KR970011998A - Pattern data correction method and apparatus for patterning a photomask - Google Patents

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가드너 존 에프
브랜트 알렉산더
코리 안셀 체리체티
피터 스튜어트 콜리어
데이비드 로버트 스타우퍼
닐슨 요한
이용우
히로또 고마쓰
히또시 다까하시
히데도시 오누마
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    • G03F1/78Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks

Abstract

포토마스크의 패턴을 전자선(電子線) 등의 에너지선으로 묘화할 때의 근접효과, 또는 포토마스크를 사용하여 노광을 행하여 전사(轉寫)패턴을 얻을 때의 광근접 효과를 고려하고, 이들이 생겨도, 최종적으로 얻어지는 전사패턴을 설계패턴에 가까워 지도록 패턴데이터를 보정할 수 있는 보정방법 및 보정장치를 제공한다.The close proximity effect when the pattern of the photomask is drawn by an energy line such as an electron beam (electron beam), or the optical proximity effect when the transfer pattern is obtained by performing exposure using a photomask, And a correction method and a correction device capable of correcting the pattern data so that the finally obtained transfer pattern is close to the design pattern.

메시 등록된, 어떤 중심의 메시내 패턴 주변에 다른 패턴이 있는 경우에는, 묘화시의 상호 근접 효과가 생긴다고 판단하고, 상호 근접 효과가 생긴다고 생각되는 패턴의 일부만을 세분화하여, 세분화된 패턴의 각각에 묘화시의 도즈량데이터를 할당한다. 주변의 다른 패턴이 없는 경우에는, 묘화시의 자체근접효과가 생긴다고 판단하고, 자체상호근접효과가 생긴다고 패턴의 주위부분을 세분화하여, 세분화된 패턴의 각각에 묘화시에 도즈량데이터를 할당한다.If there is another pattern around a pattern in a mesh center registered as a mesh, it is determined that mutual proximity effect occurs at the time of drawing, and only a part of the pattern considered to cause mutual proximity effect is broken down and each of the subdivided patterns And dose amount data at the time of drawing are allocated. If there is no other surrounding pattern, it is determined that self-proximity effect at the time of drawing occurs. Subsequently, the peripheral portion of the pattern is segmented so that the mutual proximity effect occurs, and the dose amount data is assigned to each of the segmented patterns at the time of rendering.

Description

포토마스크묘화용 패턴 데이터 보정방법과 보정장치Pattern data correction method and apparatus for patterning a photomask

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is a trivial issue, I did not include the contents of the text.

제 5도는 상호근접효과보정용 패턴 분할예응 나타낸 도면.FIG. 5 is a schematic representation of a pattern split for mutual proximity effect correction;

Claims (13)

