KR970006985Y1

KR970006985Y1 - X선 보호 및 고압제어회로

Info

Publication number: KR970006985Y1
Application number: KR2019910023103U
Authority: KR
Inventors: 홍의성
Original assignee: 엘지전자 주식회사; 이헌조
Priority date: 1991-12-20
Filing date: 1991-12-20
Publication date: 1997-07-11
Also published as: KR930017076U

Abstract

내용없음

Description

X선 보호 및 고압제어회로

제 1 도는 종래의 X선 보호 및 고압제어회로도

제 2 도는 본 고안의 X선 보호 및 고압제어회로도

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1 : 수평발진부2 : 평활부

3 : X선 보호회로부4 : 브라운관

5 : 고압보상제어부6 : 전원차단부

FBT₁FBT₂: 플라이백트랜스SCR : 사이리스터

Q₁-Q₆: 트랜지스터H-DY : 수평편향코일

ZD₁: 제너다이오드

본 고안은 칼라 모니터의 X선 보호에 관한 것으로, 특히 이상 고압시 플라이백트랜스의 공급전원을 조절함으로써 고압을 조절하고 이 고압조절에 의해 X선 방출을 억제하도록 함과 아울러 이상고압 발생시 전원스위치를 재동작시키지 않고 연속적으로 모니터나 티브이(TV)를 시청할 수 있도록 한 X선 보호 및 고압제어회로에 관한 것이다.

종래의 X선보호 및 고압제어회로는 제 1 도에 도시된 바와 같이 발진시정수에 의한 수평발진부(1)의 발진출력에 따라 플라이백트랜스(FBT₁)를 통해 고전압펄스를 발생시키도록 제어하는 트랜지스터(Q₁)와, 상기 제 1 플라이백트랜스(FBT₁)의 2차속에 베이스와 접속하여 그 베이스로 인가되는 고전압펄스에 따라 온/오프하여 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)를 제어하는 트랜지스터(Q₂)와, 상기 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)에서 유기된 전압에 대해 정류 및 평활하여 직류전압을 출력시키는 평활부(2)와, 이 평활부(2)를 통한 직류전압에 따라 X-선 보호회로부(3)의 동작상태를 결정하는 제너다이오드(ZD₁)로 구성된다.

이와 같이 구성된 종래의 회로에 대하여 살펴보면 다음과 같다.

저항(R₁) 및 접지콘덴서(C₁)에 의한 발진주파수에 따라 수평발진부(1)가 발진되어 저항(R₂)을 통한 후 트랜지스터(Q₁)의 베이스에 구형파를 인가하면, 상기 트랜지스터(Q₁)가 온, 오프동작을 하게 되므로 전원전압단(V_CC2)으로부터 제 1 플라이백트랜스(FBT₁)의 1차코일을 통해 전류가 흐르고, 이때 플라이백트랜스(FBT₁)의 2차측코일에 전압이 유기되어 트랜지스터(Q₂)의 베이스에 인가되면, 이 트랜지스터(Q₂)를 온, 오프시켜 스위칭 동작을 함에 따라 편향요크코일(H-DY)에 충분한 전류를 공급함과 아울러 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)를 구동시켜 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)의 2차측은 고압이 유기되어 브라운관(4)의 애노드에 인가된다.

또한 상기 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)의 플라이백펄스용 코일에서 유기된 플라이백펄스(FBP)는 정류다이오드(D₁) 및 접지콘덴서(C₂)에 의해 정류, 평활되어 직류전압이 얻어진다. 이 직류전압은 정상상태인 경우로 제너다이오드(ZD₁)의 일정전압보다 높지 않으므로 도통되지 않아 X-선 보호회로부(3)가 동작할 필요가 없는 것이다.

그런데 고압시엔 유기되는 플라이백펄스 또한 크고, 다이오드(D₁) 및 접지콘덴서(C₁)를 거친 평활부(2)의 직류전압도 높아 저항(R₃) 및 가변저항(VR₁)에 의해 분립된 전압이 제너다이오드(ZD₁)의 일정전압보다 높을 때 제너다이오드(ZD₁)는 도통되어 X-선 보호회로부(3) 구동시킴에 따라 상기 X-선 보호회로부(3)는 수평발진부(1)의 동작을 차단시켜 X선 발생을 방지하게 된다.

