Claims (10)
소정 크기의 수납 공간을 구비한 하우징(21)과, 상기 하우징(21)의 수납 공간에 수납되는 열팽창 물질(22)과, 상기 열팽창 물질(22)의 팽창 및 수축 작용에 의하여 상하 이동이 가능하고 실리콘 기판(A)이 지지되는 지지대(23)와, 상기 지지대상에 장착되어 있는 반도체 기판(A)에 수평 방향으로 빛을 조사하기 위한 광원(24)으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 측면 노광 장치.The housing 21 having a storage space of a predetermined size, the thermally expandable material 22 accommodated in the storage space of the housing 21, and the expansion and contraction action of the thermally expandable material 22 are possible to move up and down. And a support (23) on which the silicon substrate (A) is supported, and a light source (24) for irradiating light in the horizontal direction to the semiconductor substrate (A) mounted on the support object.
제1항에 있어서, 상기 하우징(21)의 하부면상에는 상기 열팽창 물질(22)을 팽창시키기 위한 가열 수단(26)을 부가적으로 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 측면 노광 장치.The side exposure apparatus according to claim 1, further comprising heating means (26) for expanding the thermally expandable material (22) on the lower surface of the housing (21).
제2항에 있어서, 상기 가열 수단(26)의 가열 작용을 제어하기 위한 제어 장치(25)를 부가적으로 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 측면 노광 장치.The side exposure apparatus according to claim 2, further comprising a control device (25) for controlling the heating action of said heating means (26).
제2항에 있어서, 상기 열팽창 물질은 석영으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 측면 노광 장치.The side exposure apparatus of claim 2, wherein the thermal expansion material is made of quartz.
제4항에 있어서, 상기 열팽창 물질의 팽창 작용에 연동하여서 상기 지지대(23)는 100Å/1℃정도 상방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 측면 노광 장치.5. The side exposure apparatus according to claim 4, wherein the support (23) moves upwards by about 100 ° C / 1 ° C in association with the expansion action of the thermally expandable material.
소정 형상의 토풀러지를 갖는 반도체 기판을 평탄화시키기 위한 공정에 있어서, 상기 반도체 기판상에 감광층을 형성시키는 단계와, 상기 반도체 기판을 측면 노광 장치에 장착시키는 단계와, 상기 반도체 기판상의 감광층을 노광시키는 단계와, 상기 감광층을 식각시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 평탄화 공정.A process for planarizing a semiconductor substrate having a predetermined shape of topologies, the method comprising: forming a photosensitive layer on the semiconductor substrate, mounting the semiconductor substrate to a side exposure apparatus, and forming a photosensitive layer on the semiconductor substrate Exposing and etching the photosensitive layer.
제6항에 있어서, 상기 측면 노광 장치는 열팽창 물질과 측방향으로 빛을 조사하기 위한 광원을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 평탄화 공정.7. The planarization process as claimed in claim 6, wherein the side exposure apparatus includes a thermal expansion material and a light source for irradiating light laterally.
제7항에 있어서, 상기 광원의 발광 작용에 의하여 상기 감광층은 측방향으로 노광되는 것을 특징으로 하는 평탄화 공정.8. The planarization process as claimed in claim 7, wherein the photosensitive layer is exposed laterally by the light emission action of the light source.
제7항에 있어서, 상기 열팽창 물질의 팽창 및 수축 작용에 의하여 상기 반도체 기판은 수직 상하 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 평탄화 공정.8. The planarization process as claimed in claim 7, wherein the semiconductor substrate moves vertically and vertically by the expansion and contraction action of the thermal expansion material.
제9항에 있어서, 상기 열팽창 물질은 석영으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 평탄화 공정.10. The planarization process as claimed in claim 9, wherein the thermal expansion material is made of quartz.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.