LV15213B - Gāzizlādes elektronu lielgabals - Google Patents
Gāzizlādes elektronu lielgabals Download PDFInfo
- Publication number
- LV15213B LV15213B LVP-16-72A LV160072A LV15213B LV 15213 B LV15213 B LV 15213B LV 160072 A LV160072 A LV 160072A LV 15213 B LV15213 B LV 15213B
- Authority
- LV
- Latvia
- Prior art keywords
- gas
- volume
- pressure
- diameter
- chamber
- Prior art date
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 86
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000007799 cork Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000010407 vacuum cleaning Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/077—Electron guns using discharge in gases or vapours as electron sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/301—Arrangements enabling beams to pass between regions of different pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/063—Electron sources
- H01J2237/06325—Cold-cathode sources
- H01J2237/06366—Gas discharge electron sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
Izgudrojuma apraksts
Izgudrojums ir saistīts ar elektronu tehniku, konkrētāk, - ar elektronu gāzizlādes lielgabaliem ar rūpniecisku pielietojumu, un to var izmantot materiālu kausēšanai ar elektronu staru, piemēram, metāliem un vielām, kuru kausējumiem piemīt metāliskas īpašības (turpmāk tekstā metāli), to attīrīšanai vakuumā un citiem termiskajiem procesiem, kas notiek vakuumā ar spēcīgu elektronu staru kūļu pielietošanu.
Zināmā tehnikas līmeņa analīze
Gāzizlādes elektronu staru lielgabalos ar auksto katodu elektronu stara kūļa ģenerēšanai un formēšanai izmanto lielstrāvas mirdzizlādes lādiņu. Pozitīvie joni, kas rodas plazmā, kas ir lokalizēta pie anoda, bombardē aukstā liektā metāla katoda virsmu, radot elektronu staru kūļa emisiju. Katoda potenciāla krituma laukā elektroni paātrinās un veido izejošo staru kūli ar fokusa attālumu, kuru nosaka katoda liektās virsmas liekuma rādiuss. Staru kūļa jaudu pie nemainīga paātrinoša sprieguma nosaka tā strāva, kuru regulē darba gāzes spiediena lielums, kura atrodas izlādes tilpumā starp elektrodiem, kas turpmāk tiek saukts par izlādes apjomu. Staru kūlis tiek izvadīts tehnoloģiskajā tilpumā (kamerā) caur stara vadu. Staru vads ir aprīkots ar magnētiskām fokusējošām lēcām un spolēm, kas vada stara virzienu. Turpat tiek izvadīta darba gāze, kas tiek ievadīta izlādes apjoma.
Kausējot apstrādājamo metālu tehnoloģiskajā kamerā, spiediens kamerā periodiski un nekontrolējami pieaug līdz līmenim, kas pārsniedz spiediena līmeni izlādes tilpumā. Tā rezultātā spiediens izlādes tilpumā pieaug, palielinot ari lādiņa strāvu. Vadības sistēmas, ar kurām parasti ir aprīkoti gāzizlādes elektronu staru lielgabali ar auksto katodu, reaģējot uz spiediena un strāvas izmaiņām, samazina darba gāzes apjomu un strāvu. Pēc spiediena normalizācijas tehnoloģiskajā kamerā, gāzes spiediens izlādes tilpumā atkal samazinās, jo darba gāzes padeves apjoms tika samazināts, kā rezultātā samazinās strāva, un vadības sistēma veic korekcijas, palielinot darba gāzes padevi. Turklāt periodiski sistēmas vadība veidojas ar jaunu perturbāciju, kas ienāk no tehnoloģiskās kameras, proti, darba gāzes apjoma patēriņam pieaugot, neatkarīgi un nekontrolēti pieaug spiediens tehnoloģiskajā kamerā, kas izraisa spiediena paaugstināšanos izlādes tilpumā virs pieļaujamās normas un gāzizlādes elektronu lielgabala izslēgšanos. Anoda pamatnē esošā cauruma un staru vada minimālie diametri veicina spiediena atkarību starpelektrodu izlādes tilpumā no spiediena darba kamerā, bet ierobežo izvades staru kūļa jaudu. Ir nepieciešams novērst šo pretrunu un nodrošināt spēcīgu elektronu staru kūli ar minimālo iespējamo spiediena svārstību ietekmi tehnoloģiskajā kamerā uz spiedienu izlādes tilpumā.
