KR970007872B1 - High frequency generating circuit - Google Patents
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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Abstract
Description
제 1 도는 종래의 기술을 나타내는 블럭도.1 is a block diagram showing a prior art.
제 2도는 본 발명에 따른 블럭도.2 is a block diagram according to the present invention.
제 3 도는 본 발명에 따른 제 2 도의 구체회로도.3 is a detailed circuit diagram of FIG. 2 according to the present invention.
제 4 도는 본 발명에 따른 다른 실시 예시도.4 is another exemplary embodiment according to the present invention.
본 발명은 주파수 발생회로에 관한 것으로, 특히 하나의 수정발진자 및 발진회로로서 수백 MHz 이상의 주파수를 발생하는 초고주파 발생회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a frequency generator circuit, and more particularly, to an ultra-high frequency generator circuit that generates a frequency of several hundred MHz or more as one crystal oscillator and an oscillator circuit.
일반적으로 무선말단기에서 수정발진자를 이용하여 수백 MHz이상의 주파수를 발생토록 할 경우 한개의 트랜지스터로서는 원하는 주파수를 얻기가 어렵다. 이를위해 완충증폭회로 및 주파수 체배회로를 추가하여 원하는 주파수를 얻는 방법을 취하여 왔었다.In general, when a radio terminal uses a crystal oscillator to generate frequencies of several hundred MHz or more, it is difficult to obtain a desired frequency with one transistor. To this end, a method of obtaining a desired frequency by adding a buffer amplifier circuit and a frequency multiplication circuit has been taken.
제1도는 수정발진자를 이용한 발진회로 및 초고주파 출력회로도로서, 수정발진자 및 주파수 보정회로(10)는 수정발진자를 이용한 초고주파발진회로로서 주포 콜피츠발진회로, 피어스발진회로등으로 구성되어지며, 제조시 동일한 규격의 발진자가 제조될 수 없으므로 주파수 보정회로가 있는데 주로 트리머 콘덴서로 구성된다.1 is an oscillation circuit and an ultra-high frequency output circuit diagram using a crystal oscillator, the crystal oscillator and frequency correction circuit 10 is an ultra-high frequency oscillation circuit using a crystal oscillator and is composed of a gun Colpitts oscillation circuit, a pierce oscillation circuit, etc. Since oscillators of the same specification cannot be manufactured, there is a frequency correction circuit, mainly composed of trimmer capacitors.
고주파발진회로(12)는 고주파 발진을 위해 기본(FUNDAMENTAL) 주파수 발진회로와 2배, 3배등 오버톤(OVERTONE) 주파수 발진회로로 구분되어 사용된다.The high frequency oscillation circuit 12 is divided into a fundamental frequency oscillation circuit and a double and triple overtone frequency oscillation circuit for high frequency oscillation.
또한 상기 고주파발진회로(12)는 완층증폭회로(13)를 사용하여 다음회로인 주파수 체배회로(4) 또는 고주파증폭회로(15)의 영향으로 부터 보호받고 있다.In addition, the high frequency oscillation circuit 12 is protected from the influence of the next circuit, the frequency multiplying circuit 4 or the high frequency amplification circuit 15, by using the slow amplifier circuit 13.
즉, 제1도의 고주파 발진회로(12)에서 발진된 고주파신호는 주파수 체배회로(4)로 넘어가 L, C공진회로에 의해 수정발진자의 2배, 3배등 원하는 주파수가 체베되는데, 최종 원하는 주파수가 더욱 높을 경우 추가로 또 체배회로를 추가할 수 있다. 상기 주파수 체배회로(14)에서 원하는 주파수로 만들어진 초고주파는 고주파증폭회로(15)로 넘어가 필요로 하는 만큼의 크기로 증폭되고 증폭된 상기 고주파는 출력(6)단자로 보내진다.That is, the high frequency signal oscillated by the high frequency oscillation circuit 12 of FIG. 1 is transferred to the frequency multiplication circuit 4, and the desired frequency is doubled or tripled as the crystal oscillator by the L and C resonant circuits. If is higher, additional multiplication circuit can be added. The ultra-high frequency made to the desired frequency in the frequency multiplier circuit 14 is passed to the high frequency amplification circuit 15 and amplified to the size required, and the amplified high frequency is sent to the output 6 terminal.
그러나 종래의 상기 제1도와 같은 구성예에서는 주파수 체배회로(14), 완충증폭회로(13)에서 부품수가 많이 증가되는 반면 전원 소모량이 증가되는 문제점이있다.However, in the conventional configuration as shown in FIG. 1, the frequency multiplication circuit 14 and the buffer amplifier circuit 13 have a large number of components, while increasing power consumption.
