MXPA05005418A

MXPA05005418A - Circuito de compensacion de autopolarizacion activa para amplificador de potencia de radiofrecuencia.

Info

Publication number: MXPA05005418A
Application number: MXPA05005418A
Authority: MX
Inventors: Krvavac Enver
Original assignee: Motorola Inc
Priority date: 2002-11-21
Filing date: 2003-11-10
Publication date: 2005-08-26
Also published as: WO2004049555A3; US6774724B2; WO2004049555A2; TWI266474B; AU2003290831A1; TW200412714A; AU2003290831A8; WO2004049555B1; US20040100327A1; DE10393755T5

Abstract

Un circuito de compensacion de polarizacion activa para utilizarlo con un amplificador de potencia de radio frecuencia ("RF") teniendo el amplificador RF una entrada (112), una salida (116), un primer transistor (110) y una pluralidad de caracteristicas de funcionamiento de operacion en respuesta a un punto de operacion inactivo establecido por una corriente de polarizacion en el amplificador RF. El circuito de compensacion de polarizacion activa incluye: un segundo transistor (120) conectado de manera operativa al amplificador RF que tiene una primera, segunda y tercera terminales y que esta configurado ademas para tener esencialmente las mismas caracteristicas electricas y termicas que el primer transistor; y un circuito (130) conectado entre la primera y segunda terminales del segundo transistor para ocasionar que una corriente de operacion inactiva deseada sea ajustada y mantenida en el amplificador de potencia RF, independientemente de factores tales como variaciones de temperatura y proceso.

Description

CIRCUITO DE COMPENSACIÓN DE AÜTOPOLARIZACION ACTIVA PARA AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE RADIOFRECUENCIA Campo del Invento La presente invención se refiere generalmente, a amplificadores de potencia de radiofrecuencia (RF) y más específicamente a un circuito para ocasionar una corriente de polarización en el amplificador de potencia RF para que sea ajustado y se mantenga en un valor fijo previamente determinado.

