MD3786G2 - Element magnetic pentru marca de identificare şi procedeu de confecţionare a acestuia - Google Patents

Abstract

Invenţia se referă la producerea elementelor magnetice utilizate în mărcile de identificare, marcatoare, etichetele ataşate, aplicate în diverse domenii pentru protecţia contra falsificărilor, identificarea producătorilor de mărfuri, confirmarea autenticităţii obiectelor, în particular a documentelor, pentru inventariere etc.Elementul magnetic pentru marca de identificare constă din cel puţin un segment de microconductor, format dintr-un fir din aliaj feromagnetic acoperit cu înveliş de sticlă, totodată segmentul de microconductor este executat cu părţile frontale tratate termic şi şlefuite, iar lungimea lui L este determinată de relaţia:0,1d x 103 /(d2/D2) ≤ L ≤ 0,5d x 103 /(d2/D2),unde:d - diametrul firului microconductorului,D - diametrul învelişului de sticlă al microconductorului.Procedeul de confecţionare a elementului magnetic pentru marca de identificare constă în turnarea din topitură a microconductorului, format dintr-un fir de aliaj feromagnetic acoperit cu un înveliş de sticlă, şi tăierea microconductorului în segmente. Segmentele obţinute se adună într-un toron, se fixează, apoi toronul se taie în segmente, concomitent părţile frontale ale acestor segmente se supun tratării termice şi şlefuirii la o temperatură cu 20…100°C mai mare decât temperatura de cristalizare pentru aliajele cu microstructură amorfă şi temperatura de recristalizare pentru aliajele cu microstructură microcristalină şi cristalină amorfă; totodată tăierea, tratarea termică şi şlefuirea segmentelor microconductoarelor în toroane se efectuează cu ajutorul unei scule aşchietoare în procesul unei operaţii tehnologice, regimurile căreia sunt stabilite de ecuaţiile:T=k·V·∑,V=π·D1·N,∑=P/S,unde:T - temperatura de încălzire a părţilor frontale ale microconductorului la tăiere;k - coeficientul de degajare a căldurii la tăiere;V - viteza de tăiere;∑ - efortul unitar de tăiere;N - frecvenţa de rotire a sculei aşchietoare;D1 - diametrul sculei aşchietoare;P - efortul depus la scula aşchietoare;S - suprafaţa de contact a sculei aşchietoare cu toronul de microconductoare.