Ir zināmas metodes gāzizlādes apjoma spiediena neatkarības paaugstināšanai no spiediena svārstībām tehnoloģiskajā kamerā, kas tiek īstenotas salīdzinoši zemas strāva elektronu-staru lielgabalos ar lielāku paātrinošo spriegumu, kas tiek izmantots metināšanā (Orlikovs L.N., «Вопросы теории и практики вывода в газ низкоэнергетических электронных пучков»; Tomska, Tomskas valsts universitāte, 2002. g., 150. lpp.) [1]. Tomēr šo risinājumu tieša izmantošana spēcīgos elektronu avotos ir nelietderīga, jo notiek regulējošo elementu kušana.
Ir zināmi tehniskie risinājumi, kas tiek izmantoti spēcīgas strāvas lielgabaliem. To būtība ir saistīta ar centieniem minimizēt spiediena svārstību tehnoloģiskajā kamerā ietekmi uz lielgabala darba stabilitāti, sasniedzot minimālu anoda apertūras diametru pie maksimālās stara strāvas. Zināmajā tehniskajā risinājumā saskaņā ar patentpieteikumu US 3270118 [2] izlādes apjoms ir izolēts no tehnoloģiskās kameras ar membrānu, kuras caurumu diametri nav norādīti. Šāda veida konstrukcija nepilnīgi izolē starpelektrodu izlādes starpas un tehnoloģiskās kameras tilpumus vienu no otra vai ari membrāna neļauj izvadīt pietiekami jaudīgu elektronu kūli, jo jaudas palielināšanas rezultātā membrāna izkusīs.
Saskaņā ar patentu uz izgudrojumu RU 2323502 [3] un patentu uz lietderīgo modeli Nr. UA 18148 [4] ir zināmi ari gāzizlādes elektronu lielgabali ar auksto katodu, kas raksturojas ar attīstītu un liektu emisijas virsmu, dobu anodu ar caurumu pamatnē, kā ari ar staru vadu, kas ir aprikots ar fokusējošām lēcām un atrodas zem anoda, kas savieno izlādes tilpumu ar tehnoloģisko kameru. Šajos risinājumos, pēc autoru domām, ir optimizēti ģeometriskie izmēri un katoda novietojums attiecībā pret anoda apertūru, kas veicina izvirzītā uzdevuma atrisināšanu. Turklāt tehniskajā risinājumā [3] staru vadā perpendikulāri tā asij, vienmērīgi pa tā riņķa līniju, ir ieviesti ne mazāk par 3 elektriski izolētiem no staru vada stieņiem, kas ir iekļauti vadības sistēmu tādā veidā, ka noplūdes punkti stara diametra palielināšanas rezultātā veidojas stieņu ķēdē. Noplūdes strāvas esamība stieņu elektriskajā ķēdē maina fokusējošo lēcu barošanas elektriskos parametrus un samazina stara diametru tā, lai anoda apertūras uzkaršana būtu minimāla. Abi risinājumi fokusē maksimālās jaudas staru un nodrošina anoda pamatnes daļas elementu minimālu sakaršanu, bet nenovērš gāzu savstarpēju nonākšanu starp tehnoloģisko kameru un izlādes tilpumu.
Ir zināma virkne risinājumu, kuros ir piedāvāts izmantot starpkameras, lai kontrolētu gāzu līdzsvaru. Zināmajā tehniskajā risinājumā saskaņā ar patentu RU 2314593 [5] ir uzstādīta papildu kamera ar noteiktiem caurumu diametriem, caur kuriem tiek plānots izmantot papildu atsūknēšanas līdzekļus, nodrošinot spiediena stabilitāti izlādes tilpumā elektronu staru lielgabalā ar termokatodu. Šī risinājuma izmantošana gāzizlādes staru lielgabalos nav efektīva, jo pastāv iespēja, ka gāze tiek pilnīgi izvadīta no izlādes apjoma un šī iemesla dēļ tiek pārtraukts process.
Ir zināms tehniskais risinājums saskaņā ar starptautisko patenta pieteikumu WO2014193207 Al [6], kurā gāzizlādes elektronu staru lielgabalā, kas ir aprīkots ar auksto liekto katodu, ievietotu hermētiskā korpusā uz augstsprieguma izolatora, un ar līdzass anodu ar caurumu elektronu staru izvadei, anodam ir pieslēgts stara vads ar uz tā piestiprinātām divām fokusējošām lēcām un kūļa novirzes spolēm, pie kam staip fokusējošo lēcu un novirzes spolēm atrodas gāzes balasta kamera, kas ir aprikota ar atsūknēšanas cauruli un caurumiem savienošanai ar staru vadu, pie tam minēto caurumu šķērsgriezums nepārsniedz 5 līdz 6 mm, bet to summārā gāzes izvade pārsniedz staru vada vadāmību starp gāzes balasta kameru un šķērsgriezumu. Vajadzības gadījumā gāzes balasta kameru var novietot starp fokusējošām lēcām. Piedāvātajā lielgabalā [6] gāzes atsūknēšana lielgabala darbības laikā tika veikta caur gāzes balasta kameru, kuras gāzes vadāmība ir lielāka, nekā caur staru vadu posmā starp gāzes balasta kameru un tā šķērsgriezumu. Aprakstītā risinājuma izmantošanas pieredze rāda, ka šim risinājumam ir daudz mazāk trūkumu, bet esošie trūkumi ir analoģiski tiem, kas ir aprakstīti risinājumos [2] un [4].
Ir zināms tehniskais risinājums saskaņā ar patentu UA 90536 [7], kas ir izvēlēts par šī izgudrojuma prototipu un kas piedāvā starp gāzizlādes elektronu stara lielgabala izlādes tilpumu un tehnoloģisko kameru ievietot starpkameru, kurā tiek pievadīta inerta gāze ar spiedienu, kas ir vienāds ar darba gāzes spiedienu izlādes kamerā. Šis risinājums veicina stabilu gāzizlādes elektronu stara lielgabalu darbību, samazinoties spiedienam darba kamerā, bet tā trūkumi ir: staru kūļa jaudas samazinājums, kuru daļēji izraisa argona izkliede, un risinājuma neesamība spiediena pieaugšanas gadījumā darba kamerā, kā ari nepietiekama sistēmas aizsardzība gadījumā, ja spiediens darba kamerā pieaug, piemēram, izdaloties gāzei materiāla kausēšanas laikā.
Izgudrojuma mērķis un būtība
Izgudrojuma mērķis ir paaugstināt elektronu staru lielgabalu darbības stabilitāti, nostabilizējot spiedienu gāzizlādes daļā un samazinot tvaiku nosēšanos uz lielgabala apstrādājamo materiālu. Tehniskais rezultāts ir sasniegts tādējādi, ka:
- tiek stabilizēts darba gāzes spiediens elektronu stara lielgabala gāzizlādes tilpumā;
- nepastiprinās nepieciešamība regulēt darba gāzes plūsmas izmaiņu apjomu, ko izraisa nekontrolētas spiediena svārstības tehnoloģiskajā kamerā;
- pie nemainīgi iestatītiem sistēmas darba parametriem nenotiek sistēmas izejas parametru izmaiņas, kuras izraisa apstrādājamā materiāla tvaiku nosēšanās uz elektronu stara lielgabala katoda un anoda elementu virsmām.
