MD4344C1 - Procedeu de obţinere a unui compozit luminofor pe baza semiconductorului calcogenic amorf As2S3 şi compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 - Google Patents
Procedeu de obţinere a unui compozit luminofor pe baza semiconductorului calcogenic amorf As2S3 şi compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 Download PDFInfo
- Publication number
- MD4344C1 MD4344C1 MDA20140049A MD20140049A MD4344C1 MD 4344 C1 MD4344 C1 MD 4344C1 MD A20140049 A MDA20140049 A MD A20140049A MD 20140049 A MD20140049 A MD 20140049A MD 4344 C1 MD4344 C1 MD 4344C1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- as2s3
- tta
- ph3po
- composite
- temperature
- Prior art date
Links
- 229910052958 orpiment Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 39
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 title abstract 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 4
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N europium(3+) Chemical compound [Eu+3] LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N europium(III) oxide Inorganic materials O=[Eu]O[Eu]=O RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 2
- FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphane oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 150000002178 europium compounds Chemical class 0.000 description 1
- GAGGCOKRLXYWIV-UHFFFAOYSA-N europium(3+);trinitrate Chemical compound [Eu+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O GAGGCOKRLXYWIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TXBBUSUXYMIVOS-UHFFFAOYSA-N thenoyltrifluoroacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C1=CC=CS1 TXBBUSUXYMIVOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unui compozit luminofor pe baza semiconductorului calcogenic amorf As2S3 şi compusului coordinativ al europiului(III), sub formă de straturi subţiri şi fibre optice, care poate fi utilizat în industria optoelectronică, şi anume pentru producerea dispozitivelor fotoluminescente, pentru înregistrarea, transmiterea şi amplificarea informaţiei optice.Procedeul, conform invenţiei, include dizolvarea separată a semiconductorului As2S3 şi compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 în propilamină sau monoetanolamină la temperatura de 18…25°C, timp de 4…20 ore, amestecarea acestor soluţii pentru obţinerea compozitului cu următorul raport masic, %: Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 - 2,0…20,0, As2S3 - restul, şi omogenizarea la temperatura de 18…25°C şi o presiune atmosferică normală, timp de 20…30 ore. Amestecul lichid obţinut se depune pe un substrat şi se usucă la temperatura de 45…50°C timp de 3…5 ore.
Description
Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unui compozit luminofor pe baza semiconductorului calcogenic amorf As2S3 şi compusului coordinativ al europiului(III), sub formă de straturi subţiri şi fibre optice, care poate fi utilizat în industria optoelectronică, şi anume pentru producerea dispozitivelor fotoluminescente, pentru înregistrarea, transmiterea şi amplificarea informaţiei optice.
Este cunoscut procedeul de obţinere a compozitului luminofor pe baza materialului semiconductor amorf As2S3 şi compusului europiului Eu2O3.
Matricele din compozite au fost obţinute prin metoda evaporării termice în vacuum pe substraturi de sticlă cu dimensiunile de 25x25 mm2 a ţintei aparte de As2S3 şi Eu2O3. În final după tratarea termică a stratului mixt în atmosferă de azot la 180°C timp de 90 min se obţine un compozit luminofor. În urma acestei tratări oxidul de europiu difuzează în stratul de As2S3 [1].
Dezavantajele acestui procedeu de obţinere a compozitului constau în:
- aplicarea aparatelor de vid, care sunt costisitoare;
- aplicarea procedeelor termice cu utilizarea temperaturilor înalte;
- straturile subţiri din acest compozit, din cauza cristalizării parţiale a matricei amorfe As2S3 la tratarea termică cu temperaturi mari, sunt slab transparente şi nu pot fi utilizate în optică şi în fotonică;
- imposibilitatea de a depune straturi subtiri de compozit pe arii mari.
În calitate de cea mai apropiată soluţie serveşte procedeul de obţinere a compozitului luminofor pe baza materialului semiconductor amorf As2S3 şi compusului europiului(III) Eu2O3. Matricele din compozit au fost obţinute prin metoda depunerii laser pulsate pe substraturi de sticlă cu dimensiunile de 25x25 mm2 a ţintei aparte de As2S3 şi Eu2O3. În final după tratarea termică a stratului mixt în atmosferă de azot la 180°C timp de 45 min se obţine un compozit luminofor. În urma acestei tratări oxidul de europiu difuzează în stratul de As2S3 [2].
