LU93028B1 - High voltage DC system - Google Patents
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Claims (16)
1. Hochspannungs-DC-System (100), umfassend: eine Hochspannungs-DC-Einrichtung (10), die während des Betriebs eine Veränderung des elektrischen Potenzials in Longitudinalrichtung (L) von einem ersten Endbereich (12) der Hochspannungs-DC-Einrichtung (10) zu einem zweiten Endbereich (13) der Hochspannungs-DC-Einrichtung (10) zeigt; ein Gehäuse, umfassend: einen röhrenfbrmigen Isolierkörper (20) mit mindestens einer isolierenden Gehäusewand (21a, 21b); mindestens eine resistive Feldsteuerungsschicht (40) auf zumindest einem Teil einer Fläche (22a, 22b, 23a, 23b) der isolierenden Gehäusewand (21a, 21b); wobei die Feldsteuerungsschicht (40) ein nichtlineares Verhalten hat, wobei ein erster Teil der Feldsteuerungsschicht (40) mit dem ersten Endbereich (12) der Hochspannungs-DC-Einrichtung (10) verbunden ist, wobei die Feldsteuerungsschicht (40) im Wesentlichen durchgehend von dem ersten Endbereich (12) zu dem zweiten Endbereich (13) verläuft.
2. Hochspannungs-DC-System (100) nach Anspruch 1, wobei ein zweiter Teil der Feldsteuerungsschicht (40) mit dem zweiten Endbereich (13) der Hochspannungs-DC-Einrichtung (10) verbunden ist.
3. Hochspannungs-DC-System (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Feldsteuerungsschicht (40) verschiedene nicht-lineare resitive Eigenschaften in mindestens zwei verschiedenen Abschnitten (41, 42, 43, 44) davon bei Betrachtung in der Longitudinalrichtung (L) hat.
4. Hochspannungs-DC-System (100) nach Anspruch 3, wobei die Dicke (51, 52, 53, 54) der Feldsteuerungsschicht (40) in Longitudinalrichtung (L) variiert.
5. Hochspannungs-DC-System (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Hochspannungs-DC -Einrichtung (10) mindestens zwei zusammengeschaltete Einrichtungseinheiten (11a, lib, 11c, lid, 11e, 11 f), optional mindestens zwei in Reihe zusammengeschaltete Einrichtungseinheiten (1 la, 1 lb, 1 lc, lid, lie, 11 f) umfasst, wobei jede der Einrichtungseinheiten (11a, lib, lie, lid, 11e, 1 lf) während des Betriebs einen teilweisen Spannungsabfall zeigt.
6. Hochspannungs-DC-System (100) nach Anspruch 5, wobei die Hochspannungs-DC-Einrichtung (10) einen Spannungsteiler an zumindest einer der Einrichtungseinheiten (11a, lib, 11c, lid, lie, 1 lf) umfasst, wobei der Spannungsteiler typischerweise einen kapazitiven und/oder einen resistiven Spannungsteiler aufweist.
7. Hochspannungs-DC-System (100) nach Anspruch 5 oder 6, die ferner mindestens eine Zwischenverbindung (15a, 15b, 15c, 15d) umfasst, die elektrisch eine vorbestimmte der Einrichtungseinheiten (11a, lib, lie, lid, lie, 1 lf) mit der Feldsteuerungsschicht (40) verbindet, wobei sich die Zwischenverbindung (15a, 15b, 15c, 15d) zwischen dem ersten Endbereich (12) und dem zweiten Endbereich (13) befindet.
8. Hochspannungs-DC-System (100) gemäß einer Kombination von einem der Ansprüche 3 und 4 mit einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei jeder Abschnitt (41, 42, 43, 44) der Feldsteuerungsschicht (40) jeder der Einrichtungseinheiten (11a, lib, lie, lid, lie, 1 lf) entspricht, wobei die nichtlinearen resistiven Eigenschaften der Feldsteuerungsschicht (40) in den Abschnitten (41, 42, 43, 44) jeweils an den Spannungsabfall der korrespondierenden Einrichtungseinheit (11a, lib, lie, lid, lie, 1 lf) angepasst sind.
9. Hochspannungs-DC-System (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Feldsteuerungsschicht (40) auf der inneren Fläche (22a, 22b) der isolierenden Gehäusewand (21a, 21b) vorgesehen ist, und/oder wobei die Feldsteuerungsschicht (40) auf der äußeren Fläche (23 a, 23b) der isolierenden Gehäusewand (21a, 21b) vorgesehen ist.