Antecedentes del Invento Los amplificadores de potencia de radiofrecuencia (RF) caracterizados por una pluralidad de características de funcionamiento de operación que actúan en respuesta a un punto de operación inactivo establecido por una corriente de polarización de corriente directa (CD) , se utilizan en una amplia variedad de comunicaciones y otras aplicaciones electrónicas. Estos amplificadores están formados de una o más etapas en cascada del amplificador, y cada una de ellas aumenta el nivel de la señal aplicada a la entrada en esa etapa por una cantidad conocida como la ganancia de la etapa. De una manera ideal, la transferencia de entrada a salida de cada etapa es lineal, es decir, en la salida del amplificador aparece una réplica perfecta de la señal de entrada aumentada en su amplitud. Sin embargo, en la realidad, todos los amplificadores de potencia tienen un grado de falta de linealidad en sus características de transferencia. Esta falta de linealidad afecta de manera adversa varias características de operación del amplificador, tales como el funcionamiento de la ganancia, funcionamiento de intermodulación y la eficiencia. El punto de operación inactivo óptimo del amplificador de radiofrecuencia, y por lo tanto, la corriente CD de polarización óptima es un diseño crítico para una linealidad óptima en el amplificador de potencia RF. Una vez que es ajustada la corriente de polarización óptima en el amplificador de potencia RF, se desea mantener la corriente de polarización óptima en el amplificador de potencia de radiofrecuencia. Sin embargo, la corriente de polarización generalmente baja de su punto óptimo con el paso del tiempo como una función de factores tales como la variación de temperatura, la variación del proceso y la historia del amplificador de potencia RF . Una técnica para mantener el punto óptimo de polarización CD es a la que nos referimos como una técnica de autopolarización, en la cual una porción de la señal de salida del amplificador de potencia RF es utilizada como una retroalimentación para ajusfar el punto de polarización del amplificador. Esta técnica de autopolarización afecta de manera adversa el funcionamiento del amplificador de potencia RF y no es apropiada para amplificadores de potencia RF de alto rendimiento . Otra técnica practicada ampliamente para mantener el punto de polarización CD óptimo, es una técnica de afinación de polarización activa. Esta técnica puede ajusfar los puntos de polarización CD de acuerdo con las variaciones de proceso de un aparato, pero no puede ajusfar los puntos de polarización CD en respuesta a las variaciones de temperatura y la historia del aparato. Además, dicha sintonización es costosa y consume tiempo. Todavía otra técnica es volver a ajustar los puntos de polarización después de que se queman en el aparato. Esta técnica con frecuencia puede disminuir pero no eliminar el problema de la calda del punto de polarización CD conforme envejece el aparato, pero el proceso de quemado consume tiempo y es costoso. Una resistencia de CD grande conectada en serie con el emisor de un transistor bipolar es una técnica que puede ser utilizada para reducir la sensibilidad a la temperatura del transistor. Sin embargo, la calda del voltaje y la energía perdida en una resistencia grande afecta de manera adversa el amplificador de potencia RF que contiene el transistor. Todavía otra técnica utiliza un circuito de control de polarización activo controlado por un microprocesador para volver a ajustar periódicamente los puntos de polarización CD. Sin embargo, esta técnica es complicada y costosa . Todavía otra técnica se describe en la Patente Norteamericana No. 6, 046, 642 titulada "AMPLIFICADOR CON COMPENSACIÓN DE POLARIZACIÓN ACTIVA ? MÉTODO PARA AJUSTAR LA CORRIENTE INACTIVA". La técnica y el circuito descritos para mantener la corriente óptima de polarización en el amplificador de potencia RF aborda muchas de las desventajas de la técnica anterior. Sin embargo, esta técnica requiere que el circuito de compensación de polarización activo no tenga chips del amplificador de potencia RF e que la técnica anterior mencionada en párrafos anteriores, esta técnica no permite la supresión de la RF y la energía de banda de base que se pueden acumular en un transistor de referencia. Además, el circuito descrito en la Patente Norteamericana No. 6,046,642, no es eficiente en lo que respecta al espacio, ni efectivo en costos o tan eficiente en el consumo de energía como se podría desear. Por lo tanto, existe una necesidad de un circuito que sea simple, efectivo en espacio y en energía y eficiente en costos para ajusfar la corriente de polarización, de modo que se mantenga un punto de operación inactivo óptimo en un amplificador RF sobre los factores tales como la variación de temperatura, variación de proceso e historia del amplificador RF y que realice el rastreo térmico y la supresión de la RF y la energía de la banda de base, según sea necesario, y que no requiera sintonización alguna en un entorno de manufactura.

Breve Descripción de las Figuras A continuación se describe solamente a modo de ejemplo, una modalidad preferida de la presente invención, con referencia a las figuras adjuntas en las cuales: La figura 1 ilustra una modalidad de una red de amplificador de potencia RF de acuerdo con la presente invención; y La figura 2 ilustra una modalidad preferida de una red de amplificador de potencia RF de acuerdo con la presente invención.

Descripción Detallada del Invento Se podrá apreciar que por razones de simplicidad y claridad de ilustración, los elementos mostrados en las figuras no han sido dibujados necesariamente a escala. Por ejemplo, las dimensiones de algunos de los elementos están exageradas en relación entre ellos . Además, en donde se consideró apropiado, se han repetido los números de referencia entre las figuras para indicar elementos correspondientes.

Haciendo referencia a la figura 1, se ilustra un diagrama de una red de amplificador de potencia de radiofrecuencia (RF) 100 de acuerdo con una modalidad de la presente invención. Generalmente, pero no necesariamente, la red 100 es una sola etapa en un sistema de amplificador de potencia utilizado, por ejemplo, en un aparato de comunicaciones en donde el sistema del amplificador de potencia comprende una pluralidad de redes en cascada del amplificador de potencia como la que se ilustró en la figura 1. La red 100 de señalización preferentemente anticipa, tanto las señales moduladas de ancho de banda angosto, como señales moduladas de ancho de banda amplio, tales como por ejemplo, el formato de Acceso Múltiple de División de Frecuencia (FDMA) y/o un formato de Acceso Múltiple de División de Código (CDMA) . Además de comprender formatos de modulación múltiples, el entorno de señalización anticipada de la red del amplificador de potencia RF 100 se caracteriza por señales de entrada que exhiben un rango amplio y dinámico de niveles de potencia de entrada (o ampli udes ) . Haciendo referencia de nuevo a la figura 1, la red del amplificador de potencia RF 100 incluye un amplificador de potencia RF que tiene una pluralidad de características de funcionamiento de operación en respuesta a un punto inactivo de operación. El amplificador de potencia RF incluye un transistor 110. Preferentemente , el transistor 110 es un semiconductor lateral de óxido de metal difundido doble (LDMOS ) un transistor de efecto en el campo (FET) que tiene su fuente conectada a un voltaje fijo, preferentemente un potencial de tierra. El amplificador de potencia RF comprende además un puerto de entrada 112 para recibir la señal de entrada y de preferencia, un circuito de acoplamiento de entrada 114 conectado entre la entrada 112 y el regulador de transistor 110 para suministrar de manera efectiva la potencia de entrada de una carga fuente (no ilustrada) al transistor 110. El amplificador de potencia RF comprende además un puerto de salida 116 y preferentemente, un circuito de acoplamiento de salida 118 conectado entre la salida 116 y la salida del transistor 110 para suministrar de manera efectiva la potencia de salida del transistor 110 a una carga de salida (no ilustrada) . De preferencia, el transistor 110 está alojado en un chip de circuito integrado (IC) , pero los circuitos de acoplamiento 114 y 118 pueden tener o no tener chips . La red del amplificador de potencia RF 100 incluye además un circuito de compensación de autopolarización activa de acuerdo con la presente invención. El circuito de compensación de polarización comprende un transistor 120, un circuito 130 y preferentemente un circuito 122 y un circuito 150. El transistor 120 también es de preferencia un transistor LD OS FET que tiene esencialmente las mismas características eléctricas y térmicas que el transistor 110, las cuales son logradas mediante un transistor 120 que está siendo alojado en el mismo chip IC del transistor 110. El transistor 120 de preferencia es de una fracción del tamaño del transistor 110, de manera ideal 1/100 del tamaño del transistor 110 para que sea más eficiente en el consumo de energía. La fuente del transistor 120 está conectada a un voltaje fijo, preferentemente un potencial de tierra. El regulador del transistor 120 está conectado al circuito 150 y al amplificador de potencia RF, preferentemente a través del circuito 122, y la salida del transistor 120 está conectada al circuito 130. Haciendo referencia de nuevo a los circuitos 122, 130 y 150, el circuito 122 de preferencia es un transistor o un inductor. Sin embargo, aquellos expertos en la técnica se darán cuenta de que el circuito 122 puede ser cualquier otro circuito, de preferencia pasivo que realice la misma funcionalidad. El circuito 130 es un circuito de retroalimentación de voltaje que comprende de preferencia los resistores 132, 134 y 136 y una fuente de voltaje de CD 138. El resistor 136 y la fuente de voltaje 138 están conectados en serie a la salida del transistor 120. El resistor 134 está conectado entre la salida y el regulador del transistor 120 y el resistor 132 está conectado entre un potencial de tierra y la unión del resistor 134 y el regulador del transistor 120. Aquellos expertos en la técnica encontrarán que el circuito 130 puede ser de diferentes configuraciones para realizar la misma funcionalidad. Finalmente, el circuito 150, de preferencia, comprende los capacitores 152 y 154 conectados en paralelo a un potencial de tierra, pero este circuito puede ser configurado de otros modos que proporcionen la funcionalidad necesaria . El circuito de compensación de autopolarización activa ilustrado en la figura 1 funciona de la manera siguiente. Antes de que sea recibida la señal de entrada en la entrada del amplificador de potencia RF 112, se utiliza el circuito 130 para ajusfar la corriente CD de referencia IREF, en la salida del transistor 120. La corriente IREF, a la vez ocasiona que el voltaje de polarización CD, Vbias, esté conectado a través del circuito 122 al regulador del transistor 110 para ajusfar el punto de operación inactivo del amplificador de potencia RF, el cual en el caso de un LDMOS FET está establecido por la corriente de polarización IDQ, en la salida del transistor 110. Los valores de los resistores 132, 134 y 136 y de la fuente de voltaje 138 son seleccionados inicialmente y fijados para la vida del amplificador de potencia RF, para generar un IDQ, que ocasione que el amplificador de potencia RF se caracterice en una clase particular de operación. Por ejemplo, el amplificador de potencia RF puede ser caracterizado como Clase A. En este caso, los valores de los resistores 132,134 y 136 y de la fuente de voltaje 138, son seleccionados preferentemente para que ocasionen que el amplificador de potencia RF opere con una linealidad óptima. El valor de IDQ es un factor del valor IREF y depende del tamaño relativo de los transistores 110 y 120. Con el objeto de mantener este punto de polarización óptima una vez que el amplificador de potencia RF comienza a procesar señales de entrada, el circuito 130 funciona como un circuito de retroalimentación de voltaje para mantener el valor IREF en un valor esencialmente constante independiente de los cambios del umbral del regulador de los transistores 110 y 120, los cuales son debidos a los cambios en el proceso del transistor, y debidos a efectos térmicos. Por ejemplo, si el voltaje de umbral del regulador del transistor 110 cambia, el transistor 120 exhibirá por consiguiente los mismos cambios, ya que ambos transistores pasaron por el mismo proceso de manufactura para ocasionar que ambos transistores fueran alojados en el mismo chip IC. Un cambio en el voltaje del umbral del regulador del transistor 120 ocasionará que el valor IREF aumente o disminuya de manera correspondiente, dependiendo de la naturaleza del cambio del umbral del regulador, el cual a la vez, ocasiona un cambio de voltaje en el resistor 134. El circuito de retroalimentación 130 ocasionará el cambio de voltaje en el resistor 134 para que se vuelva a alimentar en el regulador del transistor 120, y de este modo, cambie el punto de polarización del transistor 120 para mantener una corriente de referencia constante y fija, IREF. Debido a que el voltaje del regulador del transistor 110 Vbias, está atado al voltaje del regulador del transistor 120, los cambios en el IDQ, rastrean los cambios para el IREF lo cual ocasiona el IDQ permanezca esencialmente constante independientemente de los cambios de partes y efectos térmicos. La clave para este rastreo es tener ambos transistores 110 y 120 en el mismo chip IC, de modo que sus características térmicas y eléctricas sean esencialmente las mismas, independientemente de los cambios de partes y efectos térmicos . Además, el circuito 122 también está incluido de preferencia en el mismo chip IC con los transistores 110 y 120. Sin embargo, los resistores 132, 134 y 136 y la fuente de voltaje 138 están localizadas de preferencia fuera del chip de los transistores 110 y 120 para hacer posible que el diseñador del circuito ajuste inicialmente el punto de polarización del amplificador de potencia RF para la aplicación deseada, utilizando una terminal 139 y permitiendo que el diseñador del circuito tenga acceso a las terminales del transistor 120 para derivarlas de manera correcta con el objeto de suprimir una acumulación de voltaje en estas terminales ocasionada por la RF y las señales de banda de base. El circuito 150 proporciona la derivación de la terminal del regulador para el transistor 120. El circuito 150 también está ubicado de preferencia fuera del chip de los transistores 110 y 120 y está conectado a estos transistores mediante un puerto 140, debido a la necesidad de una capacitancia de alto valor para derivar la banda de base que no se puede realizar dentro del proceso de silicón, en el chip . La figura 2 ilustra una modalidad preferida de una red de amplificador de potencia RF 200 de acuerdo con la presente invención. La red 200 de la figura 2 es idéntica y funciona igual que la red 100 de la figura 1. Excepto el circuito de compensación de autopolarización activa de la red 200 tiene un transistor adicional 210 para una estabilización agregada de la polarización debida al proceso en los cambios de temperatura. El transistor 210 de preferencia es un transistor LDMOS FET que está configurado para tener esencialmente las mismas características eléctricas y térmicas que los transistores 110 y 120, las cuales de preferencia se logran por los transistores 110, 120 y 210 siendo alojados en el mismo chip IC. Como se puede apreciar en la figura 2, la salida y el regulador del transistor 210 están conectados juntos y conectados además al regulador del transistor 120, así como al circuito 122 y la fuente de un transistor 110 está conectada a un voltaje fijo, preferentemente un potencial de tierra. El transistor 210 también de preferencia, pero no necesariamente, es una fracción del tamaño del transistor 110 de manera ideal 1/100 del tamaño del transistor 110, para que sea más eficiente en el consumo de energia. La adición del transistor 210 opera para minimizar cualesquiera varianzas que podrían existir entre los transistores 110 y 120. Aquellos expertos en la técnica apreciarán que estadísticamente sería ventajoso tener más de un circuito de compensación de autopolarización en el chip y conectado a un transistor 110, para un rastreo general mejor de un transistor 110. Teniendo los transistores 110, 120 y 210 en el mismo chip se hace posible que el transistor 210 agregue estabilización adicional para mantener el punto de polarización deseado fijo sobre los cambios de temperatura y proceso debido a que el transistor 210 rastrea el transistor 110 y cambia de manera apropiada el voltaje de polarización al regulador del transistor 110. La clave para este rastreo es que los tres transistores se encuentran en el mismo chip IC, de modo que sus características térmicas y eléctricas son esencialmente iguales independientemente de las variaciones de temperatura y proceso. Una ventaja de la presente invención, es que debido a que la red del amplificador de potencia F se autopolariza, se elimina la necesidad de la afinación en la fábrica de cada transistor del amplificador. Otra ventaja de la presente invención, es que es simple, efectiva en costo, efectiva en espacio y efectiva en energía. Todavía otra ventaja de la presente invención, es que debido a que el circuito de compensación de autopolarización activa no está completamente integrado, hace posible que el diseñador del circuito tenga la flexibilidad para optimizar el circuito a la aplicación deseada . Aunque la presente invención ha sido descrita en conjunto con modalidades específicas de la misma, aquellos expertos en la técnica apreciarán fácilmente ventajas y modificaciones adicionales. Por lo tanto, la presente invención en su aspecto más amplio no está limitada a los detalles específicos, aparatos representativos y ejemplos ilustrativos mostrados y descritos. Aquellos expertos en la técnica encontrarán varias alteraciones, modificaciones y variaciones a la luz de la descripción anterior. Por ejemplo, aquellos expertos en la técnica apreciarán que la presente invención puede ser modificada, en donde son usados diferentes tipos de transistores, incluyendo pero sin limitarse a, transistores bipolares y Gallium Arsanide, los cuales también tienen una linealidad similar contra el comportamiento de polarización que los transistores LDMOS FE . Por lo tanto, deberá quedar entendido que la presente invención no está limitada por la descripción anterior, sino que comprende todas dichas alteraciones, modificaciones y variaciones de acuerdo con el espíritu y alcance de las reivindicaciones adj untas .

