Claims (11)
투명한 기판(14); 금속과 적어도 하나의 도핑 원소의 알로이를 포함하는 제1기록 층(18); 및 반도체를 포함하는 제2기록 층(20)을 순서대로 포함하고, 금속과 반도체의 이원 조합이 공융 상 평형을 나타내는 광기록 매체(12).Transparent substrate 14; A first recording layer 18 comprising an alloy of a metal and at least one doping element; And a second recording layer 20 comprising a semiconductor in sequence, wherein the binary combination of metal and semiconductor exhibits eutectic phase equilibrium.
투명한 기판(14); 유전층(16); Al과 Cr의 알로이(여기서, Cr은 2.5 내지 4 원자%의 양으로 존재한다)를 포함하는 제1기록 층(18); Ge를 포함하는 제2기록 층(20); 및 보호층(22)을 순서대로 포함하는 광 기록 매체(12).Transparent substrate 14; Dielectric layer 16; A first recording layer 18 comprising an alloy of Al and Cr, wherein Cr is present in an amount of 2.5 to 4 atomic percent; A second recording layer 20 comprising Ge; And a protective layer 22 in sequence.
투명한 기판(14); 금속과 적어도 하나의 도핑 원소의 알로이를 포함하는 제1기록 층(18); 반도체를 포함하는 제2기록 층(20)(여기서, 금속과 반도체의 이원 조합은 공융 상 평형을 나타낸다); 및 보호층(22); 기판을 통해 매체에 들어오는 위치에 위치한 촛점맞춤 레이저 비임으로서, 레이저 비임은 제1 및 제2기록 층의 국부용융 및 흡열 혼합이 일어날 때까지 두층을 가열할 수 있어서, 매체에 기록된 스폿(28)을 형성시키고, 기록된 스폿은 주위 비기록된 영역의 반사율보다 낮은 반사율을 갖는 촛점맞춤 레이저(24) 비임; 및 매체를 나오는 반사된 레이저 비임을 검출하는 위치에 놓인 광검출기(26)을 포함하는 광 기록 시스템(10).Transparent substrate 14; A first recording layer 18 comprising an alloy of a metal and at least one doping element; A second recording layer 20 comprising a semiconductor, where the binary combination of metal and semiconductor exhibits eutectic phase equilibrium; And protective layer 22; As a focused laser beam positioned at a position entering the medium through the substrate, the laser beam may heat the two layers until local melting and endothermic mixing of the first and second recording layers occurs, such that spots 28 recorded on the medium are recorded. And the recorded spot is a focused laser 24 beam having a reflectance lower than the reflectance of the surrounding unrecorded area; And a photodetector 26 positioned to detect the reflected laser beam exiting the medium.
제1항 또는 제3항에 있어서, 기판과 제1기록 층 사이에 유전층(16)을 또한 포함하는 매체 또는 시스템.The medium or system according to claim 1 or 3, further comprising a dielectric layer (16) between the substrate and the first recording layer.
제1항 또는 제3항에 있어서, 알로이가 Al-Cr, Au-Co 및 Al-Ti로 구성된 군중에서 선택되는 매체 또는 시스템.4. The medium or system of claim 1 or 3, wherein the alloy is selected from a crowd consisting of Al-Cr, Au-Co and Al-Ti.
제1항 또는 제3항에 있어서, 알로이가 Al-Cr인 매체 또는 시스템.The medium or system according to claim 1 or 3, wherein the alloy is Al-Cr.
제1항 또는 제3항에 있어서, 도핑 원소가 매체의 시이트 전기 전도성이 0.1 지멘스 미만이도록 충분한 양으로 존재하는 매체 또는 시스템.4. The medium or system of claim 1 or 3, wherein the doping element is present in an amount sufficient such that the sheet electrical conductivity of the medium is less than 0.1 Siemens.
제1항 또는 제3항에 있어서, 도핑 원소가 약 1 내지 약 12 원자%의 범위로 알로이에 존재하는 매체 또는 시스템.The medium or system of claim 1 or 3 wherein the doping element is present in the alloy in the range of about 1 to about 12 atomic%.
제1항 또는 제3항에 있어서, 반도체가 Si, Ge 및 이들의 조합으로 구성된 군중에서 선택되는 매체 또는 시스템.4. The medium or system of claim 1 or 3, wherein the semiconductor is selected from a crowd consisting of Si, Ge, and combinations thereof.
제1항에 있어서, 반도체가 적어도 하나의 추가 물질과 알로이되고, 추가 물질이 0 내지 30 원자%의 범위로 존재하는 매체.The medium of claim 1 wherein the semiconductor is alloyed with at least one additional material and the additional material is present in the range of 0 to 30 atomic percent.
제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 780nm 파장에서 매체의 편평한 표면 반사율(R)이 0.55 내지 0.85의 범위인 매체 또는 시스템.The medium or system according to claim 1 or 2 or 3, wherein the flat surface reflectance (R) of the medium at 780 nm wavelength is in the range of 0.55 to 0.85.
※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.