설계 패턴을 에너지선으로 묘화할때의 에너지선의 산란하는 범위의 크기로 메시를 분할하여, 메시등록된 패턴 데이터를 작성하는 작성공정과, 어떤 중심의 메시에 착안하고, 그 메시 주위를 포함하는 메시내를 검색하여, 중심의 메시에 등록된 페턴의 주위에 다른 패턴이 등록되어 있는가 여부를 판별하는 판별공정과, 상기 판별공정에 있어서, 주변에 다른 패턴이 있는 경우에는, 묘화시의 상호 근접효과가 생긴다고 판단하고, 상호근접효과가 생긴다고 생각되는 패턴의 일부만을 세분화하여, 세분화된 패턴의 각각에 묘화시의 도즈량데이터를 할당하는 상호근접효과용 보정공정와, 를 가지는 포토마스크묘화용 패턴 데이터보정방법.Dividing the mesh into a range of the scattering range of the energy line at the time of drawing the design pattern with the energy line to create mesh registered pattern data; And determining whether or not another pattern is registered around the pattern registered in the center mesh; and a determination step of determining whether or not another pattern exists around the pattern registered in the central mesh, And a mutual proximity effect correcting step of assigning dose data at the time of drawing to each of the subdivided patterns by subdividing only a part of the patterns which are considered to cause mutual proximity effect, Way. 설계패턴을 에너지선으로 묘화할때이 에너지선의 산란한 범위의 크기로 메시로 분할하여, 메시등록된 패턴 데이터를 작성하는 작성공정과, 어떤 중심의 메시에 착안하고, 그 메시 주위를 포함하는 메시내를 검색하여, 중심의 메시에 등록된 패턴의 주위에 다른 패턴이 등록되어 있는가 여부를 판별하는 판별공정과, 상기 판별공정에 있어서, 주변에 다른 패턴이 없는 경우에는, 묘솨시의 자체 근접효과가 생긴다고 판단하고, 자체 상호근접효과가 생긴다고 생각되는 채턴의 주위부분을 세분화하여, 세분화된 패턴의 각각에 묘화시의 도즈량데이터를 할당하는 자체근접효과용 보정공정과, 를 가니느 포토마스크묘화용 패턴데이터보정방법.Dividing the design pattern into a mesh with a size of a scattered range of the energy line when drawing the design pattern with the energy line to create mesh registered pattern data; And determining whether or not another pattern is registered around a pattern registered in the center mesh; and a determination step of determining whether or not another pattern exists in the vicinity of the central mesh, And a self-proximity effect correction step of assigning dose data at the time of imaging to each of the subdivided patterns by subdividing the peripheral portion of the chatter considered to have self mutual proximity effect, Pattern data correction method. 설계패턴을, 노광을 행하여 기판상에 전사(轉寫)할 때의 광근접효과를 고려한 크기로 메시로 분할하여, 메시 등록된 패턴데이터를 작성하는 작성공정과, 어떤 중심의 메시에 착안하고, 그 메시 주위를 포함하는 메시내를 검색하여, 중심의 메시에 등록된 패턴의 주위에 다른 패턴이 등록되어 있는가 여부를 판별하는 판별공정과, 상기 판별공정에 있어서, 주변에 다른 패턴이 있는 경우에는, 노광시의 상호 광근접 효과가 생긴다고 판단하고, 상호광근접효과가 생긴다고 생각되는 패턴의 일부만을 세분화하여, 세분화된 패턴의 각각의 에지를, 전사이미지가 설계패턴에 가까워 지도록 이동시키는 상호근접효과용 보정공정과, 를 가지는 포토마스크묘화용 패턴데이터보정법.A designing step of dividing the design pattern into meshes with a size considering the optical proximity effect when the pattern is transferred and transferred onto a substrate to create mesh registered pattern data; A determination step of determining whether or not another pattern is registered in the vicinity of the pattern registered in the center mesh by searching the mesh including the periphery of the mesh; , It is determined that a mutual light proximity effect occurs at the time of exposure, and only a part of the pattern considered to cause mutual light proximity effect is subdivided so that each edge of the subdivided pattern is shifted to a mutual proximity effect And a correction step for correcting pattern data for patterning the photomask. 