Tehniskais rezultāts ir sasniedzams, pateicoties tam, ka staru vadā, kas savieno anodu apertūru ar tehnoloģisko kameru, starp fokusējošām lēcām ir uzstādīta gāzes balasta kamera, kas samazina spiediena svārstību tehnoloģiskajā kamerā ietekmi uz spiedienu elektronu stara lielgabala gāzizlādes daļā. Gāzes balasta kamera ir aprīkota ar diafragmu doba nošķelta konusa formā, kas sadala kameru divos apjomos. Apjoms, kuru ierobežo mazāka nošķeltā konusa pamatne, ir savienots ar gāzes izvades līdzekļiem, bet otrs apjoms ir savienots ar ierīcēm, kas nodrošina kontrolētu balasta gāzes pievadi pie lielās nošķeltā konusa pamatnes (fig.l). Izgudrojuma būtība ir tāda, ka piedāvātā gāzes balasta kameras konstrukcija samazina lielgabala darbības parametru svārstību iespējamību un novērš vielu tvaiku apmaiņas iespējamību starp tehnoloģiskās kameras tilpumu P4 un gāzizlādes tilpumu Pl, palielinot gāzu izolāciju starp tām. Izolācijas uzlabošana tiek panākta, pievienojot divu sekciju gāzes balasta kameras staru vadu starp fokusējošajām lēcām, izmantojot dalītu diafragmu doba nošķelta konusa veidā, kura mazākā pamatne ir vērsta pret izvadāmo gāžu plūsmu. Diafragmas izmēri ir optimāli, lai pie maksimālās elektronu stara strāvas spiediena svārstības tehnoloģiskajā kamerā minimāli ietekmētu spiediena izmaiņas gāzizlādes tilpumā.
Izgudrojuma aprakstam ir pievienoti sekojoši rasējumi: Fig. 1, kurā ir parādīti gāzes balasta kameras raksturīgie izmēri, un Fig. 2, kurā ir parādīta elektronu stara gāzizlādes lielgabala shēma.
Detalizēts piedāvātā tehniskā risinājuma apraksts
Piedāvātais elektronu stara lielgabals (fig.l) ir aprīkots ar hermētisku korpusu (nav parādīts), kurā ir nostiprināts metālisks katods (1) un koaksiāli ar katodu uzstādītais anods (2), kas abi kopā veido gāzizlādes tilpumu Pl, kurā tiek piegādāta darba gāze, un stara vadu (3) (3.1; 3.2 un 3.3). Stara vads ir aprīkots ar magnētiskām fokusējošām lēcām (4; 5) un novirzošajām spolēm (6). Gāzes balasta kamera (3.2) atrodas starp lēcām (4) un (5). Gāzes balasta kamerā (3.2) (fig.2) ir uzstādīta diafragma (7) doba nošķelta konusa veidā, kas sadala gāzes balasta kameru tilpumos P2 un P3, caurule gāzes atsūknēšanai (9) un caurums inertas gāzes pievadei. Mazākā nošķeltā konusa pamatne ir vērsta pret izvadāmo gāžu plūsmu. Tilpumā P2, kas atrodas pie koniskās diafragmas lielākās pamatnes, tiek ievadīta balasta gāze. Darba un balasta gāzes galvenokārt tiek izvadītas ar turbomolekulāro sūkni (TMS) pa cauruli (9). Balasta gāzes ievade tilpumā P2 samazina darba gāzes patēriņu, lai izveidotu tādu pašu lādiņa strāvu tilpumā Pl. Spiediens tilpumos no Pl līdz P4 tiek uzturēts saskaņā ar nevienādību P1>P23’3~P4 atbilstoši Fig.l attēlotajai shēmai. Pieaugot spiedienam P4>P3 virzienā uz tilpumu Pl, izejošajai no tilpuma P4 gāzei ir jāšķērso cilindriskā diafragma, kuru veido staru vada posms (3.3), un spiediena palielināšanās kompensācijas zona P3, kuras izeja ir aprikota ar konisko diafragmu (7). Lai samazinātu spiediena pieaugšanu zonā P3, gāzes balasta kamera ir aprīkota ar līdzekli papildu liekās gāzes izvadīšanai, kas ienāk no P4, ar turbomolekulāro sūkni (TMS), kas shēmā nav attēlots). Tā rezultātā spiediens zonā P2 pieaug daudz lēnāk nekā zonā P3 galvenokārt darba gāzes uzkrāšanas dēļ. Turklāt darba gāzes spiediens tilpumā P1 pieaug lēnāk nekā parastos elektronu stara lielgabalos, jo tiek pievadīts mazāks apjoms, salīdzinot ar risinājumiem bez gāzes balasta kameras. Attiecīgi, spiedienam pieaugot, lielgabala izlādes posmā lēnāk pieaug lielgabala strāva un rodas mazāk svārstību, kuras novērš elektronu stara lielgabala izejas parametru stabilizācijas sistēma. Gāzes balasta kamera darbojas kā vienpusējs ventilis: pieaugot spiedienam tilpumā P4, tilpumā P3 veidojas korķim līdzīgs veidojums, kuru turbomolekulārais sūknis izvada no tilpuma P3, bet tilpums P4 attīrās ar atbilstošo sūkni. Atjaunojoties spiedienam tilpumā P4, sistēma P2-P3 atjaunojas un spiediens tilpumā P1 samazinās lēnāk, jo darba gāzes patēriņš, salīdzinot ar balasta gāzes patēriņu, ir būtiski zemāks, bet pa cauruli (9) abas gāzes tiek izvadītas vienlaicīgi. Pie tam lādiņa strāvas kontroles sistēma paaugstina darba gāzes patēriņu pietiekami efektīvi.
