de tubo, tal como es bien sabido por aquellos expertos en la técnica. Sin embargo, para propósitos de describir la presente modalidad, la pantalla 2030 incluye una pantalla de modulador interferométrico, como se describe en la presente invención. Los componentes de una modalidad del dispositivo de pantalla ejemplar 2040 se ilustran esquemáticamente en la figura 21B. El dispositivo de pantalla ejemplar ilustrado 2040 incluye un alojamiento 2041 y puede incluir componentes adicionales por lo menos parcialmente encerrados en el mismo. Por ejemplo, en una modalidad, el dispositivo de pantalla ejemplar 2040 incluye una interfaz de red 2027 que incluye una antena 2043 la cual está acoplada a un transceptor 2047. El transceptor 2047 está conectado al procesador 2021, el cual está conectado al hardware de acondicionamiento 2052. El hardware de acondicionamiento 2052 se puede configurar para acondicionar una señal (por ejemplo, filtrar una señal) . El hardware de acondicionamiento 2052 está conectado a un altavoz 2045 y un micrófono 2046. El procesador 2021 también está conectado a un dispositivo de entrada 2048 y un controlador de excitación 2029. El controlador de excitación 2029 está acoplado a una memoria intermedia de trama 2028 y al circuito excitador de disposición 2022, el cual a su vez está acoplado a una disposición de pantalla 2030. Un suministro de energía 2050 provee la energía a todos los componentes según se requiere a través del diseño del dispositivo de pantalla ejemplar particular 2040. La interfaz de red 2027 incluye la antena 2043 y el transceptor 2047 para que el dispositivo de pantalla ejemplar 2040 se pueda comunicar con uno o más dispositivos en una red. En una modalidad, la interfaz de red 2027 también puede tener algunas capacidades de procesamiento para mitigar los requerimientos del procesador 2021. La antena 2043 es cualquier antena conocida por aquellos expertos en la técnica para la transmisión y recepción de señales. En una modalidad, la antena transmite y recibe señales RF de acuerdo con el estándar IEEE 802.11, incluyendo IEEE 802.11 (a), (b) o (g) . En otra modalidad, la antena transmite y recibe señales RF de acuerdo con el estándar BLUETOOTH. En el caso de un teléfono celular, la antena está diseñada para recibir CDMA, GSM, AMPS u otras señales conocidas que se utilizan para comunicarse dentro de una red de telefonía celular inalámbrica. El transceptor 2047 procesa previamente las señales recibidas de la antena 2043 de tal forma que pueden ser recibidas y manipuladas adicionalmente por el procesador 2021. El transceptor 2047 también procesa las señales recibidas del procesador 2021 para que puedan ser transmitidas del dispositivo de pantalla ejemplar 2040 a través de la antena 2043. En una modalidad alternativa, el transceptor 2047 se puede reemplazar por un receptor. En otra modalidad alternativa todavía, la interfaz de red 2027 se puede reemplazar por una fuente de imágenes, la cual puede almacenar o generar datos de imágenes para ser enviados al procesador 2021. Por ejemplo, la fuente de imágenes puede ser un disco de video digital (DVD) o una unidad de disco duro que contenga datos de imágenes, o un módulo de software que genere datos de imágenes. El procesador 2021 generalmente controla la operación general del dispositivo de pantalla ejemplar 2040. El procesador 2021 recibe los datos, tal como datos de imágenes comprimidos de la interfaz de red 2027 o una fuente de imágenes, y procesa los datos en datos de imágenes en bruto o en un formato que sea fácilmente procesado en datos de imágenes en bruto. El procesador 2021 entonces envía los datos procesados al controlador de excitación 2029 o a la memoria intermedia de trama 2028 para almacenamiento. Los datos sin procesar típicamente se refieren a la información que identifica las características de la imagen en cada ubicación dentro de una imagen. Por ejemplo, dichas características de imagen pueden incluir color, saturación, y nivel de escala de grises . En una modalidad, el procesador 2021 incluye un microcontrolador, CPU, o unidad lógica para controlar la operación del dispositivo de pantalla ejemplar 2040. El hardware de acondicionamiento 2052 generalmente incluye amplificadores y filtros para transmitir señales al altavoz 2045, y para recibir señales del micrófono 2046. El hardware de acondicionamiento 2052 puede estar compuesto de componentes discretos dentro del dispositivo de pantalla ejemplar 2040, o se pueden incorporar dentro del procesador 2021 u otros componentes. El controlador de excitación 2029 toma los datos de la imagen en bruto generados por el procesador 2021 ya sea directamente del procesador 2021 o de la memoria intermedia de trama 2028 y reformatea los datos de la imagen en bruto apropiadamente