MD589G2 - Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материал - Google Patents

Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материал

Info

Publication number
MD589G2
MD589G2 MD95-0218A MD950218A MD589G2 MD 589 G2 MD589 G2 MD 589G2 MD 950218 A MD950218 A MD 950218A MD 589 G2 MD589 G2 MD 589G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
copper
salicylaldehydates
aquabismuthyl
salicylaldehydato
oxo
Prior art date
Application number
MD95-0218A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD589F1 (en
Inventor
Нина САМУСИ
Irina Horosun
Виктор ЦАПКОВ
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MD95-0218A priority Critical patent/MD589G2/ru
Publication of MD589F1 publication Critical patent/MD589F1/xx
Publication of MD589G2 publication Critical patent/MD589G2/ru

Links

Landscapes

  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение касается нового кординационного соединения класса многоядерных гетерометаллических салицилальдегидатов, а именно ди(m-оксо)-[бис(салицилальдегидато)медь][ди(нитрато-аквавимутил)]. Заявляемое гетероядерное координационное соединение обладает полупроводниковыми свойствами и может найти применение при изготовлении термоуправляемых резисторов.Сущность изобретения состоит в синтезе нового гетерометаллического (медь, висмутил)салецилальдегидрата-ди(m-оксо) [бис(салицилальдегидато)медь][ди(нитрато-аквавимутил)] общей формулыТехнический результат изобретения заключается в улучшении полупроводниковых характеристик терморезисторов, а именно чувствительность возрастает в 6-8 раз, температурный коэффициент сопротивления увеличичвется в 6-10 раз по сравнению с применяемыми на практике полупроводниковыми материалами.
MD95-0218A 1995-04-04 1995-04-04 Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материал MD589G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD95-0218A MD589G2 (ru) 1995-04-04 1995-04-04 Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материал

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD95-0218A MD589G2 (ru) 1995-04-04 1995-04-04 Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материал

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD589F1 MD589F1 (en) 1996-07-31
MD589G2 true MD589G2 (ru) 1997-03-31

Family

ID=19738663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MD95-0218A MD589G2 (ru) 1995-04-04 1995-04-04 Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материал

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD589G2 (ru)

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J.Chem.Soc., Dalton Trans, N 3, 1972, R.Beckett, B.F.Hoskins "Crystal and Molecular Structure of a Trinuclear Copper(II) Complex: (3-hydroxo-tri-(pyridine-2-carbaldehyde-oximato-(3-sulphato-tri-copper(II)-16,5 Water", p. 291-294. *
Марченко "Управляемые полупроводниковые резисторы". 1978, Энергия, М.; c. 219. *

Also Published As

Publication number Publication date
MD589F1 (en) 1996-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU5973490A (en) Clothing for reducing fluid resistance
DE69529698D1 (de) Einkapselung eines Halbleiterbauelementes mit hoher Feuchtigkeitsfestigkeit
EP0363993A3 (en) Chimically sensitive, dimensionally-stable organosilicon material composition and techniques
SG74668A1 (en) Electrical device containing positive temperature coefficient resistor composition and method of manufacturing the device
AU5302099A (en) Paste composition, and protective film and semiconductor device both obtained with the same
EP0714936A3 (en) Organosilicon compounds and organosiloxane compositions containing them crosslinkable at low temperature
EP0442414A3 (en) Compound semiconductor substrate and method of manufacturing the same
DE58909765D1 (de) Legierung als Werkstoff für Regel- oder Heizelemente mit positivem Temperaturkoeffizienten
AU3298795A (en) Thermally insulating material, specifically designed for garments, quilts, sleeping bags and the like
TR199800107T2 (xx) Sinerjistik k�f �ld�r�c� kompozisyon.
EP0482812A3 (en) Method for manufacturing semiconductor-mounting heat-radiative substrates and semiconductor package using the same
SE9501356L (sv) Elektriskt motståndselement av molybdensilicidtyp
MD589G2 (ru) Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материал
EP0114645A3 (en) Temperature sensor
WO1996032109A3 (en) Levobupivacaine and its use as an anaesthetic in pregnant women
EP0387806A3 (en) Thermally stable fluorinated organosiloxane gel composition
ZA931436B (en) Thin clothing insulation with improved draping and comfort characteristics.
AU637728B2 (en) Organic phosphites suitable as stabilizers and polymer compositions comprising them
AU3378995A (en) Semiconductor device with at least one semiconductor component
CA2332826A1 (en) Transition metal based ceramic material and electrodes fabricated therefrom
JPS52146499A (en) Curable organopolysiloxane composition
WO2001088517A3 (en) Gas sensors with improved resistance to humidity interference
JPS6473202A (en) Strain gauge
SU1461278A1 (ru) Сплав для тонкопленочных резисторов
EP0460356A3 (en) Contacts to semiconductors having zero resistance

Legal Events

Date Code Title Description
FG3A Granted patent for invention
IF99 Valid patent on 19990615

Free format text: EXPIRES: 20150404