따라서 본 발명의 목적은 부품수를 감소시키고 전원소모를 줄이는 고주파 발생회로를 제공함에 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a high frequency generation circuit which reduces the number of parts and reduces power consumption.
이하 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제2도는 본 발명에 따른 블럭도로서 정확히 원하는 발진이 되도록하는 조정에 의해 발진되는 수정발진자 및 주파수 보정회로(21)와, 상기 수정발진자 및 주파수 보정회로(21)의 수정 발진자의 발진조진을 만족시켜 주어 원하는 주파수로 발진하는 고주파 발진회로(22)와, 상기 고주파 발진회로의 고주파 출력을 더욱높은 주파수로 출력토록 체배하는 주파수 체배회로(23)로 구성된다.2 is a block diagram according to the present invention, which satisfies the oscillation oscillation of the crystal oscillator and the frequency correction circuit 21 oscillated by the adjustment to achieve exactly the desired oscillation, and the crystal oscillator of the crystal oscillator and the frequency correction circuit 21. And a high frequency oscillation circuit 22 for oscillating at a desired frequency, and a frequency multiplication circuit 23 for multiplying the high frequency output of the high frequency oscillation circuit to a higher frequency.
상기 수정발진자 및 주파수 보정회로(21)의 수정발진자는 절단, 연마 각도에 따라 기본(FUNDAMENTAL) 발진자와 기본 발진주파수의 2배, 3배 등의 오버톤 발진자로 구분되며, 또한 이들 발진자 형태에 따라 발진회로도 틀려진다.The crystal oscillator and the crystal oscillator of the frequency correction circuit 21 are divided into FUNDAMENTAL oscillator and overtone oscillator such as 2 times, 3 times of the basic oscillation frequency according to the cutting and polishing angles, and also oscillations according to these oscillator types. The circuit is also wrong.
상기 수정발진자를 이용하는 고주파 발진회로(22)는 주로 콜피츠 발진회로와 피어스 발진회로 등으로 구성되어진다.The high frequency oscillation circuit 22 using the crystal oscillator is mainly composed of a Colpitts oscillation circuit and a pierce oscillation circuit.
그리고 상기 수정 발진자 및 주파수 보정회로(21)의 주파수 보정회로는 수정발진자가 정확히 원하는 발진할 수 있도록 조정이 될 수 있도록 하며, 고주파 발진회로(22)는 상기 수정발진자 및 주파수 보정회로(21)의 수정발진자의 발진조건을 만족시켜 주어 원하는 주파수로 발진한다.And the frequency correction circuit of the crystal oscillator and frequency correction circuit 21 can be adjusted so that the crystal oscillator exactly desired oscillation, the high frequency oscillator circuit 22 of the crystal oscillator and frequency correction circuit 21 It oscillates at the desired frequency by satisfying the oscillation conditions of the crystal oscillator.
한편 주파수체배회로(23)는 상기 고주파 발진회로(22)에서 나온 고주파를 더욱 높은 주파수가 출력되도록 하며, 수동소자인 코일(L)과 캐패시터(C)만 사용하여 최종 원하고 주파수로 만들어 출력단자(4)로 보내지며, 상기 보내진 신호는 안테나 연결시켜 사용되거나 고주파 증폭회로에 연결되어 필요로 하는 만큼의 신호로 증폭시켜 출력된다.On the other hand, the frequency multiplication circuit 23 outputs a higher frequency from the high frequency oscillation circuit 22, and outputs the final desired frequency using only the coil L and the capacitor C, which are passive elements. It is sent to the terminal (4), which is used by connecting an antenna or connected to a high frequency amplification circuit and amplified into a signal as required and outputted.
제3도는 본 발명에 따른 제2도의 구체회로도로서, 수정발진자 및 주파수 보정회로(21)에서 사용되는 수정발진자(X-1)은 3 또는 오버톤(OVERTONE)의 발진자가 사용되며, 고주파 발진회로(22) 또한 3 또는 오버톤(OVERTONE) 발진회로가 이용된다. 상기 수정발진자 및 주파수보정회로(21)의 주파수 보정은 수정발진자(X-1)가 제조과정에서 동일하게 제조될 수 없는 점을 보완하여 원하는 주파수에 발진할 수 있도록 하는 것인데 주 담당 소자는 코일(L1)이다. 상기 수정발진자 및 주파수 보정회로(21)의 캐패시터(C1), 코일(L1)은 상기 수정발진자(X-1)가 온도변화 또는 전원전압 변화에도 이상발진 현상을 방지하며 안정된 발진을 할 수 있도록 하기 위한 것이다.3 is a detailed circuit diagram of FIG. 2 according to the present invention, in which the crystal oscillator and the crystal oscillator X-1 used in the frequency correction circuit 21 are made of three or overtone oscillators. 22) Three or overtone oscillation circuits are also used. The frequency correction of the crystal oscillator and the frequency correction circuit 21 is to compensate for the fact that the crystal oscillator (X-1) cannot be manufactured in the same process in the manufacturing process so that the oscillator can oscillate at a desired frequency. L1). The capacitor C1 and the coil L1 of the crystal oscillator and the frequency correction circuit 21 prevent the abnormal oscillation phenomenon even when the crystal oscillator X-1 changes temperature or power voltage so as to enable stable oscillation. It is for.
