Claims (9)
폴리이미드의 수분 재거를 위해 폴리이미드를 베이킹하는 단계와, 상기 폴리이미드의 표면을 활성화시키기 위해 가스분위기에서 스퍼터 에칭하는 과정과, 상기 폴리이미드 상부에 Cu-Ti합금을 증착하는 단계와, 상기 Cu-Ti합금층 상부에 Cu를 적정두께로 도금하는 단계와, 상기 Cu도금층과 Cu-Ti합금층을 식각하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.Baking a polyimide for removing water of the polyimide, sputter etching in a gas atmosphere to activate the surface of the polyimide, depositing a Cu-Ti alloy on the polyimide, and Plating a Cu on the Ti alloy layer with an appropriate thickness, and etching the Cu plating layer and the Cu-Ti alloy layer, metal wiring forming method of the tape for semiconductor TAB process, characterized in that consisting of.
제 1 항에 있어서 상기 베이킹시의 조건은 150∼400℃의 온도, 5분∼1시간으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.2. The method for forming metal wiring of a tape for semiconductor TAB process according to claim 1, wherein the baking condition is a temperature of 150 to 400 DEG C and 5 minutes to 1 hour.
제 1 항에 있어서 상기 스퍼터 에칭시 사용되는 가스는 아르곤 또는 아르곤과 산소의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the gas used in the sputter etching is argon or a mixed gas of argon and oxygen.
제 1 항에 있어서 상기 스퍼터 에칭시 인가되는 파워는 RF 10∼1000W, 인가 시간은 1∼20분인 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the power applied during the sputter etching is RF 10-1000W, and the application time is 1-20 minutes.
제 1 항에 있어서 상기 Cu-Ti합금의 조성은 5∼30% Ti로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the Cu-Ti alloy has a composition of 5 to 30% Ti.
제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 Cu-Ti 합금 스퍼터 증착시 증착파워는 500∼10000W, 압력은 1∼20mTorr로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the deposition power of the Cu-Ti alloy sputter deposition is 500 to 10000 W and the pressure is 1 to 20 mTorr.
제 1 항에 있어서 상기 Cu-Ti합금층 상부에 입혀지는 Cu는 전기도금에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.[Claim 2] The method of claim 1, wherein the Cu coated on the Cu-Ti alloy layer is formed by electroplating.
제 1 항 또는 제 7 항에 있어서 상기 전기 도금으로 입혀지는 Cu 두께는 1∼100㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.8. The method for forming metal wiring of a tape for semiconductor TAB process according to claim 1 or 7, wherein the thickness of Cu coated by said electroplating is 1 to 100 mu m.
제 1 항에 있어서 Cu/Cu-Ti 층 식각시 습식에칭으로 한번에 에칭하는 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the etching of the Cu / Cu-Ti layer is performed at one time by wet etching.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.