Dezavantajele acestui procedeu de obţinere a compozitului constau în:
- aplicarea instalaţiei laser, care este costisitoare;
- aplicarea procedeelor termice cu utilizarea temperaturilor înalte;
- straturile subţiri din acest compozit, din cauza cristalizării parţiale a matricei amorfe As2S3 la tratarea termică cu temperaturi mari, sunt slab transparente şi nu pot fi utilizate în optică şi în fotonică,
- imposibilitatea de a depune straturi subtiri de compozit pe arii mari.
Problema pe care o rezolvă invenţia constă în elaborarea unui procedeu de obţinere a compozitului fotosensibil şi luminofor dintr-un semiconductor calcogenic amorf (de exemplu, As2S3) şi compusul coordinativ al europiului(III), în care se menţine structura moleculară şi proprietăţile optice ale fiecărei componente aparte în compozit: a semiconductorului calcogenic amorf şi compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3.
Problema se rezolvă prin aceea că procedeul de obţinere a unui compozit luminofor pe baza semiconductorului calcogenic amorf As2S3 şi compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 include dizolvarea separată a semiconductorului As2S3 şi compusului Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 în propilamină sau monoetanolamină la temperatura de 18…25°C, timp de 4…20 ore, amestecarea acestor soluţii pentru obţinerea compozitului cu următorul raport masic, %: Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 - 2,0…20,0, As2S3 - restul, şi omogenizarea la temperatura de 18…25°C şi o presiune atmosferică normală, timp de 20…30 ore, depunerea amestecului lichid obţinut pe un substrat şi uscarea la temperatura de 45…50°C timp de 3…5 ore.
Rezultatul tehnic al invenţiei constă în următoarele:
- posibilitatea simplă de a obţine un material cu fotosensibilitate şi luminozitate optimă pentru înscrierea informaţiei holografice;
- pentru obţinerea compusului nu este necesară aplicarea tehnicii de vid, a laserului, a temperaturilor înalte;
- asigurarea gradului înalt de omogenitate al compozitelor,
- posibilitatea de dirijare a tehnologiei, proprietăţilor optice şi altor parametri ai compozitului prin variaţia componenţei mixte.
Rezultatul dat se obţine datorită gradului înalt de omogenitate al materialelor fotosensibile confecţionate din soluţii chimice de semiconductori calcogenici amorfi, în care se obţine doparea optimă a materialului cu ioni Eu3+. Materialul este obţinut în condiţii normale de presiune şi temperatură pe diferite suporturi.
Invenţia se explică cu ajutorul desenelor din fig. 1-5, care reprezintă:
- fig. 1, formula de structură a compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3,
- fig. 2, schema mostrei cu compozit fotoluminofor pe substrat, unde 3 este un suport din polietilentereftalat sau sticlă, 2 - strat subţire de metal (cu rezistivitatea superficială de 105 Om/cm2, grosimea de ~ 100 Å), 1 - strat din compozit fotoluminofor;
- fig. 3, spectrul de transmisie al compozitului As2S3/Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 pentru concentraţia de 10% de Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 în compozit,
- fig. 4, spectrul de transparenţă al stratului Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3,
- fig. 5, spectrul de fotoluminescenţă al stratului subţire de compozit As2S3/Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 pentru concentraţia de 10% de Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 în compozit.
Exemple de realizare a invenţiei
Exemplul 1
În condiţii normale de temperatură şi presiune se pregăteşte soluţia care conţine As2S3 şi propilamină în următorul raport: As2S3 - 8 mg, propilamină - 2 ml. Soluţia se pregăteşte la temperatura de 18...25°C timp de 4...20 ore, la agitare continuă. Amestecul final reprezintă un lichid omogen de culoare galbenă deschisă. Din amestecul obţinut se prepară probele necesare pe diferite substraturi (sticlă, polietilentereftalat etc.), sub formă de straturi, care se usucă în termostat la temperatura de 45...50°C timp de 3...5 ore.
