KR980010603A

KR980010603A - Photomask manufacturing method

Info

Publication number: KR980010603A
Application number: KR1019960031202A
Authority: KR
Inventors: 김병국; 최성운
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1996-07-29
Filing date: 1996-07-29
Publication date: 1998-04-30

Abstract

포토마스크 제조방법을 개시하고 있다. 이는, 석영기판 상에 차광패턴을 형성하는 단계; 결과물 전면에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층을 형성하는 단계; 차광패턴이 균일한 영역을 마스킹한 채로 포토레지스트층이 형성된 석영기판의 배면을 노광시키는 단계; 상기 포토레지스트층을 현상함으로써, 불균일하게 형성된 차광패턴 상에만 선택적으로 형성되고, 균일하게 형성된 영역 전부를 덮는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상기 차광패턴이 균일한 선폭을 갖도록 식각하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 포토마스크 전면에 걸쳐 균일한 CD를 갖는 차광패턴을 형성할 수 있다.Discloses a photomask manufacturing method. This includes the steps of forming a shielding pattern on a quartz substrate; Applying a photoresist to the entire surface of the resultant to form a photoresist layer; Exposing a back surface of a quartz substrate on which a photoresist layer is formed while masking an area having a uniform light shielding pattern; Forming a photoresist pattern selectively formed only on a non-uniformly formed light-shielding pattern and covering all of the uniformly formed regions by developing the photoresist layer; Etching the light shielding pattern to have a uniform line width using the photoresist pattern as a mask; And removing the photoresist pattern. Therefore, a light shielding pattern having uniform CD over the entire surface of the photomask can be formed.

Description

Photomask manufacturing method

본 발명은 반도체 소자 제조시 사용되는 포토마스크 제조방법에 관한 것으로, 특히 임계선폭(CriticalBACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask fabrication method used in semiconductor device fabrication,

Dimension, 이하 CD라함)의 균일성을 확보할 수 있는 포토마스크 제조방법에 관한 것이다.(Hereinafter referred to as " CD-Dimension ", hereinafter referred to as CD).

반도체 소자 제조공정에 있어서, 집적도 향상에 가장 민감하게 반응하는 기술이 사진공정 기술이다. 특히, 웨이퍼 상에 형성되는 패턴 선폭의 균일도는, 사진공정에서 사용되는 마스크 상에 형성된 차광패턴 선폭의 균일도에 의해 좌우된다고 할 수 있다. 따라서, 마스크 상에 형성되는 차광 패턴의 선폭의 균일도를 개선하기 위한 여러 가지 시도가 이루어지고 있다.In the semiconductor device fabrication process, photolithography technology is one of the most sensitive techniques for improving the degree of integration. Particularly, the uniformity of the pattern line width formed on the wafer depends on the uniformity of the light-shielding pattern line width formed on the mask used in the photolithography process. Accordingly, various attempts have been made to improve the uniformity of the line width of the light-shielding pattern formed on the mask.

제1a도 및 제1b도는 종래 일반적인 방법으로 제조된 마스크의 문제점을 설명하기 위해 도시한 평면도이고, 제2a도 및 제2b도는 이에 대응되는 단면도이다.FIGS. 1a and 1b are plan views for explaining problems of a mask manufactured by a conventional method, and FIGS. 2a and 2b are corresponding sectional views.

종래 일반적인 방법으로 제조된 마스크의 차광 패턴(3)의 CD는, 동심원 방향으로 CD의 크기가 작아지는 경우(제1a도), 어느 한쪽의 에지부분의 CD의 크기가 작아지는 경우(도1b), 또는 전체 마스크의 CD가 작아지는 경우(도시되지 않음)가 발생하고 있다.1B). In the case where the CD of the shielding pattern 3 of the mask manufactured by the conventional method is small in size in the concentric circular direction (FIG. 1A) , Or when the CD of the entire mask becomes smaller (not shown).

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 임계선폭의 균일도를 개선할 수 있는 포토마스크 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a photomask manufacturing method capable of improving the uniformity of a critical line width.

제1도a 및 1b도는 종래 일반적인 방법으로 제조된 마스크의 문제점을 설명하기 위해 도시한 평면도이다.FIGS. 1A and 1B are plan views illustrating the problem of a mask manufactured by a conventional method.

제2a도 및 제2b도는 이에 대응되는 단면도이다.Figures 2a and 2b are corresponding cross-sectional views.

제3도 내지 제8도은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.FIGS. 3 through 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a mask according to an embodiment of the present invention.