그러나, 이와 같은 종래의 회로에 있어서 이상 고압이 발생할 때마다 X선보호회로부가 구동되어 수평발진부의 동작을 차단시켜 동작을 멈추게 되므로 그때마다 전원스위치를 다시 켜야 하므로 사용자에게 번거로움을 주고 티브이(TV)의 부분적인 장면을 보지 못하는 등의 문제점이 있었다.

따라서, 이와 같은 종래의 결함을 감안하여 본 고안은 고압이 검출되면 플라이백트랜스의 일차측으로 공급되는 전압을 제어하여 이차측으로부터 유기되는 고압을 제어할 수 있도록 한 X선 보호 및 고압제어회로를 안출한 것으로 이를 첨부한 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제 2 도는 본 고안의 X선 보호 및 고압제어회로도로서 저항(R₁)을 통해 구형펄스를 입력받는 트랜지스터(Q₁)의 온, 오프동작에 따라 제 1 플라이백트랜스를 통해 유기된 전압으로 다시 트랜지스터(Q₂)의 동작을 제어하여 편향요크코일(H-DY)에 공급함과 아울러 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)를 제어하고, 상기 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)의 2차측에 유기되는 전압은 브라운관(4)에 공급하고 그의 플라이백펄스용 코일에서 유기된 플라이백펄스를 평활부(2)를 통해 정류 및 평활하며, 상기 평활부(2)를 통해 평활된 직류전압에 따라 고압보상제어부(5)의 트랜지스터(Q₃, Q₄, Q₅) 및 전원차단부(6)의 사이리스터(SCR)을 통해 상기 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)에 인가되는 전압을 제어하도록 구성한다.

이와 같이 구성된 본 고안의 작용, 효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.

저항(R₁)을 통해 베이스에 인가되는 구형파에 따라 트랜지스터(Q₁)가 온, 오프되면 전원전압단(V_CC3)으로부터 제 1 플라이백트랜스(FBT₁)의 1차측코일을 통해 전류가 흐르고, 이때 제 1 플라이백트랜스(FBT₁)의 2차측코일에 전압이 유기되어 트랜지스터(Q₂)의 베이스에 인가하면, 상기 트랜지스터(Q₂)의 온, 오프동작에 따라 스위칭되어 편향요크코일(H-DY)에 전류를 공급함과 아울러 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)를 구동시켜 2차측에 전압이 유기되어 브라운관(4)의 애노드에 인가한다.

또한, 상기 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)의 플라이백펄스용 코일에서 유기된 플라이백펄스(FBT)는 평활부(2)의 정류다이오드(D₂) 및 접지콘덴서(C₂)에 의해 정류 및 평활되어 직류전압이 얻어진다.

이때 정상상태에서는 다이오드(D₂) 및 접지콘덴서(C₂)에 의해 정류평활된 전압이 제너다이오드(ZD₁)를 도통시키지 못하기 때문에 고압보상제어부(5)의 트랜지스터(Q₃)는 동작하지 못하고 전원차단부(6)의 사이리스터(SCR)의 게이트에도 전류를 공급하지 못하여 사이리스터(SCR)도 동작하지 않는다.

트랜지스터(Q₃)가 오프상태이기 때문에 직류공급전원(V_CC2)은 저항(R₄)를 통해 트랜지스터(Q₄)의 베이스에 인가되므로 트랜지스터(Q₄)는 온되어 트랜지스터(Q₅)의 베이스는 에미터전압보다 전위가 낮아져 트랜지스터(Q₅)도 온됨에 따라 직류전원(V_CC1)은 제 2 플라백트랜스(FBT₂)에 인가된다.

이때 저항(R₇)에는 전류가 거의 흐르지 않는다.

그리고, 비정상 상태 즉, 고압에서는 평활부(2)를 통해 정류, 평활된 직류성분이 커져서 제너다이오드(ZD₁)를 도통시키고 트랜지스터(Q₃)를 턴온시켜 직류전원(V_CC2)은 트랜지스터(Q₃)의 접지로 흘러 트랜지스터(Q₄)의 베이스 전위가 낮아져 상기 트랜지스터(Q₄)는 턴오프되고, 트랜지스터(Q₅)의 베이스전압과 에미터전압이 같아 트랜지스터(Q₅)는 오프되어 직류공급전원(V_CC1)에서 유출되는 전류는 저항(R₇)을 통하여 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)로 흘러간다.