Exemplul 2
În condiţii normale de temperatură şi presiune se pregătesc două tipuri de soluţii. Soluţia 1 conţine As2S3 şi propilamină în următorul raport: As2S3 - 8 mg, propilamină - 2 ml. Soluţia 2 conţine compusul coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 - 2 mg şi propilamină - 1 ml. Soluţiile 1 şi 2 se pregătesc la temperatura de 18...25°C timp de 4...20 ore, la agitare continuă. Apoi soluţiile 1 şi 2 se amestecă şi se agită continuu la temperatura de 18...25°C timp de 20...30 ore. Amestecul final reprezintă un lichid omogen de culoare galbenă deschisă. Din amestecul obţinut se prepară probele necesare pe diferite substraturi (sticlă, polietilentereftalat etc.), sub formă de straturi, care se usucă în termostat la temperatura de 45...50°C timp de 3...5 ore.
Exemplul 3
În condiţii normale de temperatură şi presiune se pregătesc două tipuri de soluţii. Soluţia 1 conţine As2S3 şi propilamină în următorul raport: As2S3 - 18 mg, propilamină - 2 ml. Soluţia 2 conţine compusul coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 - 2 mg şi propilamină - 1 ml. Soluţiile 1 şi 2 se pregătesc la temperatura de 18...25°C timp de 4...20 ore, la agitare continuă. Apoi soluţiile 1 şi 2 se amestecă şi se agită continuu la temperatura de 18...25°C timp de 20...30 ore. Amestecul final reprezintă un lichid omogen de culoare galbenă deschisă. Din amestecul obţinut se prepară probele necesare pe diferite substraturi (sticlă, polietilentereftalat etc.), sub formă de straturi, care se usucă în termostat la temperatura de 45...50°C timp de 3...5 ore.
Exemplul 4
În condiţii normale de temperatură şi presiune se pregătesc două tipuri de soluţii. Soluţia 1 conţine As2S3 şi propilamină în următorul raport: As2S3 - 49 mg, propilamină - 4 ml. Soluţia 2 conţine compusul coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 - 1 mg şi propilamină - 1 ml. Soluţiile 1 şi 2 se pregătesc la temperatura de 18...25°C timp de 4...20 ore, la agitare continuă. Apoi soluţiile 1 şi 2 se amestecă şi se agită continuu la temperatura de 18...25°C timp de 20...30 ore. Amestecul final reprezintă un lichid omogen de culoare galbenă deschisă. Din amestecul obţinut se prepară probele necesare pe diferite substraturi (sticlă, polietilentereftalat etc.), sub formă de straturi, care se usucă în termostat la temperatura de 45...50°C timp de 3...5 ore.
Exemplul 5
În condiţii normale de temperatură şi presiune se pregăteşte soluţia care conţine compusul coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 - 1 mg şi propilamină - 1 ml. Soluţia se pregăteşte la temperatura de 18...25°C timp de 4...20 ore. Soluţia finală reprezintă un lichid omogen fără culoare. Din soluţia obţinută se prepară probele necesare pe diferite substraturi (sticlă, polietilentereftalat etc.), sub formă de straturi, care se usucă în termostat la temperatura de 45...50°C timp de 3...5 ore.
Compusul coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 bis(tenoiltrifluoroacetonato)bis(trifenil-fosfinoxid)(mononitrat)europiu(III) a fost obţinut după metoda analogică descrisă în literatură (Verlan V., Iovu M., Culeac I., Nistor Y., Turta C., Zubareva V. Photoluminescence properties of PVP/Eu(TTA)2(Phen3PO)2NO3 nanocomposites. Journal of Non-Crystalline Solids, 2011, 357, p. 1004-1007).
Sinteza compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3
În 10 ml de etanol (96%) fierbinte (40...60°C) au fost dizolvate 0,44 g (2 mmol) de tenoiltrifluoroacetonă şi 0,56 g (2 mmol) de trifenilfosfinoxid. La soluţia obţinută s-au adăugat 2 ml soluţie de hidroxid de sodiu. Apoi a fost adăugată prin picurare la amestecare continuă soluţia din 1 mmol de nitrat de europiu în 5 ml de арă. În amestec s-a format imediat un precipitat în formă de cremă de culoare brună-deschisă. Precipitatul a fost filtrat, spălat cu etanol, uscat complet în aer. S-a obţinut compusul coordinativ cu masa de 0,85 g, randamentul sintezei este de 69,9%.
Pentru C52H38F6EuNO9P2S2
Calculat, %: С = 51,49; H = 3,16; N = 1,15; S = 5,28.
Determinat, %: С = 51,49; H = 3,48; N = 0,95; S = 5,14.
