Claims (10)
카세트로부터 분리된 복수개의 반도체 웨이퍼를 일정한 간격을 두고 수직적으로 적재할 수 있는 반도체 웨이퍼 가이드에 있어서, 상기 웨이퍼 가이드에 적재되는 각 웨이퍼의 상태를 감지할 수 있는 웨이퍼 상대 감지센서가 상기 웨이퍼 가이드에 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.A semiconductor wafer guide capable of vertically stacking a plurality of semiconductor wafers separated from a cassette at regular intervals, wherein a wafer relative sensor is provided in the wafer guide for sensing a state of each wafer loaded on the wafer guide. A semiconductor wafer guide, characterized in that.
제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 가이드는 웨이퍼가 걸려서 적재되는 좌우 양측의 상단부와 웨이퍼와 이격되어 일정한 공간을 형성하는 저단부로 이루어지는 보우트 현상으로 되어 있으며, 상기 웨이퍼 상태 감지센서는 상기 웨이퍼 가이드의 저단부상에 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 가이드.The wafer guide sensor according to claim 1, wherein the wafer guide is formed of a bow phenomenon consisting of upper and lower ends of the left and right sides on which the wafer is caught and a bottom end spaced apart from the wafer to form a predetermined space. The semiconductor wafer guide, characterized in that installed in.
제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 상태 감지센서는 적재된 웨이퍼의 수량 또는 존부를 감지할 수 있는 것임을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 가이드.The semiconductor wafer guide of claim 1, wherein the wafer state sensor is capable of detecting a quantity or presence of a loaded wafer.
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 웨이퍼 상태 감지센서는 판상의 센서본체, 소정의 간격을 두고 상기 센서본체상에 수직으로 설치된 복수의 센서막대 및 상기 센서막대에 설치된 센서부로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 가이드.The wafer state sensor according to claim 1 or 3, wherein the wafer state sensor comprises a plate-shaped sensor body, a plurality of sensor bars vertically disposed on the sensor body at predetermined intervals, and a sensor unit provided on the sensor rod. And the semiconductor wafer guide.
제4항에 있어서, 상기 웨이퍼 가이드의 저단부에는 요홈이 형성되어 있으며 상기 웨이퍼 상태 감지센서의 센서본체가 상기 요홈에 삽탈가능하도록 구성된 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 가이드.5. The semiconductor wafer guide of claim 4, wherein a recess is formed at a lower end of the wafer guide, and a sensor body of the wafer state sensor is detachable from the recess.
제4항에 있어서, 상기 웨이퍼 감지센서의 센서부는 인접한 상기 센서막대의 대향하는 위치에 설치된 발광부와수광부의 쌍으로된 포토센서로 되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 가이드.5. The semiconductor wafer guide as set forth in claim 4, wherein the sensor portion of the wafer detection sensor is a photo sensor comprising a pair of light emitting portions and light receiving portions provided at opposing positions of adjacent sensor rods.
제4항에 있어서, 상기 각 센서막대의 하단부에는 하향 경사진 슬라이더가 형성되어 적재되는 웨이퍼가 상기 각 인접한 센서막대 사이의 중간에 위치하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 가이드.5. The semiconductor wafer guide according to claim 4, wherein a downwardly inclined slider is formed at a lower end of each of the sensor rods so that a wafer to be loaded is located in the middle between the adjacent sensor rods.
제7항에 있어서, 상기 슬라이더는, 적재되는 상기 웨이퍼가 웨이퍼에 형성된 패턴 영역이 상기 센서막대의 상단부 위치에 도달하면서 상기 슬라이더와 접촉하여 미끄러지도록 구성된 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 가이드.The semiconductor wafer guide according to claim 7, wherein the slider is configured to slide in contact with the slider while the pattern region formed on the wafer on which the loaded wafer reaches the upper end position of the sensor rod.
복수개의 반도체 웨이퍼를 적재한 카세트를 웨이퍼 상태 감지센서가 설치된 반도체 웨이퍼 가이드 위치로 이동시키는 단계; 상기 카세트로부터 웨이퍼를 분리하여 상기 웨이퍼 가이드 상에 웨이퍼를 적재하는 단계; 및 상기 웨이퍼 상태 감지센서를 통하여 각 웨이퍼의 상태를 감지하는 단계; 를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 상태 감지 방법.Moving a cassette in which a plurality of semiconductor wafers are stacked to a semiconductor wafer guide position provided with a wafer state sensor; Separating the wafer from the cassette and stacking the wafer on the wafer guide; And detecting a state of each wafer through the wafer state sensor. Semiconductor wafer state detection method characterized in that it comprises a.
제9항에 있어서, 상기 웨이퍼 상태 감지 단계에서는 포토센서를 이용하여 웨이퍼의 수량 또는 존부를 감지할 수 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 상태 감지방법.10. The method of claim 9, wherein in the wafer state sensing step, the quantity or presence of wafers can be detected using a photosensor.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.