MD1707G2 - Способ пассивации поверхностных структурных дефектов кристалической решетки - Google Patents

Способ пассивации поверхностных структурных дефектов кристалической решетки Download PDF

Info

Publication number
MD1707G2
MD1707G2 MDA20000118A MD20000118A MD1707G2 MD 1707 G2 MD1707 G2 MD 1707G2 MD A20000118 A MDA20000118 A MD A20000118A MD 20000118 A MD20000118 A MD 20000118A MD 1707 G2 MD1707 G2 MD 1707G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
passivation
crystal lattice
structural defects
defects
superficial
Prior art date
Application number
MDA20000118A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD1707F1 (en
Inventor
Валериан ДОРОГАН
Ион ТИГИНЯНУ
Татьяна ВИЕРУ
Родика СТУРЗА
Михаил МАНОЛЕ
Valeriu Coseac
Original Assignee
Валериан ДОРОГАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Валериан ДОРОГАН filed Critical Валериан ДОРОГАН
Priority to MDA20000118A priority Critical patent/MD1707G2/ru
Publication of MD1707F1 publication Critical patent/MD1707F1/xx
Publication of MD1707G2 publication Critical patent/MD1707G2/ru

Links

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии полупроводников, в частности к способам пассивации поверхностных структурных дефектов полупроводниковых слоев и может быть использовано для оптимизации технологий изготовления фотоприемников с барьером Шоттки или МОП структурами.Сущность изобретения заключается в электрическом изолировании дефектов электрохимическим окислением поверхности нанесенного слоя типа “i” при высоком напряжении, затем сформированный оксидный слой удаляют химически с бездефектной поверхности кристалла.Ï. ôîðìóëû: 1Ôèã.: 1
MDA20000118A 2000-07-17 2000-07-17 Способ пассивации поверхностных структурных дефектов кристалической решетки MD1707G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20000118A MD1707G2 (ru) 2000-07-17 2000-07-17 Способ пассивации поверхностных структурных дефектов кристалической решетки

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20000118A MD1707G2 (ru) 2000-07-17 2000-07-17 Способ пассивации поверхностных структурных дефектов кристалической решетки

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD1707F1 MD1707F1 (en) 2001-07-31
MD1707G2 true MD1707G2 (ru) 2002-02-28

Family

ID=19739621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20000118A MD1707G2 (ru) 2000-07-17 2000-07-17 Способ пассивации поверхностных структурных дефектов кристалической решетки

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD1707G2 (ru)

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Electrochemical sulfur passivation of GaAs, Appl. Phys. Lett., 60(18), 1992, *
Hose X.Y., Cai W.Z., He Z.Q., Hao. P H., Li Z.S., Ding X.M., Wang X., *
Kirkland W. Vogt, Kohl A. Paul, Gallium arsenide passivation through nitridation with hydrazine, J. Appl. Phys., 74(10), 1993, p.6448 - 6450 *

Also Published As

Publication number Publication date
MD1707F1 (en) 2001-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2020363658B2 (en) Efficient back passivation crystalline silicon solar cell and manufacturing method therefor
Morii et al. High performance GeO 2/Ge nMOSFETs with source/drain junctions formed by gas phase doping
GB2434696A (en) Method of preparing opto-electronic device
TW200517771A (en) Masking structure including an amorphous carbon layer
CN103480598B (zh) 一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备
TW200742141A (en) Organic transistor and method for manufacturing the same
CN113851522B (zh) 一种氮化镓增强型器件及其制备方法
TW200639919A (en) Method of fabricating a transistor having a triple channel in a memory device
WO2002001643A3 (en) Soft recovery power diode and related method
WO2009056478A3 (en) Strained semiconductor-on-insulator by si:c combined with porous process
Gao et al. UV-ozone oxide for surface clean, passivation, and tunneling contact applications of silicon solar cells
TW200644130A (en) A semiconductor device structure and method therefor
CN103165760B (zh) 一种太阳能电池的选择性掺杂方法
CN104396021B (zh) 包括改进的磷属元素化物半导体膜的光伏器件的制造方法
CN112993059A (zh) 太阳能电池叠层钝化结构及制备方法
TW200629550A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
MD1707G2 (ru) Способ пассивации поверхностных структурных дефектов кристалической решетки
WO2003063227A3 (en) A method of fabrication for iii-v semiconductor surface passivation
WO2009141459A8 (en) Method for manufacturing a photovoltaic cell structure
WO2014146418A1 (zh) 一种锗基肖特基结的制备方法
CN102655112B (zh) 实现锗基mos器件有源区之间隔离的方法
WO2009037896A1 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR960005852A (ko) 반도체장치의 제조방법
JPS63157482A (ja) 半導体装置及びその製法
WO2007030368A3 (en) Lattice-mismatched semiconductor structures on insulators and their fabrication methods