Depunerea compozitului fotoluminofor se efectuează prin metode cunoscute în literatură: metoda de depunere prin picături, metoda de „menisc”, metoda de centrifugare cu ajutorul unor dispozitive mecanice etc. Grosimea stratului de compozit fotoluminofor este dirijabilă şi variază în funcţie de concentraţia semiconductorului în soluţie, de tehnologia de depunere etc. Grosimea straturilor fotosensibile constituie de obicei 0,2...6,0 µm. Proprietăţile optice şi fotoluminescenţa straturilor fotoluminofore au fost cercetate prin metode spectrale. Pentru măsurările optice de transmisie în domeniile de lungimi de undă ultraviolet - vizibil (200...800 nm) s-au utilizat aparatele Specord-UV şi VIS, firma CARL ZEISS Jena, iar pentru măsurarea fotoluminescenţei - monocromatorul MDR-12 dirijate de computer. Măsurările s-au efectuat la temperatura de 18...25ºC la excitarea fotoluminescenţei cu radiaţie laser N2 (λ = 0,337 µm). Calculul parametrilor optici şi al pragului lor de absorbţie a fost efectuat cu ajutorul metodei descrise în literatură (Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon. Journal of Physics E: Scientific Instruments, 1983, vol. 16, p. 1214-1222).
Măsurările spectrelor de transmisie ale straturilor subţiri ale compozitului As2S3/Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 au arătat coincidenţa pragului lor de absorbţie cu cel al stratului din materialul chalcogenic As2S3, ceea ce demonstrează că structura moleculară a compozitului se menţine aceeaşi şi serveşte ca matrice pentru nanocristalele de Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3. În afară de aceasta, pragul corespunde pragului de absorbţie cunoscut din literatură pentru semiconductorul calcogenic amorf As2S3 respectiv (Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon. Journal of Physics E: Scientific Instruments, 1983, vol. 16, p. 1214-1222 şi Popescu M., Andrieş A., Ciumaş V., Iovu M., Şutov S., Ţiuleanu D. Fizica sticlelor calcogenice, „I.E.P. Ştiinţa”, 1996, Chişinău, p. 486), obţinut prin metoda de evaporare termică în vid din material sintetizat As2S3. În spectrul de fotoluminescenţă al compozitului As2S3/Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 se evidenţiază maximumurile de luminescenţă caracteristice ionului Eu3+ 5D0 ###U2247Fi (i = (0,1,2,3,4,5) (fig. 4), banda principală de emisie 5D0 ###U2247F2 este centrată la 612 nm.
Dependenţa intensităţii fotoluminescenţei de concentraţia compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 în compozitul As2S3/Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 este arătată în tabel. Cu creşterea concentraţiei Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 în As2S3 intensitatea de fotoluminescenţă creşte cu o tendinţă de saturare. Măsurarea fotoluminescenţei a tuturor probelor a fost efectuată în aceleaşi condiţii de excitare.
După cum se observă în fig. 4 spectrul de transparenţă optică are pragul de absorbţie care corespunde pragului de absorbţie cunoscut din literatură pentru semiconductorul calcogenic amorf As2S3, obţinut prin metoda de evaporare în vid din material sintetizat separat.
Tabel
Parametrii caracteristici ai straturilor subţiri din compozitul As2S3/ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3
Concentraţia Eu(TTA)2(Ph3PO)2- NO3 în compozit, % Banda energetică interzisă a com-pusului, eV Poziţia maximu-mului dominant de fotoluminescenţă, nm Intensitatea integrală de fotoluminescenţă, un. rel. 0 2.45 - - 2,00 2.45 612 250 10,00 2.48 614 800 20,00 2.52 613 1200 100,00 3.52 612 2500
1. Popescu M., Velea A., Simandan I. D., Sava F., Lőrinczi A., Ghervase L., Pavelescu G., Mihailescu I. N., Socol G., Georgescu S. Luminescence of arsenic sulphide dots doped with europium, prepared by thermal evaporation and pulsed laser deposition methods. Chalcogenide Letters, 2011, vol. 8, nr. 12, p. 719-724
2. Popescu M., Lőrinczi A., Velea A., Simandan I. D., Sava F., Pavelescu G., Niciu G. H., Niciu D. O., Mihailescu I. N., Socol G., Stefan N. Luminescence of europium in arsenic sulphide matrix. Chalcogenide Letters, 2011, vol. 8, nr. 11, p. 699-702
