KR970051347A - Program voltage driving method in nonvolatile memory device - Google Patents

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KR970051347A
KR970051347A KR1019950066985A KR19950066985A KR970051347A KR 970051347 A KR970051347 A KR 970051347A KR 1019950066985 A KR1019950066985 A KR 1019950066985A KR 19950066985 A KR19950066985 A KR 19950066985A KR 970051347 A KR970051347 A KR 970051347A
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KR
South Korea
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high voltage
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nonvolatile memory
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KR1019950066985A
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김산홍
임영호
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본휘발성 메모리장치에서 스텝핑 프로그램 전압발생시 프로그램 출발 전압이 가장 최적화된 전압이 도리 수 있는 프로그램 전압구동 방법을 개시한다. 차동 증폭기의 기준(reference)전압 입력단에 정전압을 인가하고 부하((load) 전압 입력단에 고전압이 저항에 의해 분배된 전압을 인가하여 되어, 이 차동 증폭기의 출력이 승압회로의 작동을 컨트롤하여 특정 고전압 에벨을 얻는 회로를 구비한 불휘발성 메모리장치에 있어서, 고전압저항 분배장치가 소정의 입력신호에 의해서 저항 값이 변하여 고전압레벨을 소정의 입력신호에 의해 컨트롤하여 프로그램 출발전압을 결정할 수 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 전압 구동 방법을 제공한다. 상기 고전압을 순차적으로 증가시킬 때, 프로그램이 가능한 최초 고전압 레벨의 입력신호들의 코딩을 특정기억수단에 의해 재현성 있게 최초 고전압을 발생시킬 수 있게 한다.Disclosed is a program voltage driving method capable of driving a voltage at which a program start voltage is most optimized when a stepping program voltage is generated in the present volatile memory device. By applying a constant voltage to the reference voltage input of the differential amplifier and applying a voltage whose high voltage is divided by a resistor to the load voltage input, the output of this differential amplifier controls the operation of the booster circuit to A nonvolatile memory device having a circuit for obtaining an envelope, wherein the high voltage resistance distribution device is configured to determine a program start voltage by controlling a high voltage level by a predetermined input signal by changing a resistance value by a predetermined input signal. The present invention provides a method of driving a program voltage of a nonvolatile memory device, wherein when the high voltage is sequentially increased, the first high voltage can be reproducibly generated by a specific memory means for coding the input signals of a programmable first high voltage level. .

따라서, 본 발명에 의하면 프로그램 출발 전압이 가장 최적화된 전압으로 저장하여 사용함으로써 프로그램시 프로그램 시간을 줄일 수 있으며 프로그램 셀 문턱 전압폭을 최소화하여 셀의 센싱(sensing)특성을 향상 시킬 수 있다.Therefore, according to the present invention, the program start voltage is stored and used as the most optimized voltage, thereby reducing program time during programming and minimizing the program cell threshold voltage width, thereby improving sensing characteristics of the cell.

Description

불휘발성 메모리 장치에서 프로그램 전압 구동방법Program voltage driving method in nonvolatile memory device

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.

제2도는 본 발명의 실시예에 따른 고전압발생 타이밍 다이어그램이다,2 is a high voltage generation timing diagram according to an embodiment of the present invention.

제3도는 본 발명에 의한 입력신호 디코더를 나타내는 회로도이다.3 is a circuit diagram showing an input signal decoder according to the present invention.

Claims (5)

차동 증폭기의 기준(reference) 전압이 입력단에 정전압을 인가하고 부하(load) 전압 입력단에 고전압이 저항에 의해 분배된 전압을 인가하여 되어, 이 차동 증폭기의 출력이 승압회로의 작동을 컨트롤하여 특정 고전압 레벨을 얻는 회로를 구비한 불휘발성 메모리장치에 있어서, 고전압 저항 분배장치가 소정의 입력신호에 의해서 저항 값이 변하여 고전압레벨을 소정의 입력신호에 의해 컨트롤하여 프로그램 출발전압을 결정할 수 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 전압 구동 방법.The reference voltage of the differential amplifier applies a constant voltage to the input stage, and the high voltage is divided by a resistor to the load voltage input stage, so that the output of the differential amplifier controls the operation of the booster circuit so that a specific high voltage A nonvolatile memory device having a level obtaining circuit, wherein a high voltage resistance distribution device is configured to determine a program start voltage by controlling a high voltage level by a predetermined input signal by changing a resistance value by a predetermined input signal. Program voltage driving method of a nonvolatile memory device. 제1항에 있어서, 상기 고전압 분배 장치에 다수의 저항을 접속하여 소정의 입력신호들에 의해 고전압레벨을 순차적으로 증가 시켜 프로그램 출발전압을 결정할 수 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 전압 구동 방법.The program voltage driving of the nonvolatile memory device of claim 1, wherein the program start voltage is determined by connecting a plurality of resistors to the high voltage distribution device to sequentially increase a high voltage level by predetermined input signals. Way. 제1항에 있어서, 상기 고전압을 순차적으로 증가시킬 때, 프로그램이 가능한 가장 낙은 고전압레벨을 소정의 입력신호들의 조합에 의해 지정할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 전압 구동방법.The method of claim 1, wherein when the high voltage is sequentially increased, the lowest programmable high voltage level can be specified by a combination of predetermined input signals. 제3항에 있어서, 상기 고전압을 순차적으로 증가시킬 때, 프로그램이 가능한 최초 고전압 레벨의 입력신호들의 코딩을 특정기억수단에 의해 재현성 있게 최초 고전압을 발생시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 ㅍ로그램 전압 구동 방법.4. The nonvolatile memory device of claim 3, wherein when the high voltage is sequentially increased, the first high voltage can be reproducibly generated by a specific memory means for coding the input signals of the programmable high voltage level. Program voltage driving method. 제1항에 있어서, 상기 프로그램 출발전압을 소정의 테스트 과정을 통하여 알아내고, 이에 해당하는 소정의 입력신호 코딩을 전기 퓨즈, 레이져 퓨즈, 기타 코딩을 기억할 수 있는 장치를 사용하여 자체적으로 또는 외부수단에 의해 소정의 입력신호 코딩을 저장할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 전압 구동 방법.The method of claim 1, wherein the program start voltage is determined through a predetermined test procedure, and the corresponding input signal coding is performed by itself or by external means using a device capable of storing an electric fuse, a laser fuse, and other coding. The method of driving a program voltage of a nonvolatile memory device, characterized in that for storing the predetermined input signal coding. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019950066985A 1995-12-29 1995-12-29 Program voltage driving method in nonvolatile memory device KR970051347A (en)

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