KR970007865A - 망간-알루미늄 박막 제조법 - Google Patents

망간-알루미늄 박막 제조법 Download PDF

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KR970007865A
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포 쳉 쿠오
진 휴이 황
샹 친 첸
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쿠오 난 형
내셔날 사이언스 카운슬 오브 리퍼블릭 오브 차이나
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering

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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 자기 기록매체에 사용하기 위한 우수한 자기 특성을 구비한 Mn-Al 박막 제조방법에 관한 것으로서, 낮은 기층온도에서 Mn-Al ε-상 박막의 선택적인 성분 조성을 형성시키기 위한 미그네트론 스퍼터링하는 단계와, 그 후 바람직한 온도와 시간기간을 위해 제어된 조건하에서 열처리하는 단계에 의해 ε-상 박막을 높은 값의 포화자화와 보자력을 갖춘 τ-상 박막으로 변화시키는 것을 특징으로 한다.

Description

망간-알루미늄 박막 제조법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 Mn50-Al50피막의 ε-상(相)을 나타낸 것으로, (a) 200℃; (b) 100℃; (c) 30℃의 기층(基層) 온도에서의 Mn50-Al50피막의 X-ray 회절패턴을 도시하는 도면.

Claims (4)

  1. 소정의 기층 온도에서 DC 또는 RF 마그네트론 스퍼터링 공정에 의해 ε-상 Mn-Al 피막을 형성하는 단계; 및 Ms＞300 emu/cc와 Hc＞600 Oe의 자기특성을 얻도록 ε-상을 τ-상으로 변화시키기 위해 ε-상 Mn-Al막상에 최적의 열처리를 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Mn-Al 합금 박막 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 소정의 기층 온도가 80℃보다 높지 않은 것을 특징으로 하는 Mn-Al 합금 박막 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 최적의 열처리가 400∼450℃ 사이의 어닐링 온도로 설정되고, 어닐링 시간이 0.5∼1.5 시간인 것을 특징으로 하는 Mn-Al 합금 박막 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 Mn-Al 박막 성분 조성이 45∼58원자% Mn(즉, Mn45-Al55와 Mn58-Al42사이의 조성)을 포함하며, 최적의 조성은 50원자% Mn(즉, Mn50-Al50) 인 것을 특징으로 하는 Mn-Al 합금 박막 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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