Claims (13)
고주파수 및 저주파수의 입력버퍼를 포함하는 반도체장치에 있어서, 상기 고주파수 및 저주파수의 입력버퍼에서 발생되는 전류에 따른 노이즈를 접지전압으로 방출하기 위한 접지전압라인과, 상기 고주파수 및 저주파수의 입력버퍼의 동작상태에 따라 선택적으로 상기 고주파수의 입력버퍼에서 발생되는 노이즈를 필터링하거나 상기 저주파수의 입력버퍼에서 발생되는 노이즈를 통과시키기 위한 가변저항기와, 동작신호에 의해 상기 가변저항기의 동작을 제어하는 제어수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.A semiconductor device comprising an input buffer having a high frequency and a low frequency, the semiconductor device comprising: a ground voltage line for releasing noise according to a current generated from the high frequency and low frequency input buffers to a ground voltage, and an operating state of the high frequency and low frequency input buffers; And a variable resistor for selectively filtering noise generated from the high frequency input buffer or passing noise generated from the low frequency input buffer, and control means for controlling the operation of the variable resistor by an operation signal. Noise canceller, characterized in that.
제1항에 있어서, 상기 가변저항기는 드레인이 상기 접지전압라인을 통하여 상기 저주파수의 입력버퍼에 접속되고 소오스가 상기 접지전압라인을 통하여 상기 고주파수의 입력버퍼에 접속되는 엔모스형 트랜지스터를 포함하고, 상기 제어수단은 상기 동작신호에 의해 구동되어 상기 엔모스형 트랜지스터를 동작시키는 제1구동부와, 상기 동작신호에 의해 상기 제1구동부의 동작을 제어하는 제2구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.The NMOS transistor of claim 1, wherein the variable resistor includes an NMOS transistor having a drain connected to the low frequency input buffer through the ground voltage line and a source connected to the high frequency input buffer through the ground voltage line. The control means includes a first driver driven by the operation signal to operate the NMOS transistor, and a second driver controlling the operation of the first driver by the operation signal. Device.
제2항에 있어서, 상기 가변 저항기는 드레인이 상기 접지전압라인을 통하여 상기 저주파수의 입력버퍼에, 소오스가 상기 접지전압라인을 통하여 상기 고주파수의 입력버퍼에 각각 병렬 접속되는 두개 이상의 엔모스형 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.3. The variable resistor of claim 2, wherein the variable resistor comprises two or more NMOS transistors each having a drain connected in parallel to the low frequency input buffer through the ground voltage line and a source connected in parallel to the high frequency input buffer through the ground voltage line. Noise canceller, characterized in that it comprises.
제2항에 있어서, 상기 제1구동부는 상기 동작신호에 의해 선택적으로 구동되어 상기 가변저항기의 엔모스형 트랜지스터의 게이트에 고전압을 인가하는 제1피모스형 트랜지스터와, 상기 동작신호에 의해 제1피모스형 트랜지스터와 상호 보완적으로 구동되어 상기 가변저항기의 엔모스형 트랜지스터의 게이트에 전원전압을 인가하는 제2피모스형 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2구동부는 상기 동작신호에 의해 선택적으로 구동되어 상기 제1구동부의 제1피모스형 트랜지스터를 동작시키는 제1인버터와, 상기 동작신호에 의해 상기 제1인버터와 상호 보완적으로 구동되어 상기 제1구동부의 제2피모스형 트랜지스터를 동작시키는 제2인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.The first PMOS transistor of claim 2, wherein the first driving unit is selectively driven by the operation signal to apply a high voltage to a gate of the NMOS transistor of the variable resistor. And a second PMOS transistor configured to be driven complementarily with the PMOS transistor to apply a power supply voltage to a gate of the NMOS transistor of the variable resistor, wherein the second driver is selectively driven by the operation signal. And a first inverter configured to operate the first PMOS transistor of the first driver and the first inverter driven by the operation signal to complement the first inverter to operate the second PMOS transistor of the first driver. Noise reduction device comprising a second inverter.
제4항에 있어서, 상기 제1구동부는 상기 제1피모스형 트랜지스터의 소오스와 고전압원 사이에 접속되어 고전압의 변동으로 인한 상기 엔모스형 트랜지스터의 게이트 입력에 전달되는 전위를 안정화하기 위한 제1저항을 더 포함하고; 상기 제2구동부는 상기 저주파수의 입력버퍼가 먼저 동작하고 난 후 고주파수의 입력버퍼가 동작할 경우 전원전압원으로 전원이 빠져 나가게 되는 가변저항형 엔모스형 트랜지스터의 게이트 입력인 고전압을 필터링하기 위한 상기 제2피모스형 트랜지스터의 게이트에 접속되는 제2저항과, 상기 전원전압원과 상기 제2피모스형 트랜지스터의 소오스 사이에 접속되는 제3저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.The first driver of claim 4, wherein the first driver is connected between a source of the first PMOS transistor and a high voltage source to stabilize a potential delivered to a gate input of the NMOS transistor due to a high voltage variation. Further includes a resistance; The second driving unit is configured to filter the high voltage which is a gate input of a variable resistance NMOS transistor in which power is discharged to a power supply voltage source when the low frequency input buffer operates first and then the high frequency input buffer operates. And a second resistor connected to the gate of the 2-PMOS transistor, and a third resistor connected between the power supply voltage source and the source of the second PMOS transistor.
