KR980005432A

KR980005432A - Multiple ion source type low energy ion implanter

Info

Publication number: KR980005432A
Application number: KR1019960026327A
Authority: KR
Inventors: 윤상웅; 원종수; 최계준; 이성화
Original assignee: 김주용; 현대전자산업 주식회사
Priority date: 1996-06-29
Filing date: 1996-06-29
Publication date: 1998-03-30

Abstract

본 발명은 다중 이온 소스형 저에너지 이온 주입장치에 관한 것으로, 이온을 생성시키는 발생원으로써 소스 마그네트를 보유하여 병렬로 배열된 적어도 2개의 이온 소스부(1)(1′), 상기 이온 소스부의 이온 출구에 설치되어 이온 소수부로부터 이온 빔을 추출하는 추출 전극(3)(3′), 상기 추출 전극에 의해 추출되는 두 라인의 이온 빔을 하나의 라인으로 집중시킴과 동시에 이온 빔의 편향성을 억제하는 쌍극자 렌즈 마그네틱, 상기 쌍극자 렌즈 마그네트에 의해 집중된 이온 빔을 90° 방향으로 꺽어 각종 이온의 질량차로 원심 분리하여 원하는 이온을 가속 튜브로 보내는 마그네틱 어날라이저, 이온 빔 라인에 순차적으로 설치되는 제1빔 스플리터 (6)와 빔 패러디플래지(7)와 제2빔 스플리터(8) 및 웨이퍼(9)가 위치하는 엔드 스테이션부를 포함하여 구성된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 두 개의 이온 소스로부터 이온이 생성되므로 적은 에너지 영역에서 안정적이면서도 높은 이온 빔을 추출할 수 있고, 또한 저에너지 이온 주입시 가장 문제시 되고 있는 빔블로우-업 현상을 쌍극자 렌즈 마그네트를 이용하여 이온 비의 편향성을 억제함과 동시에 집중하는 것으로 방지할 수 있어 기존의 소오스보다 더 높은 이온 빔의 효율을 얻을 수 있다.The present invention relates to a multi-ion source low-energy ion implanter, comprising at least two ion source sections (1 ') arranged in parallel with a source magnet as a source for generating ions, (3 ') for extracting an ion beam from the ion fractional part, and a dipole (3') for concentrating the two ion beams extracted by the extraction electrode into one line and suppressing the deflection of the ion beam, A lens mirror, a magnetic analyzer that bends the ion beam focused by the dipole lens magnet in the direction of 90 占 and centrifuges it by the mass difference of various ions to transmit the desired ions to the acceleration tube, and a first beam splitter 6), an end station unit in which a beam parody plague (7), a second beam splitter (8) and a wafer (9) are located . According to the present invention, since ions are generated from two ion sources, a stable and high ion beam can be extracted in a small energy region, and a beam blow-up phenomenon, which is most problematic in low energy ion implantation, It is possible to prevent the bias of the ion beam by concentrating and suppressing the bias of the ion beam, thereby achieving a higher ion beam efficiency than that of the conventional source.

Description

Multiple ion source type low energy ion implanter

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is a trivial issue, I did not include the contents of the text.

첨부한 도면은 본 발명에 의한 다중 이온 소스형 저에너지 이온 주입장치의 구조를 보인 개략도이다.The accompanying drawings are schematic views showing the structure of a multi-ion source low-energy ion implanter according to the present invention.

Claims

At least two ion source portions arranged in parallel with a source magnet as a generation source for generating ions; An extraction electrode provided at an ion outlet of the ion source unit to extract an ion beam from the ion fractional part; a dipole lens magnet which concentrates the two ion beams extracted by the extraction electrode into one line and suppresses the deflection of the ion beam; A magnetic analyzer that breaks the ion beam concentrated by the dipole lens magnet in the direction of 90 占 and centrifuges the ions by mass difference of various ions to send the desired ions to the acceleration tube; A first beam splitter sequentially disposed on the ion beam line, and a beam parody plage, a second beam splitter, and an end station where the wafer is located.

※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.