Piedāvātā tehniskā risinājuma īstenošanas piemērs
Piedāvātā elektronu stara lielgabala darbība notiek sekojošā veidā. Nepārtrauktas gāzes izvades rezultātā no lielgabala caur gāzes balasta kameru un vakuuma iekārtas tehnoloģisko kameru (P4), kā ari darba gāzes pievades (piem., ūdeņraža, skābekļ u.c.) rezultātā tilpumā P1 lielgabalā tiek iegūts nepieciešamas darba spiediens diapazonā no 10° līdz 101 Pa. Pievadot paātrinošo spriegumu uz katodu (1) 25 līdz 30 kV apjomā, aizdegas augstsprieguma mirdzizlādes lādiņš, kas veido elektronu stara kūli. Lādiņa strāvas lielums, kā ari kūļa strāvas lielums tiek regulēts ar spiediena izmaiņām tilpumā P1 (gāzes plūsmas lielums, kas ienāk tilpumā P1 pie nemainīga nosūknēšanas ātruma) par vairākām Pa vienībām. Ar magnētiskajām fokusējošajām lēcām (4) un (5) elektronu staru kūlis caur stara vadu tiek ievadīts tehnoloģiskajā kamerā P4 un tiek fokusēts uz termālās apstrādes objektu. Staru kūļa novirze un skenēšana pēc atbilstošās programmas tiek veikta ar novirzošo spoļu (6) palīdzību.
Izmantotā iekārta tika izstrādāta uz gāzizlādes lielgabala bāzes, kuru izveidoja Kijevas politehniskais institūts, ar jaudu līdz 100 kW pie paātrinošā sprieguma 30 kV. Lielgabala izmēģinājumi tika veikti uz elektronu staru iekārtas, kas ir paredzēta silīcija kausēšanai. Gāzu nosūknēšana no iekārtas tehnoloģiskās kameras tika veikta ar tvaika-eļļas sūkni ar jaudu 4000 1/s. Atbilstoši izgudrojumam stara vads (3) (fig. 2), ko veido elementi (3.1; 3.2; un 3.3), bija aprīkots ar gāzes balasta kameru (3.2), kas ir sadalīta tilpumos P2 un P3 ar konisku diafragmu (7), kas ar mazāko pamatni ir vērsta pret potenciālo gāzu avotu, kuras ir nepieciešams izvadīt. Lai izvadītu darba un balasta gāzes no tilpuma P3, kas atrodas potenciālā izvadāmo gāzu avota tuvumā, tika izmantots turbomolekulārais sūknis ar jaudu 500 1/s. Tilpumā P2, kas atrodas pie koniskās diafragmas lielās pamatnes, tiek ievadīta balasta gāze argons. Tika izmantoti sekojoši elementu raksturlielumi: d2 ~ % dl; d3=2dl; Hp3~d3; Hp2^1/2, kur:
- dl ir staru vada diametrs;
- d2 ir nošķeltā konusa mazākās pamatnes cauruma diametrs;
- d3 ir gāzes balasta kameras diametrs;
- Нрз ir attālums no mazākās no šķeltā konusa pamatnes līdz stara vadam;
- Hp2 ir attālums no lielākās nošķeltā konusa pamatnes līdz stara vadam.