para una transmisión de alta velocidad al circuito excitador de la disposición 2022. Específicamente, el controlador de excitación 2029 reformatea los datos de la imagen en bruto en un flujo de datos que tiene un formato tipo red, de tal forma que tiene un orden de tiempo conveniente para exploración a través de la disposición del pantalla 2030. Después, el controlador de excitación 2029 envía la información formateada al circuito excitador de disposición 2022. Aunque un controlador de excitación 2029, tal como un controlador LCD, con frecuencia se asocia con el procesador de sistema 2021 como un Circuito Integrado independiente (Cl) , dichos controladores se pueden ejecutar en muchas formas. Se pueden integrar en el procesador 2021 como hardware, se pueden integrar en el procesador 2021 como software, o se pueden integrar en su totalidad en hardware con el circuito excitador de disposición 2022. Típicamente, el circuito excitador de disposición 2022 recibe la información formateada del controlador de excitación 2029 y reformatea los datos de video en un conjunto paralelo de formas de onda que se aplican muchas veces por segundo a los cientos y, en ocasiones, miles de conductores que provienen de la matriz x-y de píxeles de la pantalla. En una modalidad, el controlador de excitación 2029, el circuito de excitación de disposición 2022, y la disposición de pantalla 2030 son apropiados para cualquiera de los tipos de pantallas que se describen en la presente invención. Por ejemplo, en una modalidad, el controlador de excitación 2029 es un controlador de pantalla convencional o un controlador de pantalla bi-estable (por ejemplo, un controlador de modulador interferométrico) . En otra modalidad, el circuito de excitación de disposición 2022 es un circuito de excitación convencional o un circuito de excitación de pantalla bi-estable (por ejemplo, una pantalla de modulador interferométrico) . En una modalidad, un controlador de excitación 2029 está integrado con el circuito de excitación de disposición 2022. Dicha modalidad es común en sistemas altamente integrados tales como teléfonos celulares, relojes, y otras pantallas de área pequeña. En otra modalidad todavía, la disposición de pantalla 2030 es una disposición de pantalla típica o una disposición de pantalla bi-estable (por ejemplo, una pantalla que incluye una disposición de moduladores interferométricos) . El dispositivo de entrada 2048 permite a un usuario controlar la operación del dispositivo de pantalla ejemplar 2040. En una modalidad, el dispositivo de entrada 2048 incluye un teclado, tal como un teclado QWERTY o un teclado de teléfono, un botón, un interruptor, una pantalla sensible al tacto, una membrana sensible al calor o a la presión. En una modalidad, el micrófono 2046 es un dispositivo de entrada para el dispositivo de pantalla ejemplar 2040. Cuando el micrófono 2046 se utiliza para ingresar datos al dispositivo, las instrucciones de voz pueden ser provistas por un usuario para controlar las operaciones del dispositivo de pantalla ejemplar 2040. El suministro de energía 2050 puede incluir una variedad de dispositivos de almacenamiento de energía, tal como son conocidos en la técnica. Por ejemplo, en una modalidad, el suministro de energía 2050 es una batería recargable, tal como una batería níquel-cadmio o una batería de iones de litio. En otra modalidad, el suministro de energía 2050 es una fuente de energía renovable, un capacitor, o una celda solar, incluyendo una celda solar de plástico, y pintura de celda solar. En otra modalidad, el suministro de energía 2050 está configurado para recibir energía de una toma de pared. En algunas ejecuciones la programabilidad de control reside, como se describió anteriormente, en un controlador de excitación que se puede ubicar en varios lugares en el sistema de pantalla electrónica. En algunos casos, la programabilidad de control reside en el circuito de excitación de la disposición 2022. Aquellos expertos en la técnica reconocerán que la optimización anteriormente descrita se puede ejecutar en cualquier número de componentes de hardware y/o software y en varias configuraciones . Aunque la descripción detallada anterior ha mostrado, descrito y señalado características novedosas de la invención como aplicadas a varias modalidades, se entenderá que aquellos expertos en la técnica pueden realizar varias omisiones, sustituciones y cambios en la forma y detalles del dispositivo o procedimiento que se ilustra sin apartarse del espíritu de la invención. Como se reconocerá, la presente invención se puede incorporar dentro de una forma que no provea todas las características y beneficios estipulados en este documento, ya que algunas características se pueden utilizar o practicar por separado.

Claims (55)

NOVEDAD DE LA INVENCIÓN Habiendo descrito el presente invento, se considera como una novedad y, por lo tanto, se reclama como prioridad lo contenido en las siguientes: REIVINDICACIONES

1.- Un método para elaborar un dispositivo MEMS que comprende: depositar un material sobre una primera capa electrodo; depositar una segunda capa sobre el material, la segunda capa comprende una abertura formada a través de la misma, la abertura está configurada para exponer el material; hacer fluir un ácido para grabar a través de la abertura; y grabar el material para remover una porción sacrificatoria del material para así formar una cavidad y una estructura de soporte del dispositivo MEMS, la estructura de soporte comprende una porción restante del material, el grabado es no selectivo entre la porción sacrificatoria y la porción restante del material.

2.- El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el dispositivo MEMS comprende un modulador interferométrico.

3. - El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el material comprende molibdeno o silicio.

4.- El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el grabado del material es selectivo contra la segunda capa.

5.- El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el grabado comprende ahuecar lateralmente el material lejos de la abertura.

6.- El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el grabado es grabado isotrópico.

7. - El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el grabado comprende XeF2.

8. - El método de conformidad con la reivindicación 1, que además comprende grabar la segunda capa para formar la abertura.

9. - El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque la primera capa de electrodo comprende un primer espejo.

10.- El método de conformidad con la reivindicación 9, caracterizado porque la segunda capa comprende un segundo electrodo.

11.- El método de conformidad con la reivindicación 10, caracterizado porque la segunda capa además comprende un segundo espejo.

12.- El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque la segunda capa comprende una capa mecánica.

13.- El método de conformidad con la reivindicación 12, que además comprende depositar una capa de espejo, por lo menos una porción de la cual queda suspendida de la capa mecánica después del grabado para remover la porción sacrificatoria del material.

14.- El método de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado porque el grabado para remover la porción sacrificatoria es selectivo contra la capa de espejo.

15.- El método de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado porque la estructura de soporte comprende una estructura de poste que tiene un perfil re-entrante.

16.- Un dispositivo MEMS comprende medios para remover selectivamente una porción sacrificatoria de un material con relación a una porción restante del material; y medios para soportar por lo menos una porción de un modulador interferométrico, los medios de soporte se forman al momento de remover la porción sacrificatoria, la porción restante y la porción sacrificatoria tienen propiedades sustancialmente uniformes.

17.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 16, caracterizado porque el material comprende un material subyacente y en donde los medios de remoción comprenden una capa subyacente.

18.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 16 ó 17, caracterizado porque los medios de soporte comprenden una estructura de poste.

19.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 18, caracterizado porque la capa superpuesta está configurada para que una porción sacrificatoria del material subyacente sea removible para formar una cavidad y en donde la capa superpuesta está configurada adicionalmente para que una porción restante del material subyacente forme la estructura de poste.

20.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 16, caracterizado porque el material comprende molibdeno o silicio.

21.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 17 ó 18, caracterizado porque la capa superpuesta comprende una abertura configurada para exponer el material subyacente.

22.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 17 ó 18, caracterizado porque la capa superpuesta comprende una pluralidad de aberturas configuradas en una disposición.

23.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 22, caracterizado porque las aberturas comprenden una de las vías, zanjas o canales.

24.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 17 ó 18, caracterizado porque el material subyacente recubre un substrato, el substrato comprende una abertura configurada para exponer el material subyacente.

25.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 17 ó 18, caracterizado porque la capa superpuesta comprende una capa de espejo.

26.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 17 ó 18, caracterizado porque la capa superpuesta comprende un electrodo.

27.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 17 ó 18, caracterizado porque la capa superpuesta comprende una capa mecánica.

28.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 16, que además comprende una primera capa de espejo y una segunda capa de espejo, por lo menos una porción del material está colocada entre la primera capa de espejo y la segunda capa de espejo.

29.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 28, caracterizado porque la capa superpuesta comprende la segunda capa de espejo.

30.- El dispositivo MEMS de conformidad con la reivindicación 28, caracterizado porque por lo menos una porción de la segunda capa de espejo queda suspendida de una capa superpuesta al momento de la remoción de la porción sacrificatoria.

