MD589G2 - Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материал - Google Patents
Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материалInfo
- Publication number
- MD589G2 MD589G2 MD95-0218A MD950218A MD589G2 MD 589 G2 MD589 G2 MD 589G2 MD 950218 A MD950218 A MD 950218A MD 589 G2 MD589 G2 MD 589G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- copper
- salicylaldehydates
- aquabismuthyl
- salicylaldehydato
- oxo
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 title 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- ITUFJMIZRRRYMT-UHFFFAOYSA-L copper;2-formylphenolate Chemical compound [Cu+2].[O-]C1=CC=CC=C1C=O.[O-]C1=CC=CC=C1C=O ITUFJMIZRRRYMT-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Weting (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Изобретение касается нового кординационного соединения класса многоядерных гетерометаллических салицилальдегидатов, а именно ди(m-оксо)-[бис(салицилальдегидато)медь][ди(нитрато-аквавимутил)]. Заявляемое гетероядерное координационное соединение обладает полупроводниковыми свойствами и может найти применение при изготовлении термоуправляемых резисторов.Сущность изобретения состоит в синтезе нового гетерометаллического (медь, висмутил)салецилальдегидрата-ди(m-оксо) [бис(салицилальдегидато)медь][ди(нитрато-аквавимутил)] общей формулыТехнический результат изобретения заключается в улучшении полупроводниковых характеристик терморезисторов, а именно чувствительность возрастает в 6-8 раз, температурный коэффициент сопротивления увеличичвется в 6-10 раз по сравнению с применяемыми на практике полупроводниковыми материалами.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD95-0218A MD589G2 (ru) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материал |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD95-0218A MD589G2 (ru) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материал |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD589F1 MD589F1 (en) | 1996-07-31 |
| MD589G2 true MD589G2 (ru) | 1997-03-31 |
Family
ID=19738663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MD95-0218A MD589G2 (ru) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материал |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD589G2 (ru) |
-
1995
- 1995-04-04 MD MD95-0218A patent/MD589G2/ru active IP Right Grant
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| J.Chem.Soc., Dalton Trans, N 3, 1972, R.Beckett, B.F.Hoskins "Crystal and Molecular Structure of a Trinuclear Copper(II) Complex: (3-hydroxo-tri-(pyridine-2-carbaldehyde-oximato-(3-sulphato-tri-copper(II)-16,5 Water", p. 291-294. * |
| Марченко "Управляемые полупроводниковые резисторы". 1978, Энергия, М.; c. 219. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD589F1 (en) | 1996-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU6479496A (en) | Electronic package with improved thermal properties | |
| EP0363993A3 (en) | Chimically sensitive, dimensionally-stable organosilicon material composition and techniques | |
| EP0690458A3 (en) | Insulating composition and molded body made therefrom | |
| AU5302099A (en) | Paste composition, and protective film and semiconductor device both obtained with the same | |
| MY111779A (en) | Semiconductor device | |
| ATE147881T1 (de) | Legierung als werkstoff für regel- oder heizelemente mit positivem temperaturkoeffizienten | |
| CA2059568A1 (en) | Insulating composition | |
| AU3298795A (en) | Thermally insulating material, specifically designed for garments, quilts, sleeping bags and the like | |
| TR199800107T2 (xx) | Sinerjistik k�f �ld�r�c� kompozisyon. | |
| MY124379A (en) | Semiconductor component, in particular a solar cell, and process for manufacture of same | |
| MD589G2 (ru) | Салицилальдегидат меди и висмутила, как полупроводниковый материал | |
| DE59309611D1 (de) | Eisen- Aluminium-Legierung und Verwendung dieser Legierung | |
| EP0114645A3 (en) | Temperature sensor | |
| WO1996032109A3 (en) | Levobupivacaine and its use as an anaesthetic in pregnant women | |
| AU8876591A (en) | Indole-3-methanamines useful as anti-diabetic, anti-obesity and anti-atherosclerotic agents | |
| EP0387806A3 (en) | Thermally stable fluorinated organosiloxane gel composition | |
| ZA931436B (en) | Thin clothing insulation with improved draping and comfort characteristics. | |
| AU637728B2 (en) | Organic phosphites suitable as stabilizers and polymer compositions comprising them | |
| CA2332826A1 (en) | Transition metal based ceramic material and electrodes fabricated therefrom | |
| EP0723276A3 (en) | Semiconducting ceramics with a negative temperature coefficient and a ceramic semiconductor component using them | |
| WO2001088517A3 (en) | Gas sensors with improved resistance to humidity interference | |
| JPS52155396A (en) | Organic semiconductor heat sensitive material | |
| JPS6473202A (en) | Strain gauge | |
| SU1461278A1 (ru) | Сплав для тонкопленочных резисторов | |
| FR2569746B3 (fr) | Perfectionnement aux hourdis comportant l'isolant integre, et son mode de fabrication |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG3A | Granted patent for invention | ||
| IF99 | Valid patent on 19990615 |
Free format text: EXPIRES: 20150404 |