KR970067387A - 금속간 유전체를 갖는 반도체 장치와 그 제조 방법 - Google Patents

금속간 유전체를 갖는 반도체 장치와 그 제조 방법 Download PDF

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KR970067387A
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윌리엄 비. 켐플러
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Abstract

제1 및 제2 상호 접속 레벨(14와 16)을 포함하는 반도체 장치가 기술된다. 혼합 폴리머 금속간 유전체(46,48및 50)이 도전 소자(22,24,26,36 및 38)을 각각 분리시키는데 사용된다. 금속간 유전체 바디(46,48 및 50)은 불화 및 비-불화 파릴렌의 혼합물을 포함한다.

Description

금속간 유전체를 갖는 반도체 장치와 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (12)

  1. 유전 물질에 있어서, 불화 파릴렌; 및 비-불화 파릴렌을 포함하는 것을 특징으로 하는 유전 물질.
  2. 유전 물질을 형성하기 위한 공정에 있어서, 파릴렌 다이머를 승화하는 단계; 반응성 모노머를 반응성 불화 처리제에 노출시키는 단계; 및 폴리머 유전 물질을 형성하도록 낮은 온도에서 불화 및 비-불화 파릴렌 모노머의 혼합물을 기판 표면 위에 피착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전 물질 형성 과정.
  3. 반도체 장치에 있어서, 서로 이웃해서 배열된 제1 및 제2 가늘고 긴 금속 도전체; 및 제1 및 제2금속 도전체 사이에 배열되고 불화 비-불화 파릴렌 폴리머 물질의 혼합물을 포함하는 가늘고 긴 금속간 유전체 바디를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 금속간 유전 물질이 불화 처리제를 파릴렌 모노머와 함께 히터에 도입시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서, 불화 처리제가 코발트 불화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제4항에 있어서, 불화 처리제가 포타슘 불화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제4항에 있어서, 불화 처리제가 수소 불화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 반도체 장치를 형성하는 방법에 있어서, 서로 일정 간격을 두고 배치된 제1 및 제2가늘고 긴 도전 소자들을 형성하는 단계; 및 불화 및 비-불화 파릴렌의 혼합물을 포함하는 금속간 유전 물질을 제1 및 제2도전 소자 사이에 피착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성 방법.
  9. 제8항에 있어서, 금속간 유전체를 피착시키는 단계가 파릴렌 다이머 소스로부터 다이머 기체를 승화시키는 단계; 다이머 내에서 모너머를 분리시키도록 다이머 기체를 가열하는 단계; 불화 처리제를 분리된 모노머에 도입하는 단계; 및 제1 및 제2도전 소자들 사이의 표면 위에 불화 함유 약품과 분리된 모노머의 혼합물을 응축시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서, 불화 처리제를 도입시키는 단계가 포타슘 불화물 소스를 도입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성 방법.
  11. 제9항에 있어서, 불화 처리제를 도입시키는 단계가 수소 불화물 소스를 도입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성 방법.
  12. 제9항에 있어서, 불화 처리제를 도입시키는 단계가 코발트 불화물 소스를 도입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970009781A 1996-03-22 1997-03-21 금속간 유전체를 갖는 반도체 장치와 그 제조 방법 KR970067387A (ko)

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