KR980012032A - 반도체소자 제조장치의 세정방법 - Google Patents

Abstract

반도체소자 제조장치의 세정방법을 개시하고 있다. 막 증착에 사용되는 가스를 웨이퍼 상에 분사시키기 위한 헤드; 및 웨이퍼를 가열하기 위한 히터 블록을 구비한 반도체 소자 제조장치의 세정방법에 있어서, 상기 헤드를 업(up) 시키고 상기 히터 블록의 상부에 냉각 시스템을 설치한 후, 상기 헤드 등의 세정공정을 수행함으로써, 세정작업시에도 상기 히터 블록의 온도를 고온으로 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치의 세정방법을 제공한다. 따라서, 히터를 다운시킨 후 상온까지 온도가 내려가는 시간 및 상온의 히터를 지정된 온도까지 업 시키고 이 온도가 안정될 때까지 대기하는 시간을 절약할 수 있다.

Description

반도체소자 제조장치의 세정방법

본 발명은 반도체소자 제조장치의 세정방법에 관한 것으로, 특히 생산성을 향상시킬 수 있는 대기압 화학기상증착(Atmosphere Pressure CVD, 이하 APCVD라 한다) 장치의 세정방법에 관한 것이다.

반도체 소자 제조시 막을 증착하기 위해 사용되는 장비중의 하나가 APCVD 장치이다. 이 APCVD 장치는 통상, 상압 상태에서 증착하고자 하는 막 성분을 포함하는 가스를 헤드(head)를 통해 고온, 예컨대 350℃∼450℃의 온도로 가열되어 있는 웨이퍼 위에 분사함으로써 막을 증착하는데 사용된다.

도1은 종래 일반적으로 사용되는 APCVD 장치를 개략적으로 도시한 도면으로서, 상압 상태에서, 예컨대 SiH₄+ O₂가 혼합된 가스를 헤드(5)를 통해 분사시키고, 히팅 블록(10)에 의해 고온으로 가열되어 있는 웨이퍼(15) 위에 예컨대 산화막을 형성한다.

SiH₄+ O₂가 혼합된 가스가 반응할 때, 헤드(5) 및 가스 분사 부위에 많은 파우더가 형성되고, 이를 제거하기 위해 일정한 시간동안 반응공정을 수행한 후, 가스 분사부위와 주변 파트(part)들을 분리하여 세정작업을 실시하여야 한다.

이때, 트레이(tray) 표면이 항상 350℃∼450℃의 온도로 가열되어 있기 때문에, 세정작업 실시 전, 히터를 오프(off)시키고 상온까지 온도가 내려진 후 세정작업을 실시하여야 하며, 세정작업이 완료된 후에는 파트를 조립한 다음, 다시 히터를 온(on)하여 온도가 완전히 안정된 상태에서 공정을 진행하게 된다.

이 과정에서 히터의 다운/업시 많은 시간이 소요되고 온도 강하로 인한 파우더의 낙하 현상이 많이 발생하게 된다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 일정한 온도하에서 세정작업을 수행함으로써, 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체소자 제조장치의 세정방법을 제공하는 것이다.

제1도는 종래 일반적으로 사용되는 APCVD 장치를 설명하기 위해 도시한 개략도이다.

제2도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도세소자 제조장치의 세정방법을 설명하기 위해 도시한 개략도이다.

상기 과제를 이루기 위하여 본 발명은 막 증착에 사용되는 가스를 웨이퍼 상에 분사시키기 위한 헤드; 및 웨이퍼를 가열하기 위한 히터 블록을 구비한 반도체 소자 제조장치의 세정방법에 있어서, 상기 헤드를 업(up) 시키고 상기 히터 블록의 상부에 냉각 시스템을 설치한 후, 상기 헤드 등의 세정공정을 수행함으로써, 세정작업시에도 상기 히터 블록의 온도를 고온으로 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조장치의 세정방법을 제공한다. 따라서, 히터를 다운시킨 후 상온까지 온도가 내려가는 시간 및 상온의 히터를 지정된 온도까지 업시키고 이 온도가 안정될 때까지 대기하는 시간을 절약할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조장치의 세정방법을 설명하기 위해 도시한 개략도이다.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조장치는, 웨이퍼를 가열하기 위한 히터 블록(50) 상에 웨이퍼(65)가 장착되어 있으며, 가스분사에 사용되는 헤드(55)가 히터 블록(50) 상부에 설치되어 있다. 상기 히터 블록(50)과 헤드(55) 사이의 공간에 냉각 시스템(70)이 설치되어 있다. 이때, 상기 냉각 시스템(70)은 냉각수가 인(in) 및 아우트(out)될 수 있는 냉각라인으로 구성될 수 있다.

따라서, 세정작업시 트레이 또는 히터로부터 발산되는 열기가 세정작업 중인 작업자 쪽으로 이동하게 되면, 설치된 냉각 시스템(70)에 의해 냉각되어 직접 전달되지 않는다. 따라서, 파우더를 제거하기 위한 세정작업시 히터(50)를 다운시키지 않아도 된다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 히터 블록 상부에 냉각시스템을 설치함으로써, 파우더 제거를 위한 세정작업시 히터를 다운시킬 필요가 없다. 따라서, 히터를 다운시킨 후 상온까지 온도가 내려가는 시간 및 상온의 히터를 지정된 온도까지 업 시키고 이 온도가 안정될 때까지 대기하는 시간을 절약할 수 있다.

Claims (1)

1. 막 증착에 사용되는 가스를 웨이퍼 상에 분사시키기 위한 헤드; 및 웨이퍼를 가열하기 위한 히터 블록을 구비한 반도체 소자 제조장치의 세정방법에 있어서, 상기 헤드를 업(up) 시키고 상기 히터 블록의 상부에 냉각 시스템을 설치한 후, 상기 헤드 등의 세정공정을 수행함으로써, 세정작업시에도 상기 히터 블록의 온도를 고온으로 유지하는 것을 특징으로 하는 반도세 소자 제조장치의 세정방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.