Claims (9)
플랙시블한 기판과, 이 기판의 상면에 형성된 소정 패턴의 제1전극층과, 이 제1전극층이 형성된 기판의 상면에 형성되는 다공성 실리콘 필름층과, 상기 다공성 필름층의 상면에 소정의 패턴으로 형성된 제2전극층을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 발광소자.A flexible substrate, a first electrode layer having a predetermined pattern formed on the upper surface of the substrate, a porous silicon film layer formed on the upper surface of the substrate on which the first electrode layer is formed, and a predetermined pattern formed on the upper surface of the porous film layer A light emitting device comprising a second electrode layer.
제1항에 있어서, 상기 기판이 몰리머로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자.The light emitting device of claim 1, wherein the substrate is made of a polymer.
제1항에 있어서, 상기 제1,2 전극층이 ITO, Au, SiC, Al, Cr 중 적어도 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자.The light emitting device of claim 1, wherein the first and second electrode layers are made of at least one of ITO, Au, SiC, Al, and Cr.
플랙시블한 기판과, 이 기판의 상면에 형성된 소정패턴의 다공성 실리콘층과, 이 실리콘층의 상면에 소정패턴의 제3전극층이 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자.A flexible substrate, a porous silicon layer having a predetermined pattern formed on the upper surface of the substrate, and a third electrode layer having a predetermined pattern formed on the upper surface of the silicon layer.
제4항에 있어서, 상기 제3전극층이 스트라이프 상으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자.The light emitting device of claim 4, wherein the third electrode layer is formed in a stripe shape.
제4항에 있어서, 상기 제3전극층이 ITO, Au, SiC, Al, Cr 중 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자.The light emitting device of claim 4, wherein the third electrode layer is made of one of ITO, Au, SiC, Al, and Cr.
제1항에 있어서, 기판이 투명한 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자.The light emitting device of claim 1, wherein the substrate is made of a transparent material.
발광소자의 제조방법에 있어서, 플랙시블한 폴리머 기판의 상면에 소정패턴의 제1전극층을 형성하는 단계와, 상기 전극층이 형성된 기판의 상면에 실리콘 필름층을 증착하고 이 실리콘 필름층을 패턴형성법을 이용하여 소정패턴의 다공성 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 필름층이 형성된 기판의 상면에 소정의 제2전극층을 형성하는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.A method of manufacturing a light emitting device, comprising: forming a first electrode layer of a predetermined pattern on an upper surface of a flexible polymer substrate; depositing a silicon film layer on an upper surface of the substrate on which the electrode layer is formed; Forming a porous silicon layer of a predetermined pattern by using the same; and forming a predetermined second electrode layer on an upper surface of the substrate on which the silicon film layer is formed.
제8항에 있어서, 상기 제1,2전극층이 ITO, Au, SiC, Al, Cr 중 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자.The light emitting device of claim 8, wherein the first and second electrode layers are made of one of ITO, Au, SiC, Al, and Cr.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.