Nošķeltā konusa veidules slīpuma leņķis φ/2 pret elektronu stara lielgabala asi tika izmēģināts 30 līdz 60 grādu diapazonā. Gāzēm nonākot darba kameras tilpumā P4, tās ir jāizvada ar spiedienu, kas nepārsniedz 102 Pa, kā rezultātā rodas spiediena paaugstināšanās tilpumā P3, bet gāzes kanāla paplašinājums no (dl) uz (d3) veicina spiediena paaugstināšanās ātrumu tilpumā P3, bet nosūknēšanas ātrums caur cauruli (9) ir pietiekams, lai izvadīto lieko gāzi, kas ir nonākusi tilpumā P3, un spiediens nepārsniedz 10 Pa. Pie tam doba nošķeltā konusa formas diafragma, kuras virsotne ir vērsta pret izvadāmās gāzes plūsmu, veicina to, ka nevēlamā gāzes plūsma vispirms tiek izvadīta no tilpuma P3, praktiski nesasniedzot tilpumu P2. Pie tam spiediens tilpumā P2 nepieaug vairāk kā par 1 līdz 3 Pa. Šādā veidā spiediens tilpumā Pl pieaug tikai uz no jauna tur pievadāmās gāzes rēķina, kuras pievade ir mazāka par gāzes pievadi elektronu staru lielgabalā bez piedāvātās gāzes balasta kameras un ir viegli regulējama ar gāzes padeves līdzekļiem. Diametra (d3) pret (dl) attiecības palielināšanās, kā arī tilpuma P3 pieaugums veicina spiediena paaugstināšanās ātruma samazināšanos tilpumā P3, ja tajā nonāk izvadāmā gāze. Tomēr spiediena pārmērīgas palielināšanas dēļ tilpumā P3 tajā veidojas tilpuma lādiņš. Diametra (d2) samazināšana samazina spiediena paaugstināšanos tilpumā P2, spiedienam vienlaicīgi pieaugot tilpumā P3, tomēr pārmērīgs šī diametra samazinājums ierobežo staru kūļa jaudu vai izraisa diafragmas izdegšanu līdz diametram, kas atbilst elektronu stara kūļa diametram. Nošķeltā konusa veidules slīpuma leņķa φ/2 pret elektronu stara lielgabala dobās koniskās diafragmas asi samazina spiediena svārstības tilpumā P2, saglabājot tādas pašas svārstības tilpumā P3, bet veicina plazmas lādiņa veidošanos tilpumā P2. Ņemot vērā elektronu dispersiju, diametra (d2) minimizēšana pie uzdotās kūļa strāvas ir iespējama, ja diafragma tiek dzesēta, piemēram ar ūdeni, un ja magnētiskās lēcas (4) un (5) tiek vadītas neatkarīgi. Pie tam lēcas (4) parametru izmaiņas ļauj samazināt elektronu kūļa šķēlumu izejot pa caurumu mazākajā nošķeltā konusa pamatnē, bet lēca (5) veicina kūļa fokusēšanu uz objekta.
Dažādos darba režīmos, kurus piedāvā šis izgudrojums, atkarībā no kausējamā materiāla stāvokļa bija iespējams noturēt spiedienu tehnoloģiskajā kamerā uzdotajā līmenī diapazonā no 102 līdz 10'2 Pa. Lielgabala darbs izcēlās ar labu stabilitāti. Katoda un anoda atstarotāja iekšējo virsmu apsekošana neuzrādīja silīcija putekļu nosēšanās pēdas.
