LU502524B1 - A Device and Method for In-situ measurement on Low-Temperature Crystal Structure of Two-Dimensional Materials - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 claims abstract 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 33
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims description 14
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-BJUDXGSMSA-N helium-3 atom Chemical compound [3He] SWQJXJOGLNCZEY-BJUDXGSMSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000097 high energy electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010249 in-situ analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/20058—Measuring diffraction of electrons, e.g. low energy electron diffraction [LEED] method or reflection high energy electron diffraction [RHEED] method
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Claims (9)
1. Un dispositif pour l’étude in-situ de la structure cristalline à basse température de matériaux bidimensionnels se caractérise par : Comprendre un système de commande cryogénique, un système RHEED, une table de substrat, un élévateur de table de substrat, un dispositif d’entraînement de l’axe Z creux et un système de vide ; Dans lesquels, le système de commande cryogénique est situé sur le système de vide et connecté au système de vide, le système RHEED est monté sur un côté du système de vide, la table de substrat est installée sous le système de commande cryogénique, le dispositif d'entraînement de l'axe Z creux est situé à la jonction du système de commande cryogénique et du système de vide et commande le système de commande cryogénique, et l'élévateur de table de substrat est installé sur le côté supérieur du dispositif d'entraînement de l'axe Z creux et commande la table de substrat ; Un substrat est disposé au bas de la table de substrat décrite; La table de substrat décrite est intégrée à un système de commande de rétroaction de température,et ce dernier est composé d’un dispositif de chauffage, d’un thermomètre et d’un élément de commande de température de rétroaction ; Le système de commande cryogénique décrit comprend un réfrigérateur à cycle fermé, un dispositif d’extraction d’air, un dispositif de transport d’air, un contrôleur de débit massique et un échangeur de chaleur ; Le réfrigérateur à cycle fermé décrit est disposé à la partie supérieure du système de commande cryogénique, le dispositif d'extraction d'air est relié au dispositif de transport d'air, et ce précédent est situé sur le côté du réfrigérateur à cycle fermé, le contrôleur de débit massique est situé sur la canalisation de connexion entre le dispositif de transport d'air et le réfrigérateur à cycle fermé, et l'échangeur de chaleur est relié et situé sous le réfrigérateur à cycle fermé.
2. Un dispositif pour l’étude in-situ de la structure cristalline à basse température de matériaux bidimensionnels selon la revendication 1 décrit, se caractérise par : Le système de vide décrit comprend une cavité de préparation sous vide, une pompe à 11 vide et une interface de vide ; La pompe a vide décrite est installée sur la paroi 17008586 latérale inférieure de la cavité de préparation sous vide, et l'interface de vide est située au sommet de la même cavité de préparation sous vide, et l'échangeur de chaleur précédent s'étend dans la cavité de préparation sous vide à travers l'interface de vide.
3. Un dispositif pour l’étude in-situ de la structure cristalline à basse température de matériaux bidimensionnels selon la revendication 2 décrit, se caractérise par : Le système RHEED décrit comprend un canon à électrons RHEED et un écran fluorescent RHEED ; Le canon à électrons RHEED décrit est situé d’un côté de la cavité de préparation sous vide, et l’écran fluorescent RHEED est situé de l’autre côté de la cavité de préparation sous vide.
4. Un dispositif pour l’étude in-situ de la structure cristalline à basse température de matériaux bidimensionnels selon la revendication 3 décrit, se caractérise par : Le réfrigérateur à cycle fermé comprend une tête de réfrigération, un compresseur et une canalisation de transport de gaz ; La tête de réfrigération décrite s’étend dans le dispositif d’échange de chaleur décrit, et la tête de réfrigération est reliée au compresseur par une canalisation de transport de gaz.
5. Un dispositif pour l’étude in-situ de la structure cristalline à basse température de matériaux bidimensionnels selon la revendication 4 décrit, se caractérise par : La surface extérieure de la table de substrat décrite est faite de cuivre sans oxygène à haute conductivité thermique.
6. Un dispositif pour l’étude in-situ de la structure cristalline à basse température de matériaux bidimensionnels selon la revendication 5 décrit, se caractérise par : La cavité de préparation sous vide décrite est une cavité de dépôt de film.
7. Un dispositif pour l’étude in-situ de la structure cristalline à basse température de matériaux bidimensionnels selon la revendication 6 décrit, se caractérise par : L’échangeur de chaleur décrit est muni d’une protectrice ; La protectrice enveloppe la surface de l’échangeur de chaleur décrit. 12
8. Un dispositif pour l’étude in-situ de la structure cristalline à basse température 17008586 de matériaux bidimensionnels selon la revendication 7 décrit, se caractérise par : La protectrice est faite d’acier inoxydable austénitique et a une longue structure tubulaire.
9. Un dispositif pour l’étude in-situ de la structure cristalline à basse température de matériaux bidimensionnels selon la revendication 8 décrit, se caractérise par : Les types de réfrigérateur à cycle fermé décrit comprennent un réfrigérateur à tube pulsé et un réfrigérateur Gifford-McMahon ; Le gaz réfrigérant dans le réfrigérateur à cycle fermé décrit est choisi entre l’hélium 3 et l’hélium 4. 13
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| LU502524A LU502524B1 (en) | 2022-07-19 | 2022-07-19 | A Device and Method for In-situ measurement on Low-Temperature Crystal Structure of Two-Dimensional Materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LU502524A LU502524B1 (en) | 2022-07-19 | 2022-07-19 | A Device and Method for In-situ measurement on Low-Temperature Crystal Structure of Two-Dimensional Materials |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| LU502524B1 true LU502524B1 (en) | 2024-01-22 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| LU502524A LU502524B1 (en) | 2022-07-19 | 2022-07-19 | A Device and Method for In-situ measurement on Low-Temperature Crystal Structure of Two-Dimensional Materials |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| LU (1) | LU502524B1 (fr) |
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2022
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