설계패턴을 노광을 행하여 기판상에 전사할때의 광근접효과를 고려한 크기로 메시로 분할하여, 메시등록된 패턴데이터를 작성하는 작성공정과, 어떤 중심의 메시에 착안하고, 그 메시 주위를 포함하는 메시내를 검색하여, 중심의 메시에 등록된 패턴의 주위에 다른 패턴이 등록되어 있는가 여부를 판별하는 판별공정과, 상기 판별공정에 있어서, 주변에 다른 패턴이 없는 경우에는, 노광시의 자체 광근접효과가 생긴다고 판단하고, 자체광근접효과가 생긴다고 생각되는 패턴의 주위부분을 세분화하여, 세분화된 패턴의 각각의 에지를 전사이미지가 설계패턴에 가까워지도록 이동시지는 자체근전효과용 보정공정과, 를 가지는 포토마스크묘화용 패턴데이터보정법.Dividing the design pattern into meshes in a size taking into consideration the optical proximity effect when the design pattern is transferred onto the substrate and creating meshed registered pattern data; And determining whether or not another pattern is registered in the vicinity of the pattern registered in the central mesh; and in the determination step, when there is no other pattern in the vicinity, A correction process for a self-imitation effect in which a peripheral portion of a pattern considered to have a self-optical proximity effect is segmented and each edge of the subdivided pattern is moved so that a transferred image approaches a design pattern, Of the pattern data for patterning the photomask. 청구항 1∼4 중 어느 한 항에 기재한 포토마스크묘화용 패턴데이터 보정방법을 이용하여 보정된 데이터를 사용하여 묘화된 패턴을 가지는 포토 마스크.A photomask having a pattern drawn using corrected data using the pattern data correction method for photomasking according to any one of claims 1 to 4. 청구항 5에 기재한 포토마스크를 사용하여 노광을 행하는 노광방법.An exposure method for performing exposure using the photomask according to claim 5. 청구항 1∼4중 어느 한 항에 기재한 패턴데이터의 보정방법을 이용하여 보정된 데이터를 사용하여 묘화된 패턴을 가지는 포토마스크를 사용아여 포토리소그라피가공하여 제조된 반도체장치.A semiconductor device manufactured by photolithography using a photomask having a pattern drawn by using corrected data using the pattern data correction method according to any one of claims 1 to 4. 설계패턴을, 에너지선으로 묘화할때의 에너지선의 산란하는 범위의 크기로 메시로 분할하여, 메시등록된 패턴데이터를 작성하는 작성수단과, 어떤 중심의 메시에 착안하고, 그 메시 주위를 포함하는 메시내를 검색하여, 중심의 메시에 등록된 패턴의 주위에 다른 패턴이 등록되어 있는가 여부를 판별하는 판별수단과, 상기 판별수단에 있어서, 주변에 다른 패턴이 있는 경우에는, 묘화시의 상호근접효과가 생긴다고 판단하고, 상호 근접효과가 생긴다고 생각되는 패턴의 일부만을 세분화하여, 세분화된 패턴의 각각에 묘화시의 도즈량데이터를 할당하는 상호근접효과용 보정수단과, 를 가지는 포토마스크묘화용 패턴데이터보정장치.A designing means for dividing the design pattern into meshes with a size of a scattering range of energy lines when drawing the pattern with energy lines to create mesh registered pattern data; A discrimination means for discriminating whether or not another pattern is registered in the vicinity of a pattern registered in the center mesh by searching in the mesh; and discrimination means for discriminating whether or not there is another pattern in the vicinity, And a mutual proximity effect correcting means for judging that an effect is generated and subdividing only a part of the pattern thought to cause mutual proximity effect and assigning dose data at the time of drawing to each of the subdivided patterns, / RTI > 설계패턴을, 에너지선으로 묘화할 때의 에너지선의 산란하는 범위의 크기로 메시로 분할하여, 메시 등록된 패턴데이터를 작성하는 작성수단과, 어떤 중심의 메시에 착안하고, 그 메시 주위를 포함하는 메시내를 검색하여, 중심의 메시에 등록된 패턴의 주위에 다른 패턴이 등록되어 있는가 여부를 판별하는 판별수단과, 상기 판별수단에 있어서, 주변에 다른 패턴이 없는 경우에는, 묘화시의 자체 근접효과가 생긴다고 판단하고, 자체상호근접효과가 생긴다고 생각되는 패턴의 주위 부분을 세분화하여, 세분화된 각각에 묘화시의 도즈량데이터를 할당하는 자체근접효과용 보정수단과를 가지는 포토마스크묘화용 패턴데이터보정장치.A designing means for dividing the design pattern into meshes with a size of a scattering range of energy lines when drawing the pattern with energy lines to create mesh registered pattern data; A judgment means for judging whether or not another pattern is registered around a pattern registered in the center mesh by searching the inside of the mesh; and if there is no other pattern in the vicinity, And a self-proximity effect correcting means for judging that an effect is generated and subdividing the peripheral portion of the pattern which is considered to cause mutual proximity effect itself and assigning the dose amount data at the time of drawing to each of the subdivided patterns, Correction device. 