KR970052758A

KR970052758A - Dry etching method with gas stabilization step removed

Info

Publication number: KR970052758A
Application number: KR1019950047217A
Authority: KR
Inventors: 김병동; 유준열; 오재영; 김종명
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1995-12-06
Filing date: 1995-12-06
Publication date: 1997-07-29

Abstract

본 발명은 반도체 제조공정의 드라이 에칭에 있어서, 공정 프로그램상에 가스 플로우 안정화 단계(GAS FLOW STABILIZATION)의 적용을 배제하는 것으로, 특히 브릿지(BRIDGE)및 파티클(PATICLE)성 디펙트(DEFECT)불량의 제거와 가스 응결(GAS CONDENSATION)의 저하를 위하여 프로세서 레시피 프로그램(PROCESS RECIPE PROGRAM)상에서 가스 플로우 안정화 단계(시간)의 인위적인 적용을 배제한 가스 안정화 단계가 제거된 드라이 에칭방법에 관한 것으로 반도체 웨이퍼의 드라이 에칭에 있어서, 상기 드라이 에칭공정 진행상에서 가스 플로우 안정화 단계가 배제되며, R,F파워 온 단계가 완료된 후 N₂퍼지 단계가 추가로 구비되고, 상기 드라이 에칭 공정의 진행에 따라 가스 흐름의 세팅 값이 적정렌지의 범위내에 도달하면 해당단계에서 자동적으로 R,F파워 켜질 수 있도록 공정 진행상의 가스 턴-온시에 가스 플로우 안정화 시간이 구비됨을 특징으로 하는 가스 안정화 단계가 제거된 드라이 에칭방법.The present invention excludes the application of a gas flow stabilization step (GAS FLOW STABILIZATION) to a process program in dry etching of a semiconductor manufacturing process, and in particular, bridges and particle defect defects. A dry etching method in which a gas etching step is eliminated without the artificial application of a gas flow stabilization step (time) on a processor recipe program for removal and reduction of gas condensation. In the dry etching process, the gas flow stabilization step is excluded, and after the R and F power-on steps are completed, an N ₂ purge step is further provided, and the setting value of the gas flow is increased according to the dry etching process. When the range is reached, the R and F power can be turned on automatically at the relevant stage. The gas turned the dry etching process is a gas phase, characterized in that the stabilization provided with a gas flow stabilization time remove turns on.

Description

Dry etching method without gas stabilization

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

Claims

In the dry etching of the semiconductor wafer, the gas flow stabilization step is excluded during the dry etching process, and the N ₂ purge step is further provided after the R and F power-on steps are completed. Etching method.

In dry etching of a semiconductor wafer, when the gas flow setting value reaches within a range of an appropriate range according to the progress of the dry etching process, the gas is turned on during the gas turn-on during the process to automatically turn on the R and F power in the corresponding step. Dry stabilization method is removed gas stabilization step, characterized in that the flow stabilization time is provided.

※ Note: The disclosure is based on the initial application.