31.- El dispositivo MEMS e conformidad con la reivindicación 16, caracterizado porque la estructura de poste tiene un perfil re-entrante.

32.- El método de conformidad con la reivindicación 2, caracterizado porque el modulador interferométrico comprende por lo menos un primer espejo y un segundo espejo separado del primer espejo por una cavidad, la estructura de soporte está colocada en un lado de la cavidad y está configurada para soportar el segundo espejo separado del primer espejo, el método además comprende: proveer un substrato, el substrato tiene una primera área configurada para quedar debajo del primer espejo y una segunda área configurada para quedar debajo de la estructura de soporte; depositar una primera capa de espejo por lo menos sobre la primera área; depositar el material sobre la primera área y sobre la segunda área; depositar una segunda capa de espejo por lo menos sobre el material sobre la primera área; y formar una pluralidad de aberturas configuradas para facilitar el flujo de un ácido para grabar al material sobre la primera área; el material sobre la primera área es removible por medio del ácido para grabar para así formar la cavidad y la estructura de soporte, en donde la estructura de soporte comprende el material sobre la segunda área, la porción sacrificatoria y la porción restante están hechas de un material que tiene propiedades sustancialmente uniformes.

33.- El método de conformidad con la reivindicación 32, caracterizado porque el material es seleccionado del grupo que consiste de molibdeno y silicio.

34.- El método de conformidad con la reivindicación 33, que además comprende remover por lo menos una parte del material que está sobre la primera área para así formar la cavidad.

35.- El método de conformidad con la reivindicación 34, caracterizado porque la remoción por lo menos de una parte del material que está sobre la primera área para así formar la cavidad comprende un grabado sincronizado .

36.- El método de conformidad con la reivindicación 34, caracterizado porque la remoción por lo menos del material que está sobre la primera área para así formar la cavidad comprende ahuecar lateralmente el material lejos de la pluralidad de aberturas.

37.- El método de conformidad con la reivindicación 35, caracterizado porque el ácido para grabar comprende XeF2.

38.- El método de conformidad con la reivindicación 32, caracterizado porque la pluralidad de aberturas se forma a través de la segunda capa de espejo.

39.- El método de conformidad con la reivindicación 32, que además comprende formar una capa mecánica por lo menos sobre el material que está sobre la primera área.

40.- El método de conformidad con la reivindicación 32, caracterizado porque la pluralidad de aberturas comprende una vía.

41.- El método de conformidad con la reivindicación 32, caracterizado porque la pluralidad de aberturas comprende una pluralidad de canales de intersección.

42.- El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el grabado comprende un grabado sincronizado.

43.- El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque la estructura de soporte comprende un poste.

44.- Un dispositivo MEMS hecho a través del método de la reivindicación 1.

45.- Un modulador interferométrico hecho a través del método de la reivindicación 32.

46.- El modulador interferométrico de conformidad con la reivindicación 45, caracterizado porque la estructura de soporte comprende una estructura de soporte que tiene un perfil re-entrante.

47.- El modulador interferoraétrico de conformidad con la reivindicación 46, caracterizado porque la estructura de poste tiene una sección transversal generalmente cóncava .

48.- El modulador interferométrico de conformidad con la reivindicación 46, caracterizado porque la estructura de poste tiene una sección transversal generalmente convexa.

49.- Un sistema que comprende el modulador interferométrico de la reivindicación 45.

50.- El sistema de conformidad con la reivindicación 49, que además comprende: una pantalla; un procesador que está en comunicación eléctrica con la pantalla, el procesador está configurado para procesar datos de imagen; y un dispositivo de memoria en comunicación eléctrica con el procesador.

51.- El sistema de conformidad con la reivindicación 50, que además comprende: un circuito de excitación configurado para enviar por lo menos una señal a la pantalla.

52.- El sistema de conformidad con la reivindicación 51, que además comprende: un controlador configurado para enviar por lo menos una porción de los datos de imagen al circuito de excitación.

53.- El sistema de conformidad con la reivindicación 50, que además comprende: un módulo de fuente de imágenes configurado para enviar los datos de imagen al procesador.

54.- El sistema de conformidad con la reivindicación 53, caracterizado porque el módulo de fuente de imágenes comprende por lo menos uno de un receptor, un transceptor y un transmisor.

55.- El sistema de conformidad con la reivindicación 50, que además comprende: un dispositivo de entrada configurado para recibir datos de entrada y para comunicar los datos de entrada al procesador.