제4항에 있어서, 상기 제2구동부는 드레인이 상기 제2피모스형 트랜지스터의 드레인과 공통으로 상기 가변 저항기의 엔모스형 트랜지스터의 게이트에 접속되고 소오스가 상기 전원전압원에 접속되는 제3피모스형 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.The third PMOS of claim 4, wherein the second driving part has a drain connected to a gate of an NMOS transistor of the variable resistor in common with a drain of the second PMOS transistor, and a source connected to the power supply voltage source. Noise canceller further comprising a type transistor.
제6항에 있어서, 상기 제2구동부는 상기 저주파수의 입력버퍼가 먼저 동작하고 난 후 고주파수의 입력버퍼가 동작할 경우 전원전압원으로 전원이 빠겨 나가게 되는 가변저항형, 엔모스형 트랜지스터의 게이트 입력인 고전압을 필터링하기 위한 상기 제3피모스형 트랜지스터의 게이트에 접속되는 제4저항과, 상기 전원전압원과 상기 제3피모스형 트랜지스터의 소오스 사이에 접속되는 제5저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.7. The gate driving circuit of claim 6, wherein the second driving unit is a gate input of a variable resistance type NMOS transistor in which power is discharged to a power supply voltage source when the low frequency input buffer operates first and then the high frequency input buffer operates. And a fourth resistor connected to the gate of the third PMOS transistor for filtering the high voltage, and a fifth resistor connected between the source voltage source and the source of the third PMOS transistor. Noise canceller.
고주파수 및 저주파수의 입력버퍼를 포함하는 반도체장치에 있어서, 상기 고주파수 및 저주파수의 입력버퍼에서 발생되는 전류에 따른 노이즈를 외부로 방출하기 위한 파워라인과, 상기 고주파수의 입력버퍼에서 발생되는 노이즈를 필터링하기 위한 노이즈 필터링부로 구성되는 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.A semiconductor device comprising an input buffer of high frequency and low frequency, the semiconductor device comprising: a power line for emitting noise according to a current generated from the high frequency and low frequency input buffer to the outside, and filtering noise generated from the input buffer of high frequency Noise canceller, characterized in that consisting of a noise filter for.
제8항에 있어서, 상기 파워라인은 전원전압라인, 접지전압라인 및 고전압라인 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.The noise removing apparatus of claim 8, wherein the power line is any one of a power supply voltage line, a ground voltage line, and a high voltage line.
고주파수 및 저주파수의 출력버퍼를 포함하는 반도체장지에 있어서, 상기 고주파수 및 저주파수의 출력버퍼에서 발생되는 전류에 따른 노이즈를 외부로 방출하기 위한 파워라인과, 상기 고주파수의 출력버퍼에서 발생되는 노이즈를 필터링하기 위안 노이즈 필터링부로 구성되는 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.A semiconductor device including an output buffer of high frequency and low frequency, the semiconductor device comprising: a power line for emitting noise according to current generated from the output buffer of high frequency and low frequency to the outside; and filtering noise generated from the output buffer of high frequency Noise canceller, characterized in that the noise noise filtering section.
고주파수 및 저주파수의 입력버퍼릍 포함하는 반도체장지에 있어서, 상기 고주파수의 입력버퍼에 접속되어 상기 고주파수의 입력버퍼에 발생되는 전류에 따른 노이즈를 외부로 방출하기 위한 제1파워라인과, 상기 저주파수의 입력버퍼에 접속되어 상기 저주파수의 입력버퍼에 발생되는 전류에 따른 노이즈를 외부로 방출하기위한 제2파워라인과, 상기 제1파워라인과 상기 제2파워라인 사이에 접속되어 상기 고주파수의 입력버퍼에서 발생되는 노이즈를 필터링하기 위한 노이즈 필터링부로 구성되는 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.A semiconductor device comprising high frequency and low frequency input buffers, comprising: a first power line connected to the high frequency input buffer to emit noise according to a current generated in the high frequency input buffer to the outside, and the low frequency input A second power line connected to a buffer to emit noise according to a current generated in the low frequency input buffer to the outside, and connected between the first power line and the second power line to be generated in the high frequency input buffer Noise canceller, characterized in that consisting of a noise filter for filtering the noise.
제11항에 있어서, 상기 제1파워라인 및 상기 제2파워라인은 전원전압라인, 접지전압라인 및 고전압라인 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.12. The apparatus of claim 11, wherein the first power line and the second power line are any one of a power supply voltage line, a ground voltage line, and a high voltage line.
고주파수 및 저주파수의 츨력버퍼를 포함하는 반도체장치에 있어서, 상기 고주파수의 출력버퍼에 접속되어 상기 고주파수의 출력버퍼에 발생되는 전류에 따른 노이즈를 외부로 방출하기 위한 제1파워라인과, 상기 저주파수의 출력버퍼에 접속되어 상기 저주파수의 출력버퍼에 발생되는 전류에 따른 노이즈를 외부로 방출하기위한 제2파워라인과, 상기 제1파워라인과 상기 제2파워라인 사이에 접속되어 상기 고주파수의 출력버퍼에서 발생되는 노이즈를 필터링하기 위한 노이즈 필터링부로 구성되는 것을 특징으로 하는 노이즈 제거장치.A semiconductor device comprising a high-frequency and low-frequency output buffer, comprising: a first power line connected to an output buffer of the high frequency and emitting noise according to a current generated in the output buffer of the high frequency to the outside; and an output of the low frequency A second power line connected to a buffer to discharge noise according to a current generated in the output buffer of the low frequency to the outside, and connected between the first power line and the second power line to be generated in the high frequency output buffer Noise canceller, characterized in that consisting of a noise filter for filtering the noise.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.