설계패턴을, 노광을 행하여 기판상에 전사할때의 광근접효과를 고려한 크기로 메시로 분할하여, 메시등록된 패턴데이터를 작성하는 작성수단과, 어떤 중심의 메시에 착안하고, 그 메시 주위를 포함하는 메시내를 검색하여, 중심의 메시에 등록된 패턴의 주위에 다른 패턴이 등록되어 잇는가 여부를 판별하는 판별수단과, 상기 판별수단에 있어서, 주변에 다른 패턴이 있는 경우에는, 노광시의 상호광근접 효과가 생긴다고 생각되는 패턴의 일부만을 세분화하여, 세분화된 패턴의 각각의 에지를, 전사이미지가 설계 패턴에 가까워 지도록 이동시키는 상호근접효과용 보정수단과, 를 가지는 포토마스크묘화용 패턴데이터보정장치.A designing means for dividing the design pattern into meshes with a size considering the optical proximity effect when the pattern is transferred onto the substrate by performing exposure to create mesh registered pattern data; A determination means for determining whether or not another pattern is registered in the vicinity of a pattern registered in the central mesh, and a determination means for determining whether or not another pattern exists around the pattern registered in the central mesh, And a correcting means for mutual proximity effect for moving each edge of the subdivided pattern so that the transfer image is close to the design pattern by subdividing only a part of the pattern considered to cause mutual optical proximity effect, Correction device. 설계 패턴을, 노광을 행하여 기판상에 전사할 때의 광근접효과를 고려한 크기로 메시로 분할하여, 메시등록된 패턴데이터를 작성하는 작성수단과, 어떤 중심의 메시에 착안하고, 그 메시 주위를 포함하는 메시내를 검색하여, 중심의 메시에 등록된 패턴의 주위에 다른 패턴이 등록되어 있는가 여부를 판별하는 판별수단과, 상기 판별수단에 있어서, 주변에 다른 패턴이 없는 경우에는, 노광시의 자체광근접효과가 생긴다고 판단하고, 자체 광근접효과가 생긴다고 생각되는 패턴의 주위부분을 세분화하여, 세분화된 패턴의 각각의 에지를, 전사이미지가 설계패턴에 가까워지도록 이동시키는 자체근접효과용 보정수단과, 를 가지는 포토마스크묘화용 패턴데이터보정장치.A designing means for dividing the design pattern into meshes with a size considering the optical proximity effect when the pattern is transferred onto the substrate by performing exposure to create mesh registered pattern data; And judging whether or not another pattern is registered in the vicinity of the pattern registered in the central mesh; and when the determination means determines that there is no other pattern in the vicinity, A proximity effect correcting means for judging that a self-optical proximity effect is generated and subdividing a peripheral portion of the pattern which is considered to have a self-optical proximity effect so that each edge of the subdivided pattern is moved so that the transferred image approaches the design pattern And pattern data for patterning the photomask. 청구항 8∼11중 어느 한 항에 기재한 포토마스크묘화용 패턴데이터보정장치와, 상기 보정장치에서 보정된 마스크 패턴의 포토마스크를 묘화하는 묘화수단과를 가지는 포토마스크의 제조장치.An apparatus for manufacturing a photomask, comprising: the pattern data correction apparatus for patterning a photomask according to any one of claims 8 to 11; and imaging means for imaging a photomask of the mask pattern corrected by the correction apparatus. 청구항 8∼11중 어느 한 항에 기재한 포토마스크묘화용 패턴데이터보정장치와, 상기 보정장치에서 보정된 마스크패턴의 포토마스크를 사용하여 노광을 행하는 노광수단과를 가지는 반도체장치의 제조장치.An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: the pattern data correcting apparatus for patterning a photomask according to any one of claims 8 to 11; and an exposure step for performing exposure using a photomask of the mask pattern corrected by the correcting apparatus. ※ 참고 사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.
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KR100811269B1 (en) * 2006-09-19 2008-03-07 주식회사 하이닉스반도체 Method for modeling pattern of a optical proximity correction

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