이때 저항(R₇)에는 (I×R₇)의 전압이 발생되어 제 2 플라이백트랜스에 공급되는 전압은 (V_CC1-I×R₇)이 되어 정상상태의 직류공급전원(V_CC)보다 적어진다.

그러므로의 식(여기서, V₁은 일차측전압, V₂는 2차측전압, n₁, n₂는 권선수)에서 권선수가 동일할 때 일차측전압(V₁)이 낮아지므로 2차측의 전압도 낮아져 X선의 방출이 억제된다.

또한 순간적으로 고압상승시에 전원차단부(6)의 콘덴서(C₃) 및 저항(R₃)의 시정수에 의해 사이리스터(SCR)의 게이트전압이 서서히 상승하게 되는데 순간적인 고압이 낮아지게 되면 동시에 전압공급이 없기 때문에 사이리스터(SCR)의 게이트 구동전압에 못미치고 저항(R₈)을 통하여 방전하게 되며, 제품의 이상으로 계속하여 고압이 상승하여 콘덴서(C₃)에 완전충전이 되면 저항(R₂)을 거쳐 사이리스터(SCR)의 게이트에 적정전류를 흘러 사이리스터(SCR)를 동작시켜 제품의 동작을 중지시킨다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안은 고압을 검출할 경우 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)의 일차측 공급을 제어함으로써 이차측 고압을 제어하도록 하여 X선의 방출을 억제하고, 고압을 제어함으로써 전원스위치의 제동작을 행하여야 하는 번거로움을 없애는 효과가 있다.

Claims

(정정) 구형펄스를 베이스로 입력받는 트랜지스터(Q₁)의 온, 오프동작에 따라 제 1 플라이백트랜스를 통해 유기된 전압으로 트랜지스터(Q₂)의 동작을 제어하고, 상기 트랜지스터(Q₂)의 온, 오프동작에 따라 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)를 통해 유기된 전압이 평활부(1)를 통해 평활된 전압에 따라 X선을 보호하는 회로에 있어서, 비정상상태인 고압발생시 상기 평활부(2)의 직류전압에 따라 트랜지스터를 턴온 또는 턴오프하여 상기 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)의 1차측으로 공급되는 전압을 낮추어서 X-선방출을 억제하는 고압보상제어부(5)와, 순간적인 고압 발생시 저항(R₈)을 통해 방전시키고 제품의 이상으로 계속하여 고압이 상승하여 콘덴서(C₃)에 완전충전시 상기 제 2 플라이백트랜스(FBT₂)로 공급되는 전압을 사이리스터(SCR)로서 완전히 차단하도록 하는 전원차단부(6)로 구성된 것을 특징으로 하는 X선 보호 및 고압제어회로.
(신설)제1항에 있어서, 고압보상제어부(5)는 전원전압단(V_CC1)으로부터 전원을 에미터로 공급받는 트랜지스터(Q₅)의 에미터와 콜렉터는 저항(R₇)을 통해 접속하고, 상기 트랜지스터(Q₅)의 에미터와 베이스는 저항(R₆)을 통해 접속하며, 상기 베이스와 저항(R₆)의 접속점은 저항(R₅)을 통해 트랜지스터(Q₄)의 콜렉터에 접속하고, 상기 트랜지스터(Q₅)의 베이스는 저항(R₄)을 통해 전원전압단(V_CC2)과 접속함과 아울러 에미터가 접지된 트랜지스터(Q₃)의 콜렉터와 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 X선 보호 및 고압제어회로.
(신설)제1항에 있어서, 전원차단부(6)는 사이리스터(SCR)의 애노드는 고압보상제어부(5)의 트랜지스터(Q₅)의 콜렉터와 접속하고, 캐소드가 접속된 상기 사이리스터(SCR)의 게이트는 저항(R₂)(R₈)에 접속하며, 상기 저항(R₈)은 트랜지스터(Q₃)의 베이스에 병렬접속된 저항(R₃)과 콘덴서(C₃)의 접속점에 접속되어 구성된 것을 특징으로 하는 X선 보호 및 고압제어회로.