Claims (1)
- Procedeu de obţinere a unui compozit luminofor pe baza semiconductorului calcogenic amorf As2S3 şi compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3, care include dizolvarea separată a semiconductorului As2S3 şi compusului Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 în propilamină sau monoetanolamină la temperatura de 18…25°C, timp de 4…20 ore, amestecarea acestor soluţii pentru obţinerea compozitului cu următorul raport masic, %: Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 - 2,0…20,0, As2S3 - restul, şi omogenizarea la temperatura de 18…25°C şi o presiune atmosferică normală, timp de 20…30 ore, depunerea amestecului lichid obţinut pe un substrat şi uscarea la temperatura de 45…50°C timp de 3…5 ore.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20140049A MD4344C1 (ro) | 2014-05-20 | 2014-05-20 | Procedeu de obţinere a unui compozit luminofor pe baza semiconductorului calcogenic amorf As2S3 şi compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20140049A MD4344C1 (ro) | 2014-05-20 | 2014-05-20 | Procedeu de obţinere a unui compozit luminofor pe baza semiconductorului calcogenic amorf As2S3 şi compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD4344B1 MD4344B1 (ro) | 2015-04-30 |
| MD4344C1 true MD4344C1 (ro) | 2015-11-30 |
Family
ID=53002925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20140049A MD4344C1 (ro) | 2014-05-20 | 2014-05-20 | Procedeu de obţinere a unui compozit luminofor pe baza semiconductorului calcogenic amorf As2S3 şi compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4344C1 (ro) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378664A (en) * | 1993-06-24 | 1995-01-03 | At&T Corp. | Optical fiber amplifier and a glass therefor |
| WO1997003028A1 (en) * | 1995-07-13 | 1997-01-30 | British Technology Group Limited | Glasses |
| US6226308B1 (en) * | 1995-08-25 | 2001-05-01 | Pirelli Cavi E Sistemi Spa | Optical waveguide, waveguide amplifier and laser |
| MD389Y (ro) * | 2010-05-11 | 2011-06-30 | Inst Fizica Aplicata Stiinte | Procedeu de obţinere a unui nanocompozit luminofor pe baza compusului coordinativ al Eu3+ şi poli-N-vinilpirolidonei |
| MD503Y (ro) * | 2011-07-29 | 2012-04-30 | Inst Fizica Aplicata Stiinte | Procedeu de obţinere a unui nanocompozit luminofor pe baza compusului coordinativ al terbiului(III) şi poli-N-vinilpirolidonei |
| CN102603190A (zh) * | 2012-03-05 | 2012-07-25 | 南京大学 | 稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用 |
| US20120241623A1 (en) * | 2009-10-08 | 2012-09-27 | Centre National De Recherche Scientifique | Chemical Species Optical Sensor Operating in Infrared |
-
2014
- 2014-05-20 MD MDA20140049A patent/MD4344C1/ro not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378664A (en) * | 1993-06-24 | 1995-01-03 | At&T Corp. | Optical fiber amplifier and a glass therefor |
| WO1997003028A1 (en) * | 1995-07-13 | 1997-01-30 | British Technology Group Limited | Glasses |
| US6226308B1 (en) * | 1995-08-25 | 2001-05-01 | Pirelli Cavi E Sistemi Spa | Optical waveguide, waveguide amplifier and laser |
| US20120241623A1 (en) * | 2009-10-08 | 2012-09-27 | Centre National De Recherche Scientifique | Chemical Species Optical Sensor Operating in Infrared |
| MD389Y (ro) * | 2010-05-11 | 2011-06-30 | Inst Fizica Aplicata Stiinte | Procedeu de obţinere a unui nanocompozit luminofor pe baza compusului coordinativ al Eu3+ şi poli-N-vinilpirolidonei |
| MD503Y (ro) * | 2011-07-29 | 2012-04-30 | Inst Fizica Aplicata Stiinte | Procedeu de obţinere a unui nanocompozit luminofor pe baza compusului coordinativ al terbiului(III) şi poli-N-vinilpirolidonei |
| CN102603190A (zh) * | 2012-03-05 | 2012-07-25 | 南京大学 | 稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Kozyukhin S., Voronkov E., Kuzmina N. Amorphous arsenic chalcogenide films modified using rare-earth complexes. Journal of Non-Crystalline Solids, 2006, p. 200-204 (regăsit în Internet la 2015.01.12 URL:< <file:///C:/Users/slevitchi/Downloads/02.16_s.a._kozyukhin_e.n._english.pdf>>) * |
