Claims (8)
배선 패턴이 형성되어 있는 회로 기판을 준비하는 단계와, 상기 회로 기판의 제1면에 반도체 칩을 실장하는 단계와, 상기 회로기판의 제1면에 몰딩 컴파운드를 주입하여 상기 반도체 칩을 봉지하는 단계와, 상기 제1면과 반대쪽에 있는 기판의 제2면에 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 복수의 솔더 볼을 실장하는 단계와, 상기 반도체 칩을 봉지하는 몰딩 컴파운드의 표면에 잉크로 마킹하는 단계로 이루어진 볼 그리드 어레이 패키지 제조방법에 있어서, 상기 반도체 칩을 봉지하는 단계 전에, 상기 반도체 칩이 실장된 기판의 제1면에 자외선에 의해 여기된 오존을 조사하여 상기 제1면을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 제조 방법.Preparing a circuit board having a wiring pattern formed thereon; mounting a semiconductor chip on a first surface of the circuit board; and encapsulating the semiconductor chip by injecting molding compound into the first surface of the circuit board. And mounting a plurality of solder balls electrically connected to the semiconductor chip on a second surface of the substrate opposite to the first surface, and marking the surface of a molding compound encapsulating the semiconductor chip with ink. In the method of manufacturing a ball grid array package comprising a step of cleaning the first surface by irradiating ozone excited by ultraviolet rays to the first surface of the substrate on which the semiconductor chip is mounted before encapsulating the semiconductor chip. Ball grid array semiconductor package manufacturing method comprising a.
제1항에 있어서, 상기 복수의 솔더 볼을 실장하는 단계 전에, 상기 기판의 상기 제2면에 자외선에 의해 여기된 오존을 조사하여 상기 제2면을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 제조 방법.The method of claim 1, further comprising irradiating ozone excited by ultraviolet rays to the second surface of the substrate to clean the second surface before mounting the plurality of solder balls. Method of manufacturing a grid array semiconductor package.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 잉크 마킹 단계 전에, 상기 반도체 칩을 봉지하는 몰딩 컴파운드의 표면을 자외선에 의해 여기된 오존을 조사하여 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 제조 방법.The ball grid array semiconductor of claim 1 or 2, further comprising, before the ink marking step, cleaning the surface of the molding compound encapsulating the semiconductor chip by irradiating ozone excited by ultraviolet rays. Package manufacturing method.
제1항 또는 제2항에 있어서, 세정하는 단계를 150℃의 온도에서 1분 내지 15분 동안 진행되는 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 제조 방법.The method of claim 1 or 2, wherein the cleaning is performed at a temperature of 150 ° C. for 1 to 15 minutes.
제3항에 있어서, 세정하는 단계는 150℃의 온도에서 1분 내지 15분 동안 진행되는 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 제조 방법.The method of claim 3, wherein the cleaning is performed at a temperature of 150 ° C. for 1 minute to 15 minutes.
제1항 또는 제3항 또는 제5항에 있어서, 상기 자외선의 파장은 184 내지 254nm인 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 제조 방법.The method of manufacturing a ball grid array semiconductor package according to claim 1 or 3 or 5, wherein the wavelength of the ultraviolet rays is 184 nm to 254 nm.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정공정은 자외선 램프와 가열단 및 오존 입력단을 구비하는 반응로에서 진행되는 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 제조 방법.The method of claim 1 or 2, wherein the cleaning is performed in a reactor including an ultraviolet lamp, a heating stage, and an ozone input stage.
제3항에 있어서, 상기 세정공정은 자외선 램프와 가열단 및 오존 입력단을 구비하는 반응로에서 진행되는 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 제조 방법.The method of claim 3, wherein the cleaning process is performed in a reactor including an ultraviolet lamp, a heating stage, and an ozone input stage.