Claims

NOVEDAD DE LA INVENCIÓN Habiendo descrito la presente invención, se considera como novedad y por lo tanto, se reclama como propiedad lo contenido en las siguientes : REIVINDICACIONES 1. Un circuito de compensación de autopolarización activo para utilizarlo con un amplificador de potencia de radiofrecuencia ( "RF" ) , teniendo el amplificador de potencia RF una entrada, una salida, un primer transistor y una pluralidad de carácteristicas de funcionamiento de operación en respuesta a un punto de operación inactivo establecido por una corriente de polarización en el amplificador de potencia RF, comprendiendo el circuito de compensación de polarización activa: un segundo transistor que tiene una primera, segunda y tercera terminales y que está configurado para tener esencialmente las mismas características eléctricas y térmicas que el primer transistor, en donde la segunda terminal del segundo transistor está conectada de manera operativa al amplificador de potencia RF y la tercera terminal está conectada a un primer voltaje fijo; un primer circuito conectado entre la primera y segunda terminales del segundo transistor para ocasionar una corriente de referencia en el segundo transistor para que sea ajustada y mantenida en un primer valor fijo previamente determinado para ocasionar que la corriente de polarización sea ajustada y mantenida en el segundo valor fijo previamente determinado que es un factor del primer valor fijo previamente determinado, comprendiendo el primer circuito, un primer, segundo y tercer resistores y una fuente de voltaje, estando conectado el primer resistor entre la primera terminal del segundo transistor y la fuente de voltaje, estando conectado el segundo resistor entre la primera y segunda terminales del segundo transistor y estando conectado el tercer resistor entre un potencial de tierra y la unión del segundo resistor y la segunda terminal del segundo transistor.
2. Un circuito de compensación de autopolarización activa de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el amplificador de potencia de RF está alojado en un chip de circuito integrado (IC) y el segundo transistor también está alojado en el chip IC para ocasionar que el primer y segundo transistores tengan esencialmente las mismas características térmicas y eléctricas .
3. El circuito de compensación de autopolarización activa de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el primer y segundo transistores son transistores (LDMOS) semiconductores lateral de óxido de metal difundidos dobles, y en donde el primer y segundo transistores tienen cada uno una primera terminal que es una salida, una segunda terminal que es un regulador y una tercera terminal que es una fuente, en donde la corriente de referencia es la corriente de salida del segundo transistor, la corriente de polarización es la corriente de salida del primer transistor y los reguladores del primer y segundo transistores están conectados de manera operativa juntos para ocasionar que sea generado un voltaje de polarización en el regulador del primer transistor para ajustar y mantener la corriente de polarización en dicho segundo valor fijo previamente determinado .
4. El circuito de compensación de autopolarizacion activo de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el primer voltaje fijo es un potencial de tierra.
5. Un circuito de compensación de autopolarizacion activa para utilizarlo con un amplificador de potencia de radiofrecuencia ("RF") teniendo el amplificador de potencia RF una entrada, una salida, un primer transistor y una pluralidad de características de funcionamiento de operación en respuesta a un punto de operación inactivo establecido por una corriente de polarización en el amplificador de potencia RF, comprendiendo el circuito de compensación de polarización activa: un segundo transistor que tiene una primera, segunda y tercera terminales y que está configurado para tener esencialmente las mismas características eléctricas y térmicas que el primer transistor, donde la segunda terminal del segundo transistor está conectada de manera operativa al amplificador de potencia RF y la tercera terminal está conectada a un primer voltaje fijo; un primer circuito conectado entre la primera y segunda terminales del segundo transistor para ocasionar una corriente de referencia en el segundo transistor para que sea ajustada y mantenida en un primer valor fijo previamente determinado para ocasionar que la corriente de polarización sea ajustada y mantenida en un segundo valor fijo previamente determinado que es un factor del primer valor fijo previamente determinado; y un segundo circuito conectado a la unión del primer circuito y la segunda terminal del segundo transistor para suprimir una acumulación de voltaje en la segunda terminal del segundo transistor ocasionada por la B.F y la señales de banda de base, en donde el segundo circuito comprende un primer y segundo capacitores conectados en paralelo entre un potencial de tierra y la unión del primer circuito y la segunda terminal del segundo transistor.
6. El circuito de compensación de autopolarización activa de conformidad con la reivindicación 1, el cual comprende además un tercer transistor que tiene una primera, segunda y tercera terminales y que están configuradas para tener esencialmente las mismas características eléctricas y térmicas que el primer y segundo transistores, caracterizado porque la primera y segunda terminales están conectadas juntas y conectadas además a la unión del amplificador de potencia RF y la segunda terminal del segundo transistor y la tercera terminal del tercer transistor está conectado a un potencial de tierra para hacer posible que sea mantenida una corriente de polarización en un segundo valor fijo previamente determinado independiente de una variación de temperatura del amplificador de potencia RF .