| Popescu M., Lőrinczi A., Velea A., Simandan I. D., Sava F., Pavelescu G., Niciu G. H., Niciu D. O., Mihailescu I. N., Socol G., Stefan N. Luminescence of europium in arsenic sulphide matrix. Chalcogenide Letters, 2011, vol. 8, nr. 11, p. 699-702 * |
| Popescu M., Velea A., Simandan I. D., Sava F., Lőrinczi A., Ghervase L., Pavelescu G., Mihailescu I. N., Socol G., Georgescu S. Luminescence of arsenic sulphide dots doped with europium, prepared by thermal evaporation and pulsed laser deposition methods. Chalcogenide Letters, 2011, vol. 8, nr. 12, p. 719-724 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD4344B1 (ro) | 2015-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Joy et al. | Effects of annealing temperature on the structural and photoluminescence properties of nanocrystalline ZrO2 thin films prepared by sol–gel route | |
| Long et al. | High-throughput and tunable synthesis of colloidal CsPbX 3 perovskite nanocrystals in a heterogeneous system by microwave irradiation | |
| Goktas et al. | Nanostructured Cu-doped ZnS polycrystalline thin films produced by a wet chemical route: the influences of Cu doping and film thickness on the structural, optical and electrical properties | |
| Goktas et al. | Preparation and characterisation of thickness dependent nano-structured ZnS thin films by sol–gel technique | |
| DE69117353T2 (de) | Verfahren zur schnellen thermischen Behandlung zur Erhaltung von Silikatglasbeschichtungen | |
| CN113130769B (zh) | 二维层状钙钛矿单晶、宽光谱光电探测器及其制备方法 | |
| CN109638091A (zh) | 一种高性能混合型光电探测器的构筑方法及其调控策略 | |
| Tripathi et al. | UV enhancement in polycrystalline Ag-doped ZnO films deposited by the sol–gel method | |
| Kumar et al. | Analysis of Pr co-doped Al: ZnO thin films using feasible nebulizer spray technique for optoelectronic technology | |
| Kim et al. | Controls of surface morphology on sol-gel derived ZnO films under isothermal treatment conditions | |
| Hemathangam et al. | Tuning of band gap and photoluminescence properties of Zn doped Cu2S thin films by CBD method | |
| Falsini et al. | A new route for caesium lead halide perovskite deposition | |
| Kumar et al. | The influence of post-growth heat treatment on the optical properties of pulsed laser deposited ZnO thin films | |
| Vettumperumal et al. | Enhancement of optical conductivity in the ultra-violet region of Cs doped ZnO sol gel thin films | |
| Shi et al. | In situ fabrication of lead-free double perovskite/polymer composite films for optoelectronic devices and anticounterfeit printing | |
| Rahal et al. | Influence of low cd-doping concentration (0.5 and 3 wt.%) and different substrate types (glass and silicon) on the properties of dip-coated nanostructured zno semiconductors thin films | |
| Alsharari et al. | RETRACTED ARTICLE: Effectiveness of Annealing on the Structural, Electrical, and Optical Properties of Erbium (III)-tris (8-hydroxyquinolinato) Films for Possible Use in OLEDs | |
| Salim et al. | Nanocrystalline ZnS thin films by chemical bath deposition method and its characterization | |
| Keikhaei et al. | Optical properties of neodymium oxide nanoparticle-doped polyvinyl alcohol film | |
| Pal et al. | A facile strategy for the fabrication of uniform CdS nanowires with high yield and its controlled morphological growth with the assistance of PEG in hydrothermal route | |
| Kutlu-Narin et al. | Effect of magnesium content and growth temperature on structural and optical properties of USCVD-grown MgZnO films | |
| MD4344C1 (ro) | Procedeu de obţinere a unui compozit luminofor pe baza semiconductorului calcogenic amorf As2S3 şi compusului coordinativ Eu(TTA)2(Ph3PO)2NO3 | |
| Tawil et al. | Cesium lead bromide perovskites: Synthesis, stability, and photoluminescence quantum yield enhancement by hexadecyltrimethylammonium bromide doping | |
| Fu et al. | Preparation and performance of CsPbBr3 nanocrystals in a fluorophosphate glass matrix | |
| Jose et al. | Room-temperature wide-range luminescence and structural, optical, and electrical properties of SILAR deposited Cu-Zn-S nano-structured thin films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |