KR980005928A - Metal wiring formation method of tape for semiconductor tab process - Google Patents

Metal wiring formation method of tape for semiconductor tab process Download PDF

Info

Publication number
KR980005928A
KR980005928A KR1019960023242A KR19960023242A KR980005928A KR 980005928 A KR980005928 A KR 980005928A KR 1019960023242 A KR1019960023242 A KR 1019960023242A KR 19960023242 A KR19960023242 A KR 19960023242A KR 980005928 A KR980005928 A KR 980005928A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tape
metal wiring
tab process
polyimide
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1019960023242A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
서환석
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019960023242A priority Critical patent/KR980005928A/en
Publication of KR980005928A publication Critical patent/KR980005928A/en

Links

Abstract

본 발명은 반도체 패키지 기술중 TAB 공정에 사용되는 반도체 TAB 공정용 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 테이프의 하부면에 위치한 폴리이미드의 상부에 스퍼터링에 의해 증착된 두개의 금속층을 하나의 합금 박막의 단층구조로 형성함으로써 폴리이미드와 금속선과의 접착력을 떨어뜨리지 않으면서 공정을 단순화하고 테이프의 유연성을 증가할 수 있는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법이다.The present invention relates to a method for forming a metal wiring for the semiconductor TAB process used in the TAB process of the semiconductor package technology, in particular, two metal layers deposited by sputtering on top of the polyimide located on the lower surface of the tape of one alloy thin film Formation of a single layer structure is a method of forming metal wiring in a tape for semiconductor TAB process that can simplify the process and increase the flexibility of the tape without degrading the adhesion between the polyimide and the metal wire.

Description

반도체 탭(TAB)공정용 테이프의 금속배선 형성방법Metal wiring formation method of tape for semiconductor tab process

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.

제 2a 도 내지 제2e 도는 본 발명의 방법에 따른 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성공정단계를 도시한 단면도.2a to 2e are cross-sectional views showing the metallization process step of the tape for TAB process according to the method of the present invention.

Claims (9)

폴리이미드의 수분 재거를 위해 폴리이미드를 베이킹하는 단계와, 상기 폴리이미드의 표면을 활성화시키기 위해 가스분위기에서 스퍼터 에칭하는 과정과, 상기 폴리이미드 상부에 Cu-Ti합금을 증착하는 단계와, 상기 Cu-Ti합금층 상부에 Cu를 적정두께로 도금하는 단계와, 상기 Cu도금층과 Cu-Ti합금층을 식각하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.Baking a polyimide for removing water of the polyimide, sputter etching in a gas atmosphere to activate the surface of the polyimide, depositing a Cu-Ti alloy on the polyimide, and Plating a Cu on the Ti alloy layer with an appropriate thickness, and etching the Cu plating layer and the Cu-Ti alloy layer, metal wiring forming method of the tape for semiconductor TAB process, characterized in that consisting of. 제 1 항에 있어서 상기 베이킹시의 조건은 150∼400℃의 온도, 5분∼1시간으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.2. The method for forming metal wiring of a tape for semiconductor TAB process according to claim 1, wherein the baking condition is a temperature of 150 to 400 DEG C and 5 minutes to 1 hour. 제 1 항에 있어서 상기 스퍼터 에칭시 사용되는 가스는 아르곤 또는 아르곤과 산소의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the gas used in the sputter etching is argon or a mixed gas of argon and oxygen. 제 1 항에 있어서 상기 스퍼터 에칭시 인가되는 파워는 RF 10∼1000W, 인가 시간은 1∼20분인 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the power applied during the sputter etching is RF 10-1000W, and the application time is 1-20 minutes. 제 1 항에 있어서 상기 Cu-Ti합금의 조성은 5∼30% Ti로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the Cu-Ti alloy has a composition of 5 to 30% Ti. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 Cu-Ti 합금 스퍼터 증착시 증착파워는 500∼10000W, 압력은 1∼20mTorr로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the deposition power of the Cu-Ti alloy sputter deposition is 500 to 10000 W and the pressure is 1 to 20 mTorr. 제 1 항에 있어서 상기 Cu-Ti합금층 상부에 입혀지는 Cu는 전기도금에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.[Claim 2] The method of claim 1, wherein the Cu coated on the Cu-Ti alloy layer is formed by electroplating. 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서 상기 전기 도금으로 입혀지는 Cu 두께는 1∼100㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.8. The method for forming metal wiring of a tape for semiconductor TAB process according to claim 1 or 7, wherein the thickness of Cu coated by said electroplating is 1 to 100 mu m. 제 1 항에 있어서 Cu/Cu-Ti 층 식각시 습식에칭으로 한번에 에칭하는 것을 특징으로 하는 반도체 TAB 공정용 테이프의 금속배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the etching of the Cu / Cu-Ti layer is performed at one time by wet etching. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019960023242A 1996-06-24 1996-06-24 Metal wiring formation method of tape for semiconductor tab process KR980005928A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960023242A KR980005928A (en) 1996-06-24 1996-06-24 Metal wiring formation method of tape for semiconductor tab process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960023242A KR980005928A (en) 1996-06-24 1996-06-24 Metal wiring formation method of tape for semiconductor tab process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR980005928A true KR980005928A (en) 1998-03-30

Family

ID=66288291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960023242A KR980005928A (en) 1996-06-24 1996-06-24 Metal wiring formation method of tape for semiconductor tab process

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR980005928A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4702967A (en) Multiple-layer, multiple-phase titanium/nitrogen adhesion/diffusion barrier layer structure for gold-base microcircuit interconnection
KR950025957A (en) Semiconductor device having wiring of laminated structure and manufacturing method
US3386894A (en) Formation of metallic contacts
KR970003544A (en) Process for forming improved titanium containing barrier layer
KR970030381A (en) Improved method for forming aluminum contacts
CA2177244A1 (en) Metal layer pattern forming method
KR980005928A (en) Metal wiring formation method of tape for semiconductor tab process
JPH03179793A (en) Surface structure of ceramic board and manufacture thereof
JPH02230756A (en) Copper electrode wiring material
JPS6232610A (en) Manufacture of semiconductor device
JP2848694B2 (en) Semiconductor device
WO2021222207A3 (en) Plated metallic substrates and methods of manufacture thereof
JPS63122248A (en) Manufacture of semiconductor device
KR970003513A (en) Metal wiring formation method of semiconductor device
KR960030372A (en) Metal wiring formation method of semiconductor device
JP2857775B2 (en) Oxidation resistance treatment method for metal surface
JPH0992649A (en) Wiring structure for semiconductor device and manufacture of the same
JPS59139647A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH03237745A (en) Semiconductor device
US6309963B1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
Kim et al. Adhesion of copper nitride film to silicon oxide substrate
JPH07130683A (en) Semiconductor device
JPH06163544A (en) Wiring structure of semiconductor integrated circuit and fabrication thereof
KR100250747B1 (en) Manufacture of semiconductor device
JPS63287036A (en) Manufacture of semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination