MX2010013040A - Sensor de campo magnetico de alta resolucion integrado por una estructura resonante de vigas de sicilio fabricado en tecnologia mems. - Google Patents
Sensor de campo magnetico de alta resolucion integrado por una estructura resonante de vigas de sicilio fabricado en tecnologia mems.Info
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Abstract
Esta invención se refiere a un sensor de campo magnético en tecnología MEMS que utiliza el principio de la fuerza de Lorentz para medir campos magnéticos pequeños (40 µT-2000 µT) con una alta resolución (43 nT). Este sensor tiene una respuesta lineal y presenta un factor de calidad de Q=96.60 y sensibilidad magnética de 1.94 VT-1. Además, este sensor tiene una estructura simple y compacta que es relativamente fácil de fabricar y que puede ser utilizado en nuevas aplicaciones en donde se necesite sensores muy pequeños (del orden de micrómetros), de peso ligero, un bajo consumo de potencia y que presenten una alta resolución. Esta invención tiene como objetivo proporcionar una estructura resonante mejorada de vigas de silicio que pueden detectar de forma lineal pequeños campos magnéticos. Además, esta invención se puede utilizar en aplicaciones emergentes que necesiten medir con alta resolución campos magnéticos y sin necesidad de utilizar circuitos de compensación para compensar los problemas de no linealidad. El sensor tiene un simple mecanismo de detección que consiste de un puente de Wheatstone de piezorresistores tipo p.
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| MX2010013040A MX2010013040A (es) | 2010-11-29 | 2010-11-29 | Sensor de campo magnetico de alta resolucion integrado por una estructura resonante de vigas de sicilio fabricado en tecnologia mems. |
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Publications (1)
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| MX2010013040A true MX2010013040A (es) | 2012-05-29 |
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ID=46511964
Family Applications (1)
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| MX2010013040A MX2010013040A (es) | 2010-11-29 | 2010-11-29 | Sensor de campo magnetico de alta resolucion integrado por una estructura resonante de vigas de sicilio fabricado en tecnologia mems. |
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| MX (1) | MX2010013040A (es) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9671471B2 (en) | 2013-07-31 | 2017-06-06 | Stmicroelectronics S.R.L. | Magnetic sensor including a lorentz force transducer driven at a frequency different from the resonance frequency, and method for driving a lorentz force transducer |
| CN108469317A (zh) * | 2017-02-06 | 2018-08-31 | 恩智浦美国有限公司 | 具有处于多个惠斯通电桥中的感应元件的压力传感器 |
| CN111077343A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-04-28 | 中北大学 | 一种基于磁膜的隧道磁阻mems加速度计结构及控制方法 |
-
2010
- 2010-11-29 MX MX2010013040A patent/MX2010013040A/es not_active Application Discontinuation
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| US9671471B2 (en) | 2013-07-31 | 2017-06-06 | Stmicroelectronics S.R.L. | Magnetic sensor including a lorentz force transducer driven at a frequency different from the resonance frequency, and method for driving a lorentz force transducer |
| US10254355B2 (en) | 2013-07-31 | 2019-04-09 | Stmicroelectronics S.R.L. | Magnetic sensor including a Lorentz force transducer driven at a frequency different from the resonance frequency, and method for driving a Lorentz force transducer |
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| FA | Abandonment or withdrawal |