Piedāvāto gāzizlādes elektronu lielgabalu, kuru ir paredzēts izmantot materiālu kausēšanai ar elektronu staru, ir iespējams izmantot arī citos termiskos procesos, kas tiek veikti vakuumā ar dažādām gāzēm, tai skaitā reaktīvajām. Šķirta darba gāzes un balasta gāzes izvade no lielgabala caur balasta kameru ar diafragmu nodrošina plašāku spiediena diapazonu materiālu termiskās apstrādes zonā (no 102 Pa līdz 10'2 Pa), kas būtiski paplašina šāda tipa elektronu stara lielgabalu tehniskās iespējas.
Claims (4)
- Pretenzijas1. Gāzizlādes elektronu lielgabals, kas satur: hermētiskā korpusā uz augstsprieguma izolatora izvietotu aukstu ieliekto katodu; katodam koaksiālu anodu ar atveri elektronu staru kūļa izvadei; pie anoda pievienotu stara vadu, kas ir aprīkots ar kūļa novirzes spolēm un fokusējošām lēcām, kas ir atdalītas ar gāzes balasta kameru; īscauruli gāzes papildu atsūknēšanai un līdzekļus kontrolējamai gāzes padevei, kas atšķiras ar to, ka gāzes balasta kamerā ir uzstādīta diafragma doba nošķelta konusa formā, kura mazākā pamatne ir vērsta pret izvadāmās gāzes plūsmu, pie kam šādā veidā divās daļās sadalītā gāzes balasta kamera ir aprīkota ar gāzes izvades līdzekļiem no mazākās nošķeltā konusa pamatnes puses un ar līdzekļiem balasta gāzes pievadīšanai no lielākās nošķeltā konusa pamatnes puses.
- 2. Gāzizlādes elektronu lielgabals saskaņā ar 1. pretenziju, kas atšķiras ar to, ka nošķeltais konuss ir izveidots ar piespiedu dzesēšanu.
- 3. Gāzizlādes elektronu lielgabals saskaņā ar 1. vai 2. pretenziju, kas atšķiras ar to, ka nošķeltā konusa virsotnes leņķis ir no 60 līdz 120 grādiem, bet cauruma diametrs mazākajā nošķeltā konusa pamatnē ir mazāks par staru vada diametru.
- 4. Gāzizlādes elektronu lielgabals saskaņā ar 1. vai 2. pretenziju, kas atšķiras ar to, ka gāzes balasta kameras diametrs ir divas reizes lielāks par stara vada diametru, un ar to, ka attālums Нрз starp gāzes balasta kameras šķēlumu un pret to vērsto mazāko nošķeltā konusa pamatni nav mazāks par gāzes balasta kameras diametru, bet attālums Нрг starp otru gāzes balasta kameras šķēlumu un lielāko nošķeltā konusa pamatni ir mazāks par pusi no staru vada diametra.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
LVP-16-72A LV15213B (lv) | 2016-10-21 | 2016-10-21 | Gāzizlādes elektronu lielgabals |
EP17186577.7A EP3312869A1 (en) | 2016-10-21 | 2017-08-17 | The gas-discharge electron gun |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
LVP-16-72A LV15213B (lv) | 2016-10-21 | 2016-10-21 | Gāzizlādes elektronu lielgabals |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
LV15213A LV15213A (lv) | 2017-03-20 |
LV15213B true LV15213B (lv) | 2017-04-20 |
Family
ID=58744314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
LVP-16-72A LV15213B (lv) | 2016-10-21 | 2016-10-21 | Gāzizlādes elektronu lielgabals |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3312869A1 (lv) |
LV (1) | LV15213B (lv) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050116653A1 (en) * | 2002-03-26 | 2005-06-02 | Minakov Valeriy I. | Plasma electron-emitting source |
UA83514C2 (uk) * | 2006-06-14 | 2008-07-25 | Николай Петрович Кондратий | Газорозрядна електронна гармата |
UA90536C2 (uk) * | 2008-03-31 | 2010-05-11 | Физико-Технологический Институт Металлов И Сплавов Нан Украины | Газорозрядна електронна гармата |
US20130162134A1 (en) * | 2010-10-25 | 2013-06-27 | Goesta Mattausch | Device for producing an electron beam |
CN103887131A (zh) * | 2012-12-19 | 2014-06-25 | 北京有色金属研究总院 | 一种600kw气体放电电子枪及其使用方法 |