7. El circuito de compensación de autopolarización activa de conformidad con la reivindicación 1, el cual comprende además un segundo circuito para conectar el amplificador de potencia RF a la segunda terminal del segundo transistor, caracterizado porque el segundo circuito comprende un resistor conectado entre un amplificador de potencia RF y la segunda terminal del segundo transistor.
8. Un circuito de compensación de autopolarización activo para utilizarlo con un amplificador de potencia de radiofrecuencia ("RF") teniendo el amplificador de potencia RF una entrada, una salida, un primer transistor y una pluralidad de características de funcionamiento de operación en respuesta a un punto de operación inactivo establecido por una corriente de polarización en el amplificador de potencia RF, comprendiendo el circuito de compensación de polarización activa: un segundo transistor que tiene una primera, segunda y tercera terminales y que está configurado para tener esencialmente las mismas características eléctricas y térmicas que el primer transistor, caracterizado porque la segunda terminal del segundo transistor está conectada de manera operativa al amplificador de potencia RF, y la tercera terminal está conectada a un primer voltaje fijo; un primer circuito conectado entre la primera y segunda terminales del segundo transistor para ocasionar una corriente de referencia en el segundo transistor para que sea ajustada y mantenida en un primer valor fijo previamente determinado para ocasionar que la corriente de polarización sea ajustada y mantenida en un segundo valor fijo previamente determinado que es un factor del primer valor fijo previamente determinado, comprendiendo el primer circuito, un primer, segundo y tercer resistores y una fuente de voltaje, estando conectado el primer resistor entre la primera terminal del segundo transistor y la fuente de voltaje, estando conectado el segundo resistor entre la primera y segunda terminales del segundo transistor, y estando conectado el tercer resistor entre un potencial de tierra y la unión del segundo resistor y la segunda terminal del segundo transistor un segundo circuito conectado a la unión del primer circuito y la segunda terminal del segundo transistor para suprimir una acumulación de voltaje en la segunda terminal del segundo transistor, debida a la RF y señales de banda de base, comprendiendo el segundo circuito, un primer y segundo capacitores conectados en paralelo entre un potencial de tierra y la unión del primer circuito y la segunda terminal del segundo transistor; y un tercer transistor que tiene una primera, segunda y tercera terminales y que está configurado para tener esencialmente las mismas características eléctricas y térmicas que el primer transistor, caracterizado porque la primera y segunda terminales del tercer transistor están conectadas juntas y conectadas además a la unión del amplificador de potencia RF y la segunda terminal del segundo transistor, y la tercera terminal del tercer transistor está conectada a un potencial de tierra para hacer posible que sea mantenida una corriente de polarización en el segundo valor fijo previamente determinado independientemente de una variación de temperatura del amplificador de potencia RF .
9. Una red de amplificador de radiofrecuencia ("RF") para utilizarla en un aparato de comunicaciones la cual comprende: un amplificador de potencia RF caracterizado por una pluralidad de características de funcionamiento de operación en respuesta a un punto de operación inactivo establecido por una corriente de polarización en el amplificador de potencia RF, comprendiendo el amplificador de potencia RF una entrada, una salida y un primer transistor conectado entre la entrada y la salida; y un circuito de compensación de autopolarización activa que comprende un segundo transistor que tiene una primera, segunda y tercera terminales, y que está configurado para tener esencialmente las mismas características eléctricas y térmicas que el primer transistor, caracterizado porque la segunda terminal del segundo transistor está conectada de manera operativa al amplificador de potencia RF y la tercera terminal está conectada a un primer voltaje fijo, comprendiendo además el circuito de compensación de polarización activa un primer circuito conectado entre la primera y segunda terminales del segundo transistor para ocasionar una corriente de referencia y que el segundo transistor sea ajustado y mantenido en un primer valor fijo previamente determinado y para ocasionar que la corriente de polarización sea ajustada y mantenida en un segundo valor fijo previamente determinado que es un factor del primer valor fijo previamente determinado, comprendiendo el primer circuito, un primer, segundo y tercer resistores y una fuente de voltaje, estando conectado el primer resistor entre la primera terminal del segundo transistor y la fuente de voltaje, el segundo resistor conectado entre la primera y segunda terminales del segundo transistor y el tercer resistor conectado entre un potencial de tierra y la unión del segundo transistor y la segunda terminal del segundo transistor.