10. Hochspannungs-DC-System (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der röhrenförmige Isolierkörper (20) mindestens zwei konzentrisch angeordnete isolierende Gehäusewände (21a, 21b) umfasst, wobei die die Feldsteuerungsschicht (40) zwischen den Gehäusewänden (21a, 21b) angeordnet ist.
11. Hochspannungs-DC-System (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Feldsteuerungsschicht (40) eines oder mehrere der folgenden Gruppe umfasst: beschichtete Glimmerpigmente, antimondotiertes Zinnoxid, beschichtetes Glas, beschichtete Keramik, Kohlenruß, Graphen, Graphenoxid, Zinkoxid, Zinnoxid; V aristor-Keramikringe.
12. Hochspannungs-DC-System (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der röhrenförmige Isolierkörper (20) mindestens eines der folgenden umfasst: eine Mehrzahl von Körpersegmenten (25a, 25b), die in Longitudinalrichtung (L) gestapelt sind, so dass Feldsteuerungsschichtsegmente (45a, 45b) der Feldsteuerungsschicht (40), die jeweils zu den isolierenden Körpersegmenten (25a, 25b) korrespondieren, elektrisch miteinander verschaltet sind; und mindestens zwei Schalenteile (26a, 26b), wobei die Schalenteile (26a, 26b) trennbar sind und, im montierten Zustand, jeweils aneinander an jeweiligen longitudinalen Stoßflächen aneinandergrenzen, so dass Feldsteuerungsschichtteile (46a, 46b) der Feldsteuerungsschicht (40), die jeweils zu den Schaltenteilen (26a, 26b) korrespondieren, elektrisch miteinander verschaltet sind.
13. Hochspannungs-DC-System (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Feldsteuerungsschicht (40) in der Longitudinalrichtung (L) entlang der Hochspannungs-DC-Einrichtung (10) verläuft und ebenfalls, in der Nähe des ersten Endbereichs (12) und/oder in der Nähe des zweiten Endbereichs (13), in einer Richtung (O) einer Ebene (Pl, P2) orthogonal zu der Longitudinalrichtung (L) verläuft, wobei die Feldsteuerungsschicht (40) einen abgerundeten Bereich (47, 48) an einem Übergang zwischen den Richtungen umfasst.
14. Hochspannungs-DC-System (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Feldsteuerungsschicht (40) entlang eines vollen Umfangs in zumindest einem Querschnitt orthogonal zu der Longitudinalrichtung (L) der Hochspannungs-DC-Einrichtung (10) vorgesehen ist, wobei vorzugsweise die Feldsteuerungsschicht (40) entlang eines vollen Umfangs entlang eines vollen Umfangs im Wesentlichen entlang der Gesamtausdehnung der Hochspannungs-DC-Einrichtung (10) in deren Longitudinalrichtung (L) vorgesehen ist.
15. Hochspannungs-DC-System (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Gehäuse zum gasisolierten Aufnehmen der Hochspannungs-DC-Einrichtung (10) angepasst ist.
16. Verwendung eines Hochspannungs-DC-Systems (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche für die Isolierung der Hochspannungs-DC-Einrichtung (10), die mit einer daran angelegten DC-Spannung betreibbar ist oder betrieben wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LU93028A LU93028B1 (en) | 2016-04-14 | 2016-04-14 | High voltage DC system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LU93028A LU93028B1 (en) | 2016-04-14 | 2016-04-14 | High voltage DC system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| LU93028B1 true LU93028B1 (en) | 2017-11-30 |
Family
ID=55967357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| LU93028A LU93028B1 (en) | 2016-04-14 | 2016-04-14 | High voltage DC system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| LU (1) | LU93028B1 (de) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020070428A1 (en) * | 2000-12-11 | 2002-06-13 | Hans Bernhoff | Semiconductor device |
| WO2015132128A1 (en) * | 2014-03-05 | 2015-09-11 | Abb Technology Ag | Enclosure for power electronic components |
| WO2016008518A1 (en) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | Abb Technology Ltd | Valve unit for hvdc power converter insulated by solid material and gas |
-
2016
- 2016-04-14 LU LU93028A patent/LU93028B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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