WO2014193207A1 (ru) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Kravtsov Anatoly | Газоразрядная электронная пушка |
CN104505325B (zh) * | 2014-12-15 | 2016-08-17 | 中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所 | 一种高电压气体放电电子枪装置 |
-
2016
- 2016-10-21 LV LVP-16-72A patent/LV15213B/lv unknown
-
2017
- 2017-08-17 EP EP17186577.7A patent/EP3312869A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050116653A1 (en) * | 2002-03-26 | 2005-06-02 | Minakov Valeriy I. | Plasma electron-emitting source |
UA83514C2 (uk) * | 2006-06-14 | 2008-07-25 | Николай Петрович Кондратий | Газорозрядна електронна гармата |
UA90536C2 (uk) * | 2008-03-31 | 2010-05-11 | Физико-Технологический Институт Металлов И Сплавов Нан Украины | Газорозрядна електронна гармата |
US20130162134A1 (en) * | 2010-10-25 | 2013-06-27 | Goesta Mattausch | Device for producing an electron beam |
CN103887131A (zh) * | 2012-12-19 | 2014-06-25 | 北京有色金属研究总院 | 一种600kw气体放电电子枪及其使用方法 |
WO2014193207A1 (ru) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Kravtsov Anatoly | Газоразрядная электронная пушка |
CN104505325B (zh) * | 2014-12-15 | 2016-08-17 | 中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所 | 一种高电压气体放电电子枪装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
DENBNOVETSKY S V ET AL: "High-voltage, glow-discharge electron sources and possibilities of its application in industry for realizing different technological operations", IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE, IEEE SERVICE CENTER, PISCATAWAY, NJ, US, vol. 31, no. 5, 1 October 2003 (2003-10-01), pages 987 - 993, XP011102610, ISSN: 0093-3813, DOI: 10.1109/TPS.2003.818444 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3312869A1 (en) | 2018-04-25 |
LV15213A (lv) | 2017-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20200156153A1 (en) | Method and system for manufacturing of three dimensional objects | |
KR100807806B1 (ko) | 직류 아크 플라즈마트론 장치 및 사용 방법 | |
US20040251410A1 (en) | Ion source | |
WO2006012165A2 (en) | Plasma jet generating apparatus and method of use thereof | |
CN110205589B (zh) | 一种脉冲碳离子激发源装置 | |
TW201435956A (zh) | 離子源 | |
US10354845B2 (en) | Atmospheric pressure pulsed arc plasma source and methods of coating therewith | |
LV15213B (lv) | Gāzizlādes elektronu lielgabals | |
RU87065U1 (ru) | Устройство для создания однородной газоразрядной плазмы в технологических вакуумных камерах больших объемов | |
LV14938B (lv) | Gāzizlādes elektronu lielgabals | |
US3182175A (en) | Electron beam heating device | |
KR20150020606A (ko) | 플라즈마를 생성하고 목표물에 전자 빔을 인도하기 위한 장치 | |
RU2323502C1 (ru) | Газоразрядная электронная пушка | |
RU2400861C1 (ru) | Газоразрядная электронная пушка | |
CN210438827U (zh) | 一种脉冲碳离子激发源装置 | |
WO2008004240A2 (en) | Device and method for thin film deposition using a vacuum arc in an enclosed cathode-anode assembly | |
RU2699765C1 (ru) | Аксиальная электронная пушка | |
RU2607398C2 (ru) | Способ нанесения покрытий путем плазменного напыления и устройство для его осуществления | |
KR102594269B1 (ko) | 플라즈마 토치 | |
US20150345021A1 (en) | Pulsed plasma deposition device | |
US6686557B1 (en) | Nonflammable ternary gas mix for high pressure plasmas | |
RU2740146C1 (ru) | Ионный источник (ионная пушка) | |
US20240062995A1 (en) | Hollow cathode system for generating a plasma and method for operating such a hollow cathode system | |
UA90536C2 (uk) | Газорозрядна електронна гармата | |
UA120300C2 (uk) | Газорозрядна електронна гармата та спосіб керування її струмом |