고주파발진회로(22)에서 저항(R2)는 전원단(Vcc)으로 부터 트랜지스터(Q1)에 바이어스 전압을 공급하고, 캐패시터(C2,C3)은 3 또는 오버톤(OVERTONE) 발진회로의 기본소자이며, 저항(R3)는 에미터저항이다. 캐패시터(C4)와 코일(L2)은 발진 주파수에 동조되며, 최대 출력이 나올 수 있도록 하며, 특히 상기 코일(L2)는 수정 발진자 주파수에 따른 이득 조정이 최대로 조정이 가능하다.In the high frequency oscillation circuit 22, the resistor R2 supplies the bias voltage to the transistor Q1 from the power supply terminal Vcc, and the capacitors C2 and C3 are the basic elements of the 3 or overtone oscillation circuit. Resistor R3 is an emitter resistor. Capacitor C4 and coil L2 are tuned to the oscillation frequency and allow maximum output to occur. In particular, the coil L2 can be adjusted to the maximum gain according to the crystal oscillator frequency.
상기 고주파 발진회로(22)에서 발진된 고주파 주파수 체배회로(23)의 코일(L3)을 통해 출력되며, 상기 출력된 고주파는 캐패시터(C5,C6), 가변캐패시터(CT-1)에 의해 수정발진자(X-1)의 기본 주파수에 2배, 3배등의 초고주파로 체배되어 지되, 특히 가변캐패시터(CT-1)는 체배되는 고주파의 신호크기를 더욱 크게할 수 있다. 즉 최종 원하는 신호로 만들기 위한 주파수 체배회로(23)는 신호를 출력단자(4)로 보내어지며, 보내진 신호는 안테나에 연결시켜 사용되거나, 고주파 증폭회로에 연결되어 필요로 하는 만큼의 신호로 증폭시켜 사용된다.The high frequency oscillation circuit 22 is output through the coil (L3) of the high frequency frequency multiplier circuit 23, the output high frequency is corrected by the capacitor (C5, C6), variable capacitor (CT-1) The high frequency of the oscillator (X-1) is multiplied by two times, three times the fundamental frequency, etc., in particular, the variable capacitor (CT-1) can increase the signal size of the high frequency multiplied. That is, the frequency multiplying circuit 23 for producing a final desired signal is sent to the output terminal 4, and the transmitted signal is used by connecting to an antenna or amplifying the signal as needed by being connected to a high frequency amplifying circuit. Is used.
제4도는 본 발명에 따른 실시예시도로서, 제3도의 수정발진자 및 주파수 보정회로(21)의 구성을 복수로 제1~n수정발진자 및 주파수 보정회로(21a~21c)로 하고 이에 스위치(S1~Sn)를 사용하여 선택에 의해 발진주파수를 선택되어 질 수 있도록 하고, 상기 스위치(S1~Sn)에서 선택된 주파수는 고주파 발진회로(22)에서 처리되어 주파수 체배회로(23)에 일력토록 하여 사용범위를 넓힐 수 있다.4 is an exemplary embodiment according to the present invention, wherein the crystal oscillator and the frequency correction circuit 21 of FIG. 3 are constituted by a plurality of first to n crystal oscillators and the frequency correction circuits 21a to 21c, and thus the switch S1. By using (Sn), the oscillation frequency can be selected by selection, and the frequency selected by the switches (S1-Sn) is processed by the high frequency oscillation circuit 22 to work on the frequency multiplication circuit 23. The range of use can be widened.
상술한 바와 같이 무선단말기에서 고주파발진회로를 단순화, 저렴화, 안정화 시키면서 초고주파(수백 MHz이상)를 용이하게 얻을 수 있는 이점이 있다.As described above, there is an advantage in that an ultrahigh frequency (hundreds of MHz or more) can be easily obtained while simplifying, inexpensive, and stabilizing a high frequency oscillation circuit in a wireless terminal.
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