상기 과제를 이루기 위하여 본 발명은, 석영기판 상에 차광패턴을 형성하는 단계; 결과물 전면에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층을 형성하는 단계; 차광패턴이 균일한 영역을 마스킹한 채로 포토레지스트층이 형성된 석영기판의 배면을 노광시키는 단계; 상기 포토레지스트층을 현상함으로써, 불균일하게 형성된 차광패턴 상에만 선택적으로 형성되고, 균일하게 형성된 영역 전부를 덮는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상기 차광패턴이 균일한 선폭을 갖도록 식각하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법을 제공한다. 따라서, 포토마스크 전면에 걸쳐 균일한 CD를 갖는 차광패턴을 형성할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a quartz substrate, including: forming a light shielding pattern on a quartz substrate; Applying a photoresist to the entire surface of the resultant to form a photoresist layer; Exposing a back surface of a quartz substrate on which a photoresist layer is formed while masking an area having a uniform light shielding pattern; Forming a photoresist pattern selectively formed only on a non-uniformly formed light-shielding pattern and covering all of the uniformly formed regions by developing the photoresist layer; Etching the light shielding pattern to have a uniform line width using the photoresist pattern as a mask; And removing the photoresist pattern. The present invention also provides a method of manufacturing a photomask. Therefore, a light shielding pattern having uniform CD over the entire surface of the photomask can be formed.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention.

제3도 내지 제8도는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.FIGS. 3 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a mask according to an embodiment of the present invention.

제3도를 참조하면, 먼저 석영기판(10) 상에 종래의 방법을 이용하여 차광패턴(12)을 형성한다. 이때, 종래에서와 마찬가지로 CD가 균일한 영역(B)과 균일하지 않은 영역(A)이 나타난다.Referring to FIG. 3, first, a light-shielding pattern 12 is formed on a quartz substrate 10 using a conventional method. At this time, as in the conventional case, the region B in which the CD is uniform and the region A in which the CD is not uniform appear.

제4도를 참조하면, 상기 결과물 전면에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층(14)을 형성한다.Referring to FIG. 4, photoresist is applied to the entire surface of the resultant to form a photoresist layer 14.

제5도를 참조하면, 포토레지스트층(14)이 형성된 상기 결과물의 배면(back side), 즉 석영기판(10)의 배면을 노광시킨다. 이때, 차광패턴(12)이 균일한 영역(B)은 스크린(16)을 사용하여 노광시키지 않는다.Referring to FIG. 5, the back side of the resulting product, in which the photoresist layer 14 is formed, is exposed to the backside of the quartz substrate 10. At this time, the area (B) in which the light-shielding pattern 12 is uniform is not exposed using the screen (16).

제6도를 참조하면, 상기 포토레지스트층(14)을 현상한다. 이로써, 불균일하게 형성된 차광패턴(12) 영역(A)에서는 차광패턴 상에만 선택적으로 형성되고, 균일하게 형성된 영역 전부를 덮는 포토레지스트 패턴(18)을 형성한다.Referring to FIG. 6, the photoresist layer 14 is developed. As a result, in the non-uniformly formed light-shielding pattern 12 region A, a photoresist pattern 18 selectively formed only on the light-shielding pattern and covering all the uniformly formed regions is formed.

제7도를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(18)을 마스크로하여 상기 차광패턴(12)을 건식 또는 습식식각한다. 이때, 식각시간 조절을 통해 차광패턴(12)의 크기를 조절할 수 있으므로, CD가 균일한 영역과 동일한 CD를 갖도록 식각조건을 결정한다.Referring to FIG. 7, the light shielding pattern 12 is dry-etched or wet-etched using the photoresist pattern 18 as a mask. At this time, since the size of the light shielding pattern 12 can be adjusted by adjusting the etching time, the etching conditions are determined so that the CD has the same CD as the uniform region.

제8도를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(18)을 제거하여 균일한 CD를 갖는 차광패턴이 형성된 포토마스크를 완성한다.Referring to FIG. 8, the photoresist pattern 18 is removed to complete a photomask having a light-shielding pattern having a uniform CD.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 포토레지스트 도포, 배면 노광 및 현상하여 불균일하게 형성된 차광패턴 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고 이를 이용하여 불균일한 차광패턴을 선택적으로 식각함으로써, 포토마스크 전면에 걸쳐 균일한 CD를 갖는 차광패턴을 형성할 수 있다.As described above, according to the present invention, a photoresist pattern is formed on a non-uniformly formed light-shielding pattern by applying photoresist, backside exposure and development, and by selectively etching a non-uniform light-shielding pattern, A light shielding pattern having one CD can be formed.

Claims

Forming a shielding pattern on the quartz substrate; Applying a photoresist to the entire surface of the resultant to form a photoresist layer; Exposing a back surface of a quartz substrate on which a photoresist layer is formed while masking an area having a uniform light shielding pattern; Forming a photoresist pattern selectively formed only on a non-uniformly formed light-shielding pattern and covering all of the uniformly formed regions by developing the photoresist layer; Etching the light shielding pattern to have a uniform line width using the photoresist pattern as a mask; And removing the photoresist pattern. &Lt; Desc / Clms Page number 19 >

※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.